CN103137024B - 一种显示装置及一种移动终端 - Google Patents

一种显示装置及一种移动终端 Download PDF

Info

Publication number
CN103137024B
CN103137024B CN201310044954.8A CN201310044954A CN103137024B CN 103137024 B CN103137024 B CN 103137024B CN 201310044954 A CN201310044954 A CN 201310044954A CN 103137024 B CN103137024 B CN 103137024B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
display device
display
photovoltaic material
display layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310044954.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103137024A (zh
Inventor
许多
林斌
雷军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xiaomi Inc
Original Assignee
Xiaomi Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xiaomi Inc filed Critical Xiaomi Inc
Priority to CN201310044954.8A priority Critical patent/CN103137024B/zh
Publication of CN103137024A publication Critical patent/CN103137024A/zh
Priority to BR112015015530-8A priority patent/BR112015015530B1/pt
Priority to PCT/CN2013/091018 priority patent/WO2014117621A1/zh
Priority to RU2015122133A priority patent/RU2608976C2/ru
Priority to IN3900DEN2015 priority patent/IN2015DN03900A/en
Priority to KR1020157013582A priority patent/KR101730032B1/ko
Priority to EP13874106.1A priority patent/EP2953116B1/en
Priority to MX2015007110A priority patent/MX341875B/es
Priority to JP2015543289A priority patent/JP6031617B2/ja
Priority to US14/835,276 priority patent/US9472602B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN103137024B publication Critical patent/CN103137024B/zh
Priority to JP2016207934A priority patent/JP2017083835A/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F27/00—Combined visual and audible advertising or displaying, e.g. for public address
    • G09F27/007—Displays with power supply provided by solar cells or photocells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0376—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
    • H01L31/03762—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic System
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0384—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including other non-monocrystalline materials, e.g. semiconductor particles embedded in an insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03925—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including AIIBVI compound materials, e.g. CdTe, CdS
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0547—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the reflecting type, e.g. parabolic mirrors, concentrators using total internal reflection
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/868—Arrangements for polarized light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8793—Arrangements for polarized light emission
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
    • G02F1/13324—Circuits comprising solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells

Abstract

本发明实施例公开了一种显示装置及一种设备，属于显示领域。本发明实施例所提供的显示装置或安装有所述显示装置的设备通过在显示层中均匀的置入光伏材料，使光伏材料形成的阵列形成透光单元，并使光伏材料形成通路，既在避免影响显示层的发光的情况下吸收显示层和环境光发出的光线并转换成电流，将光能转换的电流用于移动终端后，可以增加移动终端的待机时间，提高用户体验。

