CN102117825A - 有机发光显示装置 - Google Patents

有机发光显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102117825A
CN102117825A CN2010105155496A CN201010515549A CN102117825A CN 102117825 A CN102117825 A CN 102117825A CN 2010105155496 A CN2010105155496 A CN 2010105155496A CN 201010515549 A CN201010515549 A CN 201010515549A CN 102117825 A CN102117825 A CN 102117825A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
pixel
organic light
emitting display
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2010105155496A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102117825B (zh
Inventor
李们在
宋原准
李善姬
李荣熙
朴希昌
金茂显
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Mobile Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Mobile Display Co Ltd filed Critical Samsung Mobile Display Co Ltd
Publication of CN102117825A publication Critical patent/CN102117825A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102117825B publication Critical patent/CN102117825B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种有机发光显示装置。在一个实施例中,有机发光显示装置包括:i)基底,具有透射区域和通过透射区域相互分隔开的多个像素区域,基底具有彼此相对的第一表面和第二表面;ii)至少一个薄膜晶体管,形成在位于基底的第一表面上方的每个像素区域中;和iii)钝化膜,覆盖所述至少一个薄膜晶体管。所述装置还包括形成在钝化膜上的多个像素电极,每个像素电极电连接到对应的薄膜晶体管并基本直接形成在对应的薄膜晶体管的上方,每个像素电极仅形成在对应的像素区域中并且像素电极相互分隔开。所述装置还可包括形成在第二表面下方的太阳能电池有源层。

