TW202001389A

TW202001389A - 畫素結構與其製造方法

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Publication number: TW202001389A
Application number: TW108104827A
Authority: TW
Inventors: 謝宗錞; 陳建銓
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2018-06-22
Filing date: 2019-02-13
Publication date: 2020-01-01
Also published as: TWI683375B; TW202018386A; TWI714115B; TW202001363A; TW202001386A; TWI678009B; TW202002354A; TWI683168B; TW202001374A; TW202002352A; TW202002096A; TWI733078B; TW202001373A; TW202001385A; TWI679789B; TWI710832B; TWI685702B; TW202002275A; TWI679765B; TWI679792B

Abstract

一種畫素結構，包括第一電極以及畫素定義層設置於第一電極上。畫素定義層具有畫素開口，包括中間部以及第一部及第二部。第一部、中間部及第二部在第一方向上依序排列。第一部在第二方向上具有第一寬度W1，第二部在第二方向上具有第二寬度W2，中間部在第二方向上具有固定的第三寬度W3，W3＜W1且W3＜W2。第一部在第一方向上具有第一長度L1，第二部在第一方向上具有第二長度L2，中間部在第一方向上具有第三長度L3，且

Description

畫素結構

本發明是有關於一種畫素結構，且特別是有關於一種具有不同寬度的畫素開口的畫素結構。

有機發光二極體（Organic light emitting diode，OLED）具有諸如壽命長、體積小、高抗震性、低熱產生及低功率消耗等優點，因此已被廣泛應用於家用及各種設備中的指示器或光源。

噴墨塗佈技術（Ink Jet Printing，IJP）在OLED的製程上能夠提升材料利用率以降低製程成本，但在進行噴墨塗佈之前需形成對應畫素設置的擋牆（bank），以定義每一畫素的區域。然而在提升解析度時，會縮小畫素結構。如此，除了必須提升噴墨製程對於精度的要求，還會增加混色的機率，降低製造良率。

本發明提供一種畫素結構，可以達成高解析度需求、提供良好的顯示品質及提升製造良率。

本發明的畫素結構，包括第一電極以及畫素定義層設置於第一電極上。畫素定義層具有畫素開口，包括中間部以及第一部及第二部。第一部、中間部及第二部在第一方向上依序排列。第一部在第二方向上具有第一寬度W1，第二部在第二方向上具有第二寬度W2，中間部在第二方向上具有固定的第三寬度W3，W3＜W1且W3＜W2。第一部在第一方向上具有第一長度L1，第二部在第一方向上具有第二長度L2，中間部在第一方向上具有第三長度L3，

。

本發明的畫素結構，包括第一電極以及畫素定義層設置於第一電極上。畫素定義層具有多個畫素開口，各畫素開口包括中間部以及第一部及第二部。第一部、中間部及第二部在第一方向上依序排列。第一部在第二方向上具有第一寬度W1，第二部在第二方向上具有第二寬度W2，中間部在第二方向上具有固定的第三寬度W3，W3＜W1且W3＜W2。第一部在第一方向上具有第一長度L1，第二部在第一方向上具有第二長度L2，中間部在第一方向上具有第三長度L3，

。這些畫素開口包括第一畫素開口與第二畫素開口在第一方向上依序排列。

基於上述，本發明一實施例的畫素結構，於俯視的方向下觀察，由於畫素結構的畫素開口的兩端具有較大寬度的第一部及第二部，而中間具有較小的固定寬度的中間部，且中間部的長度為畫素開口的總長的20%至70%之間。如此一來，當發光圖案的液滴透過噴墨塗佈的方式，噴塗於中間部時，發光圖案的液滴的一部分可以由具有固定寬度的中間部流入第一部及第二部。而發光圖案的液滴的另一部分，則會噴塗於第二擋牆上並流動至液滴中心所對應的畫素，而不會流入相鄰的畫素開口的中間部。藉此，畫素結構可以在不提升噴墨製程對於精度的要求下，減少混色的機率，提升製造良率。此外，於俯視方向下，由於畫素結構的畫素開口的兩端的第一部及第二部具有較大的正投影面積，因此畫素結構可以提升開口率，使畫素結構達成高解析度的需求，提供良好的顯示品質。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件”上”或”連接到”另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為”直接在另一元件上”或”直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，”連接”可以指物理及/或電性連接。再者，”電性連接”或”耦合”係可為二元件間存在其它元件。