Description

一种显示装置及一种移动终端
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种显示装置及一种移动终端。
背景技术
随着移动终端的发展，显示装置也显得尤为重要。当前的移动终端，包括手机、平板电脑等，使用的显示装置基本是基于RGB(Red、Green、Bule，红、绿、蓝)色彩模式的显示屏幕。
显示屏幕的发光显示层以像素为显示单位，在每个显示单位的周围均布置有控制电路，RGB色彩模式使用RGB模型为图像中每一个像素的RGB分量分配一个0～255范围内的强度值，并通过布置在每个像素周围的电路对每个RGB色彩进行控制，以显示彩色图像。
目前经常使用的主流显示屏幕有：TFT(Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)屏幕、OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)屏幕、STN(Super Twisted Nematic，超扭曲向列型液晶显示)屏幕、PDP(PlasmaDisplay Panel，等离子显示板)屏幕等，随着透光率、色彩还原的问题的改善进步，显示效果已经越来越得到用户的依赖。
但是随着用户对移动终端屏幕的加大、体积变薄等需求，显示屏幕已经成为移动终端的主要耗电装置，影响待机时间，降低了用户体验。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示装置及一种设备，可以在不影响显示效果的情况下吸收光能，并将吸收的光能转换成电能以供移动终端使用，增加移动终端的待机时间，提供用户体验。
一种显示装置，所述装置包括：发光显示层和支撑层；
其中，所述发光显示层位于所述支撑层的上方，用于通过发光显示图像；
所述支撑层中具有光伏材料形成的阵列，且所述阵列水平地位于所述发光显示层中的驱动电路的正下方，且所述光伏材料形成的阵列连接形成电路通路，用于吸收所述发光显示层发出的光并转换成电流。
优选地，所述支撑层由将所述光伏材料嵌入到反射层中得到。
优选地，所述光伏材料形成的阵列水平地位于所述发光显示层的预设部分的驱动电路或全部驱动电路的正下方。
优选地，所述光伏材料为如下任意一种或多种的聚合：
无定型硅、微晶硅、碲化镉薄膜太阳能电池、太阳能薄膜电池。
优选地，所述发光显示层包括显示层和背光层；
其中，所述背光层位于所述显示层的下方，用于为所述显示层提供背光；
所述显示层用于根据所述驱动电路对每个像素的显示色彩进行控制，并在所述背光层提供的背光下显示图像。
优选地，所述发光显示层包括由上到下顺序排列的阴极、反射层、导电层和阳极；
所述阴极和阳极在电压下，所述导电层的电子被带到反射层，所述导电层形成空洞，所述空洞跃到所述反射层后再次与电子结合释放能量进行发光。
优选地，所述显示装置还包括：触摸层；
所述触摸层位于所述发光显示层的上方，用于响应触击信号。
优选地，所述光伏材料形成的阵列的空隙对预设部分的可见光进行全反射。
优选地，所述光伏材料形成的阵列在所述显示装置的水平方向由多个直线形的光伏材料排列得到。
本发明实施例提供了一种显示装置，该显示装置装置包括：发光显示层和支撑层；其中，所述发光显示层位于所述支撑层的上方，用于通过发光显示图像；所述支撑层中具有光伏材料形成的阵列，且所述阵列水平地位于所述发光显示层中的驱动电路的正下方，且所述光伏材料形成的阵列连接形成电路通路，用于吸收所述发光显示层发出的光并转换成电流。本发明实施例所提供的显示装置通过在显示层的驱动电路下方、支撑层中的对应位置置入光伏材料，并使光伏材料形成通路，既在避免影响显示层的发光的情况下吸收显示层发出的光线并转换成电流，将光能转换的电流用于设备后，可以增加设备的待机时间，提高用户体验。
一种设备，所述设备包括如上所述的显示装置，所述设备接收并使用所述显示装置输出的电流。
本发明实施例所提供的一种设备，可通过上述提供的显示装置对光转换得到的电能供电进行工作，可以在不影响用户显示效果的情况下增加设备的待机时间，提高用户体验。
一种显示装置，所述显示装置包括：显示层、背光层和支撑层；
其中，所述显示层位于所述背光层的上方，所述显示层具有光伏材料形成的阵列，所述阵列在所述显示层的水平平面上均匀的形成多个透光单元，且所述光伏材料形成的阵列连接形成通路，用于吸收所述背光层发出的光或环境光并转换成电流；
所述背光层用于为所述显示层提供光源，所述支撑层位于所述背光层的下方，用于为所述显示层和背光层提供支撑。
优选地，所述透光单元为直线形缝隙或圆形缝隙。
优选地，所述显示层还包括对应于每个直线形缝隙下方的微透镜，所述微透镜用于将被所述光伏材料遮挡的光线聚焦后折射到所述显示层上方。
优选地，所述微透镜的俯视面形状为沿所述直线形缝隙的直线形形状。
优选地，所述微透镜为如下任意一种：
单面凸透镜、单面凹透镜、双面凸透镜、双面凹透镜、对称或非对称的球形透镜。
优选地，所述微透镜的折射率为预设折射率。
优选地，所述显示层由上到下依次包括上偏光片、有色玻璃滤光片、薄膜场效应玻璃片和下偏光片；
所述光伏材料嵌入到所述上偏光片中，所述光伏材料的嵌入位置位于所述显示层中的预设部分的驱动电路或全部驱动电路的正上方，在所述上偏光片中除所述嵌入位置的区域形成透光单元。
优选地，所述光伏材料为如下任意一种或多种的聚合：
无定型硅、微晶硅、碲化镉薄膜太阳能电池、太阳能薄膜电池。
优选地，所述支撑层为反射层，所述反射层用于反射所述背光层向下发射的光线。
优选地，所述显示装置还包括：触摸层；
所述触摸层位于所述显示层的上方，用于响应触击信号。
优选地，所述透光单元对预设部分的可见光透明。
优选地，所述透光单元在所述显示装置的水平方向由多个直线形的光伏材料排列得到。
本发明实施例提供了一种显示装置，该显示装置装置包括：显示层、背光层和支撑层；其中，所述显示层位于所述背光层的上方，所述显示层具有光伏材料形成的阵列，所述阵列在所述显示层的水平平面上均匀的形成多个透光单元，且所述光伏材料形成的阵列连接形成通路，用于吸收所述背光层发出的光或环境光并转换成电流；所述背光层用于为所述显示层提供光源，所述支撑层位于所述背光层的下方，用于为所述显示层和背光层提供支撑。本发明实施例所提供的显示装置通过在显示层中均匀的置入光伏材料，使光伏材料形成的阵列形成透光单元，并使光伏材料形成通路，既在避免影响显示层的发光的情况下吸收显示层和环境光发出的光线并转换成电流，将光能转换的电流用于移动终端后，可以增加移动终端的待机时间，提高用户体验。
一种设备，所述设备包括如上所述的显示装置，所述设备接收并使用所述显示装置输出的电流。
本发明实施例所提供的一种设备，可通过上述提供的显示装置对光转换得到的电能供电进行工作，可以在不影响用户显示效果的情况下增加设备的待机时间，提高用户体验。
附图说明
图1为本发明实施例1提供的一种显示装置的结构的剖面示意图；
图2为本发明实施例1提供的一种光伏材料在反射层中的嵌入位置示意图；
图3为本发明实施例1提供的一种光伏材料在支撑层中的一种布置方式的俯视图；
图4为本发明实施例1提供的一种光伏材料在支撑层中的第二种布置方式的俯视图；
图5为本发明实施例1提供的每个显示层的像素组成示意图；
图6为本发明实施例1提供的一种发光显示层的结构的剖面示意图；
图7为本发明实施例1提供的第二种发光显示层的结构示意图；
图8为本发明实施例1提供的另一种显示装置的结构的剖面示意图；
图9为本发明实施例2提供的一种带有显示装置的手机的示意图；
图10为本发明实施例3提供的一种显示装置的结构的剖面示意图；
图11为本发明实施例3提供的一种透光单元以及透光单元在显示层中的布置情况的俯视示意图；
图12为本发明实施例3提供的另一种透光单元以及透光单元在显示层中的布置情况的俯视示意图；
图13为本发明实施例3提供的一种光伏材料在显示层中的布置位置的示意图；
图14为本发明实施例3提供的另一种光伏材料在显示层中的布置位置的示意图；
图15为本发明实施例3提供的又一种光伏材料在显示层中的布置位置的示意图；
图16为本发明实施例3提供的一种光伏材料在显示层中的连通方式的俯视示意图；
图17为本发明实施例3提供的另一种光伏材料在显示层中的连通方式的俯视示意图；
图18为本发明实施例3提供的一种显示层的结构的剖面示意图；
图19为本发明实施例3提供的一种增加有微透镜的显示装置的剖视图；
图20为本发明实施例3提供的一种微透镜的示意图；
图21为本发明实施例3提供的又一种增加有微透镜的显示装置的剖视图；
图22为本发明实施例3提供的又一种微透镜的示意图；