Description

有机发光显示装置
本申请要求2010年1月5日在韩国知识产权局提交的第10-2010-0000569号韩国专利申请的优先权,该申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
描述的技术主要涉及一种有机发光显示装置,更具体地讲,涉及一种透明的有机发光显示装置。
背景技术
有机发光显示装置通常具有宽视角、高对比度、短响应时间和降低的功耗。在使用方面,显示器可横跨各种不同的应用领域,诸如个人便携式装置(例如,MP3播放器和移动电话)或者大屏幕显示器(例如,电视机)。
发明内容
本发明的一个方面是一种可以通过防止在图像显示过程中的光散射来防止穿过其透射的图像的失真的透明的有机发光显示装置。
另一方面是一种通过将从太阳能电池获得的能量用作驱动有机发光显示装置的辅助电源来降低功耗的有机发光显示装置。
另一方面是一种有机发光显示装置,所述装置包括:基底,具有透射区域和多个像素区域,所述多个像素区域通过设置在像素区域之间的透射区域相互分隔开;薄膜晶体管,位于基底的第一表面上并设置在基底的像素区域中;钝化膜,覆盖薄膜晶体管;像素电极,形成在钝化膜上以电连接到位于像素区域中的薄膜晶体管,并且设置成与薄膜晶体管叠置并覆盖薄膜晶体管;对向电极,面向像素电极并形成为能够透射光;有机发光层,设置在像素电极和对向电极之间以发射光;第一电极,形成在基底的第二表面上;第二电极,面向第一电极;太阳能电池有源层,设置在第一电极和第二电极之间。
另一方面是一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:基底,具有透射区域和多个像素区域,所述多个像素区域通过设置在像素区域之间的透射区域相互分隔开;像素电路单元,形成在基底的第一表面上并包括薄膜晶体管,并且位于像素区域中;第一绝缘膜,覆盖像素电路单元;像素电极,形成在第一绝缘膜上以电连接到像素电路单元,并设置成与像素电路单元叠置并覆盖像素电路单元;对向电极,面对像素电极;有机发光层,设置在像素电极和对向之间以发射光;第一电极,形成在基底的第二表面上;第二电极,面向第一电极;太阳能电池有源层,设置在第一电极和第二电极之间。
另一方面是一种有机发光显示装置,该装置包括:基底,具有透射区域和通过透射区域相互分隔开的多个像素区域,其中,透射区域被配置成使光穿过其透射,像素区域被配置成显示图像,并且基底具有彼此相对的第一表面和第二表面;至少一个薄膜晶体管,形成在位于基底的第一表面上方的每个像素区域中;钝化膜,覆盖所述至少一个薄膜晶体管;多个像素电极,形成在钝化膜上,其中,所述多个像素电极中的每个像素电极电连接到对应的薄膜晶体管,并基本上直接形成在对应的薄膜晶体管的上方,每个像素电极仅形成在对应的像素区域中,并且所述多个像素电极相互分隔开;有机发光层,形成在每个像素电极上并配置成发射光;对向电极,形成在有机发光层上并被配置成透射光;第一电极,形成在基底的第二表面上;太阳能电池有源层,形成在第一电极上;第二电极,形成在太阳能电池有源层上,其中,第一电极比第二电极更靠近基底。
在上述装置中,每个像素电极具有与一个像素区域的面积基本相同的面积。上述装置还包括形成在每个像素区域中且电连接到对应的薄膜晶体管的多条导线,所有导线基本直接形成在对应的像素电极的下方。在上述装置中,透射区域的总面积相对于像素区域和透射区域的总面积的比率在大约20%和大约90%之间。在上述装置中,钝化膜形成透射区域和像素区域上,并且钝化膜由透明材料形成。在上述装置中,基底的透射率大于或等于钝化膜的透射率。
在上述装置中,钝化膜形成在透射区域和像素区域上,并且钝化膜在透射区域中具有凹进(recess),且所述凹进被对向电极覆盖。在上述装置中,多个绝缘膜形成在透射区域中,并且所述绝缘膜具有被对向电极覆盖的凹进。
在上述装置中,第一电极和第二电极中的至少一个由透明材料形成。在上述装置中,每个像素电极具有面向对应的薄膜晶体管的表面,并且像素电极的所述表面被配置为反射光。在上述装置中,每个像素电极具有第一长度,每个薄膜晶体管具有第二长度,第一长度和第二长度被限定在与基底的第一表面基本平行的方向上,第一长度大于或等于第二长度。
另一方面是一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:基底,具有透射区域和通过透射区域相互分隔开的多个像素区域,其中,透射区域被配置成使光穿过其透射,像素区域被配置成显示图像,并且基底具有彼此相对的第一表面和第二表面;多个像素电路单元,分别形成在基底的第一表面上方的像素区域中,多个像素电路单元包括至少一个薄膜晶体管;第一绝缘膜,覆盖像素电路单元;多个像素电极,形成在第一绝缘膜上,其中,每个像素电极电连接到对应的像素电路单元并基本直接形成在对应的像素电路单元上方,像素电极相互分隔开并仅形成在像素区域中;有机发光层,形成在每个像素电极上并被配置成发射光;对向电极,形成在有机发光层上并被配置成透射光;第一电极,形成在基底的第二表面上;太阳能电池有源层,形成在第一电极上;第二电极,形成在太阳能电池有源层上,第一电极比第二电极更靠近基底。
在上述装置中,每个像素电极具有与一个像素区域的面积基本相同的面积。上述装置还包括形成在每个像素区域中且电连接到对应的薄膜晶体管的多条导线,所有导线形成基本直接形成在对应的像素电极的下方。在上述装置中,透射区域的总面积相对于像素区域和透射区域的总面积的比率在大约20%和大约90%之间。在上述装置中,透射区域和像素区域均包括第一绝缘膜和多个第二绝缘膜,第一绝缘膜和第二绝缘膜由透明的材料形成。
在上述装置中,基底的透射率大于或等于第一绝缘膜和第二绝缘膜的总透射率。在上述装置中,透射区域和像素区域均包括第一绝缘膜和多个第二绝缘膜,第一绝缘膜和第二绝缘膜中的至少一个在透射区域中具有凹进,所述凹进被对向电极覆盖。
另一方面为一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:基底,光透射区域和多个像素区域形成在基底中,像素区域通过光透射区域相互分隔开,像素区域被配置成显示图像,并且基底具有彼此相对的第一表面和第二表面;至少一个像素电路,形成在位于基底的第一表面上方的每个像素区域中;像素电极,形成在每个像素区域中,其中,每个像素电极电连接到对应的像素电路并直接形成在对应的像素电路上方,像素电极不形成在光透射区域中;有机发光元件,形成在像素电极上;第一电极,形成在基底的第二表面上;太阳能电池有源层,形成在第一电极上;第二电极,形成在太阳能电池有源层上,其中,第一电极比第二电极更靠近基底。
在上述装置中,每个像素电极具有第一长度,每个像素电路具有第二长度,第一长度和第二长度限定在与基底的第一表面基本平行的方向上,第一长度大于或等于第二长度。
附图说明
图1是根据本发明实施例的有机发光显示装置的剖视图;
图2是示出图1中的有机发光显示装置的实施例的细节的剖视图;
图3是示出图1中的有机发光显示装置的另一实施例的细节的剖视图;
图4是示出图2或图3中的有机发光单元的示例的示意图;
图5是包括图4中的像素电路单元的示例的有机发光显示单元的示意图;
图6是具体示出图5的有机发光单元的示例的平面图;
图7是具体示出图6的有机发光单元的示例的剖视图;
图8是具体示出图5的有机发光单元的另一示例的平面图;
图9是具体示出图8的有机发光单元的示例的剖视图;
图10是根据本发明另一实施例的有机发光显示装置的剖视图。
具体实施方式
有机发光显示器是自发光的。此外,由于有机发光显示器与液晶显示装置不同,它不需要额外的光源,所以有机发光显示器的重量和厚度可以减小。另外,可以通过使用透明的薄膜晶体管和其它的透明元件(例如,透明的有机发光元件)将有机发光显示器制成透明的。
当透明的显示装置处于断电状态时,在使用者相对于透明装置的相对一侧上的物体或图像可被透射给使用者。这种不期望的透射不仅穿过有机发光二极管,而且还穿过薄膜晶体管的图案和各种线之间的空间发生。因此,由于上述图案,失真的图像会被透射给使用者。这是因为图案之间的间隙仅为几个纳米,其接近于可见光的波长,因此,在光穿过间隙的同时发生散射。