應當理解，儘管術語”第一”、”第二”、”第三”等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的”第一元件”、”部件”、”區域”、”層”或”部分”可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。

除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。

圖1繪示為本發明一實施例的畫素結構的局部上視示意圖。圖2A繪示為圖1的畫素結構沿剖面線A-A’的剖面示意圖。圖2B繪示為圖1的畫素結構沿剖面線A-A’的剖面示意圖。圖3繪示為圖1的畫素結構沿剖面線B-B’的剖面示意圖。圖4繪示為圖1的畫素結構沿剖面線C-C’的剖面示意圖。圖1、圖2A、圖2B、圖3及圖4為了方便說明及觀察，僅示意性地繪示部分構件。請參考圖1、圖2A、圖2B、圖3及圖4，在本實施例中，畫素結構10包括第一電極120以及畫素定義層140設置於第一電極120上。畫素結構10更包括發光圖案160及第二電極180。

舉例而言，畫素結構10設置於基板100上。在本實施例中，基板100的材料可以是玻璃、石英、有機聚合物、不透光/反射材料（例如：導電材料、金屬、晶圓、陶瓷或其它可適用的材料）或是其它可適用的材料。若使用導電材料或金屬時，則在基板100上覆蓋一層絕緣材料（未繪示），以避免短路問題。

在一些實施例中，可以設置主動元件層（未繪示）於基板100上。主動元件層例如是主動元件陣列，包括介電層、多個主動元件以及連接這些主動元件的多條訊號線。上述主動元件包括薄膜電晶體（thin film transistor，TFT）。薄膜電晶體例如為低溫多晶矽薄膜電晶體（low temperature poly-Si，LTPS）或非晶矽薄膜電晶體（amorphous Si，a-Si），但本發明不以此為限。

在本實施例中，畫素結構10的第一電極120設置於基板100上。舉例而言，第一電極120可以設置於主動元件層上，且第一電極120電性連接主動元件層，但本發明不以此為限。第一電極120的材料為導體材料，例如鋁（Al）、銀（Ag）、鉻（Cr）、銅（Cu）、鎳（Ni）、鈦（Ti）、鉬（Mo）、鎂（Mg）、鉑（Pt）、金（Au）或其組合。第一電極120可以是單層、雙層或多層結構。舉例而言，第一電極120可以是由ITO/Ag/ITO所構成的三層結構，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一電極120也可以是Ti/Al/Ti或是由Mo/Al/Mo所構成的三層結構。在一些實施例中，第一電極120還包括反射電極，其材料可以是對可見光具有良好反射率的金屬，例如鋁、鉬、金或其組合。在一些實施例中，第一電極120的形成方法可以是化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）、原子層沉積（ALD）、蒸鍍（VTE）、濺鍍（SPT）或其組合。在一些實施例中，第一電極120可作為發光圖案160的陽極（anode），但本發明不以此為限。

畫素定義層140設置並覆蓋於基板100及第一電極120上。舉例而言，畫素定義層140可整面地或部分地設置於第一電極120上，但本發明不以此為限。畫素定義層140具有畫素開口150。舉例而言，畫素開口150於基板100上的正投影重疊第一電極120的部分。從另一角度而言，畫素開口150暴露出部分位於畫素開口150中的第一電極120。畫素定義層140的材料包括無機材料。無機材料包括氮化矽（SiN_x ）或其他合適材料，本發明不以此為限。在一些實施例中，畫素定義層140的材料也包括光阻材料。畫素開口150的形成方法例如透過黃光微影蝕刻方式，對畫素定義層140進行蝕刻。也就是說，圖案化畫素定義層140所形成之畫素開口150的區域可用於定義出畫素PX。

在本實施例中，畫素開口150包括中間部156以及第一部152及第二部154。第一部152、中間部156及第二部154在第一方向D1上依序排列。舉例而言，如圖1所示，第一部152及第二部154可以位於畫素開口150的相對兩端，而中間部156位於第一部152與第二部154之間。