图23为本发明实施例3提供的又一种显示装置的结构的剖面示意图；
图24为本发明实施例4提供的一种带有显示装置的手机的示意图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明实施例提供的一种显示装置及一种设备的具体实施方式进行详细地说明。
实施例1
如图1所示，本实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括：
发光显示层1和支撑层2；
其中，发光显示层1位于支撑层2的上方，用于通过发光显示图像；
支撑层2中具有光伏材料21形成的阵列，且阵列水平地位于发光显示层1中的驱动电路的正下方，且光伏材料21的阵列连接形成通路，用于吸收发光显示层1发出的光并转换成电流。
优选地，在本实施例中，上述显示装置为一种显示屏幕。
在相关技术中，为了能够使显示屏幕显示不同的色彩，显示屏幕是基于RGB模型的色彩显示，且以每个像素为显示单位，为了实现RGB色彩的不同搭配，需在每个像素的周围布置驱动电路，例如，在TFT屏幕中的显示层中会布置有TFT阵列。
本发明实施例提供的显示屏幕，在屏幕的支撑层2中布置光伏材料，为了不影响屏幕的发光，将光伏材料21嵌入到反射层(Reflector)中为一种优选的实施方式。
优选的嵌入方式可以为：通过光雕在反射层的预设位置得到凹槽，并将光伏材料21布置到凹槽，凹槽的深度可选，并与光伏材料21的光电转换率相关。
并且，如图2所示，光伏材料21在反射层中的嵌入位置应为预定位置，保证显示屏幕的发光显示层1在支撑层2安装后，嵌入位置在部分或全部驱动电路区域11的下方，支撑层2中除光伏材料21之外的区域为反光材料22，反光材料22用于代替原反射层的作用，将发光显示层11所发射的光线反射回去，增加显示屏幕的亮度。
作为优选的实施方式，光伏材料21的阵列水平地位于发光显示层1的预设部分的驱动电路或全部驱动电路的正下方，以尽量避免导致反射回去的光线过少，避免降低屏幕的亮度。
如图2所示意的光伏材料21的布置方案为，光伏材料21在水平面积小于驱动电路11部分的水平面积。
为了充分说明本方案，本实施提供如下两种光伏材料的布置方式：
如图3所示为支撑层2的俯视图，是本实施例提供的第一种光伏材料的布置方式：
光伏材料21形成的阵列在显示装置的水平方向由多个直线形的光伏材料排列得到，并且光伏材料阵列空隙部分为反光材料22，用以执行相关技术中反射层的作用，所述光伏材料形成的阵列组成回路，包括有“+”“-”两极，以将转换得到的电流传输给电能存储装置或电能消耗装置。
如图4所示为支撑层2的俯视图，是本实施例提供的第二种光伏材料的布置方式：
显示屏幕以像素为显示单位，每个显示单位包括RGB三种色彩，图4中每个RGB表示在支撑层中对应于显示层中每个像素的正下方区域，光伏材料21沿每个对应的像素区域的四周进行布置形成阵列，每个对应的像素区域部分布置反光材料22，用以执行相关技术中反射层的作用，所述光伏材料形成的阵列组成回路，包括有“+”“-”两极，以将转换得到的电流传输给电能存储装置或电能消耗装置。
为了提供更多的可实施方式，本发明实施例中还可以将光伏材料布置在每个像素的中间的空隙区域。如图5所示，为显示层中每个像素的组成，其中，每个R、G或B表示每个像素中的一个色彩，在每个色彩的衔接部分(黑线部分)也存在驱动电路(例如TFT阵列)，用于对每个色彩进行控制，在每个色彩的衔接部分对应的下方支撑层中也可布置光伏材料。
需要说明的是，对于光伏材料在支撑层中的布置形式，本发明实施例不做具体限定，优选的布置方式为均匀布置，且不影响支撑层的反光作用。
优选地，本实施例1中所使用的光伏材料可以为如下任意一种或多种的聚合，但是并不限定于如下材料，具有光电转换功能的材料即可：
无定型硅、微晶硅、碲化镉薄膜太阳能电池、太阳能薄膜电池。
需要说明的是，本发明所提供的显示装置适用于任何显示屏幕，为了进行证明可实施性，本发明实施例提供了如下说明：
以实施在非自发光屏幕上为例(例如TFT屏幕)，如图6所示，发光显示层1包括显示层12和背光层13；
其中，背光层13位于显示层12的下方，用于为显示层12提供背光；
显示层12用于根据驱动电路11对每个像素的显示色彩进行控制，并在背光层13提供的背光下显示图像。
图6所示的显示屏幕中，由于不能进行自发光，需要通过背光层提供光源，光源照射在显示层后以显示图像，驱动电路11布置于显示层12中，以达到控制图像色彩的目的。
以实施在自发光屏幕上为例(例如OLED屏幕)，如图7所示，发光显示层1包括由上到下顺序排列的阴极14、反射层15、导电层16和阳极17；
阴极14和阳极17在电压下，导电层16的电子被带到反射层15，导电层16形成空洞，空洞跃到反射层15后再次与电子结合释放能量进行发光。
作为一种优选的实施方式，在阳极17还可以覆盖有一层薄膜晶体管(TFT)阵列，通过TFT阵列(也即驱动电路)决定像素的发光，以显示彩色图像。
优选地，如图8所示，本实施例提供的显示装置还包括：触摸层3；
触摸层位于发光显示层1的上方，用于响应触击信号。
在发光显示层1的上方加装触摸层3后，显示装置即可完成触摸屏幕的功能，触摸层3响应用户发出的触击信号，并传输给处理器进行处理。其中，触摸层3包括但不限定于电阻触摸屏、电容触摸屏等。
本发明实施例提供了一种显示装置，该显示装置装置包括：发光显示层和支撑层；其中，发光显示层位于支撑层的上方，用于通过发光显示图像；支撑层中具有光伏材料形成的阵列，且阵列水平地位于发光显示层中的驱动电路的正下方，且光伏材料形成的阵列连接形成电路通路，用于吸收发光显示层发出的光并转换成电流。本发明实施例所提供的显示装置通过在显示层的驱动电路下方、支撑层中的对应位置置入光伏材料，并使光伏材料形成通路，既在避免影响显示层的发光的情况下吸收显示层发出的光线并转换成电流，将光能转换的电流用于移动终端后，可以增加移动终端的待机时间，提高用户体验。
实施例2
本实施例提供了一种设备，该设备包括如实施例1所述的显示装置，且该设备接收并使用所述显示装置提供的电流。
在实施例中，所述设备优选的为移动终端，在将如实施例1所提供的显示装置作为显示屏幕安装在移动终端后，所述移动终端在使用移动电源的同时，还可以接收显示装置经过光电转换得到的电流用于工作，或接收后存储于移动电源用于备用，可将显示屏幕本身发出的光源进行重复循环利用，达到电量的最大使用效率，增加待机时间，提高用户的使用体验。
在本实施例中，所述设备并不限定于手机、平板电脑、笔记本电脑等移动终端，可适用于任何带有显示屏幕的设备，如电视、台式电脑等。
如图9所示，提供了一种安装有如实施例1所述的任一显示装置的手机的示意图，其中，显示装置100为如实施例1所述的任一显示装置，手机在安装显示屏幕100后，其中的光伏材料可形成电流的回路，并与手机的电源或用电装置连接，在手机的显示装置100发光的同时，吸收自身发出的光源，并转换成电能供手机使用。
本实施例所提供的一种设备，可通过上述提供的显示装置对光转换得到的电能供电进行工作，可以在不影响用户显示效果的情况下增加设备的待机时间，提高用户体验。
实施例3
如图10所示，本发明实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括：支撑层4、背光层5和显示层6；
其中，显示层6位于背光层5的上方，显示层6具有光伏材料61形成的阵列，阵列在显示层6的水平平面上均匀的形成多个透光单元62，且光伏材料61的阵列连接形成通路，用于吸收背光层5发出的光或环境光并转换成电流；
背光层5用于为显示层6提供光源，支撑层4位于背光层5的下方，用于为显示层6和背光层5提供支撑。
优选地，在本实施例中，上述显示装置为一种显示屏幕。
在相关技术中，为了能够使显示屏幕显示不同的色彩，显示屏幕是基于RGB模型的色彩显示，且以每个像素为显示单位，为了实现RGB色彩的不同搭配，需在每个像素的周围布置驱动电路，例如，在TFT屏幕中的显示层中会布置有TFT阵列。
优选地，在本实施例中，支撑层4可以为反射层(reflector)，即为反射材料，可以将背光层5向下发射的光线反射回去，以达到增加显示屏幕亮度的目的。
需要说明的是，在本实施例中，如图11或12所示，透光单元62优选的为直线形缝隙63或圆形缝隙64，但是并不局限于直线形缝隙或圆形缝隙，还可以为矩形、多边形等其他形状，或各种形状的组合。
优选地，本实施例3中所使用的光伏材料可以为如下任意一种或多种的聚合，但是并不限定于如下材料，具有光电转换功能的材料即可：
无定型硅、微晶硅、碲化镉薄膜太阳能电池、太阳能薄膜电池。
为了使得光伏材料61不对显示屏幕的发光造成影响，本实施例3优选地提供了两种实施方式：
第一种，将光伏材料61嵌入到显示层的预设位置，且该预设位置位于显示层的部分或全部驱动电路的正上方或正下方，也或者在显示层的部分或全部驱动电路的正上方和正下方均布置光伏材料。
需要说明的是，为了使得显示屏幕可控的显示图像，在显示层6中包括有驱动电路65(例如TFT阵列)，驱动电路65用于对像素的显示色彩尽显控制。
如图13所示，光伏材料61处于显示层6中的驱动电路65的下方，为了使得光伏材料61不会遮挡显示屏幕发出的光线，光伏材料61的的水平面积小于驱动电路65的水平面积,同时，可达到光伏材料61吸收背光层5发出的光线以转换电能的目的。图13中虚线所示部分代表光线的发散情况，光线透过透光单元62可正常发散出去，并不影响屏幕亮度。
如图14所示，光伏材料61处于显示层6中的驱动电路65的正上方，为了使得光伏材料61不会遮挡显示屏幕发出的光线，光伏材料61的的水平面积小于驱动电路65的水平面积,同时，可达到光伏材料61吸收环境光以转换电能的目的。本发明实施例中虚线所示部分代表光线的发散情况，光线透过透光单元62可正常发散出去，并不影响屏幕亮度。
如图15所示，光伏材料61分别被布置于显示层6中的驱动电路65的正上方和正下方，为了使得光伏材料61不会遮挡显示屏幕发出的光线，光伏材料61的的水平面积小于驱动电路65的水平面积。图15中虚线所示部分代表光线的发散情况，光线透过透光单元62可正常发散出去，并不影响屏幕亮度。处于驱动电路65正下方的光伏材料61可吸收背光层5发出的光线，处于驱动电路65正上方的光伏材料61可吸收环境光，以转换为电能。
优选地，光伏材料61在显示层6中的嵌入方式可以为：通过光雕在显示层6的预设位置得到凹槽，并将光伏材料61布置到凹槽，凹槽的深度可选，并与光伏材料61的光电转换率相关。
在本实施例3中，在显示层6中布置光伏材料时，需保证光伏材料61之间的连通，以使得光伏材料61之间能够形成电流的回路。
如图16所示，为一种显示层6的俯视图，提供了一种光伏材料的连通方式：
光伏材料61在显示层6中呈直线阵列式的排布，并首尾连接以形成通路，包括有“+”“-”两极，以将转换得到的电流传输给电能存储装置或电能消耗装置。
如图17所示，为一种显示层6的俯视图，提供了另一种光伏材料的连通方式：
光伏材料61在显示层6中呈多个矩形框式的阵列排布，并连接以形成通路，包括有“+”“-”两极，以将转换得到的电流传输给电能存储装置或电能消耗装置，为了使得光伏材料不至于遮挡背光层5发出的光线，光伏材料61的嵌入位置与驱动电路65相对应，为环绕每一个RGB像素进行布置。
为了证实本实施例方案的可实施性，本实施例提供了一种具体的显示层结构，用于在OLED显示屏幕上：
如图18所示，为OLED的显示层的结构，其中，显示层6由上到下依次包括上偏光片66、有色玻璃滤光片67、薄膜场效应玻璃片68和下偏光片69；
光伏材料嵌入到上偏光片61中，光伏材料的嵌入位置位于显示层6中的预设部分的驱动电路或全部驱动电路的正上方，在上偏光片中除嵌入位置的区域形成透光单元。
第二种，在透光单元62的下方设置微透镜，微透镜用于将被光伏材料遮挡的光线聚焦后折射到显示层6上方。
在将光伏材料嵌入到显示层6中之后，由于光伏材料的吸光可能会导致屏幕发出的光线的减弱，影响用户的视觉效果，优选地将光伏材料下方、背光层5发出的光线通过微透镜聚光后折射到光伏材料之上。
为了便于说明，本实施例提供了一种对于对图11中的具有直线形缝隙的透光单元的处理方式，如图19所示，为一种增加有微透镜的显示装置的剖视图。
其中，显示装置包括支撑层4、背光层5和显示层，显示层由光伏材料61、透光单元62和微透镜610组成，微透镜610具体为双面凹透镜，由于光伏材料61的水平面积的增大，透光单元62不足以向用户提供光的高透光率，因此，在透光单元62的下方增加微透镜610，微透镜610聚集光伏材料61下方的光线，并通过折射作用向上发射给用户，提供显示屏幕的透光率。
考虑到由图11中所示的直线形缝隙的透光单元，图20提供了一种直线形的双面凹透镜，用于放置在透光单元之下。
优选地，在本实施例中，微透镜可以为如下任意一种，通过通过组合放置在透光单元之下：
单面凸透镜、单面凹透镜、双面凸透镜、双面凹透镜、对称或非对称的球形透镜。
如图21所示，本实施例还提供了加入了另一种微透镜的显示装置，其中，显示装置包括支撑层4、背光层5和显示层，显示层由光伏材料61、透光单元62和微透镜610组成，该微透镜610具体为单面凸透镜，由于光伏材料61的水平面积的增大，透光单元62不足以向用户提供光的高透光率，因此，在透光单元62的下方增加微透镜610，微透镜610聚集光伏材料61下方的光线，并通过折射作用向上发射给用户，提供显示屏幕的透光率。
考虑到由图11中所示的直线形缝隙的透光单元，图22提供了一种直线形的单面凸透镜，用于放置在透光单元之下。
优选地，微透镜的折射率为预设折射率，该预设折射率由用户或开发需求所确定。
优选地，支撑层4为反射层，反射层用于反射背光层5向下发射的光线。
优选地，如图23所示，显示装置还包括：触摸层7；
触摸层7位于显示层6的上方，用于响应触击信号。
优选地，透光单元62对预设部分的可见光透明，以使得可见光可透过显示装置，不影响透光率。
在显示层6的上方加装触摸层7后，显示装置即可完成触摸屏幕的功能，触摸层7响应用户发出的触击信号，并传输给处理器进行处理。其中，触摸层7包括但不限定于电阻触摸屏、电容触摸屏等。
本发明实施例提供了一种显示装置，该显示装置装置包括：显示层、背光层和支撑层；其中，显示层位于背光层的上方，显示层具有光伏材料形成的阵列，阵列在显示层的水平平面上均匀的形成多个透光单元，且光伏材料形成的阵列连接形成通路，用于吸收背光层发出的光或环境光并转换成电流；背光层用于为显示层提供光源，支撑层位于背光层的下方，用于为显示层和背光层提供支撑。本发明实施例所提供的显示装置通过在显示层中均匀的置入光伏材料，使光伏材料形成的阵列形成透光单元，并使光伏材料形成通路，既在避免影响显示层的发光的情况下吸收显示层和环境光发出的光线并转换成电流，将光能转换的电流用于移动终端后，可以增加移动终端的待机时间，提高用户体验。
实施例4
本实施例提供了一种设备，该设备包括如实施例3所述的显示装置，且该设备接收并使用所述显示装置提供的电流。
在实施例中，所述设备优选的为移动终端，在将如实施例3所提供的显示装置作为显示屏幕安装在移动终端后，所述移动终端在使用移动电源的同时，还可以接收显示装置经过光电转换得到的电流用于工作，或接收后存储于移动电源用于备用，可吸收环境光或将显示屏幕本身发出的光源进行重复循环利用，达到电量的最大使用效率同时增加了外界能源的使用，增加待机时间，提高用户的使用体验。
在本实施例中，所述设备并不限定于手机、平板电脑、笔记本电脑等移动终端，可适用于任何带有显示屏幕的设备，如电视、台式电脑等。
如图24所示，提供了一种安装有如实施例3所述的任一显示装置的手机的示意图，其中，显示装置200为如实施例3所述的任一显示装置，手机在安装显示屏幕200后，其中的光伏材料可形成电流的回路，并与手机的电源或用电装置连接，在手机的显示装置200发光的同时，吸收自身发出的光源，并转换成电能供手机使用。
本实施例所提供的一种设备，可通过上述提供的显示装置对光转换得到的电能供电进行工作，可以在不影响用户显示效果的情况下增加设备的待机时间，提高用户体验。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到本发明实施例可以通过硬件实现，也可以借助软件加必要的通用硬件平台的方式来实现。基于这样的理解，本发明实施例的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是CD-ROM，U盘，移动硬盘等)中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。
本领域技术人员可以理解附图只是一个优选实施例的示意图，附图中的模块或流程并不一定是实施本发明所必须的。
本领域技术人员可以理解实施例中的装置中的模块可以按照实施例描述进行分布于实施例的装置中，也可以进行相应变化位于不同于本实施例的一个或多个装置中。上述实施例的模块可以合并为一个模块，也可以进一步拆分成多个子模块。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (23)

1.一种显示装置，其特征在于，所述装置包括：发光显示层和支撑层；
其中，所述发光显示层位于所述支撑层的上方，用于通过发光显示图像；
所述支撑层中具有光伏材料形成的阵列，且所述阵列水平地位于所述发光显示层中的驱动电路的正下方，且所述光伏材料形成的阵列连接形成电路通路，用于吸收所述发光显示层发出的光并转换成电流。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述支撑层由将所述光伏材料嵌入到反射层中得到。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述光伏材料形成的阵列水平地位于所述发光显示层的预设部分的驱动电路或全部驱动电路的正下方。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述光伏材料为如下任意一种或多种的聚合：
无定型硅、微晶硅、碲化镉薄膜太阳能电池、太阳能薄膜电池。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述发光显示层包括显示层和背光层；
其中，所述背光层位于所述显示层的下方，用于为所述显示层提供背光；
所述显示层用于根据所述驱动电路对每个像素的显示色彩进行控制，并在所述背光层提供的背光下显示图像。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述发光显示层包括由上到下顺序排列的阴极、反射层、导电层和阳极；
所述阴极和阳极在电压下，所述导电层的电子被带到反射层，所述导电层形成空洞，所述空洞跃到所述反射层后再次与电子结合释放能量进行发光。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：触摸层；
所述触摸层位于所述发光显示层的上方，用于响应触击信号。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述光伏材料形成的阵列的空隙对预设部分的可见光进行全反射。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述光伏材料形成的阵列在所述显示装置的水平方向由多个直线形的光伏材料排列得到。
10.一种移动终端，其特征在于，所述移动终端包括如权利要求1-9任一权利要求所述的显示装置，所述移动终端接收并使用所述显示装置输出的电流。
11.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：显示层、背光层和支撑层；
其中，所述显示层位于所述背光层的上方，所述显示层具有光伏材料形成的阵列，所述阵列在所述显示层的水平平面上均匀的形成多个透光单元，且所述光伏材料形成的阵列连接形成通路，用于吸收所述背光层发出的光或环境光并转换成电流；
所述背光层用于为所述显示层提供光源，所述支撑层位于所述背光层的下方，用于为所述显示层和背光层提供支撑。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述透光单元为直线形缝隙或圆形缝隙。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，所述显示层还包括对应于每个直线形缝隙下方的微透镜，所述微透镜用于将被所述光伏材料遮挡的光线聚焦后折射到所述显示层上方。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，所述微透镜的俯视面形状为沿所述直线形缝隙的直线形形状。
15.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，所述微透镜为如下任意一种：
单面凸透镜、单面凹透镜、双面凸透镜、双面凹透镜、对称或非对称的球形透镜。
16.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，所述微透镜的折射率为预设折射率。
17.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述显示层由上到下依次包括上偏光片、有色玻璃滤光片、薄膜场效应玻璃片和下偏光片；
所述光伏材料嵌入到所述上偏光片中，所述光伏材料的嵌入位置位于所述显示层中的预设部分的驱动电路或全部驱动电路的正上方，在所述上偏光片中除所述嵌入位置的区域形成透光单元。
18.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述光伏材料为如下任意一种或多种的聚合：
无定型硅、微晶硅、碲化镉薄膜太阳能电池、太阳能薄膜电池。
19.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述支撑层为反射层，所述反射层用于反射所述背光层向下发射的光线。
20.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，所述显示装置还包括：触摸层；
所述触摸层位于所述显示层的上方，用于响应触击信号。
21.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述透光单元对预设部分的可见光透明。
22.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述透光单元在所述显示装置的水平方向由多个直线形的光伏材料排列得到。
23.一种移动终端，其特征在于，所述移动终端包括如权利要求11-22任一权利要求所述的显示装置，所述移动终端接收并使用所述显示装置输出的电流。
CN201310044954.8A 2013-02-04 2013-02-04 一种显示装置及一种移动终端 Active CN103137024B (zh)

Priority Applications (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310044954.8A CN103137024B (zh) 2013-02-04 2013-02-04 一种显示装置及一种移动终端
EP13874106.1A EP2953116B1 (en) 2013-02-04 2013-12-31 Display apparatuses
JP2015543289A JP6031617B2 (ja) 2013-02-04 2013-12-31 表示装置および機器
RU2015122133A RU2608976C2 (ru) 2013-02-04 2013-12-31 Аппарат и устройство отображения
IN3900DEN2015 IN2015DN03900A (zh) 2013-02-04 2013-12-31
KR1020157013582A KR101730032B1 (ko) 2013-02-04 2013-12-31 표시 장치 및 기기
BR112015015530-8A BR112015015530B1 (pt) 2013-02-04 2013-12-31 Aparelho e dispositivo de exibição
MX2015007110A MX341875B (es) 2013-02-04 2013-12-31 Aparato y dispositivo de visualizacion.
PCT/CN2013/091018 WO2014117621A1 (zh) 2013-02-04 2013-12-31 一种显示装置及一种设备
US14/835,276 US9472602B2 (en) 2013-02-04 2015-08-25 Display systems and devices having array of photovoltaic material configured to absorb and convert light into electronic current
JP2016207934A JP2017083835A (ja) 2013-02-04 2016-10-24 表示装置および機器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310044954.8A CN103137024B (zh) 2013-02-04 2013-02-04 一种显示装置及一种移动终端