现在将参照附图更充分地描述本发明的实施例,本发明的示例性实施例示出在附图中。
图1是根据本发明实施例的有机发光显示装置的剖视图。参照图1,显示单元2形成在基底1的第一表面11上,太阳能电池单元3形成在基底1的第二表面12上。在一个实施例中,基底1由透明材料(如透明的玻璃或透明的塑料)形成。第一表面11和第二表面12相互面对。
外部光入射穿过太阳能电池单元3、基底1和显示单元2,并且外部光的一部分被太阳能电池单元3吸收。
在一个实施例中,显示单元2形成为透射外部光。例如,参照图1,显示单元2按照这样的方式形成,即,位于显示图像一侧的使用者可以观察到在太阳能电池单元3外侧上显示的图像。
太阳能电池单元3可另外地包括聚光单元(未示出),并且可以电连接到显示单元2,以用作驱动显示单元2的电源。显示单元2可连接到除了太阳能电池单元3之外的主电源。
图2是具体示出了图1中的有机发光显示装置的实施例的剖视图。显示单元2包括形成在基底1的第一表面11上的有机发光单元21和密封有机发光单元21的密封基底23。
密封基底23可由透明材料形成,以允许观看有机发光单元21产生的图像并防止外部空气和湿气渗入到有机发光单元21中。
密封基底23和有机发光单元21的边缘用密封剂(未示出)密封,因此,在密封基底23和有机发光单元21之间形成空间25。空间25可填充有吸收剂或填充物。
图3是具体示出了图1中的有机发光显示装置的另一实施例的剖视图。如图3所示,薄密封膜24可形成在有机发光单元21上,以保护有机发光单元21免受环境的影响。薄密封膜24可具有由无机材料(例如,氧化硅或氮化硅)形成的膜和由有机材料(例如,环氧树脂或聚酰亚胺)形成的膜交替堆叠的结构。薄密封膜24可具有任何薄膜型的密封结构。
太阳能电池单元3包括形成在基底1的第二表面12上的第一电极31、形成在第一电极31上的太阳能电池有源层33和形成在太阳能电池有源层33上的第二电极32。
第一电极31可为由薄膜金属形成的半透明电极,所述薄膜金属例如为Ag、Mg、A1、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li或Ca。第二电极32可为由例如ITO、IZO、In2O3或ZnO之类的材料形成的透明电极。在这种情况下,由于穿过第二电极32的外部光的透射率提高,所以太阳能电池单元3的外部光吸收率可提高。
第一电极31可为透明电极并且第二电极32可为半透明电极。然而,在这种情况下,与上述实施例相比,太阳能电池单元3的外部光吸收率会降低。
通过在第一电极31上沉积或印刷材料来形成太阳能电池有源层33。所述材料可为可被沉积或印刷在透明电极基体上的任何材料,诸如有机单体、p-Si或c-Si。太阳能电池有源层33可由具有半导体特性(如p-n结)且可吸收可见光和近红外光的材料形成。
作为示例,太阳能电池有源层33可包括纳米级的氧化钛粉末、可吸收太阳光的光敏染料以及电解质。电解质可为液体电解质或固体电解质。当使用液体电解质时,形成密封结构以防止太阳能电池有源层33的液体电解质泄漏。尽管没有示出,第一电极31和第二电极32可另外连接到聚光单元(未示出)。
图4是示出图2或图3中的有机发光单元的示例的示意图。参照图2至图4,有机发光单元21形成在基底1上,在基底1上限定了用于透射外部光的透射区域TA(或光透射区域)和像素区域PA,其中,像素区域PA相互分隔开并且在像素区域PA之间设置有透射区域TA。
每个像素区域PA包括像素电路单元PC,并且多条导线(如扫描线S、数据线D和驱动电源线V)电连接到像素电路单元PC。尽管未示出,根据像素电路单元PC的配置,除了扫描线S、数据线D和驱动电源线V之外的各种其它导线也可以连接到像素电路单元PC。在一个实施例中,像素电路单元包括至少一个薄膜晶体管。
图5示出了像素电路单元PC的示例,该像素电路单元PC包括:第一薄膜晶体管TR1,连接到扫描线S和数据线D;第二薄膜晶体管TR2,连接到第一薄膜晶体管TR1和驱动电源线V;电容器Cst,连接到第一薄膜晶体管TR1和第二薄膜晶体管TR2。在一个实施例中,第一薄膜晶体管TR1是开关晶体管,第二薄膜晶体管TR2是驱动晶体管。第二薄膜晶体管TR2电连接到像素电极221。在图5中,第一薄膜晶体管TR1和第二薄膜晶体管TR2为P型晶体管,但是不限于此,并且第一薄膜晶体管TR1和第二薄膜晶体管TR2中的至少一个可为N型晶体管。
根据本发明的实施例,包括扫描线S、数据线D和驱动电源线V的导线中的至少一种导线被设置成跨越像素区域PA。然而,本发明不限于此,并且所有导线可被设置成跨越像素区域PA,而没有导线跨越透射区域TA。
像素区域PA为配置成显示图像的发光区域。由于像素电路单元PC位于发光区域中并且所有导线跨越发光区域,所以使用者仅能识别发光区域,并且通过透射区域TA看到外部视野。因此,可以防止由于与像素电路单元PC的内部器件的图案发生干涉而导致的太阳光的散射,从而防止外部图像失真。在一个实施例中,包括扫描线S、数据线D和驱动电源线V的导线中的至少一种导线被设置成跨越像素区域PA之间的透射区域TA。然而,由于导线形成得非常薄,所以使用者几乎不会观察到导线,并且导线对有机发光单元21的整体透射率的影响甚微,因此,可实现透明的显示器。另外,尽管使用者会在由像素区域PA覆盖的区域那么大的范围内看不到外部图像,但是考虑到整个显示区域,由于像素区域PA像规则地布置在透明玻璃的表面上的多个点,所以对观察外部图像的影响甚微。即,这与对透明玻璃进行染色产生的效果基本相同。
在一个实施例中,透射区域TA和像素区域PA按照这样的方式形成,即,透射区域TA的面积相对于透射区域TA和像素区域PA的总体面积的比率在大约20%和大约90%之间。
上述比率可提供防止光散射和用于提供稳定图像的像素完整性之间的最佳平衡。例如,如果该比率大于或等于20%,该装置的透明度提高。透射区域TA的面积相对于透射区域TA和像素区域PA的总体面积的比率可为大约20%。在这个实施例中,像素区域PA相对于透射区域TA以岛的状态存在,由于所有的导电图案被设置成跨越像素区域PA,所以光的散射被最小化,因此,显示单元2可被使用者看作透明的显示单元。如将在下面描述的,当包括在像素电路单元PC中的晶体管由透明的薄膜晶体管(TFT)(如氧化物半导体)形成且有机发光装置为透明的装置时,显示单元2还可被看作透明的显示单元。在这种情况下,与传统的透明的显示单元不同,如果可能,则所有的导电图案被设置成跨越像素区域PA。因此,可防止光的散射,从而可用可以看到未失真的外部图像。
此外,如果上述比率小于或等于大约90%,可以提高显示单元2的像素整体性,因此,可通过从像素区域PA发射的光来实现稳定的图像。在一个实施例中,当像素区域PA的面积减小时,从有机发光膜223发射的光的量增大,以实现图像。然而,如果操作有机发光装置以发射具有高强度的光,则有机发光装置的寿命快速地缩短。另外,当上述比率小于或等于大约90%时,由于像素区域PA的数量不减少,所以可提高有机发光装置的分辨率。透射区域TA的面积相对于像素区域PA和透射区域TA的总体面积的比率还可在大约40%至大约70%的范围内。该比率范围(大约40%至大约70%)可提供特定的优势。例如,大于或等于大约40%的比率范围不会显著地限制使用者通过透射区域TA观察外部图像的能力。此外,小于或等于大约70%的比率范围可使设计像素电路单元PC变得更容易。然而,在其它实施例中,可以使用除了上述范围之外的比率范围。
每个像素区域PA包括像素电极221,像素电极221具有与像素区域PA的面积对应的面积并且电连接到像素电路单元PC。像素电路单元PC与像素电极221叠置,从而像素电路单元PC可被像素电极221覆盖。此外,包括扫描线S、数据线D和驱动电源线V的导线被设置成跨越像素电极221。根据本发明的实施例,像素电极221可具有等于或稍微大于像素区域PA的面积的面积。因此,如图6所示,当使用者观察有机发光单元21时,如上所述的像素电路单元PC被像素电极221覆盖,并且大部分导线也被覆盖。因此,如上所述,极大地减少了光的散射,并且使用者通过透射区域TA可以看到一小部分导线。因此,使用者可以观察到未失真的外部图像。