請參考圖2A及圖2B，發光圖案160設置於畫素開口150中接觸第一電極120。發光圖案160例如為電致發光的有機發光結構，但本發明不以此為限。在本實施例中，為了提升材料的利用率以降低製造成本，可藉由噴墨塗佈（ink jet printing，IJP）製程來形成發光圖案160。舉例而言，液態的有機發光材料（未繪示）可透過噴墨塗佈製程設置於第一電極120上且位於畫素開口150中，再藉由一乾燥程序形成薄膜的發光圖案160。在一些實施例中，發光圖案160可為多層結構，包括電洞注入層（hole injection layer，HIL）、電洞傳輸層（hole transfer layer，HTL）、發光層（emission layer，EL）和電子傳輸層（electron transfer layer，ETL）。圖2A及圖2B為了方便說明及清楚表示，僅以一層結構表示。在本實施例中，可透過重覆進行噴墨塗佈製程以及固化程序以形成所需厚度的發光圖案160，但本發明不以此為限。

在一些實施例中，電洞注入層的材料例如是苯二甲藍銅、星狀芳胺類、聚苯胺、聚乙烯二氧噻吩或其他適合的材料。電洞傳輸層的材料例如是三芳香胺類、交叉結構二胺聯苯、二胺聯苯衍生物或其他適合的材料。發光層可以是紅色有機發光層、綠色有機發光層、藍色有機發光層或是混合各頻譜的光產生的不同顏色（例如白、橘、黃等）發光層。電子傳輸層的材料可以是噁唑衍生物及其樹狀物、金屬螯合物（例如Alq3）、唑類化合物、二氮蒽衍生物、含矽雜環化合物或其他適合的材料。

基於液體的表面張力與畫素定義層140（作為定義畫素PX的擋牆結構）之吸附力的不同，導致液滴乾燥過程中，使發光圖案160的厚度隨著靠近畫素定義層140漸增。換句話說，發光圖案160於畫素定義層140與第一電極120的交接處的厚度H1大於發光圖案160於第一電極120上的厚度H2。

在本實施例中，於垂直基板100的方向上，相鄰的不同畫素開口150中的發光圖案160的高度（例如為厚度H2）可以彼此相同或不同。以下以不同發光圖案160的高度不相同為例進行說明。由於不同畫素開口150的區域可定義出不同畫素PX（標示於圖1），因此不同畫素開口150中的發光圖案160可包括第一發光圖案160G、第二發光圖案160R以及第三發光圖案160B。第一發光圖案160G、第二發光圖案160R以及第三發光圖案160B可以分別發出不同波長的第一色光、第二色光及第三色光（未繪示）。舉例而言，第一色光例如為綠色光，第二色光例如為紅色光，第三色光例如為藍色光，但本發明不以此為限。使用者可依色光的需求，選擇性地調整第一發光圖案160G、第二發光圖案160R以及第三發光圖案160B的高度。舉例而言，如圖2A所示，第二發光圖案160R的高度大於第一發光圖案160G的高度大於第三發光圖案160B的高度，但本發明不以此為限。在一些實施例中，第一發光圖案160G、第二發光圖案160R以及第三發光圖案160B的高度也可以至少任二者相同或全部相同。

請參考圖2B，畫素結構10更包括第二電極180設置於畫素定義層140上。舉例而言，第二電極180可以整面的方式設置在畫素定義層140及發光圖案160上並重疊第一電極120以及畫素開口150，但本發明不以此為限。第二電極180的材料可為透明的導體材料，例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鍺鋅氧化物等金屬氧化物。在一些實施例中，第二電極180的形成方法可以是化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）、原子層沉積（ALD）、蒸鍍（VTE）、濺鍍（SPT）或其組合。在一些實施例中，第二電極180可作為發光圖案160的陰極（cathode）。

在一些實施例中，還可以選擇性地設置保護層、平坦層、阻水氧層（未繪示）或其他合適的膜層於第二電極180上，本發明不以此為限。

值得注意的是，請參考圖1、圖2A、圖3及圖4，第一方向D1的延伸方向垂直於第二方向D2的延伸方向。畫素開口150的第一部152在第二方向D2上具有第一寬度W1，第二部154在第二方向D2上具有第二寬度W2，中間部156在第二方向D2上具有固定的第三寬度W3，其中W3＜W1且W3＜W2。在一些實施例中，第一寬度W1與第二寬度W2可以相同或不同。也就是說，第一寬度W1可等於、大於或小於第二寬度W2，本發明不以此為限。在上述的設置下，於第二方向D2上，相鄰兩個畫素開口150的中間部156之間的距離可以固定並大於相鄰的第一部152（或第二部154）之間的距離。詳細而言，畫素定義層140更包括多個第二擋牆142。第二擋牆142例如為分別設置於中間部156兩側的畫素定義層140。具體而言，第二擋牆142分別設置於中間部156的兩個側邊，以用於定義出中間部156的區域。每一第二擋牆142（例如：位於相鄰兩個中間部156之間的第二擋牆142）在第二方向D2上具有第四寬度W4。在本實施例中，

，而

，且X為發光圖案160的液滴直徑及機械精度的寬度。如此一來，當發光圖案160的液滴透過噴墨塗佈的方式，噴塗於中間部156時，固定的第三寬度W3可以確保發光圖案160的液滴的一部分可以由中間部156流入第一部152及第二部154。此外，由於中間部156兩側的第二擋牆142具有足夠的第四寬度W4（例如相鄰中間部156之間的距離），因此噴塗於第二擋牆142上的發光圖案160的另一部分液滴（包括部分的液滴直徑及機械精度所導致不重疊中間部156的液滴）則會噴塗於第二擋牆142上，並流動至液滴中心所對應的畫素PX（例如：圖1左方畫素開口150的中間部156），而不會流入相鄰畫素之畫素開口150的中間部156（例如：圖1中間畫素之中間部156）。藉此，畫素結構10可以在不提升噴墨製程對於精度的要求下，減少混色的機率，提升製造良率。

此外，由於相鄰的第一部152的第一寬度W1（或第二部154的第二寬度W2）可以大於中間部156的第三寬度W3，因此畫素開口150的面積可以提升。藉此，發光圖案160的發光面積可以增加，提升開口率，使畫素結構10達成高解析度的需求，提供良好的顯示品質。

另外，第一部152在第一方向D1上具有第一長度L1，第二部154在第一方向D1具有第二長度L2，中間部156在第一方向D1上具有第三長度L3，其中

。換句話說，中間部156的第三長度L3為畫素開口150的總長（L1+L2+L3）的20%至70%之間。在上述的設置下，使用者可依需求，調整第三長度L3與第一長度L1及第二長度L2的關係。如此，可以同時增加第一部152及第二部154的面積並減少混色的機率。因此，發光圖案160的發光面積可以增加，提升開口率，使畫素結構10達成高解析度的需求，提供良好的顯示品質，還可以提升製造良率。

請參考圖1及圖4，在本實施例中，第一部152具有第一內側邊1522及第一外側邊1521，第二部154具有第二內側邊1542及第二外側邊1541。從另一角度而言，第一內側邊1522與第一外側邊1521可用於定義畫素定義層140於第一部152在第一方向D1上的側壁及第一部152的第一長度L1。第二內側邊1542與第二外側邊1541可用於定義畫素定義層140於第二部154在第一方向D1上的側壁及第二部154的第二長度L2。發光圖案160可自第一部152經由中間部156延伸至第二部154，且發光圖案160位於第一外側邊1521與第二外側邊1541之間。在本實施例中，第一內側邊1522及第一外側邊1521平行第二方向D2，第二內側邊1542及第二外側邊1541平行第二方向D2，但本發明不以此為限。

簡言之，使用者於俯視的方向下觀察畫素開口150，由於本發明的畫素結構10的畫素開口150可為兩端具有較大寬度，而中間具有較小的固定寬度的工字形或I字型。藉此，可以提升開口率，使畫素結構10達成高解析度的需求，提供良好的顯示品質還可以減少混色的機率，提升製造良率。

下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，關於省略了相同技術內容的部分說明可參考前述實施例，下述實施例中不再重複贅述。

圖5A繪示為本發明另一實施例的畫素結構的局部上視示意圖。圖5B繪示為圖5A的畫素結構沿剖面線D-D’的剖面示意圖。圖5A及圖5B為了方便說明及觀察，僅示意性地繪示部分構件。本實施例所示的畫素結構10A與圖1及圖4所示的畫素結構10類似，主要的差異在於：畫素結構10A更包括第一擋牆242設置於中間部156。舉例而言，第一擋牆242設置於畫素開口150中，以將畫素開口150的區域定義為第一子畫素PX1及第二子畫素PX2。具體而言，於第一方向D1上，第一電極120及發光圖案160位於第一擋牆242與畫素定義層140之間的區域。藉此，相較於圖1的畫素結構10，畫素結構10A可透過第一擋牆242，將一個畫素開口150定義出兩個子畫素PX1、PX2。在一些實施例中，第一擋牆242還可以將畫素開口150定義出三個、四個或更多個子畫素，但本發明不以此為限。因此，畫素結構10A可以進一步提升解析度，提供良好的顯示品質。此外，畫素結構10A還可獲致與上述實施例類似的技術功效。

在本實施例中，第一擋牆242的材質可以包括無機材料，例如氧化矽（SiO₂ ）或其他合適材料，本發明不以此為限。

圖6繪示為本發明另一實施例的畫素結構的剖面示意圖，圖6為了方便說明及觀察，僅示意性地繪示部分構件。本實施例所示的畫素結構10B與圖4所示的畫素結構10類似，主要的差異在於：畫素結構10B更包括多個第一擋牆242。這些第一擋牆242中的一者對應第一部152的第一外側邊1521設置，這些第一擋牆242中的一者對應第二部154的第二外側邊1541設置。換句話說，相較於圖4所示的畫素結構10，本實施例的畫素結構10B是以第一擋牆242取代定義出第一部152的第一外側邊1521的部分畫素定義層140，並以另一第一擋牆242取代定義出第二部154的第二外側邊1541的部分畫素定義層140。簡言之，第一擋牆242可以設置於鄰近第一部152的一端以及鄰近第二部154的一端，以同時與畫素定義層140定義出畫素開口150（標示於圖1）。如此，於第二方向D2上，畫素結構10B可進一步縮減相鄰畫素開口150之間的距離，提升解析度，提供良好的顯示品質。此外，畫素結構10B還可獲致與上述實施例類似的技術功效。

圖7A繪示為本發明另一實施例的畫素結構的局部上視示意圖，圖7A為了方便說明及觀察，僅示意性地繪示部分構件。圖7B繪示為圖7A的畫素結構沿剖面線E-E’的剖面示意圖。本實施例所示的畫素結構10C與圖1及圖4所示的畫素結構10類似，主要的差異在於：畫素定義層140包括多個畫素開口150。這些畫素開口150包括至少一個第一畫素開口1501與至少一個第二畫素開口1502在第一方向D1上依序排列。舉例而言，畫素結構10C更包括第一擋牆242設置於第一畫素開口1501與第二畫素開口1502之間，以將第一畫素開口1501的區域定義為第一子畫素PXA，將第二畫素開口1502的區域定義為第二子畫素PXB。具體而言，於第一方向D1上，第一電極120及發光圖案160位於第一擋牆242與畫素定義層140之間的區域。藉此，相較於圖1的畫素結構10，畫素結構10C的第一畫素開口1501與第二畫素開口1502可透過第一擋牆242，在第二方向D2上分離。在上述的設置下，畫素結構10C可透過第一擋牆242取代使用畫素定義層140定義出第一畫素開口1501的第二部154以及第二畫素開口1502的第一部152。如此，於第二方向D2上，第一子畫素PXA與第二子畫素PXB之間的距離可進一步地縮減，進而提升解析度，並提供良好的顯示品質。此外，畫素結構10C還可獲致與上述實施例類似的技術功效。

請參考圖7B，畫素結構10C更包括第二電極180設置於畫素定義層140上並重疊第一畫素開口1501以及第二畫素開口1502，但本發明不以此為限。此外，基於液體的表面張力與畫素定義層140（作為定義第一子畫素PXA及第二子畫素PXB的擋牆結構）之吸附力的不同，故發光圖案160於畫素定義層140與第一電極120的交接處的厚度H1大於發光圖案160於第一電極120上的厚度H2。

圖8A繪示為本發明又一實施例的畫素結構的局部上視示意圖。圖8B繪示為圖8A的畫素結構沿剖面線F-F’的剖面示意圖。圖8A及圖8B為了方便說明及觀察，僅示意性地繪示部分構件。本實施例所示的畫素結構10D與圖7A及圖7B所示的畫素結構10C類似，主要的差異在於：畫素結構10D更包括多個第一擋牆242設置於第一畫素開口1501的中間部156、第二畫素開口1502的中間部156以及第一畫素開口1501與第二畫素開口1502之間。在本實施例中，這些第一擋牆242將第一畫素開口1501的區域定義為第一子畫素PX1及第二子畫素PX2，並將第二畫素開口1502的區域定義為第三子畫素PX3及第四子畫素PX4。藉此，相較於圖7A及圖7B的畫素結構10C，畫素結構10D可透過多個第一擋牆242，定義出多個畫素開口1501、1502以及多個子畫素PX1、PX2、PX3、PX4。因此，除了第一畫素開口1501與第二畫素開口1502之間的距離可進一步地縮減外，還可以增加子畫素的數量（例如兩個、三個、四個或更多個），以進一步提升解析度，提供良好的顯示品質。此外，畫素結構10D還可獲致與上述實施例類似的技術功效。

圖9繪示為本發明另一實施例的畫素結構的剖面示意圖，圖9為了方便說明及觀察，僅示意性地繪示部分構件。本實施例所示的畫素結構10E與圖8B所示的畫素結構10D類似，主要的差異在於：畫素結構10E的多個第一擋牆242中的一者對應第一部152（標示於圖8A）的第一外側邊1521設置，這些第一擋牆242中的一者對應第二部154（標示於圖8A）的第二外側邊1541設置。換句話說，相較於圖8B所示的畫素結構10D，本實施例的畫素結構10E是以第一擋牆242取代定義出第一部152的第一外側邊1521的部分畫素定義層140，並以另一第一擋牆242取代定義出第二部154的第二外側邊1541的部分畫素定義層140。如此，畫素結構10E可獲致與上述實施例類似的技術功效。

圖10A繪示為本發明另一實施例的畫素結構的局部上視示意圖，圖10A為了方便說明及觀察，僅示意性地繪示部分構件。本實施例所示的畫素結構10F與圖1所示的畫素結構10類似，主要的差異在於：第一部152A的第一內側邊1522A相對第二部154A的第二內側邊1542A設置。第一內側邊1522A的延伸方向交錯第二內側邊1542A的延伸方向。舉例而言，於第一方向D1上，第一內側邊1522A與中間部156的交接處至第一外側邊1521之間的距離，可以沿著第二方向D2往遠離中間部156的方向漸增。第二內側邊1542A與中間部156的交接處至第二外側邊1541之間的距離，可以沿著第二方向D2往遠離中間部156的方向漸增。也就是說，第一內側邊1522A和第二內側邊1542A是沿著斜角延伸而不平行於第二方向D2，且第一內側邊1522A與第二內側邊1542A彼此不平行。在上述的設置下，相較於圖1所示的畫素結構10，於俯視方向上，畫素結構10F的第一部152A及第二部154A的正投影面積可以增加。如此，第一部152A及第二部154A中的發光圖案（未繪示）的發光面積可以增加，提升開口率，使畫素結構10F達成高解析度的需求，提供良好的顯示品質。此外，畫素結構10F還可獲致與上述實施例類似的技術功效。

圖10B繪示為本發明另一實施例的畫素結構的局部上視示意圖，圖10B為了方便說明及觀察，僅示意性地繪示部分構件。本實施例所示的畫素結構10G與圖1所示的畫素結構10類似，主要的差異在於：第一部152B與第二部154B的四個邊角為弧形。如此，畫素結構10G可獲致與上述實施例類似的技術功效。

綜上所述，本發明一實施例的畫素結構，於俯視的方向下觀察，由於畫素結構的畫素開口的兩端具有較大寬度的第一部及第二部，而中間具有較小的固定寬度的中間部，且中間部的長度為畫素開口的總長的20%至70%之間。如此一來，當發光圖案的液滴透過噴墨塗佈的方式，噴塗於中間部時，發光圖案的液滴的一部分可以由具有固定寬度的中間部流入第一部及第二部。而發光圖案的液滴的另一部分，則因液滴的直徑及機械精度，故會噴塗於第二擋牆上並流動至液滴中心所對應的畫素的畫素開口之中間部，而不會流入相鄰的畫素之畫素開口的中間部。藉此，畫素結構可以在不提升噴墨製程對於精度的要求下，減少混色的機率，提升製造良率。此外，於俯視方向下，由於畫素結構的畫素開口的兩端的第一部及第二部具有較大的正投影面積，因此畫素結構可以提升開口率，使畫素結構達成高解析度的需求，提供良好的顯示品質。

另外，畫素結構還可以包括第一擋牆設置於中間部以定義出更多個子畫素，進一步提升解析度，提供良好的顯示品質。此外，第一擋牆也可以對應第一外側邊及第二外側邊設置，以同時與畫素定義層定義出畫素開口。如此，畫素結構可進一步縮減相鄰畫素開口之間的距離，提升解析度，提供良好的顯示品質。更進一步而言，第一內側邊的延伸方向還可以交錯第二內側邊的延伸方向。如此，第一部及第二部的正投影面積可以增加，以進一步地增加發光面積，提升開口率，使畫素結構達成高解析度的需求，提供良好的顯示品質。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10、10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G‧‧‧畫素結構 100‧‧‧基板 120‧‧‧第一電極 140‧‧‧畫素定義層 142‧‧‧第二擋牆 150‧‧‧畫素開口 1501‧‧‧第一畫素開口 1502‧‧‧第二畫素開口 152、152A、152B‧‧‧第一部 1521‧‧‧第一外側邊 1522、1522A‧‧‧第一內側邊 154、154A、154B‧‧‧第二部 1541‧‧‧第二外側邊 1542、1542B‧‧‧第二內側邊 156‧‧‧中間部 160‧‧‧發光圖案 160G‧‧‧第一發光圖案 160R‧‧‧第二發光圖案 160B‧‧‧第三發光圖案 180‧‧‧第二電極 242‧‧‧第一擋牆 A-A’、B-B’、C-C’、D-D’、E-E’、F-F’‧‧‧剖面線 D1‧‧‧第一方向 D2‧‧‧第二方向 H1、H2‧‧‧厚度 L1‧‧‧第一長度 L2‧‧‧第二長度 L3‧‧‧第三長度 PX‧‧‧畫素 PX1、PXA‧‧‧第一子畫素 PX2、PXB‧‧‧第二子畫素 PX3‧‧‧第三子畫素 PX4‧‧‧第四子畫素 W1‧‧‧第一寬度 W2‧‧‧第二寬度 W3‧‧‧第三寬度 W4‧‧‧第四寬度

圖1繪示為本發明一實施例的畫素結構的局部上視示意圖。圖2A繪示為圖1的畫素結構沿剖面線A-A’的剖面示意圖。圖2B繪示為圖1的畫素結構沿剖面線A-A’的剖面示意圖。圖3繪示為圖1的畫素結構沿剖面線B-B’的剖面示意圖。圖4繪示為圖1的畫素結構沿剖面線C-C’的剖面示意圖。圖5A繪示為本發明另一實施例的畫素結構的局部上視示意圖。圖5B繪示為圖5A的畫素結構沿剖面線D-D’的剖面示意圖。圖6繪示為本發明另一實施例的畫素結構的剖面示意圖。圖7A繪示為本發明另一實施例的畫素結構的局部上視示意圖。圖7B繪示為圖7A的畫素結構沿剖面線E-E’的剖面示意圖。圖8A繪示為本發明又一實施例的畫素結構的局部上視示意圖。圖8B繪示為圖8A的畫素結構沿剖面線F-F’的剖面示意圖。圖9繪示為本發明另一實施例的畫素結構的剖面示意圖。圖10A繪示為本發明另一實施例的畫素結構的局部上視示意圖。圖10B繪示為本發明再一實施例的畫素結構的局部上視示意圖。

10‧‧‧畫素結構

140‧‧‧畫素定義層

142‧‧‧第二擋牆

150‧‧‧畫素開口

152‧‧‧第一部

1521‧‧‧第一外側邊

1522‧‧‧第一內側邊

154‧‧‧第二部

1541‧‧‧第二外側邊

1542‧‧‧第二內側邊

156‧‧‧中間部

A-A’、B-B’、C-C’‧‧‧剖面線

D1‧‧‧第一方向

D2‧‧‧第二方向

L1‧‧‧第一長度

L2‧‧‧第二長度

L3‧‧‧第三長度

PX‧‧‧畫素

W1‧‧‧第一寬度

W2‧‧‧第二寬度

W3‧‧‧第三寬度

W4‧‧‧第四寬度

Claims

一種畫素結構，包括：一第一電極；以及一畫素定義層設置於該第一電極上，具有一畫素開口，該畫素開口包括：一中間部；以及一第一部及一第二部，該第一部、該中間部及該第二部在一第一方向上依序排列，其中該第一部在一第二方向上具有一第一寬度W1，該第二部在該第二方向上具有一第二寬度W2，該中間部在該第二方向上具有固定的第三寬度W3，W3＜W1且W3＜W2，其中該第一部在該第一方向上具有一第一長度L1，該第二部在該第一方向上具有一第二長度L2，該中間部在該第一方向上具有一第三長度L3，
。
如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，更包括一發光圖案，該發光圖案設置於該畫素開口中，其中該發光圖案於該畫素定義層與該第一電極的交接處的厚度H1大於該發光圖案於該第一電極上的厚度H2。
如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，更包括一第一擋牆設置於該中間部，以將該畫素開口的區域定義為一第一子畫素及一第二子畫素。
如申請專利範圍第3項所述的畫素結構，其中該畫素定義層更包括多個第二擋牆，該些第二擋牆分別設置於該中間部的兩個側邊，其中每一該第二擋牆在該第二方向上具有一第四寬度W4，且
，其中X為所述發光圖案的液滴直徑及機械精度的寬度。
如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第一部具有一第一內側邊及一第一外側邊，該第一內側邊及該第一外側邊平行該第二方向，該第二部具有一第二內側邊及一第二外側邊，該第二內側邊及該第二外側邊平行該第二方向。
如申請專利範圍第5項所述的畫素結構，更包括多個第一擋牆，該些第一擋牆中的一者對應該第一部的該第一外側邊設置，該些第一擋牆中的另一者對應該第二部的該第二外側邊設置。
如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第一部的一第一內側邊相對該第二部的一第二內側邊，該第一內側邊的延伸方向交錯該第二內側邊的延伸方向。
如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，更包括一第二電極，該第二電極設置於該畫素定義層上。
一種畫素結構，包括：一第一電極；以及一畫素定義層設置於該第一電極上，具有多個畫素開口，各該畫素開口包括：一中間部；以及一第一部及一第二部，該第一部、該中間部及該第二部在一第一方向上依序排列，其中該第一部在一第二方向上具有一第一寬度W1，該第二部在該第二方向上具有一第二寬度W2，該中間部在該第二方向上具有固定的第三寬度W3，W3＜W1且W3＜W2，其中該第一部在該第一方向上具有一第一長度L1，該第二部在該第一方向上具有一第二長度L2，該中間部在該第一方向上具有一第三長度L3，
，其中該些畫素開口包括一第一畫素開口與一第二畫素開口在該第一方向上依序排列。
如申請專利範圍第9項所述的畫素結構，更包括一第一擋牆設置於該第一畫素開口與該第二畫素開口之間，以將該第一畫素開口的區域定義為一第一子畫素，該第二畫素開口的區域定義為一第二子畫素。
如申請專利範圍第9項所述的畫素結構，更包括多個第一擋牆設置於該第一畫素開口的該中間部、該第二畫素開口的該中間部以及該第一畫素開口與該第二畫素開口之間，以將該第一畫素開口的區域定義為一第一子畫素及一第二子畫素，該第二畫素開口的區域定義為一第三子畫素及一第四子畫素。
如申請專利範圍第9項所述的畫素結構，更包括多個發光圖案，每一該發光圖案設置於每一該畫素開口中，其中每一該發光圖案於該畫素定義層與該第一電極的交接處的厚度H1大於每一該發光圖案於該第一電極上的厚度H2。
如申請專利範圍第9項所述的畫素結構，其中該第一部具有一第一內側邊及一第一外側邊，該第一內側邊及該第一外側邊平行該第二方向，該第二部具有一第二內側邊及一第二外側邊，該第二內側邊及該第二外側邊平行該第二方向。
如申請專利範圍第13項所述的畫素結構，更包括多個第一擋牆，該些第一擋牆中的一者對應該第一部的該第一外側邊設置，該些第一擋牆中的另一者對應該第二部的該第二外側邊設置。
如申請專利範圍第9項所述的畫素結構，其中該第一部的一第一內側邊相對該第二部的一第二內側邊，該第一內側邊的延伸方向交錯該第二內側邊的延伸方向。
如申請專利範圍第9項所述的畫素結構，更包括一第二電極，該第二電極設置於該畫素定義層上。