CN106057735A - Tft背板的制作方法及tft背板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种TFT背板的制作方法及TFT背板，通过采用氧化物半导体来制作开关TFT，利用氧化物半导体开关迅速和具有较低漏电流的优势，提高开关TFT的开关速度并降低其漏电流；通过采用多晶硅来制作驱动TFT，利用多晶硅具有较高的电子迁移率和晶粒均一的特点，提高驱动TFT的电子迁移率和电流输出均一性，有利于提高OLED器件的发光均一程度。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT背板的制作方法及TFT背板。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示器，也称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平板显示装置，由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快，而且易于实现彩色显示和大屏幕显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点，因而具有广阔的应用前景。
OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)是AMOLED显示装置中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管的有源层的材料也具有多种，低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，简称LTPS)材料是其中较为优选的一种，由于低温多晶硅的原子规则排列，载流子迁移率高，对于电流驱动式的有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置而言，低温多晶硅薄膜晶体管可以更好的满足驱动电流要求。
目前，LTPS通常由准分子激光退火(Excimer Laser Annealing，ELA)技术结晶，利用激光的瞬间脉冲照射到非晶硅表面，使其溶化并重新结晶。但是ELA结晶技术对于晶格的均一性和晶格结晶方向不能做到有效控制，所以结晶状况在整个基板的分布上很不均匀，造成显示效果画面的长程不均一，有亮度不均匀的现象(mura)出现。
氧化物半导体(Oxide Semiconductor)也是较好的TFT有源层制作材料，其具有开关迅速和低漏电流的特点，但是其电子迁移率稍差，使其在驱动OLED上稍显逊色。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TFT背板的制作方法，可提高开关TFT的开关速度并降低其漏电流，同时提高驱动TFT的电子迁移率和电流输出均一性。
本发明的目的还在于提供一种TFT背板，其开关TFT可实现开关迅速并具有较低漏电流，其驱动TFT具有较高的电子迁移率和电流输出均一性，有利于提高OLED器件的发光均一程度。
为实现上述目的，本发明首先提供一种TFT背板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成间隔设置的第一栅极与第二栅极，在所述第一栅极、第二栅极、及衬底基板上沉积栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积非晶硅薄膜；
步骤2、对所述非晶硅薄膜进行硼离子掺杂，然后对所述非晶硅薄膜进行快速热退火处理，使所述非晶硅薄膜结晶转化为低温多晶硅薄膜，所述低温多晶硅薄膜中硼离子的掺杂浓度从上到下逐渐减小；
步骤3、对所述低温多晶硅薄膜进行图形化处理，得到对应于第二栅极上方的多晶硅层；
步骤4、在所述栅极绝缘层上形成对应于第一栅极上方的氧化物半导体层；
步骤5、在所述氧化物半导体层、多晶硅层、及栅极绝缘层上形成一金属层，采用一道半色调光罩制程对所述金属层、及多晶硅层进行图形化处理，得到设于所述氧化物半导体层与栅极绝缘层上且分别与所述氧化物半导体层两侧相接触的第一源极和第一漏极、以及设于所述多晶硅层与栅极绝缘层上且分别与所述多晶硅层两侧相接触的第二源极和第二漏极，同时在所述多晶硅层上对应于所述第二源极与第二漏极之间的区域形成一凹槽，使得所述多晶硅层上位于凹槽下方的部分形成沟道区，所述多晶硅层上位于沟道区两侧的区域分别形成源极接触区与漏极接触区；
步骤6、在所述第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极、氧化物半导体层、多晶硅层、及栅极绝缘层上形成钝化层，在所述钝化层上形成平坦层；
对所述平坦层、钝化层、及栅极绝缘层进行图形化处理，在所述平坦层与钝化层上形成对应于第一漏极上方的第一通孔、及对应于第二漏极上方的第二通孔，在所述平坦层、钝化层、及栅极绝缘层上形成对应于第二栅极上方的第三通孔；
步骤7、在所述平坦层上形成连接导电层与像素电极，所述连接导电层经由第一通孔、及第三通孔分别与所述第一漏极、及第二栅极相接触，从而连接所述第一漏极与第二栅极，所述像素电极经由第二通孔与所述第二漏极相接触；
在所述连接导电层、像素电极、及平坦层上形成像素定义层，对所述像素定义层进行图形化处理，得到对应于所述像素电极上方的第四通孔。
所述步骤2中，所述快速热退火处理的退火温度为600℃～700℃，退火保温时间为10min-30min。
所述步骤5包括：
步骤51、在所述氧化物半导体层、多晶硅层、及栅极绝缘层上形成一金属层，在所述金属层上形成光阻层，采用一半色调光罩对光阻层进行曝光显影处理，得到第一光阻段、第二光阻段、及第三光阻段；
所述第一光阻段上设有一对应于氧化物半导体层上方的一凹槽，所述第二光阻段与第三光阻段之间的间隔区域对应于多晶硅层上方。
步骤52、采用一道干蚀刻制程对所述第一光阻段、第二光阻段、第三光阻段、金属层、及多晶硅层进行蚀刻处理，得到第一源极、第一漏极、第二源极、及第二漏极，同时在所述多晶硅层上形成凹槽，所述多晶硅层上位于凹槽下方的部分形成沟道区，所述多晶硅层上位于沟道区两侧的区域分别形成源极接触区与漏极接触区；之后剥离剩余的光阻层。
所述步骤52中的干蚀刻制程采用的蚀刻气体包括六氟化硫、四氟化碳、氧气、及氯气中的一种或多种。
还包括：步骤8、在所述第四通孔内形成有机发光层，从而得到一OLED基板。
所述氧化物半导体层的材料包括铟镓锌氧化物、及氧化铟锌中的一种或多种。
本发明还提供一种TFT背板，包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的互相间隔的第一栅极与第二栅极、设于所述第一栅极、第二栅极、及衬底基板上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上且分别对应于第一栅极与第二栅极的氧化物半导体层与多晶硅层、设于所述氧化物半导体层与栅极绝缘层上且分别与所述氧化物半导体层两侧相接触的第一源极与第一漏极、设于所述多晶硅层与栅极绝缘层上且分别与所述多晶硅层两侧相接触的第二源极与第二漏极、设于所述第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极、氧化物半导体层、多晶硅层、及栅极绝缘层上的钝化层、设于所述钝化层上的平坦层、设于所述平坦层上的连接导电层与像素电极、设于所述连接导电层、像素电极、及平坦层上的像素定义层；
所述平坦层与钝化层上设有对应于第一漏极上方的第一通孔、及对应于第二漏极上方的第二通孔，所述平坦层、钝化层、及栅极绝缘层上设有对应于第二栅极上方的第三通孔；
所述连接导电层经由第一通孔、及第三通孔分别与所述第一漏极、及第二栅极相接触，从而连接所述第一漏极与第二栅极，所述像素电极经由第二通孔与所述第二漏极相接触；
所述像素定义层上设有对应于所述像素电极上方的第四通孔；
所述多晶硅层中掺杂有硼离子，且所述多晶硅层中硼离子的掺杂浓度从上到下逐渐减小，所述多晶硅层上对应于所述第二源极与第二漏极之间的区域设有一凹槽，所述多晶硅层上位于凹槽下方的部分形成沟道区，所述多晶硅层上位于沟道区两侧的区域分别形成源极接触区与漏极接触区。
还包括设于所述第四通孔内的有机发光层，从而形成一OLED基板。
所述氧化物半导体层的材料包括铟镓锌氧化物、及氧化铟锌中的一种或多种。
还包括设于所述衬底基板与第一栅极、及第二栅极之间的缓冲层。
本发明的有益效果：本发明提供的一种TFT背板的制作方法及TFT背板，通过采用氧化物半导体来制作开关TFT，利用氧化物半导体开关迅速和具有较低漏电流的优势，提高开关TFT的开关速度并降低其漏电流；通过采用多晶硅来制作驱动TFT，利用多晶硅具有较高的电子迁移率和晶粒均一的特点，提高驱动TFT的电子迁移率和电流输出均一性，有利于提高OLED器件的发光均一程度。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为本发明的TFT背板的制作方法的流程图；
图2为本发明的TFT背板的制作方法的步骤1的示意图；
图3为本发明的TFT背板的制作方法的步骤2的示意图；
图4为本发明的TFT背板的制作方法的步骤3的示意图；
图5为本发明的TFT背板的制作方法的步骤4的示意图；
图6-7为本发明的TFT背板的制作方法的步骤5的示意图；
图8为本发明的TFT背板的制作方法的步骤6的示意图；
图9为本发明的TFT背板的制作方法的步骤7的示意图暨本发明的TFT背板的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1，本发明首先提供一种TFT背板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、如图2所示，提供一衬底基板10，在所述衬底基板10上形成间隔设置的第一栅极21与第二栅极22，在所述第一栅极21、第二栅极22、及衬底基板10上沉积栅极绝缘层30，在所述栅极绝缘层30上沉积非晶硅薄膜31。
具体的，所述衬底基板10为玻璃基板。
具体的，所述步骤1还包括：在所述衬底基板10上沉积其它结构层之前，对所述衬底基板10进行清洗和烘烤。
优选的，所述步骤1还包括：在所述衬底基板10上形成第一栅极21、及第二栅极22之前，在所述衬底基板10上沉积缓冲层20，所述第一栅极21、及第二栅极22形成于所述缓冲层20上方，所述栅极绝缘层30沉积于第一栅极21、第二栅极22、及缓冲层20上方。
具体的，所述缓冲层20包括氮化硅(SiNx)层、及氧化硅(SiOx)层中的一种或两种的组合。具体的，所述氮化硅层、及氧化硅层的厚度分别为
具体的，所述第一栅极21、及第二栅极22为由两钼层及位于两钼层之间的一铝层形成的复合层、单层钼层、或单层铝层。具体的，所述第一栅极21、及第二栅极22的厚度分别为
具体的，所述栅极绝缘层30包括氮化硅层、及氧化硅层中的一种或两种的组合。
步骤2、如图3所示，对所述非晶硅薄膜31进行硼离子掺杂，然后对所述非晶硅薄膜31进行快速热退火处理，使所述非晶硅薄膜31结晶转化为低温多晶硅薄膜32，所述低温多晶硅薄膜32中硼离子的掺杂浓度从上到下逐渐减小。
本发明通过采用硼离子诱导固相晶化法来制备低温多晶硅薄膜，相对于传统的准分子激光退火方法，可以使低温多晶硅薄膜具有较好的均一性，有利于提高驱动TFT的电流输出均一性，提高OLED器件的发光均一程度。
具体的，所述步骤2中，所述快速热退火处理的退火温度为600℃～700℃，退火保温时间为10min-30min。
步骤3、如图4所示，对所述低温多晶硅薄膜32进行图形化处理，得到对应于第二栅极22上方的多晶硅层40。
步骤4、如图5所示，在所述栅极绝缘层30上形成对应于第一栅极21上方的氧化物半导体层50。
具体的，所述氧化物半导体层50的材料包括铟镓锌氧化物(IGZO)、及氧化铟锌(IZO)中的一种或多种。
步骤5、如图6-7所示，在所述氧化物半导体层50、多晶硅层40、及栅极绝缘层30上形成一金属层51，采用一道半色调光罩制程对所述金属层51、及多晶硅层40进行图形化处理，得到设于所述氧化物半导体层50与栅极绝缘层30上且分别与所述氧化物半导体层50两侧相接触的第一源极71和第一漏极72、以及设于所述多晶硅层40与栅极绝缘层30上且分别与所述多晶硅层40两侧相接触的第二源极73和第二漏极74，同时在所述多晶硅层40上对应于所述第二源极73与第二漏极74之间的区域形成一凹槽41，使得所述多晶硅层40上位于凹槽41下方的部分形成沟道区42，所述多晶硅层40上位于沟道区42两侧的区域分别形成源极接触区43与漏极接触区44。
具体的，所述步骤5中，通过在所述多晶硅层40上对应于所述第二源极73与第二漏极74之间的区域形成一凹槽41，去除该区域上方硼离子浓度较高的部分，保留下方硼离子浓度较低的部分，该硼离子浓度较低的部分相当于P型轻掺杂区，从而形成沟道区42；所述多晶硅层40上位于沟道区42两侧的区域依然保留有上层硼离子浓度较高的部分，相当于P型重掺杂区，从而形成源极接触区43与漏极接触区44，所述第二源极73、第二漏极74、多晶硅层40、及第二栅极22构成一P型薄膜晶体管。
具体的，所述步骤5包括：
步骤51、如图6所示，在所述氧化物半导体层50、多晶硅层40、及栅极绝缘层30上形成一金属层51，在所述金属层51上形成光阻层60，采用一半色调光罩对光阻层60进行曝光显影处理，得到第一光阻段61、第二光阻段62、及第三光阻段63；
所述第一光阻段61上设有一对应于氧化物半导体层50上方的一凹槽613，所述第二光阻段62与第三光阻段63之间的间隔区域对应于多晶硅层40上方。
步骤52、如图7所示，采用一道干蚀刻制程对所述第一光阻段61、第二光阻段62、第三光阻段63、金属层51、及多晶硅层40进行蚀刻处理，得到第一源极71、第一漏极72、第二源极73、及第二漏极74，同时在所述多晶硅层40上形成凹槽41，所述多晶硅层40上位于凹槽41下方的部分形成沟道区42，所述多晶硅层40上位于沟道区42两侧的区域分别形成源极接触区43与漏极接触区44；之后剥离剩余的光阻层60。
具体的，所述步骤52中的干蚀刻制程采用的蚀刻气体包括六氟化硫(SF6)、四氟化碳(CF4)、氧气(O2)、及氯气(Cl2)中的一种或多种。
具体的，所述第一源极71、第一漏极72、第二源极73、及第二漏极74为由两钼层及位于两钼层之间的一铝层形成的复合层、单层钼层、或单层铝层。具体的，所述第一源极71、第一漏极72、第二源极73、及第二漏极74的厚度分别为
具体的，所述第一栅极21、氧化物半导体层50、第一源极71、及第一漏极72构成开关TFT，所述第二栅极22、多晶硅层40、第二源极73、及第二漏极74构成驱动TFT。
步骤6、如图8所示，在所述第一源极71、第一漏极72、第二源极73、第二漏极74、氧化物半导体层50、多晶硅层40、及栅极绝缘层30上形成钝化层80，在所述钝化层80上形成平坦层90；
对所述平坦层90、钝化层80、及栅极绝缘层30进行图形化处理，在所述平坦层90与钝化层80上形成对应于第一漏极72上方的第一通孔91、及对应于第二漏极74上方的第二通孔92，在所述平坦层90、钝化层80、及栅极绝缘层30上形成对应于第二栅极22上方的第三通孔93。
具体的，所述钝化层80包括氮化硅层、及氧化硅层中的一种或两种的组合。
具体的，所述平坦层90为有机材料。
步骤7、如图9所示，在所述平坦层90上形成连接导电层110与像素电极120，所述连接导电层110经由第一通孔91、及第三通孔93分别与所述第一漏极72、及第二栅极22相接触，从而连接所述第一漏极72与第二栅极22，所述像素电极120经由第二通孔92与所述第二漏极74相接触；
在所述连接导电层110、像素电极120、及平坦层90上形成像素定义层130，对所述像素定义层130进行图形化处理，得到对应于所述像素电极120上方的第四通孔134。
具体的，所述连接导电层110与像素电极120的材料均为透明导电金属氧化物，优选为氧化铟锡(ITO)。
具体的，所述像素定义层130为有机材料。
具体的，本发明还包括：步骤8、在所述第四通孔134内形成有机发光层140，从而得到一OLED基板。
上述TFT背板的制作方法，通过采用氧化物半导体来制作开关TFT，利用氧化物半导体开关迅速和具有较低漏电流的优势，提高开关TFT的开关速度并降低其漏电流；通过采用多晶硅来制作驱动TFT，利用多晶硅具有较高的电子迁移率和晶粒均一的特点，提高驱动TFT的电子迁移率和电流输出均一性，有利于提高OLED器件的发光均一程度。
请参阅图9，基于上述TFT背板的制作方法，本发明还提供一种TFT背板，包括：衬底基板10、设于所述衬底基板10上互相间隔的第一栅极21与第二栅极22、设于所述第一栅极21、第二栅极22、及衬底基板10上的栅极绝缘层30、设于所述栅极绝缘层30上且分别对应于第一栅极21与第二栅极22的氧化物半导体层50与多晶硅层40、设于所述氧化物半导体层50与栅极绝缘层30上且分别与所述氧化物半导体层50两侧相接触的第一源极71与第一漏极72、设于所述多晶硅层40与栅极绝缘层30上且分别与所述多晶硅层40两侧相接触的第二源极73与第二漏极74、设于所述第一源极71、第一漏极72、第二源极73、第二漏极74、氧化物半导体层50、多晶硅层40、及栅极绝缘层30上的钝化层80、设于所述钝化层80上的平坦层90、设于所述平坦层90上的连接导电层110与像素电极120、设于所述连接导电层110、像素电极120、及平坦层90上的像素定义层130；
所述平坦层90与钝化层80上设有对应于第一漏极72上方的第一通孔91、及对应于第二漏极74上方的第二通孔92，所述平坦层90、钝化层80、及栅极绝缘层30上设有对应于第二栅极22上方的第三通孔93；
所述连接导电层110经由第一通孔91、及第三通孔93分别与所述第一漏极72、及第二栅极22相接触，从而连接所述第一漏极72与第二栅极22，所述像素电极120经由第二通孔92与所述第二漏极74相接触；
所述像素定义层130上设有对应于所述像素电极120上方的第四通孔134；
所述多晶硅层40中掺杂有硼离子，且所述多晶硅层40中硼离子的掺杂浓度从上到下逐渐减小，所述多晶硅层40上对应于所述第二源极73与第二漏极74之间的区域设有一凹槽41，所述多晶硅层40上位于凹槽41下方的部分形成沟道区42，所述多晶硅层40上位于沟道区42两侧的区域分别形成源极接触区43与漏极接触区44。
具体的，所述TFT背板还包括设于所述第四通孔134内的有机发光层140，从而形成一OLED基板。
优选的，所述TFT背板还包括设于所述衬底基板10与第一栅极21、及第二栅极22之间的缓冲层20。
具体的，所述衬底基板10为玻璃基板。
具体的，所述缓冲层20包括氮化硅层、及氧化硅层中的一种或两种的组合。具体的，所述氮化硅层、及氧化硅层的厚度分别为
优选的，所述第一栅极21、第二栅极22为由两钼层及位于两钼层之间的一铝层形成的复合层、单层钼层、或单层铝层。具体的，所述第一栅极21、第二栅极22的厚度分别为
具体的，所述栅极绝缘层30包括氮化硅层、及氧化硅层中的一种或两种的组合。
具体的，所述氧化物半导体层50的材料包括铟镓锌氧化物、及氧化铟锌中的一种或多种。
具体的，所述第一源极71、第一漏极72、第二源极73、及第二漏极74为由两钼层及位于两钼层之间的一铝层形成的复合层、单层钼层、或单层铝层。具体的，所述第一源极71、第一漏极72、第二源极73、及第二漏极74的厚度分别为
具体的，所述钝化层80包括氮化硅层、及氧化硅层中的一种或两种的组合。
具体的，所述平坦层90为有机材料。
具体的，所述连接导电层110与像素电极120的材料均为透明导电金属氧化物，优选为氧化铟锡。
具体的，所述像素定义层130为有机材料。
上述TFT背板，通过采用氧化物半导体来制作开关TFT，利用氧化物半导体开关迅速和具有较低漏电流的优势，提高开关TFT的开关速度并降低其漏电流；通过采用多晶硅来制作驱动TFT，利用多晶硅具有较高的电子迁移率和晶粒均一的特点，提高驱动TFT的电子迁移率和电流输出均一性，有利于提高OLED器件的发光均一程度。
综上所述，本发明提供一种TFT背板的制作方法及TFT背板，通过采用氧化物半导体层来制作开关TFT，利用氧化物半导体开关迅速和具有较低漏电流的优势，提高开关TFT的开关速度并降低其漏电流；通过采用多晶硅层来制作驱动TFT，利用多晶硅具有较高的电子迁移率和晶粒均一的特点，提高驱动TFT的电子迁移率和电流输出均一性，有利于提高OLED器件的发光均一程度。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种TFT背板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成间隔设置的第一栅极(21)与第二栅极(22)，在所述第一栅极(21)、第二栅极(22)、及衬底基板(10)上沉积栅极绝缘层(30)，在所述栅极绝缘层(30)上沉积非晶硅薄膜(31)；
步骤2、对所述非晶硅薄膜(31)进行硼离子掺杂，然后对所述非晶硅薄膜(31)进行快速热退火处理，使所述非晶硅薄膜(31)结晶转化为低温多晶硅薄膜(32)，所述低温多晶硅薄膜(32)中硼离子的掺杂浓度从上到下逐渐减小；
步骤3、对所述低温多晶硅薄膜(32)进行图形化处理，得到对应于第二栅极(22)上方的多晶硅层(40)；
步骤4、在所述栅极绝缘层(30)上形成对应于第一栅极(21)上方的氧化物半导体层(50)；
步骤5、在所述氧化物半导体层(50)、多晶硅层(40)、及栅极绝缘层(30)上形成一金属层(51)，采用一道半色调光罩制程对所述金属层(51)、及多晶硅层(40)进行图形化处理，得到设于所述氧化物半导体层(50)与栅极绝缘层(30)上且分别与所述氧化物半导体层(50)两侧相接触的第一源极(71)和第一漏极(72)、以及设于所述多晶硅层(40)与栅极绝缘层(30)上且分别与所述多晶硅层(40)两侧相接触的第二源极(73)和第二漏极(74)，同时在所述多晶硅层(40)上对应于所述第二源极(73)与第二漏极(74)之间的区域形成一凹槽(41)，使得所述多晶硅层(40)上位于凹槽(41)下方的部分形成沟道区(42)，所述多晶硅层(40)上位于沟道区(42)两侧的区域分别形成源极接触区(43)与漏极接触区(44)；
步骤6、在所述第一源极(71)、第一漏极(72)、第二源极(73)、第二漏极(74)、氧化物半导体层(50)、多晶硅层(40)、及栅极绝缘层(30)上形成钝化层(80)，在所述钝化层(80)上形成平坦层(90)；
对所述平坦层(90)、钝化层(80)、及栅极绝缘层(30)进行图形化处理，在所述平坦层(90)与钝化层(80)上形成对应于第一漏极(72)上方的第一通孔(91)、及对应于第二漏极(74)上方的第二通孔(92)，在所述平坦层(90)、钝化层(80)、及栅极绝缘层(30)上形成对应于第二栅极(22)上方的第三通孔(93)；
步骤7、在所述平坦层(90)上形成连接导电层(110)与像素电极(120)，所述连接导电层(110)经由第一通孔(91)、及第三通孔(93)分别与所述第一漏极(72)、及第二栅极(22)相接触，从而连接所述第一漏极(72)与第二栅极(22)，所述像素电极(120)经由第二通孔(92)与所述第二漏极(74)相接触；
在所述连接导电层(110)、像素电极(120)、及平坦层(90)上形成像素定义层(130)，对所述像素定义层(130)进行图形化处理，得到对应于所述像素电极(120)上方的第四通孔(134)。
2.如权利要求1所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中，所述快速热退火处理的退火温度为600℃～700℃，退火保温时间为10min-30min。
3.如权利要求1所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述步骤5包括：
步骤51、在所述氧化物半导体层(50)、多晶硅层(40)、及栅极绝缘层(30)上形成一金属层(51)，在所述金属层(51)上形成光阻层(60)，采用一半色调光罩对光阻层(60)进行曝光显影处理，得到第一光阻段(61)、第二光阻段(62)、及第三光阻段(63)；
所述第一光阻段(61)上设有一对应于氧化物半导体层(50)上方的一凹槽(613)，所述第二光阻段(62)与第三光阻段(63)之间的间隔区域对应于多晶硅层(40)上方；
步骤52、采用一道干蚀刻制程对所述第一光阻段(61)、第二光阻段(62)、第三光阻段(63)、金属层(51)、及多晶硅层(40)进行蚀刻处理，得到第一源极(71)、第一漏极(72)、第二源极(73)、及第二漏极(74)，同时在所述多晶硅层(40)上形成凹槽(41)，所述多晶硅层(40)上位于凹槽(41)下方的部分形成沟道区(42)，所述多晶硅层(40)上位于沟道区(42)两侧的区域分别形成源极接触区(43)与漏极接触区(44)；之后剥离剩余的光阻层(60)。
4.如权利要求3所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述步骤52中的干蚀刻制程采用的蚀刻气体包括六氟化硫、四氟化碳、氧气、及氯气中的一种或多种。
5.如权利要求1所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，还包括：步骤8、在所述第四通孔(134)内形成有机发光层(140)，从而得到一OLED基板。
6.如权利要求1所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述氧化物半导体层(50)的材料包括铟镓锌氧化物、及氧化铟锌中的一种或多种。
7.一种TFT背板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上互相间隔的第一栅极(21)与第二栅极(22)、设于所述第一栅极(21)、第二栅极(22)、及衬底基板(10)上的栅极绝缘层(30)、设于所述栅极绝缘层(30)上且分别对应于第一栅极(21)与第二栅极(22)的氧化物半导体层(50)与多晶硅层(40)、设于所述氧化物半导体层(50)与栅极绝缘层(30)上且分别与所述氧化物半导体层(50)两侧相接触的第一源极(71)与第一漏极(72)、设于所述多晶硅层(40)与栅极绝缘层(30)上且分别与所述多晶硅层(40)两侧相接触的第二源极(73)与第二漏极(74)、设于所述第一源极(71)、第一漏极(72)、第二源极(73)、第二漏极(74)、氧化物半导体层(50)、多晶硅层(40)、及栅极绝缘层(30)上的钝化层(80)、设于所述钝化层(80)上的平坦层(90)、设于所述平坦层(90)上的连接导电层(110)与像素电极(120)、设于所述连接导电层(110)、像素电极(120)、及平坦层(90)上的像素定义层(130)；
所述平坦层(90)与钝化层(80)上设有对应于第一漏极(72)上方的第一通孔(91)、及对应于第二漏极(74)上方的第二通孔(92)，所述平坦层(90)、钝化层(80)、及栅极绝缘层(30)上设有对应于第二栅极(22)上方的第三通孔(93)；
所述连接导电层(110)经由第一通孔(91)、及第三通孔(93)分别与所述第一漏极(72)、及第二栅极(22)相接触，从而连接所述第一漏极(72)与第二栅极(22)，所述像素电极(120)经由第二通孔(92)与所述第二漏极(74)相接触；
所述像素定义层(130)上设有对应于所述像素电极(120)上方的第四通孔(134)；
所述多晶硅层(40)中掺杂有硼离子，且所述多晶硅层(40)中硼离子的掺杂浓度从上到下逐渐减小，所述多晶硅层(40)上对应于所述第二源极(73)与第二漏极(74)之间的区域设有一凹槽(41)，所述多晶硅层(40)上位于凹槽(41)下方的部分形成沟道区(42)，所述多晶硅层(40)上位于沟道区(42)两侧的区域分别形成源极接触区(43)与漏极接触区(44)。
8.如权利要求7所述的TFT背板，其特征在于，还包括设于所述第四通孔(134)内的有机发光层(140)，从而形成一OLED基板。
9.如权利要求7所述的TFT背板，其特征在于，所述氧化物半导体层(50)的材料包括铟镓锌氧化物、及氧化铟锌中的一种或多种。
10.如权利要求7所述的TFT背板，其特征在于，还包括设于所述衬底基板(10)与第一栅极(21)、及第二栅极(22)之间的缓冲层(20)。
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|---|---|
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Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107134461A (zh) * | 2017-06-28 | 2017-09-05 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、oled显示装置 |
| CN107293552A (zh) * | 2017-06-05 | 2017-10-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
| CN107342297A (zh) * | 2017-06-28 | 2017-11-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| CN109148489A (zh) * | 2018-08-30 | 2019-01-04 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种阵列基板及制作方法、显示装置 |
| CN109863598A (zh) * | 2017-09-29 | 2019-06-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示装置和制造阵列基板的方法 |
| CN110649003A (zh) * | 2018-06-26 | 2020-01-03 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 半导体基板、阵列基板、逆变器电路及开关电路 |
| CN110752235A (zh) * | 2019-10-28 | 2020-02-04 | 合肥维信诺科技有限公司 | 阵列基板的制作方法及阵列基板 |
| US10566401B2 (en) | 2017-06-28 | 2020-02-18 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate and preparing method therefor, and OLED display device |
| CN111029342A (zh) * | 2019-11-07 | 2020-04-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN111668236A (zh) * | 2020-06-08 | 2020-09-15 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112331696B (zh) * | 2019-12-27 | 2022-12-06 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 发光器件及其基板与制作方法 |
| CN112331678A (zh) | 2020-11-03 | 2021-02-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、其制作方法及显示面板、显示装置 |
| CN112951853A (zh) * | 2021-04-14 | 2021-06-11 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102315278A (zh) * | 2010-07-07 | 2012-01-11 | 三星移动显示器株式会社 | 双栅薄膜晶体管及包括双栅薄膜晶体管的oled显示装置 |
| CN103295962A (zh) * | 2013-05-29 | 2013-09-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法，显示装置 |
| CN105575997A (zh) * | 2014-10-30 | 2016-05-11 | 三星显示有限公司 | 透明显示基板和透明显示设备 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100774561B1 (ko) * | 2001-07-13 | 2007-11-08 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 유기전계발광 디바이스 |
| KR100601370B1 (ko) * | 2004-04-28 | 2006-07-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그를 이용한 유기 전계 발광 표시 장치 |
| KR101048966B1 (ko) * | 2007-04-24 | 2011-07-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 |
| CN104157610A (zh) * | 2014-08-20 | 2014-11-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 氧化物半导体tft基板的制作方法及其结构 |
-
2016
- 2016-06-07 CN CN201610409643.0A patent/CN106057735B/zh active Active
- 2016-06-27 WO PCT/CN2016/087326 patent/WO2017210926A1/zh active Application Filing
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102315278A (zh) * | 2010-07-07 | 2012-01-11 | 三星移动显示器株式会社 | 双栅薄膜晶体管及包括双栅薄膜晶体管的oled显示装置 |
| CN103295962A (zh) * | 2013-05-29 | 2013-09-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法，显示装置 |
| CN105575997A (zh) * | 2014-10-30 | 2016-05-11 | 三星显示有限公司 | 透明显示基板和透明显示设备 |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107293552A (zh) * | 2017-06-05 | 2017-10-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
| US10693011B2 (en) | 2017-06-28 | 2020-06-23 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate, method of manufacturing the same, and display device including thin film transistor substrate |
| CN107342297A (zh) * | 2017-06-28 | 2017-11-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置 |
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| CN109863598A (zh) * | 2017-09-29 | 2019-06-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示装置和制造阵列基板的方法 |
| US11233106B2 (en) | 2017-09-29 | 2022-01-25 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate |
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