图7是示出了用于解释有机发光单元21的有机发光单元的示例的剖视图,并且该示例详细示出了图5中的像素电路单元PC。
根据本发明的实施例,在图7的有机发光单元21中,缓冲膜211形成在基底1的第一表面11上,第一薄膜晶体管(第一TFT)TR1、电容器Cst和第二薄膜晶体管(第二TFT)TR2形成在缓冲膜211上。
首先,第一半导体有源层212a和第二半导体有源层212b形成在缓冲膜211上。
缓冲膜211防止杂质元素渗入到有机发光单元21中,并将有机发光单元21的表面平坦化。缓冲膜211可由可执行上述功能的各种材料中的任何材料形成,例如,如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛或氮化钛之类的无机材料,如聚酰亚胺、聚酯或丙烯酰(arycl)之类的有机材料,或者这些材料的叠层。在一些实施例中,可省略缓冲膜211。
第一半导体有源层212a和第二半导体有源层212b可由多晶硅形成,但是不限于此,并可由半导体氧化物形成,所述半导体氧化物例如G-I-Z-O层[(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c层](其中,a、b和c为分别满足a≥0、b≥0和c>0的整数)。当第一半导体有源层212a和第二半导体有源层212b由半导体氧化物形成时,与当有源层由硅半导体形成时相比,还可以提高光学透射率。
覆盖第一半导体有源层212a和第二半导体有源层212b的栅极绝缘膜213形成在缓冲膜211上,第一栅极214a和第二栅极214b形成在栅极绝缘膜213上。
层间绝缘层215形成在栅极绝缘膜213上,以覆盖第一栅极214a和第二栅极214b。第一源极216a和第一漏极217a及第二源极216b和第二漏极217b均形成在层间绝缘层215上,并分别通过接触孔连接到第一半导体有源层212a和第二半导体有源层212b。
在图7中,扫描线S可与第一栅极214a和第二栅极214b基本同时形成。数据线D可与第一源极216a基本同时形成并且连接到第一源极216a。驱动电源线V可与第二源极216b基本同时形成并连接到第二源极216b。
在电容器Cst中,下电极220a与第一栅极214a和第二栅极214b基本同时形成,上电极220b与第一漏极217a基本同时形成。
第一TFT TR1、电容器Cst和第二TFT TR2的结构不限于此,并且可以采用任何不同类型的TFT和电容器结构。
形成钝化膜218,以覆盖第一TFT TR1、电容器Cst和第二TFT TR2。钝化膜218可为单层或多层的绝缘膜,其上表面被平坦化,并且钝化膜218可由无机材料和/或有机材料形成。
覆盖第一TFT TR1、电容器Cst和第二TFT TR2的像素电极221可形成在钝化膜218上。像素电极221通过形成在钝化膜218中的通孔连接到第二TFT TR2的第二漏电极217b。在一个实施例中,如图6所示,像素电极221形成为彼此独立的岛型。
覆盖像素电极221的边缘的像素限定层219形成在钝化膜218上。有机发射层223和对向电极222顺序地形成在像素电极221上。对向电极222形成在全部像素区域PA和透射区域TA上。
有机发光层223可为低分子量有机膜或聚合物有机膜。当有机发光层223为低分子量有机膜时,可按照单一结构或复合结构通过堆叠空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)来形成有机发光层223,并且有机发光层223可由如铜酞菁(CuPc)、N,N′-二(萘-1-基)-N,N′-二苯基联苯胺(NPB)或三-8-羟基喹啉铝(Alq3)之类的各种材料中的任何材料形成。可通过使用蒸发法或喷嘴印刷法来形成低分子量有机膜。在这点上,HIL、HTL、ETL和EIL为公共层,并且共同应用于红色、绿色和蓝色像素。因此,与图7中的有机发光层不同,公共层可形成为覆盖像素区域PA和透射区域TA,像对向电极222一样。
在一个实施例中,像素电极221用作阳极,而对向电极222用作阴极。当然,像素电极221和对向电极222的极性可颠倒。
根据本发明的实施例,像素电极221可为反射电极,对向电极222可为透明电极。像素电极221可由反射材料形成,或者包括由例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或这些材料的化合物或者具有高逸出功的氧化物(如ITO、IZO、ZnO或In2O3)形成的反射膜。反射材料或反射膜可仅形成在像素电极221的面对像素电路单元的表面上。对向电极222可由如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li或Ca之类的具有低逸出功的金属形成。因此,有机发光单元21为顶部发射型,在顶部发射型中,在向着对向电极222的方向显示图像。
当像素电极221为反射电极时,设置在像素电极221下方的像素电路单元被像素电极221覆盖。因此,参照图7,在对向电极222的外侧上部,使用者不会看到设置在像素电极221下方的第一TFT TR1、电容器Cst和第二TFT TR2以及扫描线S、数据线D和驱动电源线V的部分。因此,由于外部图像不会由于构成有机发光单元21的图案中的每个而发生失真,所以可以看到清楚的外部图像。
本发明不限于此,例如,像素电极221还可以为透明电极或半透明电极。在这个实施例中,像素电极221由诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3之类的具有高逸出功的氧化物形成。如果像素电极221是透明的且在对向电极222的外侧上部,则使用者可以看到设置在像素电极221下方的第一TFT TR1、电容器Cst和第二TFT TR2以及扫描线S、数据线D和驱动电源线V的部分。然而,尽管像素电极221是透明的,但是由于光穿过像素电极221的透射率不可能是100%,所以还是存在光损失,并且由于导电图案设置在像素电极221的区域中,所以由于像素电极221还会导致外部光的透射率进一步降低。因此,与当外部光直接进入导电图案时相比,由导电图案导致的对外部光的干涉减少,从而减少了外部图像的失真。
在本发明的一个实施例中,为了进一步提高透射区域TA的光学透射率,钝化膜218、栅极绝缘膜213、层间绝缘层215和像素限定膜219可形成为透明的绝缘膜。在这点上,基底1可具有大于或等于透明的绝缘膜的整体透射率的透射率。
钝化膜218可与第一绝缘膜互换使用,并且栅极绝缘膜213、层间绝缘层215和像素限定膜219的组合可与第二绝缘膜互换使用。图8和图9是具体示出图5中的有机发光单元的另一示例的图,并且示出了形成在透射区域TA中以透明的绝缘膜形成的具有预定形状开口的开口220。
开口220可形成为尽可能的宽,只要开口220不会妨碍扫描线S、数据线D和驱动电源线V,并且可形成为跨越栅极绝缘膜213、层间绝缘层215、钝化膜218和像素限定膜219。在图9中,开口22没有形成在缓冲膜211中,以防止杂质渗入到基底1中。如果需要,则开口220可延伸到缓冲膜211。
按照这种方式,在透射区域TA中形成开口220还可以提高透射区域TA的光学透射率,从而使用者可更清楚地观察到外部图像。
如图10所示,如上所述的根据本发明实施例的显示单元2形成在另一基底上,因此,可利用滑动的方法与第一表面11结合或组合。
在这种情况下,在其第二表面上具有太阳能电池单元3的基底1可以是建筑的窗户,驱动显示单元2的驱动电源可以从进入太阳能电池单元3的太阳光获得。
根据本发明的实施例,有机发光显示装置可通过消除图像显示过程中的光散射来防止透射的图像的失真。
本发明的至少一个实施例还可以提供一种可通过使用从太阳能电池获得的能量作为驱动有机发光显示装置的辅助电源来降低功耗的有机发光显示装置。
尽管已经参照本发明的示例性实施例具体地示出和描述了本发明,但是本领域的普通技术人员应该理解,在不脱离权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下,可以在形式和细节上对本发明进行各种改变。

Claims (20)

1.一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:
基底,具有透射区域和通过透射区域相互分隔开的多个像素区域,其中,透射区域被配置成使光穿过其透射,像素区域被配置成显示图像,并且基底具有彼此相对的第一表面和第二表面;
至少一个薄膜晶体管,形成在位于基底的第一表面上方的每个像素区域中;
钝化膜,覆盖所述至少一个薄膜晶体管;
多个像素电极,形成在钝化膜上,其中,所述多个像素电极中的每个像素电极电连接到对应的薄膜晶体管,并直接形成在对应的薄膜晶体管的上方,每个像素电极仅形成在对应的像素区域中,并且所述多个像素电极相互分隔开;
有机发光层,形成在每个像素电极上并配置成发射光;
对向电极,形成在有机发光层上并被配置成透射光;
第一电极,形成在基底的第二表面上;
太阳能电池有源层,形成在第一电极上;
第二电极,形成在太阳能电池有源层上,其中,第一电极比第二电极更靠近基底。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示器,其中,每个像素电极具有等于一个像素区域的面积的面积。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示器,其中,所述有机发光显示装置还包括形成在每个像素区域中且电连接到对应的薄膜晶体管的多条导线,所有导线直接形成在对应的像素电极的下方。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示器,其中,透射区域的总面积相对于像素区域和透射区域的总面积的比率在20%和90%之间。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示器,其中,钝化膜形成在透射区域和像素区域上,并且钝化膜由透明材料形成。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示器,其中,基底的透射率大于或等于钝化膜的透射率。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示器,其中,钝化膜形成在透射区域和像素区域上,并且钝化膜在透射区域中具有凹进,且所述凹进被对向电极覆盖。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示器,其中,多个绝缘膜形成在透射区域中,并且所述绝缘膜具有被对向电极覆盖的凹进。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示器,其中,第一电极和第二电极中的至少一个由透明材料形成。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示器,其中,每个像素电极具有面向对应的薄膜晶体管的表面,并且像素电极的所述表面被配置为反射光。
11.根据权利要求1所述的有机发光显示器,其中,每个像素电极具有第一长度,每个薄膜晶体管具有第二长度,第一长度和第二长度被限定在与基底的第一表面平行的方向上,第一长度大于或等于第二长度。
12.一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:
基底,具有透射区域和通过透射区域相互分隔开的多个像素区域,其中,透射区域被配置成使光穿过其透射,像素区域被配置成显示图像,并且基底具有彼此相对的第一表面和第二表面;
多个像素电路单元,分别形成在基底的第一表面上方的像素区域中,多个像素电路单元包括至少一个薄膜晶体管,第一绝缘膜覆盖像素电路单元;
多个像素电极,形成在第一绝缘膜上,其中,每个像素电极电连接到对应的像素电路单元并直接形成在对应的像素电路单元上方,像素电极相互分隔开并仅形成在像素区域中;
有机发光层,形成在每个像素电极上并被配置成发射光;
对向电极,形成在有机发光层上并被配置成透射光;
第一电极,形成在基底的第二表面上;
太阳能电池有源层,形成在第一电极上;
第二电极,形成在太阳能电池有源层上,第一电极比第二电极更靠近基底。
13.根据权利要求12所述的有机发光显示器,其中,每个像素电极具有等于一个像素区域的面积的面积。
14.根据权利要求12所述的有机发光显示器,其中,所述有机发光显示装置还包括形成在每个像素区域中且电连接到对应的像素电路单元的多条导线,所有导线直接形成在对应的像素电极的下方。
15.根据权利要求12所述的有机发光显示器,其中,透射区域的总面积相对于像素区域和透射区域的总面积的比率在20%和90%之间。
16.根据权利要求12所述的有机发光显示器,其中,透射区域和像素区域均包括第一绝缘膜和多个第二绝缘膜,第一绝缘膜和第二绝缘膜由透明的材料形成。
17.根据权利要求16所述的有机发光显示器,其中,基底的透射率大于或等于第一绝缘膜和第二绝缘膜的总透射率。
18.根据权利要求12所述的有机发光显示器,其中,透射区域和像素区域均包括第一绝缘膜和多个第二绝缘膜,第一绝缘膜和第二绝缘膜中的至少一个在透射区域中具有凹进,所述凹进被对向电极覆盖。
19.一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:
基底,光透射区域和多个像素区域形成在基底中,像素区域通过光透射区域相互分隔开,像素区域被配置成显示图像,并且基底具有彼此相对的第一表面和第二表面;
至少一个像素电路,形成在位于基底的第一表面上方的每个像素区域中;
像素电极,形成在每个像素区域中,其中,每个像素电极电连接到对应的像素电路并直接形成在对应的像素电路上方,像素电极不形成在光透射区域中;
有机发光元件,形成在像素电极上;
第一电极,形成在基底的第二表面上;
太阳能电池有源层,形成在第一电极上;
第二电极,形成在太阳能电池有源层上,其中,第一电极比第二电极更靠近基底。
20.据权利要求19所述的有机发光显示器,其中,每个像素电极具有第一长度,每个像素电路具有第二长度,第一长度和第二长度限定在与基底的第一表面平行的方向上,第一长度大于或等于第二长度。
CN201010515549.6A 2010-01-05 2010-10-19 有机发光显示装置 Active CN102117825B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2010-0000569 2010-01-05
KR1020100000569A KR101156434B1 (ko) 2010-01-05 2010-01-05 유기 발광 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102117825A true CN102117825A (zh) 2011-07-06
CN102117825B CN102117825B (zh) 2015-08-05

Family

ID=43608258

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010515549.6A Active CN102117825B (zh) 2010-01-05 2010-10-19 有机发光显示装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8638030B2 (zh)
EP (1) EP2341544A2 (zh)
JP (1) JP5241777B2 (zh)
KR (1) KR101156434B1 (zh)
CN (1) CN102117825B (zh)

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102542926A (zh) * 2011-12-23 2012-07-04 彩虹集团公司 有机光伏电致发光联用的显示器件及其制备方法
WO2012171396A1 (en) * 2011-06-17 2012-12-20 Yaping Wang Integrated module integrating amoled display with solar panel and electronic device applying such integrated module
CN103377615A (zh) * 2012-04-16 2013-10-30 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器及其测试方法
CN103928474A (zh) * 2014-03-28 2014-07-16 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法和显示面板
CN103985728A (zh) * 2013-02-12 2014-08-13 三星显示有限公司 有机发光显示装置
CN104009042A (zh) * 2011-12-16 2014-08-27 友达光电股份有限公司 显示面板
CN105575997A (zh) * 2014-10-30 2016-05-11 三星显示有限公司 透明显示基板和透明显示设备
CN105938843A (zh) * 2015-03-02 2016-09-14 三星显示有限公司 透明有机发光显示设备以及制造其的方法
CN106469747A (zh) * 2015-08-21 2017-03-01 株式会社日本显示器 显示装置
CN106876425A (zh) * 2015-09-25 2017-06-20 三星显示有限公司 显示设备
CN107085475A (zh) * 2016-02-12 2017-08-22 三星显示有限公司 显示设备及其制造方法
CN107742627A (zh) * 2017-09-28 2018-02-27 京东方科技集团股份有限公司 显示面板以及显示面板的制备方法
CN108389878A (zh) * 2017-09-30 2018-08-10 昆山国显光电有限公司 显示屏及显示装置
CN109256396A (zh) * 2018-09-04 2019-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种透明显示基板及透明显示面板
CN109597257A (zh) * 2019-01-02 2019-04-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
CN109769409A (zh) * 2016-08-17 2019-05-17 新山兵治 自发电照明装置
CN110246885A (zh) * 2019-06-28 2019-09-17 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板
CN111162197A (zh) * 2020-01-02 2020-05-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN111200080A (zh) * 2018-11-19 2020-05-26 乐金显示有限公司 电致发光显示设备
CN111554714A (zh) * 2020-05-13 2020-08-18 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN111933659A (zh) * 2019-05-13 2020-11-13 三星显示有限公司 显示装置和制造该显示装置的方法

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9918656B2 (en) 2010-06-25 2018-03-20 Massachusetts Institute Of Technology Implantable magnetic relaxation sensors and methods of measuring a sensor's cumulative exposure to a biomarker
KR101482628B1 (ko) * 2011-05-03 2015-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
EP3780113A1 (en) * 2012-09-13 2021-02-17 Samsung Display Co., Ltd. Pixel arrangement structure for organic light emitting diode display
KR101975957B1 (ko) * 2012-10-04 2019-05-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102010789B1 (ko) * 2012-12-27 2019-10-21 엘지디스플레이 주식회사 투명 유기 발광 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치 제조 방법
CN103137024B (zh) * 2013-02-04 2015-09-09 小米科技有限责任公司 一种显示装置及一种移动终端
KR101560272B1 (ko) 2013-02-25 2015-10-15 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조 방법
FR3002677A1 (fr) * 2013-02-25 2014-08-29 Yves Loisel Structure complexe transparente autoalimentee en energie solaire, capable de produire des images animees
CN103529581A (zh) * 2013-10-18 2014-01-22 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
CN103985734B (zh) * 2014-04-16 2017-03-08 京东方科技集团股份有限公司 一种透明显示装置及其制作方法
TWI567971B (zh) * 2014-04-22 2017-01-21 友達光電股份有限公司 發光裝置
KR102280266B1 (ko) 2014-08-29 2021-07-22 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 채용한 유기 발광 표시 장치
KR102267600B1 (ko) * 2014-11-19 2021-06-23 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 표시장치
KR102272423B1 (ko) 2015-01-14 2021-07-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102478471B1 (ko) * 2015-07-03 2022-12-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102636147B1 (ko) 2015-12-31 2024-02-08 엘지디스플레이 주식회사 투명표시장치
KR102592857B1 (ko) * 2016-12-16 2023-10-24 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 이를 포함하는 표시장치
WO2020004256A1 (ja) * 2018-06-26 2020-01-02 京セラ株式会社 情報表示装置及び情報表示システム
JP2020181190A (ja) * 2019-04-24 2020-11-05 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 表示装置及びその製造方法
KR20200136549A (ko) 2019-05-27 2020-12-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20210081512A (ko) * 2019-12-23 2021-07-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 제조 방법
KR20220011260A (ko) 2020-07-20 2022-01-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20230158548A (ko) * 2021-03-25 2023-11-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2023063510A1 (ko) * 2021-10-15 2023-04-20 경북대학교 산학협력단 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널 및 그 제조 방법
KR102491105B1 (ko) * 2021-10-15 2023-01-20 경북대학교 산학협력단 화소 거울창을 구비하는 거울형 유기발광다이오드 디스플레이 패널 및 그 제조 방법
KR102468477B1 (ko) * 2021-10-15 2022-11-17 경북대학교 산학협력단 화소 투명창을 구비하는 투명 유기발광다이오드 디스플레이 패널 및 그 제조 방법
KR102468475B1 (ko) * 2021-10-15 2022-11-17 경북대학교 산학협력단 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널 및 그 제조 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1825565A (zh) * 1999-06-04 2006-08-30 株式会社半导体能源研究所 制造发光器件的方法
JP2007242985A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
US20090200936A1 (en) * 2008-02-12 2009-08-13 Jin-Goo Kang Organic light emitting display device and method of manufacturing the same

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3656076B2 (ja) * 1997-04-18 2005-06-02 シャープ株式会社 表示装置
JP4372943B2 (ja) * 1999-02-23 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP4521737B2 (ja) * 1999-03-24 2010-08-11 富士フイルム株式会社 太陽光発電装置
US6356031B1 (en) * 2000-05-03 2002-03-12 Time Warner Entertainment Co, Lp Electroluminescent plastic devices with an integral thin film solar cell
JP2002006769A (ja) * 2000-06-22 2002-01-11 Morio Taniguchi 有機エレクトロルミネッセンス発光表示装置
US20020142188A1 (en) * 2001-04-03 2002-10-03 Andriash Michael D. Illuminated imageable vision control panel
JP4320138B2 (ja) * 2001-10-31 2009-08-26 独立行政法人科学技術振興機構 高分子固体電解質を正孔輸送層とする色素増感型太陽電池の対極を電子伝導性材料と高分子電解質からなる材料で形成した固体型色素増感型太陽電池
JP2004010403A (ja) * 2002-06-05 2004-01-15 Fuji Photo Film Co Ltd 多重構造酸化チタン微粒子、及びその作製方法、及びそれを含有する光電変換素子並びに光電池
KR200320880Y1 (ko) 2003-05-02 2003-07-25 현대엘씨디주식회사 유기 태양 전지를 갖는 유기 전계 발광 디스플레이 모듈
KR100966258B1 (ko) 2003-10-13 2010-06-28 주식회사 동진쎄미켐 태양전지가 내장된 유기 전기발광 소자 및 이의 제조방법
KR100964217B1 (ko) 2004-02-21 2010-06-17 삼성에스디아이 주식회사 태양전지 일체형 표시소자 및 그 제조 방법
KR100623254B1 (ko) * 2004-04-27 2006-09-18 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
JP4645064B2 (ja) * 2004-05-19 2011-03-09 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法
JP4752240B2 (ja) * 2004-10-27 2011-08-17 セイコーエプソン株式会社 表示装置、及び電子機器
US7645478B2 (en) * 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
JP5106823B2 (ja) * 2006-10-31 2012-12-26 京セラディスプレイ株式会社 発光装置
KR100859657B1 (ko) 2007-01-08 2008-09-23 삼성에스디아이 주식회사 솔라 셀을 구비한 유기 전계 발광 표시 장치
KR100787464B1 (ko) 2007-01-08 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 및 그 제조방법
KR100922063B1 (ko) * 2008-02-04 2009-10-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광표시장치
KR100931584B1 (ko) * 2008-03-21 2009-12-14 한국전자통신연구원 하이브리드 투명 디스플레이 장치
KR100943184B1 (ko) * 2008-03-25 2010-02-19 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 디스플레이 장치
JP5172448B2 (ja) * 2008-04-24 2013-03-27 パナソニック株式会社 照明装置
US8183763B2 (en) * 2008-07-08 2012-05-22 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display and method of fabricating the same
KR101427857B1 (ko) * 2008-08-01 2014-08-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP4912437B2 (ja) * 2008-08-05 2012-04-11 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機発光表示装置
KR101432236B1 (ko) * 2008-08-26 2014-08-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR100959107B1 (ko) * 2008-08-28 2010-05-25 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1825565A (zh) * 1999-06-04 2006-08-30 株式会社半导体能源研究所 制造发光器件的方法
JP2007242985A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
US20090200936A1 (en) * 2008-02-12 2009-08-13 Jin-Goo Kang Organic light emitting display device and method of manufacturing the same