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103137024A CN103137024A (zh) 2013-06-05
CN103137024B true CN103137024B (zh) 2015-09-09

Family

ID=48496789

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310044954.8A Active CN103137024B (zh) 2013-02-04 2013-02-04 一种显示装置及一种移动终端

Country Status (9)

Country Link
US (1) US9472602B2 (zh)
EP (1) EP2953116B1 (zh)
JP (2) JP6031617B2 (zh)
KR (1) KR101730032B1 (zh)
CN (1) CN103137024B (zh)
IN (1) IN2015DN03900A (zh)
MX (1) MX341875B (zh)
RU (1) RU2608976C2 (zh)
WO (1) WO2014117621A1 (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103137024B (zh) 2013-02-04 2015-09-09 小米科技有限责任公司 一种显示装置及一种移动终端
CN103414383B (zh) * 2013-08-30 2016-06-08 惠州Tcl移动通信有限公司 充电模组和电子设备
CN104617227A (zh) * 2013-11-05 2015-05-13 昆山国显光电有限公司 一种有机发光显示装置
CN104752462B (zh) * 2013-12-27 2018-05-29 昆山国显光电有限公司 一种具有触控面板的有机发光二极管显示器
CN103985734B (zh) * 2014-04-16 2017-03-08 京东方科技集团股份有限公司 一种透明显示装置及其制作方法
FR3020473B1 (fr) * 2014-04-25 2018-01-12 Sunpartner Technologies Dispositif d'affichage a cellules photovoltaiques integrees avec luminosite et reflectivite ameliorees
FR3027440B1 (fr) * 2014-10-15 2017-05-05 Sunpartner Technologies Module photovoltaique polarisant integrant dans l'ecran d'un dispositif electronique d'affichage
CN105807603B (zh) * 2014-12-30 2019-07-26 联想(北京)有限公司 电子设备
CN104865743B (zh) * 2015-06-23 2018-06-19 武汉华星光电技术有限公司 透反式液晶显示面板和透反式液晶显示器
KR102461536B1 (ko) * 2016-06-14 2022-11-01 삼성전자 주식회사 편광 특성을 갖는 태양 전지 및 이를 구비한 전자 장치
US20180277063A1 (en) * 2017-03-24 2018-09-27 Jessica Augustyniak Solar Powered Display Assembly
CN107132681A (zh) * 2017-07-11 2017-09-05 京东方科技集团股份有限公司 一种显示屏及其制作方法、显示装置
CN107515486A (zh) * 2017-09-28 2017-12-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
CN110112140A (zh) * 2019-04-22 2019-08-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN110174973B (zh) * 2019-06-18 2022-10-25 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
KR102322144B1 (ko) * 2020-12-18 2021-11-05 (주)솔라플렉스 태양전지가 결합된 표시패널의 제조방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1342963A (zh) * 2000-09-06 2002-04-03 伊斯曼柯达公司 发电显示装置
WO2007024898A2 (en) * 2005-08-22 2007-03-01 Konarka Technologies, Inc. Displays with integrated photovoltaic cells
EP2051124A2 (en) * 2007-10-19 2009-04-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks
CN101852947A (zh) * 2009-03-31 2010-10-06 英特尔公司 用于显示设备的集成光电池
US20120236540A1 (en) * 2011-02-18 2012-09-20 Wysips Display Device with Integrated Photovoltaic Cells, with Improved Luminosity
CN203351134U (zh) * 2013-02-04 2013-12-18 北京小米科技有限责任公司 一种显示装置及一种设备

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0367382U (zh) * 1989-11-07 1991-07-01
JP4106735B2 (ja) * 1998-04-13 2008-06-25 凸版印刷株式会社 太陽電池付反射型ディスプレイ
JP3983911B2 (ja) * 1998-12-22 2007-09-26 シチズンホールディングス株式会社 液晶表示装置
JP3966638B2 (ja) * 1999-03-19 2007-08-29 株式会社東芝 多色色素増感透明半導体電極部材とその製造方法、多色色素増感型太陽電池、及び表示素子
US6046401A (en) * 1999-03-25 2000-04-04 Mccabe; Joseph Christopher Display device integrated into a photovoltaic panel
US6356031B1 (en) * 2000-05-03 2002-03-12 Time Warner Entertainment Co, Lp Electroluminescent plastic devices with an integral thin film solar cell
US6452088B1 (en) * 2001-04-16 2002-09-17 Airify Communications, Inc. Power generating display
JP4442151B2 (ja) * 2003-07-25 2010-03-31 セイコーエプソン株式会社 発光装置、照明装置、表示装置、及び電子機器
US6967700B2 (en) 2003-11-03 2005-11-22 Motorola, Inc. Sequential full color display and photocell device
JP2005197613A (ja) * 2004-01-09 2005-07-21 Sony Corp 表示装置および電子応用装置
US20070102035A1 (en) * 2005-10-31 2007-05-10 Xiai (Charles) Yang Method and Structure for Integrated Solar Cell LCD Panel
CN100476537C (zh) 2005-11-29 2009-04-08 中华映管股份有限公司 背光模块与液晶显示器
JP2008145835A (ja) * 2006-12-12 2008-06-26 Sony Corp 自発光型表示装置、ホワイトバランス調整回路およびホワイトバランス調整方法
JP5215559B2 (ja) * 2006-12-27 2013-06-19 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 表示装置
CN101387790A (zh) * 2007-09-13 2009-03-18 精碟科技股份有限公司 液晶显示装置
JP5209727B2 (ja) * 2007-10-19 2013-06-12 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 一体型光起電力デバイスを有するディスプレイ
JP5184240B2 (ja) * 2008-07-18 2013-04-17 セイコーインスツル株式会社 表示装置
CN101340471A (zh) * 2008-07-22 2009-01-07 广州壹鹏电器科技有限公司 基于显示屏的太阳能手机
US7956282B2 (en) * 2008-09-15 2011-06-07 High Power Opto, Inc. Photoelectric conversion element
CN101685218B (zh) 2008-09-24 2012-04-04 北京京东方光电科技有限公司 液晶显示面板阵列基板及其制造方法
KR20100090971A (ko) * 2009-02-09 2010-08-18 삼성전자주식회사 후면 수광 이미지 센서 및 이의 제조 방법
JP2010230797A (ja) * 2009-03-26 2010-10-14 Seiko Epson Corp 表示装置、および電子機器
CN101520584B (zh) * 2009-03-30 2012-06-27 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示面板、液晶显示装置及其制造方法
KR101631907B1 (ko) 2009-08-26 2016-06-20 엘지전자 주식회사 이동 단말기
JP2013047700A (ja) * 2009-12-24 2013-03-07 Sharp Corp 液晶表示装置、照明装置ユニットおよび太陽電池
KR101156434B1 (ko) * 2010-01-05 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2011164252A (ja) * 2010-02-08 2011-08-25 Sony Corp 表示装置、偏光板、および偏光板の製造方法
JP5569049B2 (ja) * 2010-03-11 2014-08-13 株式会社リコー 電子機器、表示装置、画像処理装置及び電子計算装置
US20110284053A1 (en) * 2010-05-22 2011-11-24 Richard Allen Brewer Rainyday volts 24/7
CN103155176A (zh) * 2010-06-07 2013-06-12 森普留斯公司 具有离轴图像显示的光伏器件
CN101900898B (zh) 2010-07-08 2011-12-14 友达光电股份有限公司 光电池整合液晶显示器及光电池整合平面显示器
TW201217858A (en) * 2010-10-29 2012-05-01 Au Optronics Corp Liquid crystal display integrated with solar cell module
KR20120055086A (ko) * 2010-11-23 2012-05-31 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
US8629472B2 (en) * 2010-12-02 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, electronic device, and lighting device
KR20120072472A (ko) * 2010-12-24 2012-07-04 엘지이노텍 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
JP6195794B2 (ja) * 2011-01-31 2017-09-13 サンパートナー テクノロジーズＳｕｎｐａｒｔｎｅｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ 明るさが改善された一体型光起電力セルを有するディスプレイデバイス
JP2013020176A (ja) * 2011-07-13 2013-01-31 Nec Casio Mobile Communications Ltd 液晶表示装置および発電方法
US8859346B2 (en) * 2012-07-20 2014-10-14 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Method for manufacturing array substrate with embedded photovoltaic cell
CN102759816B (zh) * 2012-08-02 2015-09-09 深圳市华星光电技术有限公司 具有光伏电池的液晶显示模组的制作方法及其制得的液晶显示模组
CN103137024B (zh) * 2013-02-04 2015-09-09 小米科技有限责任公司 一种显示装置及一种移动终端

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1342963A (zh) * 2000-09-06 2002-04-03 伊斯曼柯达公司 发电显示装置
WO2007024898A2 (en) * 2005-08-22 2007-03-01 Konarka Technologies, Inc. Displays with integrated photovoltaic cells
EP2051124A2 (en) * 2007-10-19 2009-04-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks
CN101852947A (zh) * 2009-03-31 2010-10-06 英特尔公司 用于显示设备的集成光电池
US20120236540A1 (en) * 2011-02-18 2012-09-20 Wysips Display Device with Integrated Photovoltaic Cells, with Improved Luminosity
CN203351134U (zh) * 2013-02-04 2013-12-18 北京小米科技有限责任公司 一种显示装置及一种设备

Also Published As

Publication number Publication date
JP6031617B2 (ja) 2016-11-24
WO2014117621A1 (zh) 2014-08-07
JP2017083835A (ja) 2017-05-18
JP2016505874A (ja) 2016-02-25
US20150364528A1 (en) 2015-12-17
EP2953116B1 (en) 2019-11-27
EP2953116A4 (en) 2016-10-19
KR101730032B1 (ko) 2017-04-25
EP2953116A1 (en) 2015-12-09
BR112015015530A2 (pt) 2017-07-11
MX2015007110A (es) 2015-10-12
US9472602B2 (en) 2016-10-18
MX341875B (es) 2016-09-05
KR20150079757A (ko) 2015-07-08
CN103137024A (zh) 2013-06-05
RU2015122133A (ru) 2016-12-27
RU2608976C2 (ru) 2017-01-30
IN2015DN03900A (zh) 2015-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103137024B (zh) 一种显示装置及一种移动终端
US8632201B2 (en) Display device with integrated photovoltaic cells, with improved luminosity
KR20210151980A (ko) 표시 패널, 표시 장치 및 표시 패널의 제조 방법
CN106292051A (zh) 一种显示装置及其显示方法
CN202049315U (zh) 阵列基板像素结构、阵列基板、液晶面板及显示设备
CN104183624A (zh) 一种透明显示面板及其制作方法、透明显示装置
CN107359175A (zh) 微发光二极管显示面板和显示装置
AU2012213330A1 (en) Display device with integrated photovoltaic cells and improved brightness
CN108415191A (zh) 显示装置、电子设备和显示方法
CN206074956U (zh) 一种显示装置
CN103487968A (zh) 一种显示面板及显示器
CN105679232A (zh) 触控式立体有机电致发光显示装置
CN105576005A (zh) 轻薄低耗3d触控式oled显示装置
CN209373305U (zh) 背光模组和显示装置
CN103529581A (zh) 显示面板及显示装置
CN203351134U (zh) 一种显示装置及一种设备
CN102413351B (zh) 立体显示器
CN104253576A (zh) 光伏移动装置
CN201984645U (zh) 便携式动画演示装置
CN205069641U (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN103982819A (zh) 一种多面显示装置
CN102230587B (zh) 一种led灯条及其背光模组和液晶显示装置
CN104865743A (zh) 透反式液晶显示面板和透反式液晶显示器
CN203444194U (zh) 液晶显示装置及其液晶面板
CN203490912U (zh) 一种多视角led显示屏

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C53 Correction of patent of invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: 100102 Beijing Wangjing West Road, a volume of stone world building, A, block, floor 12

Applicant after: Xiaomi Technology Co., Ltd.

Address before: 100102 Beijing Wangjing West Road, a volume of stone world building, A, block, floor 12

Applicant before: Beijing Xiaomi Technology Co., Ltd.

C53 Correction of patent of invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: 100085 Beijing city Haidian District Qinghe Street No. 68 Huarun colorful city shopping center two floor 13

Applicant after: Xiaomi Technology Co., Ltd.

Address before: 100102 Beijing Wangjing West Road, a volume of stone world building, A, block, floor 12

Applicant before: Xiaomi Technology Co., Ltd.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant