TWI762136B

TWI762136B - 顯示裝置

Info

Publication number: TWI762136B
Application number: TW109147080A
Authority: TW
Inventors: 楊淑媚; 林建中; 吳明憲; 趙嘉信; 方彥翔; 陳育聖
Original assignee: 財團法人工業技術研究院
Priority date: 2020-12-31
Filing date: 2020-12-31
Publication date: 2022-04-21
Also published as: TW202228107A

Abstract

一種顯示裝置，其包括多個畫素單元。至少一個多個畫素單元包括第一發光二極體、第二發光二極體以及第三發光二極體。第一發光二極體具有第一尺寸且包括第一發光層。第二發光二極體具有第二尺寸且包括第二發光層。第三發光二極體具有第三尺寸且包括第三發光層。第一尺寸小於第二尺寸。第一尺寸小於第三尺寸。第一發光層的折射率大於第二發光層的折射率。第一發光層的折射率大於第三發光層的折射率。

Description

顯示裝置

本發明是有關於一種顯示裝置，且特別是有關於一種具有較佳顯示品質的顯示裝置。

發光二極體(light emitting diode；LED)具有諸如壽命長、體積小、高抗震性、低熱產生及低功率消耗等優點，因此已被廣泛應用於家用及各種設備中的指示器或光源。近年來，發光二極體已朝多色彩及高亮度發展，因此其應用領域已擴展至大型戶外看板、交通號誌燈及類似的顯示裝置。

在一般顯示裝置的觀看上，使用者就容易在水平視角方向上進行明顯地移動。因此，如何進一步提升具有發光二極體的顯示裝置的顯示品質，以讓使用者至少在水平視角方向上具有良好的觀看品質，實已成目前亟欲解決的課題。

本發明提供一種顯示裝置，其具有較佳的顯示品質。

本發明的顯示裝置包括多個畫素單元。至少一個多個畫素單元包括第一發光二極體、第二發光二極體以及第三發光二極體。第一發光二極體具有第一尺寸且包括第一發光層。第二發光二極體具有第二尺寸且包括第二發光層。第三發光二極體具有第三尺寸且包括第三發光層。第一尺寸小於第二尺寸。第一尺寸小於第三尺寸。第一發光層的折射率大於第二發光層的折射率。第一發光層的折射率大於第三發光層的折射率。

本發明的顯示裝置包括多個畫素單元。至少一個多個畫素單元包括第一發光二極體、第二發光二極體以及第三發光二極體。第一發光二極體具有第一尺寸且包括第一基板及位於第一基板上的第一發光層。第二發光二極體具有第二尺寸且包括第二基板及位於第二基板上的第二發光層。第三發光二極體具有第三尺寸且包括第三基板及位於第三基板上的第三發光層。第一基板的厚度相同於第二基板的厚度及/或第三基板的厚度。第一尺寸小於第二尺寸。第一尺寸小於第三尺寸。第一發光層的折射率大於第二發光層的折射率。第一發光層的折射率大於第三發光層的折射率。

本發明的顯示裝置包括多個畫素單元。至少一個多個畫素單元包括第一發光二極體、第二發光二極體以及第三發光二極體。第一發光二極體包括第一基板及位於第一基板上的第一發光層。第二發光二極體包括第二基板及位於第二基板上的第二發光層。第三發光二極體包括第三基板及位於第三基板上的第三發光層。第一基板的厚度大於第二基板的厚度。第一基板的厚度大於第三基板的厚度。第一發光層的折射率大於第二發光層的折射率。第一發光層的折射率大於第三發光層的折射率。

基於上述，本發明的顯示裝置具有較佳的顯示品質。

100、200、300、600、700、800、900、1000:顯示裝置

110、210、310、710:第一發光二極體

110s、710s:第一頂面

111:第一導電端子

112:第二導電端子

113:第一發光晶粒

214、314:第一基板

214h、314h:第一厚度

L1、L1’、L1”:第一尺寸

L4、L4”:第四尺寸

120、220、320、820:第二發光二極體

120s、820s:第二頂面

121:第三導電端子

122:第四導電端子

123:第二發光晶粒

224、324:第二基板

224h、324h:第二厚度

L2、L2’:第二尺寸

L5、L5”:第五尺寸

130、230、330、830:第三發光二極體

130s、830s:第三頂面

131:第五導電端子

132:第六導電端子

133:第三發光晶粒

234、334:第三基板

234h、334h:第三厚度

L3:第三尺寸

L6、L6”:第六尺寸

140:線路基板

141:第一連接墊

142:第二連接墊

143:第三連接墊

144:第四連接墊

150:遮光層

150p:畫素開口

930:發光二極體

933:發光晶粒

931、932:導電端子

933a:第一導電層

933b:第一型半導體層

933c:發光層

933d:第二型半導體層

933e:第二導電層

933f:圖案化絕緣層

D1:第一方向

D2:水平視角方向

PU:畫素單元

圖1A是依照本發明的第一實施例的一種顯示裝置的一種應用方式的部分立體示意圖。

圖1B是依照本發明的第一實施例的一種顯示裝置的部分上視示意圖。

圖1C至圖1E是依照本發明的第一實施例的一種顯示裝置的部分剖視示意圖。

圖1F是依照本發明的一實施例的一種發光二極體的剖視示意圖。

圖2是依照本發明的第二實施例的一種顯示裝置的部分剖視示意圖。

圖3A至圖3D是依照本發明的第三實施例的一種顯示裝置的部分剖視示意圖。

圖4是依照本發明的第四實施例的一種顯示裝置的部分上視示意圖。

圖5是依照本發明的第五實施例的一種顯示裝置的部分上視示意圖。

圖6是依照本發明的第六實施例的一種顯示裝置的部分上視示意圖。

圖7是依照本發明的第七實施例的一種顯示裝置的部分上視示意圖。

圖8是依照本發明的第八實施例的一種顯示裝置的部分上視示意圖。

圖9是各實驗例的發光二極體的視角-歸一化發光強度關係圖。

在附圖中，為了清楚起見，可能放大或縮小了部分的元件或膜層的尺寸。舉例而言，在部分的圖式中，可能放大了發光二極體的尺寸或縮小了線路基板的尺寸。

為求清楚表示，於圖式中可能省略繪示或標示了部分的元件或膜層。

並且，在說明書中所表示的數值，可以包括所述數值以及在本領域中具有通常知識者可接受的偏差範圍內的偏差值。舉例而言，本文使用的「約」或「基本上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍(如：±10%)內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(如：測量系統的限制或誤差；或製程系統的限制或誤差，但不限)。

在後續的實施例中，相同或類似的構件以相同或相似的標號表示，且具有類似的功能、結構、材質或形成方式，並省略重複描述。

圖1A是依照本發明的第一實施例的一種顯示裝置的一種應用方式的部分立體示意圖。圖1B是依照本發明的第一實施例的一種顯示裝置的部分上視示意圖。圖1C可以是對應於圖1B中I-I’剖線上的剖視示意圖，圖1D可以是對應於圖1B中II-II’剖線上的剖視示意圖，圖1E可以是對應於圖圖1B中III-III’剖線上的剖視示意圖。

請參照圖1A及圖1B，顯示裝置100適於顯示畫面，並且可以進一步地被使用者80觀看。顯示裝置100包括第一發光二極體110、第二發光二極體120以及第三發光二極體130。在平行於使用者80的水平視角AH的水平視角方向D2上，第一發光二極體110具有第一尺寸L1，第二發光二極體120具有第二尺寸L2，第三發光二極體120具有第三尺寸L3。第一尺寸L1小於第二尺寸L2。第一尺寸L1小於第三尺寸L3。在一實施例中，水平視角方向D2可以為平行於使用者80的兩眼之間的方向。在後續的實施例中，水平視角方向D2的定義可以相同或相似於圖1A中的繪示及/或其對應的敘述方式，故於後不加以贅述。

請參照圖1B至圖1E，第一發光二極體110、第二發光二極體120及第三發光二極體130可以配置於線路基板140上。第一發光二極體110、第二發光二極體120及第三發光二極體130可以藉由其對應的導電端子(如：第一發光二極體110的第一導電端子111或第二導電端子112，第二發光二極體120的第三導電端子121或第四導電端子122，或第三發光二極體130的第五導電端子131或第六導電端子132)電性連接至線路基板140中對應的連接墊(如：第一連接墊141、第二連接墊142、第三連接墊143或第四連接墊144)。

第一發光二極體110、第二發光二極體120及/或第三發光二極體130的至少一部分結構可以相同或相似於圖1F中所繪示的發光二極體930。舉例而言，發光二極體930可以包括發光晶粒933、第一導電端子931以及第二導電端子932。發光晶粒933可以包括第一導電層933a、第一型半導體層933b、發光層933c、第二型半導體層933d、第二導電層933e以及圖案化絕緣層933f。圖案化絕緣層933f可以覆蓋第一導電層933a、第一型半導體層933b、發光層933c、第二型半導體層933d及/或第二導電層933e。圖案化絕緣層933f可以具有暴露第一導電層933a的開口，以使第一導電端子931可以藉由第一導電層933a電性連接於第一型半導體層933b。圖案化絕緣層933f可以具有暴露第二導電層933e的開口，以使第二導電端子932可以藉由第二導電層933e電性連接於第二型半導體層933d。第一導電端子931及第二導電端子932可以電性連接於線路基板140中不同的連接墊。發光二極體930可以藉由覆晶接合(flip-chip bonding)的方式配置於線路基板140上。

在一實施例中，發光二極體的導電端子(如：第一導電端子931、第二導電端子932及/或其他類似的導電端子)可以是導電柱(conductive pillar)、焊球(solder ball)、導電凸塊(conductive bump)或具有其他形式或形狀的導電端子。

在一實施例中，發光二極體的導電端子(如：第一導電端子931、第二導電端子932及/或其他類似的導電端子)與線路基板140的連接墊之間可以具有其他的導電件(如：導電膠、導電膜或其他類似物)，但本發明不限於此。

在一實施例中，可以藉由調整發光層933c的摻雜(doping)方式(如：調整摻雜濃度、調整摻雜元素及/或調整摻雜層數)，而在發光二極體930的應用(如：藉由驅動電壓或電流而使其發光)上，使發光二極體930具有對應的發光波長。

在一實施例中，第一發光二極體110可以為紅色發光二極體，第二發光二極體120可以為綠色發光二極體，且/或第三發光二極體130可以為藍色發光二極體。

在一實施例中，第一發光二極體110的發光層的材質可以包括鋁鎵銦磷化物(Aluminium gallium indium phosphide；AlInGaP)，且第二發光二極體120的發光層的材質或第三發光二極體130的發光層的材質可以包括氮化鎵(Gallium Nitride；GaN)。值得注意的是，前述化合物的表示方式僅為用於表示其元素組成，並未實質地代表各元素的比例。

在一實施例中，第一發光二極體110的發光層的折射率大於第二發光二極體120的發光層的折射率，且/或第一發光二極體110的發光層的折射率大於第三發光二極體130的發光層的折射率。舉例而言，鋁鎵銦磷化物的折射率約為3.5，且氮化鎵的折射率約為2.4。

在一實施例中，第四連接墊144可以電性連接至共電源，但本發明不限於此。

在本實施例中，顯示裝置100可以更包括遮光層150。遮光層150位於線路基板140上。遮光層150具有對應的畫素開口150p。第一發光二極體110、第二發光二極體120及第三發光二極體130可以配置於對應的畫素開口150p內。

在本實施例中，位於同一個畫素開口150p內的一個或多個的第一發光二極體110、一個或多個的第二發光二極體120及一個或多個的第三發光二極體130可以被稱為畫素單元(pixel unit)PU。在一實施例中，一個畫素單元PU可以包括對應的一個第一發光二極體110、對應的一個第二發光二極體120及對應的一個第三發光二極體130，但本發明不限於此。

在本實施例中，第一發光二極體110及第二發光二極體120可以延第一方向D1排列。在本實施例中，第一方向D1上可以基本上垂直於水平視角方向D2，但本發明不限於此。

請參照圖1B至圖1E，於上視狀態(如：圖1B所繪示)下，於同一個畫素開口150p(或稱：同一個畫素(pixel))內，在水平視角方向D2上，第一發光二極體110的第一尺寸L1小於第二發光二極體120的第二尺寸L2。如此一來，可以降低水平視角方向D2上第一發光二極體110與第二發光二極體120之間的角度色差。在一實施例中，第一尺寸L1與第二尺寸L2的比值(即，L1/L2)可以介於0.3~0.8。

在本實施例中，於上視狀態(如：圖1B所繪示)下，於同一個畫素開口150p(或稱：同一個畫素(pixel))內，於水平視角方向D2上，第三發光二極體130具有第三尺寸L3，且第一發光二極體110的第一尺寸L1小於第三發光二極體130的第三尺寸L3。如此一來，可以降低水平視角方向D2上第一發光二極體110與第三發光二極體130之間的角度色差。在一實施例中，第一尺寸L1與第三尺寸L3的比值(即，L1/L3)可以介於0.3~0.8。

在一實施例中，第二發光二極體120的第二尺寸L2可以基本上等於第三發光二極體130的第三尺寸L3，但本發明不限於此。

在本實施例中，第一發光二極體110、第二發光二極體120及/或第三發光二極體130可以為微發光二極體(micro LED；μLED)。舉例而言，第一發光二極體110、第二發光二極體120及/或第三發光二極體130的尺寸約為(5μm~100μm)×(5μm~100μm)大小的微發光二極體。

圖2是依照本發明的第二實施例的一種顯示裝置的部分剖視示意圖。本實施例的顯示裝置200與第一實施例的顯示裝置100相似。舉例而言，第二實施例的顯示裝置200的上視圖可以相同或相似於第一實施例的顯示裝置100的上視圖(如：圖1B所繪示)。又舉例而言，圖2可以是類似對應於圖1B中IV-IV’剖線上的剖視示意圖。

請參照圖2，顯示裝置200可以包括第一發光二極體210、第二發光二極體220以及第三發光二極體230。第一發光二極體210的第一尺寸L1小於第二發光二極體220的第二尺寸L2。第一發光二極體210的第一尺寸L1小於第三發光二極體230的第三尺寸L3。

第一發光二極體210可以包括第一發光晶粒113、第一導電端子111、第二導電端子(未直接繪示，可以類似於前述的第二導電端子112)以及第一基板214。第一發光晶粒113可以位於第一基板214上。第一基板214具有第一厚度214h。

在本實施例中，第一發光二極體210可以類似於前述實施例的第一發光二極體110。舉例而言，第一發光二極體210可以為毫發光二極體(mini LED)。又舉例而言，第一發光二極體210的第一發光層(未直接繪示)可以相同或相似於第一發光二極體110的第一發光層(未直接繪示)。也就是說，第一發光二極體210的第一發光層的材質可以包括鋁鎵銦磷化物，且/或第一發光二極體210可以為紅色發光二極體。

第二發光二極體220可以包括第二發光晶粒123、第三導電端子121、第四導電端子(未直接繪示，可以類似於前述的第四導電端子122)以及第二基板224。第二發光晶粒123可以位於第二基板224上。第二基板224具有第二厚度224h。

在本實施例中，第二發光二極體220可以類似於前述實施例的第二發光二極體120。舉例而言，第二發光二極體220可以為毫發光二極體。又舉例而言，第二發光二極體220的第二發光層(未直接繪示)可以相同或相似於第二發光二極體120的第二發光層(未直接繪示)。也就是說，第二發光二極體220的第二發光層的材質可以包括氮化鎵，且/或第二發光二極體220可以為綠色發光二極體。或者，第一發光二極體210的發光層的折射率大於第二發光二極體220的發光層的折射率。

第三發光二極體230可以包括第三發光晶粒133、第五導電端子131、第六導電端子(未直接繪示；可以類似於前述的第六導電端子132)以及第三基板234。第三發光晶粒133可以位於第三基板234上。第三基板234具有第三厚度234h。

在本實施例中，第三發光二極體230與前述實施例的第三發光二極體130可以類似。舉例而言，第三發光二極體230可以為毫發光二極體。又舉例而言，第三發光二極體230的第三發光層(未直接繪示)可以相同或相似於第三發光二極體130的第三發光層(未直接繪示)。也就是說，第三發光二極體230的第三發光層的材質可以包括氮化鎵，且/或第三發光二極體230可以為藍色發光二極體。或者，第一發光二極體210的發光層的折射率大於第三發光二極體230的發光層的折射率。

在本實施例中，第一厚度214h可以基本上相同於第二厚度224h及/或第三厚度234h，但本發明不限於此。

在本實施例中，第一發光二極體210、第二發光二極體220及/或第三發光二極體230可以為尺寸基本上為約(100μm~1,000μm)×(100μm~1,000μm)大小的毫發光二極體。

圖3A-3D是依照本發明的第三實施例的一種顯示裝置的部分剖視示意圖。本實施例的顯示裝置300與第一實施例的顯示裝置100或第二實施例的顯示裝置200相似。舉例而言，第三實施例的顯示裝置300的上視圖可以相同或相似於第一實施例的顯示裝置100的上視圖(如：圖1B所繪示)。又舉例而言，圖3A可以是類似對應於圖1B中I-I’剖線上的剖視示意圖，圖3B可以是類似對應於圖1B中II-II’剖線上的剖視示意圖，圖3C可以是類似對應於圖1B中III-III’剖線上的剖視示意圖，圖3D可以是類似對應於圖1B中IV-IV’剖線上的剖視示意圖。

請參照圖3A至圖3D，顯示裝置300可以包括第一發光二極體310、第二發光二極體320以及第三發光二極體330。於上視狀態下(如：類似於圖1所繪示的狀態下)，第一發光二極體310的外型或大小可以相同或相似於第二發光二極體320及/或第三發光二極體330的外型或大小。也就是說，第一發光二極體310的第一尺寸L1’可以基本上相同於第二發光二極體320的第二尺寸L2’及/或第三發光二極體330的第三尺寸L3’。

第一發光二極體310可以包括第一發光晶粒113、第一導電端子111、第二導電端子112以及第一基板314。第一發光晶粒 113可以位於第一基板314上。第一基板314具有第一厚度314h。

在本實施例中，第一發光二極體310與前述實施例的第一發光二極體110可以類似。舉例而言，第一發光二極體310可以為毫發光二極體。又舉例而言，第一發光二極體310的第一發光層(未直接繪示)可以相同或相似於第一發光二極體110的第一發光層(未直接繪示)。也就是說，第一發光二極體310的第一發光層的材質可以包括鋁鎵銦磷化物，且/或第一發光二極體310可以為紅色發光二極體。

第二發光二極體320可以包括第二發光晶粒123、第三導電端子121、第四導電端子122以及第二基板324。第二發光晶粒123可以位於第二基板324上。第二基板324具有第二厚度324h。

在本實施例中，第二發光二極體320與前述實施例的第二發光二極體120可以類似。舉例而言，第二發光二極體320可以為毫發光二極體。又舉例而言，第二發光二極體320的第二發光層(未直接繪示)可以相同或相似於第二發光二極體120的第二發光層(未直接繪示)。也就是說，第二發光二極體320的第二發光層的材質可以包括氮化鎵，且/或第二發光二極體320可以為綠色發光二極體。或者，第一發光二極體310的發光層的折射率大於第二發光二極體320的發光層的折射率。

第三發光二極體330可以包括第三發光晶粒133、第五導電端子131、第六導電端子133以及第三基板334。第三發光晶粒133可以位於第三基板334上。第三基板334具有第三厚度334h。

在本實施例中，第三發光二極體330與前述實施例的第三發光二極體130可以類似。舉例而言，第三發光二極體330可以為毫發光二極體。又舉例而言，第三發光二極體330的第三發光層(未直接繪示)可以相同或相似於第三發光二極體130的第三發光層(未直接繪示)。也就是說，第三發光二極體330的第三發光層的材質可以包括氮化鎵，且/或第三發光二極體330可以為藍色發光二極體。或者，第一發光二極體310的發光層的折射率大於第三發光二極體330的發光層的折射率。

在本實施例中，第一厚度314h可以大於第二厚度324h及/或第三厚度334h。

在本實施例中，第一發光二極體310、第二發光二極體320及/或第三發光二極體330可以為毫發光二極體(mini LED)。舉例而言，所述的發光二極體可以為尺寸基本上為約(100μm~1,000μm)×(100μm~1,000μm)大小的毫發光二極體。

圖4是依照本發明的第四實施例的一種顯示裝置的部分上視示意圖。本實施例的顯示裝置600與第一實施例的顯示裝置100相似。舉例而言，圖4可以是類似對應於圖1B中一個畫素單元PU的區域的部分上視示意圖。

請參照圖4，顯示裝置600的一個畫素單元PU可以包括多個第一發光二極體110。值得注意的是，於圖4中，僅示例性地於一個畫素單元PU內繪示了四個第一發光二極體110，但本發明並未對一個畫素單元PU內的第一發光二極體110、第二發光二極體120及/或第三發光二極體130的個數加以限制。

在本實施例中，於畫素開口150p內，可以藉由對應的多個第一發光二極體110調整其總出光面積。類似地，也可以(但，不限)藉由調整第二發光二極體120及/或第三發光二極體130的個數而對應地調整其的總出光面積。

圖5是依照本發明的第五實施例的一種顯示裝置的部分上視示意圖。本實施例的顯示裝置700與第一實施例的顯示裝置100相似。舉例而言，圖5可以是類似對應於圖1B中一個畫素單元PU的區域的部分上視示意圖。

請參照圖5，顯示裝置700的一個畫素單元PU可以包括第一發光二極體710、第二發光二極體120以及第三發光二極體130。第一發光二極體710可以類似於前述實施例的第一發光二極體110。

在本實施例中，第一發光二極體710及第二發光二極體120可以延垂直於水平視角方向D2的第一方向D1排列，但本發明不限於此。

在本實施例中，在水平視角方向D2上，第一發光二極體710具有第一尺寸L1”。第一尺寸L1”可以小於第二尺寸L2，且/或第一尺寸L1”可以小於第三尺寸L3。

在本實施例中，於第一方向D1上，第一發光二極體710具有第四尺寸L4”。第四尺寸L4”可以基本上相同於第五尺寸L5，且/或第四尺寸L4”可以基本上相同於第六尺寸L6，但本發明不限於此。

圖6是依照本發明的第六實施例的一種顯示裝置的部分上視示意圖。本實施例的顯示裝置800與第一實施例的顯示裝置100或第五實施例的顯示裝置700相似。舉例而言，圖6可以是類似對應於圖1B中一個畫素單元PU的區域的部分上視示意圖。

請參照圖6，顯示裝置800的一個畫素單元PU可以包括第一發光二極體710、第二發光二極體820以及第三發光二極體830。第二發光二極體820可以類似於前述實施例的第二發光二極體120，且/或第三發光二極體830可以類似於前述實施例的第三發光二極體130。

在本實施例中，第一發光二極體710及第二發光二極體820可以延垂直於水平視角方向D2的第一方向D1排列，但本發明不限於此。

在本實施例中，在水平視角方向D2上，第一發光二極體710具有第一尺寸L1”，第二發光二極體820具有第二尺寸L2，且第三發光二極體830具有第三尺寸L3。第一尺寸L1”可以小於第二尺寸L2，且/或第一尺寸L1”可以小於第三尺寸L3。

在本實施例中，於第一方向D1上，第一發光二極體710具有第四尺寸L4”，第二發光二極體820具有第五尺寸L5”，且第三發光二極體830具有第六尺寸L6”。第四尺寸L4”可以大於第五尺寸L5”，且/或第四尺寸L4”可以大於第六尺寸L6”。

圖7是依照本發明的第七實施例的一種顯示裝置的部分上視示意圖。本實施例的顯示裝置900與第一實施例的顯示裝置100或第六實施例的顯示裝置800相似。舉例而言，圖7可以是類似對應於圖1B中一個畫素單元PU的區域的部分上視示意圖。

請參照圖7，顯示裝置900的一個畫素單元PU可以包括第一發光二極體710、第二發光二極體820以及第三發光二極體830。

在本實施例中，第二發光二極體820及第三發光二極體830可以延垂直於水平視角方向D2的第一方向D1排列，但本發明不限於此。

圖8是依照本發明的第八實施例的一種顯示裝置的部分剖視示意圖。本實施例的顯示裝置1000與第一實施例的顯示裝置100相似。在本實施例中，第一發光二極體110及第二發光二極體120可以延水平視角方向D2排列。

在一未繪示的圖式中，前述實施例中的第一發光二極體 (如：第一發光二極體110、210、310、710)、第二發光二極體120(如：第二發光二極體120、220、320、820)及/或第三發光二極體(如：第三發光二極體130、230、330、830)也可以延水平視角方向D2排列。

所有圖式中的構件或元件可以藉由適宜的排列及/或組合而成為另一個未繪示的圖式中所呈現的組件。另外，在不脫離本發明的情況下，還可以添加附加的構件、元件及/或其對應的功能。舉例而言，在一未繪示的圖式中，顯示裝置可以包括多個畫素單元PU，且各個畫素單元PU內的發光二極體的排列方式並不限定為完全相同。又舉例而言，在一未繪示的圖式中，顯示裝置可以包括多個畫素單元PU，而前述多個畫素單元PU的其中之一可以相同或相似於圖1B的實施例中第一發光二極體110、第二發光二極體120及第三發光二極體130的排列方式，前述多個畫素單元PU的其中又一可以相同或相似於圖4的實施例中第一發光二極體110、第二發光二極體120及第三發光二極體130的排列方式，前述多個畫素單元PU的其中另一可以相同或相似於圖5的實施例中第一發光二極體710、第二發光二極體120及第三發光二極體130的排列方式，且/或前述多個畫素單元PU的其中又另一可以相同或相似於圖6的實施例中第一發光二極體710、第二發光二極體820及第三發光二極體830的排列方式。

實驗例

於以下表示實驗例，對於本發明作具體地說明。本發明的實施例可以包括以下的實驗例，但本發明的實施例並不受到下述實驗例限定。

在下列的實驗例中，例如可以是以本領域常用的模擬軟體對不同的發光二極體進行視角(viewing angle)及歸一化發光強度(normalized luminous intensity)之間的關係進行模擬。在前述的歸一化發光強度中，是以視角為0度時的發光強度作為基準。也就是說，針對不同的發光二極體，將其視角為0度時的發光強度定為1。

圖9是各實驗例的發光二極體的視角-歸一化發光強度關係圖。在圖9中，橫軸(即，X軸)為視角，且縱軸(即，Y軸)為各發光二極體對應的歸一化發光強度。

[實驗例1]的發光二極體的視角-歸一化發光強度關係曲線在圖9中以實線(solid line)表示。

[實驗例1]的發光二極體類似於前述實施例的第二發光二極體120或第三發光二極體130。詳細而言，[實驗例1]的發光二極體是模擬其發光層的折射率為2.4(如：類似於綠光發光二極體或藍光發光二極體的發光層所具有的氮化鎵材質)下，在視角所對應的尺寸(如：類似於第二發光二極體120所對應的第二尺寸L2或第三發光二極體130所對應的第三尺寸L3)為100μm。

[實驗例2]的發光二極體的視角-歸一化發光強度關係曲線在圖9中以長虛-點線(long dashed-dotted line；─‧─‧)表示。

[實驗例2]的發光二極體類似於[實驗例1]的第二發光二極體。差別僅在於：[實驗例2]的發光二極體是模擬其發光層的折射率為3.5(如：類似於紅光發光二極體的發光層所具有的鋁鎵銦磷化物材質)。也就是說，[實驗例2]的發光二極體在視角所對應的尺寸為100μm。

[實驗例3]的發光二極體的視角-歸一化發光強度關係曲線在圖9中以點線(short dottted line；...)表示。

[實驗例3]的發光二極體類似於前述實施例的第一發光二極體110。詳細而言，[實驗例3]的發光二極體是模擬其發光層的折射率為3.5(如：類似於紅光發光二極體的發光層所具有的鋁鎵銦磷化物材質)下，在視角所對應的尺寸(如：類似於第一發光二極體110所對應的第一尺寸L1)為60μm。

[實驗例4]的發光二極體的視角-歸一化發光強度關係曲線在圖9中以長虛-雙點線(long dashed-double dotted line；─‥─‥)表示。

[實驗例4]的發光二極體類似於前述實施例的第一發光二極體110。詳細而言，[實驗例4]的發光二極體是模擬其發光層的折射率為3.5(如：類似於紅光發光二極體的發光層所具有的鋁鎵銦磷化物材質)下，在視角所對應的尺寸(如：類似於第一發光二極體110所對應的第一尺寸L1)為40μm。

[實驗例5]的發光二極體的視角-歸一化發光強度關係曲線在圖9中以虛線(dashed line；--)表示。

[實驗例5]的發光二極體類似於前述實施例的第一發光二極體110。詳細而言，[實驗例4]的發光二極體是模擬其發光層的折射率為3.5(如：類似於紅光發光二極體的發光層所具有的鋁鎵銦磷化物材質)下，在視角所對應的尺寸(如：類似於第一發光二極體110所對應的第一尺寸L1)為30μm。

[實驗例6]的發光二極體的視角-歸一化發光強度關係曲線在圖9中以短虛-點線(short dashed-dottted line；-‧-‧)表示。

[實驗例6]的發光二極體類似於前述實施例的第一發光二極體110。詳細而言，[實驗例5]的發光二極體是模擬其發光層的折射率為3.5(如：類似於紅光發光二極體的發光層所具有的鋁鎵銦磷化物材質)下，在視角所對應的尺寸(如：類似於第一發光二極體110所對應的第一尺寸L1)為20μm。

如以上實驗例所示，若一發光二極體的發光層的折射率大於另一發光二極體的發光層的折射率，則可以令該一發光二極體的一尺寸小於該另一發光二極體的尺寸，而可使該一發光二極體與該另一發光二極體之間的光型較為匹配，以降低角度色差。另外，若考量整體光強度(即，所有視角下的光強度總和)，則可以更令該一發光二極體的一尺寸與該另一發光二極體的尺寸的比值介於0.3~0.8，而可使該一發光二極體與該另一發光二極體之間的整體光強度更為匹配。

綜上所述，本發明的顯示裝置具有較佳的顯示品質。

100:顯示裝置

110:第一發光二極體

110s:第一頂面

120:第二發光二極體

120s:第二頂面

130:第三發光二極體

130s:第三頂面

L1:第一尺寸

L2:第二尺寸