CN1716067A - 液晶显示器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种液晶显示器件，包括：第一和第二基板；在第一基板上以限定具有第一和第二子像素区域的单位像素的栅线和数据线；在第一和第二子像素区域中的第一和第二开关器件；在第一和第二子像素区域中的多个第一和第二公共电极；在第一和第二子像素区域中的多个第一和第二像素电极；由像素单元和相邻的像素单元共享的公共线；和第一和第二基板之间的液晶层。

Description

液晶显示器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器件，更具体地，涉及一种可以提高生产量和孔径比的液晶显示器件及其制造方法。
背景技术
随着信息社会的最近发展，对于多种类型显示器件的需求增加，因此正在对平板显示器件进行积极地研究，例如LCD(液晶显示)器件，PDP(等离子体显示板)器件，ELD(电致发光显示)器件，FED(场致发射显示)器件，VFD(真空荧光显示)器件等。在这些平板显示器件中，LCD器件由于其轻重量、薄外形、低功耗、高图像质量、大量生产的优点以及简单的驱动方法引起了人们的广泛注意。
LCD器件通过依照视频信号将数据信号单独提供给以矩阵形式排列的像素以及控制每个像素的光透射率来显示图像。LCD器件通常通过有源矩阵(AM)方法进行驱动。AM方法为将诸如薄膜晶体管(TFT)的开关器件添加到每个像素中，并且每个像素中的液晶由通过开关器件施加到其上的电压进行驱动。
LCD器件可以根据液晶的类型分类为多种显示模式。在多种模式中，通常使用TN(扭曲向列)模式。TN模式LCD器件开启/断开垂直于基板的电场，从而以使液晶分子的指向矢可以关于基板成0°至90°的方式驱动液晶。TN模式LCD器件具有的优点如容易的黑白显示功能，快速响应和低驱动电压。然而，由于液晶被垂直于基板驱动，因此TN模式LCD器件具有窄视角，这引起视角依赖性。视角依赖性意味着图像的颜色或亮度根据观察者观察LCD器件的方向或角度而发生改变。
为了克服这个缺点，正在对新模式如共平面开关(下文中称为IPS)模式LCD器件进行积极地研究，在该模式中液晶被平行于基板驱动。当施加电压时，IPS LCD器件在基板上形成共平面电场并使液晶水平取向，由此得到较宽的视角。
图1为说明根据现有技术IPS模式LCD器件的单位像素的平面图。参考图1，在LCD器件的薄膜晶体管基板上，由金属构成的栅线3和数据线1垂直和水平排列以限定单位像素。尽管LCD器件通常包括由多条栅线和数据线限定的像素，但是为了简单仅在图1中示出了一个像素。
包括栅极4、半导体层(A)和源极/漏极5和11的开关器件(例如薄膜晶体管(T))形成在栅线3和数据线1的交点处附近。栅极4以及源极5和漏极11分别连接到栅线3和数据线，由此根据通过栅线3输入的信号导通开关器件并将通过数据线1施加的数据信号传输到像素。
IPS模式LCD器件进一步包括用于传输公共信号的在单位像素中平行于栅线3排列的公共线17，和至少一对电极，即公共电极13和像素电极15，其用于产生平行于基板的共平面电场。公共电极13与栅线3同时形成并连接到公共线17，像素电极15与源极/漏极5和11同时形成并连接到薄膜晶体管(T)的漏极5。电连接到像素电极15的像素电极线11’重叠公共线17，其间具有栅绝缘膜(未示出)，并且在单位像素中形成有存储电容器(Cst)。
由于每个像素仅包括一个开关器件，因此IPS模式LCD器件具有的问题在于当开关器件有缺陷时单位像素不能正确地工作。这个问题不仅在IPS模式LCD器件中出现而且也在其他模式LCD器件如TN模式LCD器件中出现。特别是，LCD器件中的薄膜晶体管通过若干其中可能发生若干缺陷的沉积和刻蚀工序形成。最致命的缺陷之一为栅极和源极或漏极之间的短路，这在LCD器件中产生点缺陷。
发明内容
因此，本发明提供了一种液晶显示(LCD)器件及其制造方法，其基本上避免了由相关技术的限制和缺点引起的一个或多个问题。
本发明的优点为提供一种可以提高生产量和孔径比的液晶显示器件及其制造方法。
本发明另外的特征和优点将在下面的描述中提出，部分从描述中显而易见，或者可以从本发明的实施中了解。通过说明书及其权利要求以及所附附图中所指出的具体结构，本发明的目的和其它优点可以实现和得到。
为了实现这些和其他优点以及根据本发明的目的，如在此具体和概括描述的，一种液晶显示器件，包括：第一和第二基板；在第一基板上以限定具有第一和第二子像素区域的单位像素的栅线和数据线；在第一和第二子像素区域中的第一和第二开关器件；在第一和第二子像素区域中的多个第一和第二公共电极；在第一和第二子像素区域中的多个第一和第二像素电极；由单位像素和相邻的单位像素共享的公共线；和第一和第二基板之间的液晶层。
在本发明的另一方面，一种液晶显示器件的制造方法，包括：制备第一基板和第二基板；在第一基板上形成第一金属材料；利用第一掩模对第一金属材料进行构图以形成栅线和栅极；在第一基板上形成透明导电材料；利用第二掩模对透明导电材料进行构图以形成公共线和公共电极；在第一基板上形成栅绝缘膜、非晶硅层和n+非晶硅层；利用第三掩模对非晶硅层和n+非晶硅层进行构图以形成半导体层和欧姆接触层；在第一基板上形成第二金属材料；利用第四掩模对第二金属材料进行构图以形成数据线、源极和第一漏极和第二漏极；在第一基板上形成钝化膜；利用第五掩模对钝化膜进行构图以形成接触孔；在钝化膜上形成透明导电材料；和利用第六掩模对透明导电材料进行构图以形成像素电极。
应当理解，之前的概述和下面的详述都是例证性和解释性的，并如所声称的，意欲提供本发明的进一步解释。
附图说明
所附附图用于提供本发明的进一步理解，并结合在本说明书中，构成本说明书的一部分，这些附图说明了本发明的实施方式，并与描述一起用于解释本发明的原理。
在附图中：
图1所示为根据现有技术IPS模式LCD器件的单位像素的平面图；
图2A所示为根据本发明第一实施方式的LCD器件的单位像素的平面图；
图2B所示为沿图2A中的A-A’线提取的截面图；
图3所示为根据本发明第二实施方式的LCD器件的单位像素的平面图；
图4A所示为根据本发明第三实施方式的LCD器件的单位像素的平面图；
图4B所示为沿图4A中的B-B’线提取的截面图；
图5所示为根据本发明第四实施方式的LCD器件的单位像素的平面图；以及
图6A至6D所示为沿图2A中的A-A’线提取的截面图并且说明了根据本发明实施方式制造LCD器件的方法。
具体实施方式
现在将对本发明的实施方式进行详细描述，其实施例在所附附图中说明。
图2A为说明根据本发明第一实施方式的LCD器件的单位像素的平面图，图2B为沿图2A中的A-A’线提取的截面图。
参考图2A和2B，LCD器件的单位像素由第一基板上的栅线103和数据线101限定，并划分为第一和第二子像素区域。第一和第二开关器件1T1和1T2分别设置在第一和第二子像素区域P1和P2中，相同的扫描信号施加到第一和第二子像素区域P1和P2。第一和第二开关器件1T1和1T2具有一个栅极—两薄膜晶体管的结构。第一和第二开关器件1T1和1T2关于栅线103对称形成。
开关器件1T1和1T2中的每个包括：形成在第一基板102上作为栅线103的一部分的栅极104，形成在栅极104上的栅绝缘膜106，形成在栅绝缘膜106上的半导体层107，和形成在半导体层107上的欧姆接触层108。开关器件1T1和1T2分别还包括第一和第二漏极111P1和111P2，该两个漏极共享形成在欧姆接触层108上并作为一部分数据线101的一源极105，并形成在源极105的两侧，其间具有预定间隔。
如上所述，第一和第二开关器件1T1和1T2共享栅极104和源极105。因此，当半导体层107通过栅线103的扫描信号激活时，相同的数据信号同时通过源极105从数据线10传输到第一和第二漏极111P1和111P2，并且数据信号施加到第一和第二子像素区域P1和P2。由于单位像素的第一和第二子像素区域P1和P2通过不同的开关器件驱动，因此LCD中的缺陷区域可以减少。
具体地说，开关器件如薄膜晶体管通过若干其中可能发生若干缺陷的沉积和刻蚀工序制造。例如，电短路可能由于源极和漏极之间插入的杂质而发生在源极和栅极之间，或者可能发生在漏极和相邻的数据线之间。例如，漏极可以沿相邻数据线的方向平行于栅线延伸以便防止在栅线附近发生漏光。在这种情况下，由于制造过程中的缺陷，短路可能发生在漏极和数据线之间。当短路发生在源极和漏极之间或者发生在漏极和数据线之间时，产生亮度缺陷并且LCD器件的图像质量下降。当漏极下面的半导体图案有缺陷并且形成直到像素电极的较低部分时，这种亮度缺陷也发生。
为了解决这种亮度缺陷，已经进行尝试以通过将激光束照射到开关器件中异常图案存在的区域来去除缺陷的起因。然而，这种方法具有下述问题。首先，应当检查每个像素以检测亮度缺陷。第二，当缺陷图案的尺寸小于2μm时，由于检测设备的限制，缺陷可能检测不到。第三，由于附加的激光照射工序，生产量可能降低。
然而，在根据本发明的像素结构中，由于像素划分为两个子像素区域，并且两个子像素区域中的每个单独接收信号以操作每个开关器件，因此，即使当开关器件之一具有缺陷而不起作用时，可以驱动其中另一个开关器件处于正常工作的子像素区域。因此，与现有技术相比，可以减少LCD器件中的缺陷区域。
根据本发明的实施方式，条状的第一和第二像素电极115P1和115P2分别以固定的间隔设置在第一和第二子像素区域P1和P2中。第一和第二像素电极115P1和115P2接收从第一和第二开关器件1T1和1T2的第一和第二漏极111P1和111P2传输的数据信号。数据信号通过在钝化膜110上形成的第一和第二接触孔109P1和109P2从第一和第二开关器件1T1和1T2的第一和第二漏极111P1和111P2传输到第一和第二像素电极115P1和115P2。
条状的第一和第二公共电极113P1和113P2分别设置在第一和第二子像素区域中P1和P2中。第一和第二公共电极113P1和113P2与第一和第二像素电极115P1和115P2交替，其间具有预定间隔，由此与第一和第二像素电极115P1和115P2一起在第一基板102上产生共平面电场。公共线117设置在单位像素的两端并电连接到第一或第二公共电极113P1或113P2以施加公共信号。公共线117由第一或第二公共电极113P1或113P2和相邻子像素区域的第一或第二公共电极共享。由第N栅线103限定的第二子像素区域的第二公共电极113P2和由第N+1栅线限定的第一子像素区域的第一公共电极113P1从形成在它们的边缘区域处的公共线117延伸，以接收公共信号。因此，根据本发明的LCD器件具有三个子像素需要两条公共线的结构，由此减少公共线的数目并增加LCD器件的孔径比。
电连接多个第一公共电极113P1的第一公共电极连接线123P1和电连接多个第一像素电极115P1的第一像素电极连接线125P1平行于数据线101形成在第一子像素区域的外边缘处并彼此重叠，其间具有栅绝缘膜106和钝化膜110。同样，电连接多个第二公共电极113P2的第二公共电极连接线123P2和电连接多个第二像素电极115P2的第二像素电极连接线125P2平行于数据线101形成在第二子像素区域的外边缘处并彼此重叠，其间具有栅绝缘膜106和钝化膜110。以该方式，存储电容器形成在单位像素中。
第一和第二公共电极连接线123P1和123P2不设置为产生驱动第一和第二子像素区域P1和P2中的液晶的电场，但是它们屏蔽数据线101的信号对第一和第二像素电极115P1和115P2的影响。因此，第一和第二公共电极连接线123P1和123P2设置在比像素电极连接线125P1和125P2更接近于数据线101的位置处，以便有效地屏蔽数据线101的信号影响。
第一和第二像素电极115P1和115P2中每个的一侧与相邻栅线103重叠以防止栅线附近发生漏光，这有助于减少栅线103上黑矩阵的线宽或者去除该区域处的黑矩阵。通过最小化存在于栅线103和像素电极115P1和115P2之间的绝缘体区域，栅线103和像素电极115P1和115P2之间的重叠结构可以最小化直流分量的累积，由此减少由于残留的直流分量产生的残留影像缺陷。同样，在本发明中，由于栅线103设置在单位像素的中心线处，而不是在两相邻像素之间的边缘区域处，因此第一和第二像素电极115P1和115P2仅重叠相应像素的栅线103，不会受到施加到相邻像素的栅线的信号影响。因此，由可以减小于由相邻像素的栅极信号所引起的像素电极的电压波动，防止了由于在相邻像素之间边缘区域处发生的电压失真所引起的漏光，并且可以使诸如闪烁的缺陷。
在根据本发明的LCD器件中，第一和第二公共电极113P1和113P2以及第一和第二像素电极115P1和115P2与数据线101形成0至45°的倾斜角度。因此，由第一公共电极113P1和第一像素电极115P1以及由第二公共电极113P2和第二像素电极115P2产生的共平面电场与数据线101形成0至45°的倾斜角度，以便定向膜的摩擦方向可以垂直于数据线101。换句话说，使液晶分子初始排列的摩擦工序沿数据线101和单位像素外边缘处的第一和第二像素电极线123P1和123P2之间形成的电场方向进行，由此允许液晶水平排列。从而，当其上没有施加电压时，邻近数据线101的液晶分子不会被残留电压扭曲，由此防止数据线101附近发生漏光以及使数据线101上黑矩阵的宽度最小化或者去除该区域处的黑矩阵。
结果，由于栅线103和第一和第二像素电极115P1和115P2之间的重叠结构以及液晶的水平取向，根据本发明的LCD器件可以最小化或者防止栅线103和数据线101附近发生漏光，由此去除在相应区域处的黑矩阵以及提高其亮度和孔径比。
上述这种结构仅需要在开关器件沟道部分处的最小黑矩阵。开关器件沟道部分处的黑矩阵用在第一基板102或者第二基板132上形成的柱状衬垫料134代替以遮挡光。这不仅允许实现最小化用于形成黑矩阵的工艺容限的无黑矩阵结构，而且允许取消用于形成黑矩阵所需的掩模工序，由此简化LCD器件的制造工序。
除实现颜色的滤色片层136之外，用作黑矩阵以防止光泄漏到第一和第二开关器件1T1和1T2等的上部的柱状衬垫料134可以形成在第二基板132上。确定液晶初始排列方向的第一和第二定向膜(未示出)形成在第一和第二基板102和103的衬面(facing surface)上，液晶层150设置在其间。
如上所述，根据第一实施方式的像素结构可以通过将像素区域划分为子像素区域并且单独驱动子像素区域来减少LCD器件中的缺陷区域，但是像素仍然可以为点缺陷。因此，本发明的第二实施方式提供可以减小具有缺陷像素的可能性的LCD器件。第二实施方式的像素结构几乎与第一实施方式的结构相同，因此现在仅描述第一和第二实施方式之间的区别。
图3为说明根据本发明第二实施方式的LCD器件的单位像素的平面图。为了减小具有缺陷像素的可能性，第一子像素区域P1的第一像素电极215P1在栅线203的上部连接到第二子像素区域P2的第二像素电极215P2。换句话说，由于第一和第二像素电极215P1和215P2彼此电连接，因此像素电极215P1和215P2都可以接收数据信号，甚至当第一开关器件2T1和第二开关器件2T2之一由于有缺陷而不起作用时，该缺陷例如为源极205和第一漏极211p1之间或者源极205和第二漏极211P2之间的短路。因此，可以降低具有缺陷像素的可能性。
图4A和4B分别为说明根据本发明第三实施方式的LCD器件的单位像素的平面图和沿图4A中的B-B’线提取的截面图。本实施方式提供一种可以实现高透射率和场增强效应的LCD器件。第三实施方式的像素结构也相似于第一实施方式的结构，从而现在仅描述第一和第三实施方式之间的区别。
参考图4A和4B，第一和第二公共电极313P1和313P2在第一基板302上形成为板状，并且第一和第二像素电极315P1和315P2形成在与第一和第二公共电极313P1和313P2不同的层上并具有多个狭缝。第一和第二公共电极313P1和313P2以及第一和第二像素电极315P1和315P2由透明导电材料如ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、ITZO(氧化铟锡锌)、或TO(氧化锡)构成。第一公共电极313P1和第一像素电极315P1之间的间隔以及第二公共电极313P2和第二像素电极315P2之间的间隔窄于盒间隙，由此在第一基板302上产生为共平面电场的边缘电场(F)。
当第一和第二像素电极315P1和315P2的狭缝之间的间隔(例如第一和第二像素电极的宽度L1)充分地窄时，在包括第一和第二像素电极315P1和315P2上部的第一基板302上的所有液晶分子(未示出)可以通过电极之间产生的共平面电场(F)充分地工作。因此，与第一和第二实施方式的LCD器件相比，根据本实施方式的LCD器件可以具有高透射率和高孔径比。
此外，第一和第二公共电极313P1和313P2形成为板状，并且第一和第二像素电极315P1和315P2的狭缝之间的每个间隔(电极宽度L1)宽于狭缝的宽度(L2)，因此电极之间的重叠区域增加，该电极之间具有栅绝缘膜306和钝化膜310，由此增加在电极之间形成的存储电容器的电容。因此，可以减小第一和第二像素电极315P1和315P2的压降(ΔVp)，并且可以实现场增强效应。
此外，第一和第二公共电极313P1和313P2可以与相邻像素的子像素区域的公共电极整体形成。换句话说，第二子像素区域的第二公共电极313P2连接到相邻像素的第一子像素区域的第一公共电极313P1’。因此，在两个像素区域之间的边缘区域处形成的由金属层构成的公共线317被由第N栅线限定的第二子像素区域的第二公共电极313P2和由第N+1栅线限定的第一子像素区域的第一公共电极313P1’共享，并且将公共信号施加到第一和第二公共电极313P1’和313P2。因此，由于根据本发明的LCD器件每三个子像素需要两条公共线，因此公共线的数目减小，并且LCD器件的孔径比增加。
公共线317可以由单独的金属层构成，如在附图中所示，但是它可以由透明导电材料构成并与由第N栅线103限定的第二子像素区域的第二公共电极313P2和由第N+1栅线限定的第一子像素区域的第一公共电极313P1’整体形成。为了防止像素中第一和第二公共电极313P1和313P2与栅线303之间的短路，第一和第二公共电极313P1和313P2与栅线303相隔10μm或更大的距离。
第一和第二像素电极315P1和315P2分别稍微重叠配置在像素的中心线处的栅线303的上角和下角。从而，形成在第二基板(未示出)上用于防止漏光的黑矩阵(未示出)的线宽可以最小化或者可以不需要，由此增加LCD器件的孔径比和亮度。与第一和第二像素电极315P1和315P2不重叠栅线303的结构相比，这种结构也可以减小栅线303与第一和第二像素电极315P1和315P2之间的绝缘体区域。因此，在绝缘体中累积的残留电压分量减小，由此防止或最小化残留影像缺陷。
在上述结构中，由于栅线303配置在像素的中心线处，而不是在两个相邻像素的边缘区域处，因此在第一和第二子像素区域P1和P2处形成的第一和第二像素电极315P1和315P2仅重叠相应像素的栅线303，不会受到相邻像素的栅极信号的影响。从而，第一和第二像素电极315P1和315P2仅受到相应像素的栅线303的影响，由此防止由于在相邻像素之间的边缘区域处发生的电压失真而发生漏光，并使显示缺陷如闪烁等最小化。
第一和第二像素电极315P1和315P2也重叠在单位像素的边缘区域处的公共线317以最小化漏光。当第一和第二像素电极315P1和315P2与公共线317之间的重叠区域变得过大时，存储电容器的电容将变得大于所需的电容，这可能由于残留的寄生电容而引起信号延迟。因此，第一和第二像素电极315P1和315P2可以仅重叠公共线317的一个角。
在根据第三实施方式的LCD器件中，第一和第二公共电极313P1和313P2与第一和第二像素电极315P1和315P2由透明导电材料如ITO等构成，并形成在像素的整个表面上。因此，也可以防止或最小化由摩擦工序期间栅线303上或下的高度差(或台阶差)引起并产生漏光的向错现象。
此外，单位像素关于配置在像素中心线处的栅线303划分为第一和第二子像素区域P1和P2。第一和第二开关器件3T1和3T2分别设置在第一和第二子像素区域P1和P2处以通过第一和第二接触孔309P1和309P2将信号施加到第一和第二像素电极315P1和315P2。第一和第二开关器件3T1和3T2具有一个栅极—两个薄膜晶体管(one-gate-two thin film transistor)结构并关于栅线303对称。同样，第一和第二开关器件3T1和3T2共享栅极(未示出)和源极305以便当扫描信号施加到栅线303时，将数据信号经由第一和第二漏极311P1和311P2传输到第一和第二像素电极315P1和315P2。因此，根据本实施方式构成LCD器件的单位像素的第一和第二子像素区域P1和P2通过不同的开关器件(第一和第二开关器件3T1和3T2)单独驱动。因此，甚至当第一或第二开关器件3T1或3T2有缺陷时，整个像素由于缺陷而不起作用的可能性减小。
现在将描述根据本发明第四实施方式的LCD器件。如图5所示，第四实施方式的单位像素具有的结构为第一和第二像素电极415P1和415P2在栅线403的上部彼此连接。第四实施方式的像素结构类似于第三实施方式，从而现在仅描述第四和第三实施方式之间的区别。
参考图5，第一子像素区域P1的第一像素电极415P1和第二子像素区域P2的第二像素电极415P2在栅线403的上部彼此连接。换句话说，由于第一和第二像素电极415P1和415P2彼此电连接，因此甚至当第一开关器件4T1和第二开关器件4T2之一不起作用时，电极415P1和415P2都可以接收数据信号。因此，具有缺陷像素的可能性减小。
在第一至第四实施方式中，第一和第二开关器件位于单位像素的中心线处，并且第一和第二子像素区域对称形成，因此在像素内由开关器件和电极之间的距离引起的信号延迟最小化，从而残留影像缺陷最小化或被防止。同样，垂直对称电极结构防止了色移现象和残留影像缺陷，并使LCD器件具有高图像质量，高透射率，高孔径比和宽视角。此外，根据本发明的第一和第二公共电极以及第一和第二像素电极由透明导电材料如ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、ITZO(氧化铟锡锌)、或TO(氧化锡)构成，但是它们也可以由其他导电材料如不透明金属材料构成。
下面，将参考所附附图描述根据本发明的LCD器件的制造方法。
图6A至6D为沿图2A中的A-A’线得到的截面图并且说明了根据本发明制造LCD器件的方法。根据本发明制造LCD器件的方法将利用示例性实施方式来描述，其中柱状衬垫料形成在第一基板(薄膜基板)上以遮挡光并保持预定的盒间隙。
如图6A所示，首先制备由玻璃或石英制成的透明第一基板102和第二基板(未示出)。然后，第一金属材料例如钼(Mo)，钼合金，铝(A1)，铝合金，钛(Ti)，钛合金，钽(Ta)，钽合金，钴(Co)，钴合金，镍(Ni)，镍合金，铜(Cu)或铜合金形成在第一基板102上，并利用第一掩模进行构图，由此形成栅线(未示出)，栅极104，第一和第二公共电极113P1和113P2以及公共线(未示出)。然后，无机材料例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)通过CVD(化学气相沉积)方法沉积在包括栅极104以及第一和第二公共电极113P1和113P2的第一基板102的整个表面上，由此形成栅绝缘膜106。
如图6B所示，非晶硅和n+非晶硅然后形成在栅绝缘膜106上，并利用第二掩模进行构图，由此在栅极104上形成半导体层107和欧姆接触层108。第二金属材料例如钼，钼合金，铝，铝合金，钛，钛合金，钽，钽合金，钴，钴合金，镍，镍合金，铜或铜合金沉积在包括欧姆接触层108的第一基板102的整个表面上。第二金属材料然后利用第三掩模进行构图，由此形成数据线(未示出)，从数据线延伸的源极105，和第一和第二漏极111P1和111P2，该漏极以与源极105相距预定间隔设置在半导体层107上。数据线垂直于栅线设置以与栅线限定像素，其中所述栅线将像素划分为第一和第二子像素区域(P1和P2)。
如图6C所示，具有低导电率的透明有机材料例如苯并环丁烯(benzocyclobutene)或压克力然后涂敷在第一基板102的整个表面上，由此形成钝化膜110，所述第一基板102包括源极105以及第一和第二漏极111P1和111P2。然后，利用第四掩模对钝化膜110进行构图，由此形成暴露出部分第一漏极111P1的第一接触孔109P1和暴露出部分第二漏极111P2的第二接触孔109P2。
透明导电材料例如ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)或TO(氧化锡)然后沉积在钝化膜110上并利用第五掩模进行构图，由此形成第一和第二像素电极115P1和115P2，其用于与第一和第二公共电极113P1和113P2一起在第一基板102上产生共平面电场。第一和第二像素电极115P1和115P2连接到构成第一和第二开关器件1T1和1T2的第一和第二漏极111P1和111P2，以接收图像信号。
接下来，有机膜(未示出)例如感光树脂沉积在第一基板102上以形成柱状衬垫料，所述第一基板102包括第一和第二像素电极115P1和115P2以及钝化膜110。如图6D所示，柱状衬垫料134通过将UV光通过第六掩模的透射区域照射到有机膜上并显影有机膜而形成在第一和第二开关器件1T1和1T2上。柱状衬垫料134不仅保持第一基板102和第二基板之间的盒间隙，而且作为黑矩阵防止第一和第二开关器件1T1和1T2上部漏光。结果，在LCD器件的制造过程中可以省略用于形成单独的黑矩阵的掩模工序。
尽管未在图中示出，然后在第一基板102上涂覆确定液晶初始排列方向的第一定向膜，并在第一定向膜上进行摩擦工序。以相似的方式，第二定向膜涂敷在具有滤色片层136的第二基板132上，并在第二定向膜上进行摩擦工序。然后，第一基板102和第二基板132彼此粘接在一起，液晶层150设置在第一和第二基板102和132之间的空间内，由此完成LCD器件的制造过程。根据本发明的原理，柱状衬垫料134可以形成在第二基板132上。在这种情况下，包括例如R(红)、G(绿)、B(蓝)滤色片的滤色片层形成在透明第二基板上，柱状衬垫料以与上述相似的方式形成在第二基板上与第一基板上第一和第二开关器件相对应的区域处。
如上所述，由于不需要在第一基板或第二基板上形成黑矩阵的工序，因此根据本发明制造LCD器件的方法可以简化LCD器件的制造过程，并减少制造成本。
以下，将参考图4B描述制造第三实施方式的LCD器件的方法。
首先制备由玻璃或石英制成的透明第一基板302和第二基板(未示出)。然后，第一金属材料例如钼(Mo)，钼合金，铝(Al)，铝合金，钛(Ti)，钛合金，钽(Ta)，钽合金，钴(Co)，钴合金，镍(Ni)，镍合金，铜(Cu)或铜合金形成在第一基板302上，并利用第一掩模进行构图，由此形成栅线303，栅极(未示出)和公共线317。公共线317可以由透明导电材料形成，并通过第二掩模工序与第一和第二公共电极313P1’和313P2整体形成，这将在下文进行解释。
透明导电材料例如ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、ITZO(氧化铟锡锌)、或TO(氧化锡)然后形成在包括栅线303和栅极(未示出)的第一基板302的整个表面上，并利用第二掩模进行构图，由此形成第一和第二公共电极313P1’和313P2。如上所述，公共线317可以由透明导电材料形成，并与第一和第二公共电极313P1’和313P2整体地形成在同一层上。
无机材料例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)然后通过CVD(化学气相沉积)方法沉积在包括公共线317以及第一和第二公共电极313P1’和313P2的第一基板102的整个表面上，由此形成栅绝缘膜306。
非晶硅和n+非晶硅然后形成在栅绝缘膜306上，并利用第三掩模进行构图，由此在栅绝缘膜306上形成半导体层和欧姆接触层。第二金属材料例如钼，钼合金，铝，铝合金，钛，钛合金，钽，钽合金，钴，钴合金，镍，镍合金，铜或铜合金沉积在包括欧姆接触层的第一基板302的整个表面上，然后利用第四掩模进行构图，由此形成数据线(未示出)、从数据线延伸的源极、和第一和第二漏极，该第一和第二漏极以与源极相距预定间隔设置在半导体层上。数据线垂直于栅线设置以与栅线限定像素，其中所述栅线将像素划分为第一和第二子像素区域。
然后在第一基板302的整个表面上涂敷具有低导电率的透明有机材料例如苯并环丁烯或压克力，由此形成钝化膜310，其中所述第一基板302包括源极以及第一和第二漏极。然后，利用第五掩模对钝化膜310进行构图，由此形成暴露出部分第一漏极的第一接触孔和暴露出部分第二漏极的第二接触孔。
透明导电材料例如ITO(氧化铟锡)、TZO(氧化铟锌)、ITZO(氧化铟锡锌)、或TO(氧化锡)然后沉积在钝化膜310上并利用第六掩模进行构图，由此形成第一和第二像素电极315P1和315P2，其用于与第一和第二公共电极313P1’和313P2一起在第一基板302上产生共平面电场。第一和第二像素电极315P1和315P2通过第一和第二接触孔连接到构成第一和第二开关器件的第一和第二漏极，以接收图像信号。
接下来，有机膜(未示出)例如感光树脂沉积在第一基板302上以形成柱状衬垫料，所述第一基板302包括第一和第二像素电极315P1和315P2以及钝化膜310。柱状衬垫料通过将UV光通过第七掩模的透射区域照射到有机膜上并显影有机膜而形成。柱状衬垫料不仅保持第一基板302和第二基板之间的盒间隙，而且作为黑矩阵防止第一和第二开关器件上部漏光。结果，在LCD器件的制造过程中可以省略用于形成单独的黑矩阵的掩模工序。
然后在第一基板302上涂敷确定液晶初始排列方向的第一定向膜，并在第一定向膜上进行摩擦工序。以相似的方式，第二定向膜涂敷在具有滤色片层的第二基板上，并在第二定向膜上进行摩擦工序。第一基板302和第二基板然后彼此粘接，液晶层设置在第一基板302和第二基板之间的间隙内，由此完成LCD器件的制造过程。根据本发明的原理，柱状衬垫料可以形成在第二基板上。在这种情况下，包括例如R(红)、G(绿)、B(蓝)滤色片的滤色片层形成在透明第二基板上，杜状衬垫料以与上述相似的方式形成在第二基板上与第一基板上的第一和第二开关器件相对应的区域处。
如上所述，本发明通过单独驱动单位像素的子像素区域可以减小LCD器件中的缺陷区域以及具有缺陷像素的可能性。另外，垂直对称电极结构防止了色移现象和残留影像缺陷。同样，栅线和像素电极之间的重叠结构以及液晶的水平取向使栅线和数据线附近漏光最小化。此外，形成在开关器件上的柱状衬垫料作为黑矩阵，并且在其他区域无需黑矩阵，由此简化了制造过程并提高了孔径比。
本领域的技术人员应当理解，在不脱离本发明精神或范围的情况下，本发明可以有多种变形和改进。因此，本发明覆盖所有落入本发明所附权利要求及其等效物范围内的这些变形和改进。

Claims (43)

1.一种液晶显示(LCD)器件，包括：
第一和第二基板；
在所述第一基板上以限定具有第一子像素区域和第二子像素区域的单位像素的栅线和数据线；
在所述第一和第二子像素区域中的第一开关器件和第二开关器件；
在所述第一和第二子像素区域中的多个第一公共电极和第二公共电极；
在所述第一和第二子像素区域中的多个第一像素电极和第二像素电极；
由所述像素单元和相邻的像素单元共享的公共线；和
位于第一和第二基板之间的液晶层。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一和第二开关器件共享所述栅极、源极和半导体层。
3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述栅极形成作为一条栅线的一部分。
4.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述源极从一条数据线延伸出来。
5.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述第一开关器件进一步包括第一漏极，而所述第二开关器件进一步包括第二漏极。
6.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一和第二子像素区域关于所述栅线对称。
7.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一公共电极和第一像素电极在第一子像素区域中形成共平面电场，而所述第二公共电极和第二像素电极在第二子像素区域中形成共平面电场。
8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述共平面电场形成与数据线呈大约0°至大约45°的倾斜角度。
9.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，进一步包括位于所述第一和第二基板上的定向层。
10.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，所述定向层的摩擦方向垂直于数据线。
11.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一和第二像素电极部分地重叠所述栅线的上边缘和下边缘。
12.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一和第二像素电极重叠相邻公共线的边缘。
13.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述公共线形成在相邻单位像素之间的界面附近。
14.根据权利要求13所述的器件，其特征在于，所述公共信号基本上同时施加到由第n栅线限定的单位像素的第二公共电极和由第n+1栅线限定的单位像素的第一公共电极。
15.根据权利要求13所述的器件，其特征在于，所述公共线由金属层构成。
16.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，进一步包括在第一和第二基板的至少一个上与所述第一和第二开关器件相对应的黑矩阵。
17.根据权利要求16所述的器件，其特征在于，所述黑矩阵包括柱状衬垫料。
18.根据权利要求17所述的器件，其特征在于，所述黑矩阵形成在第一和第二基板的至少一个上除与栅线和数据线相对应的区域之外的部分。
19.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，进一步包括：
电连接所述多个第一公共电极的第一公共电极连接线；和
电连接所述多个第二公共电极的第二公共电极连接线。
20.根据权利要求19所述的器件，其特征在于，进一步包括：
电连接所述多个第一像素电极的第一像素电极连接线；和
电连接所述多个第二像素电极的第二像素电极连接线。
21.根据权利要求20所述的器件，其特征在于，所述第一公共电极连接线和第一像素电极连接线重叠以形成第一存储电容器，而所述第二公共电极连接线和第二像素电极连接线重叠以形成第二存储电容器。
22.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一像素电极和第二像素电极在栅线的上部彼此连接。
23.根据权利要求1的器件，其特征在于，所述第一公共电极和第二公共电极在第一基板上形成为板状，而所述第一像素电极和第二像素电极具有多个狭缝。
24.根据权利要求23所述的器件，其特征在于，所述第一像素电极和第二像素电极的狭缝之间的间隔窄以便产生边缘电场。
25.根据权利要求24所述的器件，其特征在于，所述第一公共电极和第一像素电极之间的距离以及所述第二公共电极和第二像素电极之间的距离小于所述第一基板和第二基板之间的距离。
26.根据权利要求25所述的器件，其特征在于，所述第一公共电极和第一像素电极，以及第二公共电极和第二像素电极形成共平面电场，该电场基本上以与数据线成0°至45°的倾斜角度形成。
27.根据权利要求26的器件，其特征在于，进一步包括位于所述第一和第二基板上的定向层。
28.根据权利要求27所述的器件，其特征在于，所述定向层之一的摩擦方向垂直于数据线。
29.根据权利要求25所述的器件，其特征在于，所述第一像素电极和第二像素电极在所述栅线的上部彼此连接。
30.根据权利要求23的器件，其特征在于，所述第一公共电极和第二公共电极以及所述第一像素电极和第二像素电极由透明导电材料构成。
31.根据权利要求30所述的器件，其特征在于，所述公共线形成在相邻单位像素之间的界面处。
32.根据权利要求31所述的器件，其特征在于，由第n栅线限定的单位像素的第二公共电极和由第n+1栅线限定的单位像素的第一公共电极由透明导电材料构成并与公共线同时形成。
33.根据权利要求1的器件，其特征在于，所述第二基板进一步包括滤色片。
34.一种液晶显示(LCD)器件的制造方法，包括：
制备第一基板和第二基板；
在第一基板上形成第一金属材料；
利用第一掩模对第一金属材料进行构图以形成栅线，栅极，公共电极和公共线；
在第一基板上形成栅绝缘膜、非晶硅层和n+非晶硅层；
利用第二掩模对非晶硅层和n+非晶硅层进行构图以形成半导体层和欧姆接触层；
在第一基板上形成第二金属材料；
利用第三掩模对第二金属材料进行构图以形成数据线、源极和第一和第二漏极；
在第一基板上形成钝化膜；
利用第四掩模对钝化膜进行构图以形成接触孔；
在钝化膜上形成透明导电材料；以及
利用第五掩模对透明导电材料进行构图以形成像素电极。
35.根据权利要求34所述的方法，其特征在于，进一步包括：
在像素电极上形成有机膜；以及
利用第六掩模对有机膜进行构图以形成衬垫料。
36.根据权利要求34所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述第一和第二基板之间形成液晶层。
37.一种液晶显示器件的制造方法，包括：
制备第一基板和第二基板；
在第一基板上形成第一金属材料；
利用第一掩模对第一金属材料进行构图以形成栅线，栅极和公共线；
在第一基板上形成透明导电材料；
利用第二掩模对透明导电材料进行构图以形成公共电极；
在第一基板上形成栅绝缘膜、非晶硅层和n+非晶硅层；
利用第三掩模对非晶硅层和n+非晶硅层进行构图以形成半导体层和欧姆接触层；
在第一基板上形成第二金属材料；
利用第四掩模对第二金属材料进行构图以形成数据线、源极、第一漏极和第二漏极；
在第一基板上形成钝化膜；
利用第五掩模对钝化膜进行构图以形成接触孔；
在钝化膜上形成透明导电材料；以及
利用第六掩模对透明导电材料进行构图以形成像素电极。
38.根据权利要求37所述的方法，其特征在于，进一步包括：
在像素电极上形成有机膜；以及
利用第六掩模对有机膜进行构图以形成衬垫料。
39.根据权利要求37所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述第一和第二基板之间形成液晶层。
40.一种液晶显示器件的制造方法，包括：
制备第一基板和第二基板；
在第一基板上形成第一金属材料；
利用第一掩模对第一金属材料进行构图以形成栅线和栅极；
在第一基板上形成透明导电材料；
利用第二掩模对透明导电材料进行构图以形成公共线和公共电极；
在第一基板上形成栅绝缘膜、非晶硅层和n+非晶硅层；
利用第三掩模对非晶硅层和n+非晶硅层进行构图以形成半导体层和欧姆接触层；
在第一基板上形成第二金属材料；
利用第四掩模对第二金属材料进行构图以形成数据线、源极、第一漏极和第二漏极；
在第一基板上形成钝化膜；
利用第五掩模对钝化膜进行构图以形成接触孔；
在钝化膜上形成透明导电材料；以及
利用第六掩模对透明导电材料进行构图以形成像素电极。
41.根据权利要求40所述的方法，其特征在于，进一步包括：
在像素电极上形成有机膜；以及
利用第六掩模对有机膜进行构图以形成衬垫料。
42.根据权利要求40所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述第一和第二基板之间形成液晶层。
43.根据权利要求40所述的方法，其特征在于，所述透明导电材料包括ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、ITZO(氧化铟锡锌)和TO(氧化锡)的至少之一。
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101609235A (zh) * 2008-06-16 2009-12-23 三星电子株式会社 液晶显示器
US7859629B2 (en) 2006-04-12 2010-12-28 Lg Display Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display wherein the upper and lower pixel electrodes are arranged on opposite sides of the respective upper and lower pixel regions
CN102323697A (zh) * 2011-09-14 2012-01-18 深圳市华星光电技术有限公司 Ips像素单元、液晶显示器及图像控制方法
CN103018982A (zh) * 2011-09-22 2013-04-03 上海中航光电子有限公司 横向排列的像素结构
CN103399441A (zh) * 2008-06-16 2013-11-20 三星显示有限公司 液晶显示器
WO2014012317A1 (zh) * 2012-07-16 2014-01-23 北京京东方光电科技有限公司 液晶显示器像素结构、阵列基板以及液晶显示器
CN104020617A (zh) * 2014-05-20 2014-09-03 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其驱动方法、液晶显示面板、显示装置
CN104155815A (zh) * 2014-09-01 2014-11-19 友达光电股份有限公司 像素结构
CN105093708A (zh) * 2015-09-02 2015-11-25 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板
WO2015188492A1 (zh) * 2014-06-13 2015-12-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
CN105373276A (zh) * 2014-08-14 2016-03-02 乐金显示有限公司 触摸传感器集成型显示装置
CN105938282A (zh) * 2016-06-22 2016-09-14 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示像素结构及液晶显示器件
CN106502016A (zh) * 2016-12-09 2017-03-15 惠科股份有限公司 一种显示面板和显示装置
CN106909001A (zh) * 2017-03-20 2017-06-30 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其制造方法、阵列基板
CN111580293A (zh) * 2020-06-05 2020-08-25 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板及其驱动方法、显示面板、显示装置

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101240644B1 (ko) * 2005-08-09 2013-03-11 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판
KR101244691B1 (ko) 2006-05-12 2013-03-19 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정표시소자
TWI585498B (zh) 2006-05-16 2017-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置和半導體裝置
KR100908357B1 (ko) 2006-08-09 2009-07-20 엡슨 이미징 디바이스 가부시키가이샤 횡전계 방식의 액정 표시 패널
JP2008083324A (ja) * 2006-09-27 2008-04-10 Seiko Epson Corp 液晶表示装置及び電子機器
JP5177984B2 (ja) * 2006-09-28 2013-04-10 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶装置及び電子機器
KR100855782B1 (ko) * 2007-01-29 2008-09-01 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 에프에프에스 모드 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100865838B1 (ko) * 2007-01-30 2008-10-29 전북대학교산학협력단 프린지 필드 스위칭 액정표시소자
KR101424004B1 (ko) * 2007-03-08 2014-07-31 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
US7897971B2 (en) * 2007-07-26 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2009092912A (ja) 2007-10-09 2009-04-30 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
JP5106991B2 (ja) * 2007-11-07 2012-12-26 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶装置および電子機器
JP5748731B2 (ja) * 2012-12-05 2015-07-15 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
WO2014097979A1 (ja) * 2012-12-21 2014-06-26 シャープ株式会社 液晶表示装置
US9915848B2 (en) * 2013-04-19 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
KR102007833B1 (ko) * 2013-04-30 2019-08-06 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판
JP6207264B2 (ja) * 2013-07-03 2017-10-04 三菱電機株式会社 液晶表示装置
KR102068962B1 (ko) * 2013-09-30 2020-01-22 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판
CN113867056B (zh) * 2020-06-30 2023-01-10 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板和显示装置
CN113835272B (zh) * 2021-09-27 2022-11-25 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0830825B2 (ja) * 1990-04-20 1996-03-27 シャープ株式会社 アクティブマトリクス表示装置
US5459595A (en) * 1992-02-07 1995-10-17 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix liquid crystal display
JPH06317812A (ja) * 1993-04-30 1994-11-15 Fuji Xerox Co Ltd アクティブマトリクス素子及びその製造方法
JP3077959B2 (ja) * 1993-11-25 2000-08-21 シャープ株式会社 液晶表示素子
JP3649635B2 (ja) * 1995-11-14 2005-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型表示装置
KR100293434B1 (ko) * 1997-09-08 2001-08-07 구본준, 론 위라하디락사 횡전계방식액정표시소자
KR100620847B1 (ko) * 2001-06-05 2006-09-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 어레이기판 및 그의 제조방법
JP4248306B2 (ja) * 2002-06-17 2009-04-02 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR100439650B1 (ko) * 2002-08-14 2004-07-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 콜레스테릭 액정 컬러필터를 이용한 반사형 액정표시장치
JP4015908B2 (ja) * 2002-08-29 2007-11-28 松下電器産業株式会社 表示装置用駆動回路及び表示装置
JP4728654B2 (ja) * 2004-02-09 2011-07-20 株式会社 液晶先端技術開発センター 液晶画素メモリ、液晶表示装置およびこれらの駆動方法
JP2005352067A (ja) * 2004-06-09 2005-12-22 International Display Technology Kk 液晶ディスプレイ

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8018566B2 (en) 2006-04-12 2011-09-13 Lg Display Co., Ltd. Method for fabricating an in-plane switching mode liquid crystal display wherein the upper and lower pixel electrodes are formed on opposite sides of the respective upper and lower pixel regions
US7859629B2 (en) 2006-04-12 2010-12-28 Lg Display Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display wherein the upper and lower pixel electrodes are arranged on opposite sides of the respective upper and lower pixel regions
CN103399441B (zh) * 2008-06-16 2017-04-12 三星显示有限公司 液晶显示器
US9348188B2 (en) 2008-06-16 2016-05-24 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display
CN103399441A (zh) * 2008-06-16 2013-11-20 三星显示有限公司 液晶显示器
CN101609235A (zh) * 2008-06-16 2009-12-23 三星电子株式会社 液晶显示器
WO2013037142A1 (zh) * 2011-09-14 2013-03-21 深圳市华星光电技术有限公司 Ips像素单元、液晶显示器及图像控制方法
CN102323697A (zh) * 2011-09-14 2012-01-18 深圳市华星光电技术有限公司 Ips像素单元、液晶显示器及图像控制方法
CN103018982A (zh) * 2011-09-22 2013-04-03 上海中航光电子有限公司 横向排列的像素结构
CN103018982B (zh) * 2011-09-22 2016-03-02 上海中航光电子有限公司 横向排列的像素结构
WO2014012317A1 (zh) * 2012-07-16 2014-01-23 北京京东方光电科技有限公司 液晶显示器像素结构、阵列基板以及液晶显示器
CN104020617A (zh) * 2014-05-20 2014-09-03 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其驱动方法、液晶显示面板、显示装置
US9953607B2 (en) 2014-05-20 2018-04-24 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and method for driving the same, and liquid crystal display panel
WO2015188492A1 (zh) * 2014-06-13 2015-12-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
US9612495B2 (en) 2014-06-13 2017-04-04 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and display device
CN105373276A (zh) * 2014-08-14 2016-03-02 乐金显示有限公司 触摸传感器集成型显示装置
CN105373276B (zh) * 2014-08-14 2018-09-07 乐金显示有限公司 触摸传感器集成型显示装置
CN104155815A (zh) * 2014-09-01 2014-11-19 友达光电股份有限公司 像素结构
CN105093708A (zh) * 2015-09-02 2015-11-25 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板
CN105938282A (zh) * 2016-06-22 2016-09-14 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示像素结构及液晶显示器件
CN106502016A (zh) * 2016-12-09 2017-03-15 惠科股份有限公司 一种显示面板和显示装置
CN106909001A (zh) * 2017-03-20 2017-06-30 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其制造方法、阵列基板
WO2018170949A1 (zh) * 2017-03-20 2018-09-27 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其制造方法、阵列基板
CN106909001B (zh) * 2017-03-20 2019-01-04 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其制造方法、阵列基板
WO2021243830A1 (zh) * 2020-06-05 2021-12-09 厦门天马微电子有限公司 阵列基板及其驱动方法、显示面板、显示装置
CN111580293A (zh) * 2020-06-05 2020-08-25 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板及其驱动方法、显示面板、显示装置

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CN100374949C (zh) 2008-03-12
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