Cited By (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012171396A1 (en) * 2011-06-17 2012-12-20 Yaping Wang Integrated module integrating amoled display with solar panel and electronic device applying such integrated module
CN104009042A (zh) * 2011-12-16 2014-08-27 友达光电股份有限公司 显示面板
CN102542926A (zh) * 2011-12-23 2012-07-04 彩虹集团公司 有机光伏电致发光联用的显示器件及其制备方法
CN103377615A (zh) * 2012-04-16 2013-10-30 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器及其测试方法
TWI588804B (zh) * 2012-04-16 2017-06-21 三星顯示器有限公司 有機發光二極體顯示器及其測試方法
CN103985728B (zh) * 2013-02-12 2019-08-09 三星显示有限公司 有机发光显示装置
CN103985728A (zh) * 2013-02-12 2014-08-13 三星显示有限公司 有机发光显示装置
CN103928474B (zh) * 2014-03-28 2017-03-15 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法和显示面板
CN103928474A (zh) * 2014-03-28 2014-07-16 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法和显示面板
US9620578B2 (en) 2014-03-28 2017-04-11 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, manufacture method thereof, and display panel
WO2015143836A1 (zh) * 2014-03-28 2015-10-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法和显示面板
CN105575997A (zh) * 2014-10-30 2016-05-11 三星显示有限公司 透明显示基板和透明显示设备
US11152439B2 (en) 2014-10-30 2021-10-19 Samsung Display Co., Ltd. Transparent display device and method of manufacturing transparent display devices
CN105575997B (zh) * 2014-10-30 2021-03-05 三星显示有限公司 透明显示基板和透明显示设备
CN105938843B (zh) * 2015-03-02 2021-10-01 三星显示有限公司 透明有机发光显示设备以及制造其的方法
CN113782577A (zh) * 2015-03-02 2021-12-10 三星显示有限公司 透明有机发光显示设备以及制造其的方法
CN105938843A (zh) * 2015-03-02 2016-09-14 三星显示有限公司 透明有机发光显示设备以及制造其的方法
CN106469747B (zh) * 2015-08-21 2020-01-24 株式会社日本显示器 显示装置
US10403685B2 (en) 2015-08-21 2019-09-03 Japan Display Inc. Display device
CN106469747A (zh) * 2015-08-21 2017-03-01 株式会社日本显示器 显示装置
CN106876425B (zh) * 2015-09-25 2022-03-04 三星显示有限公司 显示设备
CN106876425A (zh) * 2015-09-25 2017-06-20 三星显示有限公司 显示设备
US11793023B2 (en) 2016-02-12 2023-10-17 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus having pixels around hole in substrate and touch layer overlapped with passivation layer
CN107085475A (zh) * 2016-02-12 2017-08-22 三星显示有限公司 显示设备及其制造方法
CN107085475B (zh) * 2016-02-12 2021-11-09 三星显示有限公司 显示设备及其制造方法
US10978674B2 (en) 2016-02-12 2021-04-13 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus with substrate hole
CN109769409A (zh) * 2016-08-17 2019-05-17 新山兵治 自发电照明装置
CN107742627A (zh) * 2017-09-28 2018-02-27 京东方科技集团股份有限公司 显示面板以及显示面板的制备方法
CN108389878A (zh) * 2017-09-30 2018-08-10 昆山国显光电有限公司 显示屏及显示装置
CN108389878B (zh) * 2017-09-30 2022-01-25 昆山国显光电有限公司 显示屏及显示装置
US10978531B2 (en) 2018-09-04 2021-04-13 Boe Technology Group Co., Ltd. Transparent display substrate, manufacturing method thereof and transparent display panel
CN109256396A (zh) * 2018-09-04 2019-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种透明显示基板及透明显示面板
CN111200080A (zh) * 2018-11-19 2020-05-26 乐金显示有限公司 电致发光显示设备
CN111200080B (zh) * 2018-11-19 2022-12-20 乐金显示有限公司 电致发光显示设备
CN109597257A (zh) * 2019-01-02 2019-04-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
CN111933659A (zh) * 2019-05-13 2020-11-13 三星显示有限公司 显示装置和制造该显示装置的方法
CN110246885A (zh) * 2019-06-28 2019-09-17 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板
CN111162197A (zh) * 2020-01-02 2020-05-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN111554714A (zh) * 2020-05-13 2020-08-18 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN111554714B (zh) * 2020-05-13 2022-08-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110080386A (ko) 2011-07-13
KR101156434B1 (ko) 2012-06-18
CN102117825B (zh) 2015-08-05
US8638030B2 (en) 2014-01-28
EP2341544A2 (en) 2011-07-06
US20110163661A1 (en) 2011-07-07
JP5241777B2 (ja) 2013-07-17
JP2011142289A (ja) 2011-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102117825B (zh) 有机发光显示装置
US8659218B2 (en) Organic light emitting display device
US10541291B2 (en) Organic light-emitting display device
US8569762B2 (en) Organic light-emitting display device having improved transmittance
US8415873B2 (en) Organic light emitting display device including a light transmission adjusting unit
US8274090B2 (en) Organic light-emitting display device
US8530910B2 (en) Organic light emitting display device including transmitting regions between pixel regions
US8629463B2 (en) Organic light-emitting display device
US8963129B2 (en) Organic light emitting display device
US9099674B2 (en) Organic light-emitting display device
US8357938B2 (en) Organic light emitting display device having external light transmission area
CN102169886B (zh) 有机发光显示装置
US8835926B2 (en) Organic light emitting display device
US8461592B2 (en) Organic light emitting display device
US8797239B2 (en) Organic light-emitting display device
US8421342B2 (en) Organic light-emitting display device
US20120080680A1 (en) Organic light emitting display device

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD.

Effective date: 20121122

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20121122

Address after: South Korea Gyeonggi Do Yongin

Applicant after: Samsung Display Co., Ltd.

Address before: South Korea Gyeonggi Do Yongin

Applicant before: Samsung Mobile Display Co., Ltd.

C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant