JP2002090742A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面凹凸が形成された反射拡散板形状の反射
電極を有する液晶表示装置において、光配向技術によっ
て反射電極上に、所期のプレチルト角を実現する液晶配
向膜を形成する。 【解決手段】 駆動基板に、表面凹凸が形成された反射
拡散板形状の反射電極１０が設けられ、その反射電極１
０上に紫外線反応型の液晶配向膜３２が形成されている
液晶表示装置を、工程（１）反射電極１０上に、可視光
に対して透明で、紫外線を吸収する材料からなる保護膜
１２を、反射電極１０の表面凹凸の段差を解消するよう
に形成する工程、工程（２）保護膜１２上に紫外線反応
型の液晶配向膜用組成物を塗布する工程、工程（３）液
晶配向膜用組成物の塗膜３１に偏光紫外線Ｌを基板面に
対して斜め方向から照射することにより液晶配向膜３２
を形成する工程、によって製造する。
電極を有する液晶表示装置において、光配向技術によっ
て反射電極上に、所期のプレチルト角を実現する液晶配
向膜を形成する。 【解決手段】 駆動基板に、表面凹凸が形成された反射
拡散板形状の反射電極１０が設けられ、その反射電極１
０上に紫外線反応型の液晶配向膜３２が形成されている
液晶表示装置を、工程（１）反射電極１０上に、可視光
に対して透明で、紫外線を吸収する材料からなる保護膜
１２を、反射電極１０の表面凹凸の段差を解消するよう
に形成する工程、工程（２）保護膜１２上に紫外線反応
型の液晶配向膜用組成物を塗布する工程、工程（３）液
晶配向膜用組成物の塗膜３１に偏光紫外線Ｌを基板面に
対して斜め方向から照射することにより液晶配向膜３２
を形成する工程、によって製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面凹凸が形成さ
れた反射拡散板形状の反射電極が設けられている液晶表
示装置において、反射電極上に紫外線反応型の液晶配向
膜を形成する技術に関する。
れた反射拡散板形状の反射電極が設けられている液晶表
示装置において、反射電極上に紫外線反応型の液晶配向
膜を形成する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、画素の反射部に、表面凹凸が形成
された反射拡散板形状の反射電極を有し、画素の透過部
に透明導電膜からなる透明電極を有し、半透過型液晶表
示を行うアクティブマトリクス型液晶表示装置の駆動側
ＴＦＴ基板は、図１２に示すように製造される。なお、
図１２は、ボトムゲート構造のＴＦＴを画素構造に有す
る液晶表示装置について製造工程を示しているが、トッ
プゲート構造のＴＦＴを画素構造に有するものも基本的
に同様の工程で製造される。
された反射拡散板形状の反射電極を有し、画素の透過部
に透明導電膜からなる透明電極を有し、半透過型液晶表
示を行うアクティブマトリクス型液晶表示装置の駆動側
ＴＦＴ基板は、図１２に示すように製造される。なお、
図１２は、ボトムゲート構造のＴＦＴを画素構造に有す
る液晶表示装置について製造工程を示しているが、トッ
プゲート構造のＴＦＴを画素構造に有するものも基本的
に同様の工程で製造される。
【０００３】まず、図１２（ａ）に示すように、透明基
板１上に金属膜を成膜し、フォトリソグラフ法を用いて
ドライエッチングすることによりゲートＧ及び補助容量
電極Ｃｓを形成し、ゲート絶縁膜２を積層し、さらにポ
リシリコン膜３を形成する。
板１上に金属膜を成膜し、フォトリソグラフ法を用いて
ドライエッチングすることによりゲートＧ及び補助容量
電極Ｃｓを形成し、ゲート絶縁膜２を積層し、さらにポ
リシリコン膜３を形成する。
【０００４】次に、ソース領域及びドレイン領域への不
純物ドーピング時のチャンネル部への不純物注入防止の
ため、チャンネル部となるポリシリコン膜３の上にスト
ッパ４をゲートＧに対して自己整合的に形成し、ソース
領域及びドレイン領域に不純物ドーピングを行う。
純物ドーピング時のチャンネル部への不純物注入防止の
ため、チャンネル部となるポリシリコン膜３の上にスト
ッパ４をゲートＧに対して自己整合的に形成し、ソース
領域及びドレイン領域に不純物ドーピングを行う。
【０００５】その後、ポリシリコン膜３をフォトレジス
ト工程とエッチング工程を用いてアイランド状に分離
し、低温ポリシリコン薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形
成する。
ト工程とエッチング工程を用いてアイランド状に分離
し、低温ポリシリコン薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形
成する。
【０００６】次に、層間絶縁膜５を形成する（図１２
（ｂ））。そしてこの層間絶縁膜５にコンタクトホール
及び画素の透過部の開口部を形成するため、まず、層間
絶縁膜５上にフォトレジスト層６を形成し、フォトマス
クとして、コンタクトホールの形成部位及び画素の透過
部が開口しているパターンのマスクを用いてフォトリソ
グラフ法によりフォトレジスト層６をパターニングし
（図１２（ｃ））、これをエッチングマスクとして層間
絶縁膜５をエッチングし、層間絶縁膜５にコンタクトホ
ールＨ1と画素の透過部Ｔの開口部を形成する（図１２
（ｄ））。
（ｂ））。そしてこの層間絶縁膜５にコンタクトホール
及び画素の透過部の開口部を形成するため、まず、層間
絶縁膜５上にフォトレジスト層６を形成し、フォトマス
クとして、コンタクトホールの形成部位及び画素の透過
部が開口しているパターンのマスクを用いてフォトリソ
グラフ法によりフォトレジスト層６をパターニングし
（図１２（ｃ））、これをエッチングマスクとして層間
絶縁膜５をエッチングし、層間絶縁膜５にコンタクトホ
ールＨ1と画素の透過部Ｔの開口部を形成する（図１２
（ｄ））。
【０００７】次に、金属膜をスパッタ等で成膜し、エッ
チング処理を施すことにより、コンタクトホールＨ1を
介してＴＦＴのソースＳと通じるソース電極Ｓ1と信号
配線、及びコンタクトホールＨ1を介してＴＦＴのドレ
インＤと通じるドレイン電極Ｄ1を形成する（図１２
（ｅ））。
チング処理を施すことにより、コンタクトホールＨ1を
介してＴＦＴのソースＳと通じるソース電極Ｓ1と信号
配線、及びコンタクトホールＨ1を介してＴＦＴのドレ
インＤと通じるドレイン電極Ｄ1を形成する（図１２
（ｅ））。
【０００８】次に、反射拡散能を有する反射電極の表面
凹凸形状の下地となる凹凸形状を、フォトレジスト材料
からなる二つの層を用いて次のように形成する。まず、
凹凸形状の基本構造を形成する第一層７を、フォトレジ
スト材料を用いてフォトリソグラフ法により形成する
（図１２（ｆ））。このときフォトマスクとしては、ソ
ース電極Ｓ1又はドレイン電極Ｄ1と導通をとるための第
２のコンタクトホールＨ 2と画素の透過部Ｔを開口する
ものを用いる。次に、反射特性を改善する第二層８を、
第一層７と同様なフォトレジスト材料を用いてフォトリ
ソグラフ法により形成する（図１２（ｇ））。このとき
マスクとしては、第一層７と同様に、ドレイン電極Ｄ1
と導通をとるための第３のコンタクトホールＨ3と画素
の透過部Ｔを開口するものを用いる。こうして第一層７
と第二層８の２層構造からなる表面凹凸形状を形成す
る。
凹凸形状の下地となる凹凸形状を、フォトレジスト材料
からなる二つの層を用いて次のように形成する。まず、
凹凸形状の基本構造を形成する第一層７を、フォトレジ
スト材料を用いてフォトリソグラフ法により形成する
（図１２（ｆ））。このときフォトマスクとしては、ソ
ース電極Ｓ1又はドレイン電極Ｄ1と導通をとるための第
２のコンタクトホールＨ 2と画素の透過部Ｔを開口する
ものを用いる。次に、反射特性を改善する第二層８を、
第一層７と同様なフォトレジスト材料を用いてフォトリ
ソグラフ法により形成する（図１２（ｇ））。このとき
マスクとしては、第一層７と同様に、ドレイン電極Ｄ1
と導通をとるための第３のコンタクトホールＨ3と画素
の透過部Ｔを開口するものを用いる。こうして第一層７
と第二層８の２層構造からなる表面凹凸形状を形成す
る。
【０００９】次に、画素の透過部Ｔの透明電極を形成す
る透明導電膜９をスパッタ法等を用いて成膜する。この
透明導電膜９はドレイン電極Ｄ1とコンタクトホールＨ3
によって接続する（図１２（ｈ））。なお、図１２
（ｈ）に示したように、透明導電膜９は画素の反射部に
も形成し、反射電極の下地として用いてもよい。
る透明導電膜９をスパッタ法等を用いて成膜する。この
透明導電膜９はドレイン電極Ｄ1とコンタクトホールＨ3
によって接続する（図１２（ｈ））。なお、図１２
（ｈ）に示したように、透明導電膜９は画素の反射部に
も形成し、反射電極の下地として用いてもよい。
【００１０】次に、画素の反射部ＲにＡｌ、Ａｇ等の反
射率の高い金属膜を成膜し、フォトリソグラフ法を用い
て反射電極１０を形成する（図１２（ｉ））。
射率の高い金属膜を成膜し、フォトリソグラフ法を用い
て反射電極１０を形成する（図１２（ｉ））。
【００１１】そして、基板全面に液晶配向膜３０を塗布
し、メカニカルラビング法等によって配向処理を行う
（図１２（ｊ））。こうして、配向膜３０を有するＴＦ
Ｔ基板が完成する。
し、メカニカルラビング法等によって配向処理を行う
（図１２（ｊ））。こうして、配向膜３０を有するＴＦ
Ｔ基板が完成する。
【００１２】一方、カラーフィルタと対向透明電極が形
成された対向基板にも液晶配向膜を塗布し、配向処理を
施す。その後、双方の基板が適当なギャップを保つよう
にギャップ材を使用して双方の基板をシール材で貼り合
わせ、液晶を注入し、封止することにより液晶表示パネ
ルを得る。
成された対向基板にも液晶配向膜を塗布し、配向処理を
施す。その後、双方の基板が適当なギャップを保つよう
にギャップ材を使用して双方の基板をシール材で貼り合
わせ、液晶を注入し、封止することにより液晶表示パネ
ルを得る。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】図１２に示した従来の
アクティブマトリクス型半透過型液晶表示装置の駆動側
ＴＦＴ基板の製造方法では、メカニカルラビング法によ
って配向処理を行うためにラビング時に発塵し、基板の
汚染、さらには画素電極と対向電極とのショート、ショ
ートによる欠陥が発生し、また摩擦による静電ダメージ
も発生し、製造上歩留まりが低下するという問題があ
る。
アクティブマトリクス型半透過型液晶表示装置の駆動側
ＴＦＴ基板の製造方法では、メカニカルラビング法によ
って配向処理を行うためにラビング時に発塵し、基板の
汚染、さらには画素電極と対向電極とのショート、ショ
ートによる欠陥が発生し、また摩擦による静電ダメージ
も発生し、製造上歩留まりが低下するという問題があ
る。
【００１４】このような問題に対し、メカニカルラビン
グ法に代えて、基板上に液晶配向膜用の有機膜を塗布
し、偏光紫外線を照射することにより、その有機膜に紫
外線の偏光方向に応じた化学変化を生じさせ、液晶に配
向の方向性とプレチルト角とを与える光配向技術が提案
されている。
グ法に代えて、基板上に液晶配向膜用の有機膜を塗布
し、偏光紫外線を照射することにより、その有機膜に紫
外線の偏光方向に応じた化学変化を生じさせ、液晶に配
向の方向性とプレチルト角とを与える光配向技術が提案
されている。
【００１５】しかしながら、図１３に示したように、こ
れまでの光配向技術で表面凹凸が形成された反射拡散板
形状の反射電極１０上に液晶配向膜用組成物からなる塗
膜３１を形成し、偏光紫外線Ｌ0を照射すると、その塗
膜３１に対する偏光紫外線Ｌ0の入射角α1、α2が表面
凹凸上の位置によって一定せず、所期のプレチルト角を
得ることができない。また、液晶偏光膜用組成物からな
る塗膜３１を透過した偏光紫外線Ｌ0が反射電極１０で
反射され、その反射光Ｌ1が塗膜３１を再度照射するの
で（再照射現象）、これによっても所期の配向処理を施
すことができない。このため、表示品質が著しく低下す
るという問題が生じる。
れまでの光配向技術で表面凹凸が形成された反射拡散板
形状の反射電極１０上に液晶配向膜用組成物からなる塗
膜３１を形成し、偏光紫外線Ｌ0を照射すると、その塗
膜３１に対する偏光紫外線Ｌ0の入射角α1、α2が表面
凹凸上の位置によって一定せず、所期のプレチルト角を
得ることができない。また、液晶偏光膜用組成物からな
る塗膜３１を透過した偏光紫外線Ｌ0が反射電極１０で
反射され、その反射光Ｌ1が塗膜３１を再度照射するの
で（再照射現象）、これによっても所期の配向処理を施
すことができない。このため、表示品質が著しく低下す
るという問題が生じる。
【００１６】表面凹凸が形成された反射拡散板形状の反
射電極上に液晶配向膜を形成する限り、同様の問題は、
一画素内に反射電極が形成されている反射部と、透明導
電膜からなる透過部が形成されている半透過型液晶表示
装置だけでなく、画素電極が反射電極のみからなる反射
型液晶表示装置でも生じる。また、アクティブマトリク
ス型液晶表示装置だけでなく、パッシブ型液晶表示装置
でも生じる。
射電極上に液晶配向膜を形成する限り、同様の問題は、
一画素内に反射電極が形成されている反射部と、透明導
電膜からなる透過部が形成されている半透過型液晶表示
装置だけでなく、画素電極が反射電極のみからなる反射
型液晶表示装置でも生じる。また、アクティブマトリク
ス型液晶表示装置だけでなく、パッシブ型液晶表示装置
でも生じる。
【００１７】そこで、本発明は、表面凹凸が形成された
反射拡散板形状の反射電極を有する液晶表示装置におい
て、光配向技術によって反射電極上に液晶配向膜を形成
する場合に、反射電極の表面凹凸や反射電極からの再照
射現象によらず、液晶に所期のプレチルト角を実現し、
表示品質の優れた画像を形成できるようにすることを目
的とする。
反射拡散板形状の反射電極を有する液晶表示装置におい
て、光配向技術によって反射電極上に液晶配向膜を形成
する場合に、反射電極の表面凹凸や反射電極からの再照
射現象によらず、液晶に所期のプレチルト角を実現し、
表示品質の優れた画像を形成できるようにすることを目
的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、表面凹凸が
形成された反射拡散板形状の反射電極を有する液晶表示
装置において、反射電極上に該反射電極の表面凹凸の段
差を解消する保護膜を、可視光に対しては透明であるが
紫外線は吸収する材料で形成し、この保護膜上に紫外線
反応型の液晶配向膜用組成物の塗膜を形成し、偏光紫外
線を照射して液晶配向膜を形成すると、液晶配向膜用組
成物の塗膜は保護膜上で平坦に形成されるために、液晶
配向膜用組成物の塗膜へ入射する偏光紫外線の入射角
は、この塗膜のいずれにおいても一定となること、ま
た、この塗膜を透過して反射電極で反射され、再度、塗
膜に入射する光は、塗膜と反射電極との間にある保護膜
によって、その強度が著しく弱められるため、反射電極
からの反射光が塗膜の配向処理に及ぼす影響を著しく低
減できること、したがって、このように液晶配向膜を形
成することにより、光配向技術で反射電極上に液晶配向
膜を形成するにもかかわらず、高品位の液晶表示装置を
製造できることを見出した。
形成された反射拡散板形状の反射電極を有する液晶表示
装置において、反射電極上に該反射電極の表面凹凸の段
差を解消する保護膜を、可視光に対しては透明であるが
紫外線は吸収する材料で形成し、この保護膜上に紫外線
反応型の液晶配向膜用組成物の塗膜を形成し、偏光紫外
線を照射して液晶配向膜を形成すると、液晶配向膜用組
成物の塗膜は保護膜上で平坦に形成されるために、液晶
配向膜用組成物の塗膜へ入射する偏光紫外線の入射角
は、この塗膜のいずれにおいても一定となること、ま
た、この塗膜を透過して反射電極で反射され、再度、塗
膜に入射する光は、塗膜と反射電極との間にある保護膜
によって、その強度が著しく弱められるため、反射電極
からの反射光が塗膜の配向処理に及ぼす影響を著しく低
減できること、したがって、このように液晶配向膜を形
成することにより、光配向技術で反射電極上に液晶配向
膜を形成するにもかかわらず、高品位の液晶表示装置を
製造できることを見出した。
【００１９】即ち、本発明は、駆動基板に、表面凹凸が
形成された反射拡散板形状の反射電極が設けられ、その
反射電極上に紫外線反応型の液晶配向膜が形成されてい
る液晶表示装置を製造する方法であって、次の工程
（１）〜（３）、（１）駆動基板上の反射電極上に、可
視光に対して透明で、紫外線を吸収する材料からなる保
護膜を、反射電極の表面凹凸の段差を解消するように形
成する工程、（２）保護膜上に紫外線反応型の液晶配向
膜用組成物を塗布する工程、（３）液晶配向膜用組成物
の塗膜に偏光紫外線を基板面に対して斜め方向から照射
することにより液晶配向膜を形成する工程、を行うこと
を特徴とする液晶表示装置の製造方法を提供する。
形成された反射拡散板形状の反射電極が設けられ、その
反射電極上に紫外線反応型の液晶配向膜が形成されてい
る液晶表示装置を製造する方法であって、次の工程
（１）〜（３）、（１）駆動基板上の反射電極上に、可
視光に対して透明で、紫外線を吸収する材料からなる保
護膜を、反射電極の表面凹凸の段差を解消するように形
成する工程、（２）保護膜上に紫外線反応型の液晶配向
膜用組成物を塗布する工程、（３）液晶配向膜用組成物
の塗膜に偏光紫外線を基板面に対して斜め方向から照射
することにより液晶配向膜を形成する工程、を行うこと
を特徴とする液晶表示装置の製造方法を提供する。
【００２０】また、駆動基板に、表面凹凸が形成された
反射拡散板形状の反射電極が設けられ、その反射電極上
に紫外線反応型の液晶配向膜が形成されている液晶表示
装置であって、可視光に対して透明で、紫外線を吸収す
る材料からなる保護膜が、反射電極の表面凹凸の段差を
解消するように形成されており、その保護膜上に紫外線
反応型の液晶配向膜が形成されている液晶表示装置を提
供する。
反射拡散板形状の反射電極が設けられ、その反射電極上
に紫外線反応型の液晶配向膜が形成されている液晶表示
装置であって、可視光に対して透明で、紫外線を吸収す
る材料からなる保護膜が、反射電極の表面凹凸の段差を
解消するように形成されており、その保護膜上に紫外線
反応型の液晶配向膜が形成されている液晶表示装置を提
供する。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
を詳細に説明する。なお、各図中、同一符号は、同一又
は同等の構成要素を表している。
を詳細に説明する。なお、各図中、同一符号は、同一又
は同等の構成要素を表している。
【００２２】図１は、ボトムゲート構造のＴＦＴの画素
構造を有する、半透過型液晶表示装置を製造する本発明
の一態様の工程説明図である。この図１の方法は、図１
２に示した従来の方法に比して、反射電極１０上に特定
の保護膜１２を形成し、その上に紫外線反応型の液晶配
向膜３２を形成する点で大きく異なるが、さらに、反射
電極１０の形成を以下に詳述する工程（Ａ）〜（Ｅ）に
よって行うことにより、反射電極１０の下層の絶縁層
を、図１２に示した三層積層構成（層間絶縁膜５、フォ
トレジスト材料からなる第一層７、第二層８）から単層
構成（層間絶縁膜５）とし、また、反射電極１０、ソー
ス電極Ｓ1及びドレイン電極Ｄ1を同時に形成することに
より、ＴＦＴ基板の製造工程を著しく簡略化し、生産性
を向上させたものである。
構造を有する、半透過型液晶表示装置を製造する本発明
の一態様の工程説明図である。この図１の方法は、図１
２に示した従来の方法に比して、反射電極１０上に特定
の保護膜１２を形成し、その上に紫外線反応型の液晶配
向膜３２を形成する点で大きく異なるが、さらに、反射
電極１０の形成を以下に詳述する工程（Ａ）〜（Ｅ）に
よって行うことにより、反射電極１０の下層の絶縁層
を、図１２に示した三層積層構成（層間絶縁膜５、フォ
トレジスト材料からなる第一層７、第二層８）から単層
構成（層間絶縁膜５）とし、また、反射電極１０、ソー
ス電極Ｓ1及びドレイン電極Ｄ1を同時に形成することに
より、ＴＦＴ基板の製造工程を著しく簡略化し、生産性
を向上させたものである。
【００２３】この方法ではまず、図１（ａ）に示すよう
に、透明基板１上にＭｏ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ等の単
層膜又は積層膜を成膜し、フォトリソグラフ法を用いて
ドライエッチングすることによりゲートＧ及び補助容量
電極Ｃｓを形成し、スパッタ法又はＣＶＤ法によりゲー
ト絶縁膜２として窒化シリコン膜、酸化シリコン膜又は
これらの積層膜等を形成し、さらにポリシリコン膜３を
形成する。このポリシリコン膜３の形成方法としては、
例えば、まず、ゲート絶縁膜２上に半導体層を形成し、
次に、半導体層の水素濃度を下げるために高温処理の脱
水素工程を行い、エキシマレーザによる結晶化を行い、
半導体層をポリシリコン膜に変換する。なお、水素濃度
が１atom％以下である場合、脱水素工程は省いても良
い。また、膜質を安定化させるために、ゲート絶縁膜と
半導体層とは連続成膜することが好ましい。
に、透明基板１上にＭｏ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ等の単
層膜又は積層膜を成膜し、フォトリソグラフ法を用いて
ドライエッチングすることによりゲートＧ及び補助容量
電極Ｃｓを形成し、スパッタ法又はＣＶＤ法によりゲー
ト絶縁膜２として窒化シリコン膜、酸化シリコン膜又は
これらの積層膜等を形成し、さらにポリシリコン膜３を
形成する。このポリシリコン膜３の形成方法としては、
例えば、まず、ゲート絶縁膜２上に半導体層を形成し、
次に、半導体層の水素濃度を下げるために高温処理の脱
水素工程を行い、エキシマレーザによる結晶化を行い、
半導体層をポリシリコン膜に変換する。なお、水素濃度
が１atom％以下である場合、脱水素工程は省いても良
い。また、膜質を安定化させるために、ゲート絶縁膜と
半導体層とは連続成膜することが好ましい。
【００２４】次に、ソース領域及びドレイン領域への不
純物ドーピング時の注入防止のため、チャンネル部とな
るポリシリコン膜３の上にストッパ４をゲートＧに対し
て自己整合的に形成する。ここで、ストッパ４は、ゲー
ト絶縁膜２上に酸化シリコンからなるストッパ膜を成膜
し、その上にレジストを塗布し、このレジスト層をゲー
トＧをマスクとして裏面露光することにより、ゲートＧ
と自己整合的にチャンネル形成部分にレジストをパター
ニングし、さらにこのレジストをマスクとしてストッパ
膜をエッチングし、チャンネル形成部分にストッパ膜を
残すことにより形成する。
純物ドーピング時の注入防止のため、チャンネル部とな
るポリシリコン膜３の上にストッパ４をゲートＧに対し
て自己整合的に形成する。ここで、ストッパ４は、ゲー
ト絶縁膜２上に酸化シリコンからなるストッパ膜を成膜
し、その上にレジストを塗布し、このレジスト層をゲー
トＧをマスクとして裏面露光することにより、ゲートＧ
と自己整合的にチャンネル形成部分にレジストをパター
ニングし、さらにこのレジストをマスクとしてストッパ
膜をエッチングし、チャンネル形成部分にストッパ膜を
残すことにより形成する。
【００２５】その後、イオンインプランテーション法や
イオンドーピング法を用いてソース領域及びドレイン領
域に不純物ドーピングを行って、ソースＳ及びドレイン
Ｄを形成する。そして、ポリシリコン膜をフォトレジス
ト工程とエッチング工程を用いてアイランド状に分離
し、ＴＦＴを形成する。なお、以上のＴＦＴの形成方法
は、低温ポリシリコン薄膜トランジスタの形成方法であ
るが、本発明の製造方法は、アモルファスシリコン薄膜
トランジスタを形成する場合にも同様に適用される。
イオンドーピング法を用いてソース領域及びドレイン領
域に不純物ドーピングを行って、ソースＳ及びドレイン
Ｄを形成する。そして、ポリシリコン膜をフォトレジス
ト工程とエッチング工程を用いてアイランド状に分離
し、ＴＦＴを形成する。なお、以上のＴＦＴの形成方法
は、低温ポリシリコン薄膜トランジスタの形成方法であ
るが、本発明の製造方法は、アモルファスシリコン薄膜
トランジスタを形成する場合にも同様に適用される。
【００２６】次に、反射電極１０の形成工程として、次
の工程（Ａ）〜（Ｅ）を行う。
の工程（Ａ）〜（Ｅ）を行う。
【００２７】工程（Ａ） ＣＶＤ法又はスパッタ法によ
り、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、これらの積層膜
等の無機絶縁物質からなる層間絶縁膜５を形成する（図
１（ｂ））。
り、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、これらの積層膜
等の無機絶縁物質からなる層間絶縁膜５を形成する（図
１（ｂ））。
【００２８】工程（Ｂ） 層間絶縁膜５にフォトレジス
ト層６を形成する。
ト層６を形成する。
【００２９】工程（Ｃ） フォトレジスト層６をフォト
リソグラフ法によりパターニングする（図１（ｃ））。
この場合、ソースＳ又はドレインＤ上の層間絶縁膜５に
形成するコンタクトホールＨ1の形成部位と画素の透過
部Ｔに対応したフォトレジスト層６は完全に除去でき、
反射電極の形成部位に対応したフォトレジスト層６には
表面凹凸が形成されるように、フォトレジスト層６のフ
ォトマスクとして、反射電極の形成部位にステッパーの
解像度限界以下のパターンが形成されているマスクを使
用する。
リソグラフ法によりパターニングする（図１（ｃ））。
この場合、ソースＳ又はドレインＤ上の層間絶縁膜５に
形成するコンタクトホールＨ1の形成部位と画素の透過
部Ｔに対応したフォトレジスト層６は完全に除去でき、
反射電極の形成部位に対応したフォトレジスト層６には
表面凹凸が形成されるように、フォトレジスト層６のフ
ォトマスクとして、反射電極の形成部位にステッパーの
解像度限界以下のパターンが形成されているマスクを使
用する。
【００３０】フォトマスクのより具体的な形状は、フォ
トマスクのパターンと、フォトレジスト層の膜厚の減少
量と露光時間との関係を実験的に求めることにより定め
ることができる。例えば、ステッパーで図５に示すよう
なライン／スペース（以下、Ｌ／Ｓと略する）のパター
ンを露光する場合、フォトレジスト層の膜厚の減少量と
露光時間との関係は、図６に示すように、Ｌ／Ｓに応じ
て変化する。なお、図６において、グラフ枠外のWindow
は、Ｓが露光機の解像度以上である場合を示しており、
×等の符号の右側の数値は、Ｌ（μｍ）／Ｓ（μｍ）を
示している。図６から、フォトレジスト層のコンタクト
ホールの形成部位が完全に開口する露光量が１２００ｓ
ｅｃの場合、Ｌ＝０．２５μｍ、Ｓ＝０．５０μｍに選
ぶと、フォトレジスト層の膜厚の減少量を０．６μｍに
できることがわかる。
トマスクのパターンと、フォトレジスト層の膜厚の減少
量と露光時間との関係を実験的に求めることにより定め
ることができる。例えば、ステッパーで図５に示すよう
なライン／スペース（以下、Ｌ／Ｓと略する）のパター
ンを露光する場合、フォトレジスト層の膜厚の減少量と
露光時間との関係は、図６に示すように、Ｌ／Ｓに応じ
て変化する。なお、図６において、グラフ枠外のWindow
は、Ｓが露光機の解像度以上である場合を示しており、
×等の符号の右側の数値は、Ｌ（μｍ）／Ｓ（μｍ）を
示している。図６から、フォトレジスト層のコンタクト
ホールの形成部位が完全に開口する露光量が１２００ｓ
ｅｃの場合、Ｌ＝０．２５μｍ、Ｓ＝０．５０μｍに選
ぶと、フォトレジスト層の膜厚の減少量を０．６μｍに
できることがわかる。
【００３１】このように実験的にフォトレジスト層の膜
厚の減少量を求める場合に、図５のＬ／Ｓのパターンに
代えて、図７に示すようなドットパターンを用いてもよ
い。
厚の減少量を求める場合に、図５のＬ／Ｓのパターンに
代えて、図７に示すようなドットパターンを用いてもよ
い。
【００３２】この他、フォトマスクのより具体的な形状
は、光学系の定数から計算することができ、フォトマス
クの実効透過率によって、フォトレジスト層の膜厚を制
御することができる。
は、光学系の定数から計算することができ、フォトマス
クの実効透過率によって、フォトレジスト層の膜厚を制
御することができる。
【００３３】フォトマスクの実際のパターンとしては、
ステッパーが解像できないパターンを段階的又は連続的
に設ける。例えば、図８のフォトマスク２０に示したよ
うに、露光によりフォトレジスト層を完全に開口させる
部分２１と、フォトレジスト層に表面凹凸を形成する部
分を形成する場合に、表面凹凸を形成する個々のパター
ン部分２２は、図９（ａ）に示すパターン２２ａのよう
に、ステッパーが解像できない細かい複数の同心円状の
環状パターンとすることができる。このようなフォトマ
スクを用いてフォトレジスト層を露光し、現像すること
により、フォトレジスト層に、完全に開口した部分と表
面凹凸形状が形成された部分とを作ることができるが、
現像後、さらに加熱しリフローすることにより、図９
（ｂ）に示すように、フォトレジスト層６の表面凹凸を
形成する個々のパターンの形状を滑らかにすることがで
きる。
ステッパーが解像できないパターンを段階的又は連続的
に設ける。例えば、図８のフォトマスク２０に示したよ
うに、露光によりフォトレジスト層を完全に開口させる
部分２１と、フォトレジスト層に表面凹凸を形成する部
分を形成する場合に、表面凹凸を形成する個々のパター
ン部分２２は、図９（ａ）に示すパターン２２ａのよう
に、ステッパーが解像できない細かい複数の同心円状の
環状パターンとすることができる。このようなフォトマ
スクを用いてフォトレジスト層を露光し、現像すること
により、フォトレジスト層に、完全に開口した部分と表
面凹凸形状が形成された部分とを作ることができるが、
現像後、さらに加熱しリフローすることにより、図９
（ｂ）に示すように、フォトレジスト層６の表面凹凸を
形成する個々のパターンの形状を滑らかにすることがで
きる。
【００３４】フォトマスクのパターンとしては、反射電
極の反射率を特定方向で高くする表面凹凸が層間絶縁膜
５に形成されるように、その表面凹凸の形状に対応した
特定のパターンとしてもよい。例えば、図１０（ａ）に
示すように、複数の環状パターンを偏心させる。このフ
ォトマスクを用いてフォトレジスト層６を露光し、現像
し、さらに必要に応じてリフローすることにより、図１
０（ｂ）に示すように、フォトレジスト層６の表面凹凸
を形成する個々のパターンの形状において、一方の側面
の傾斜を急にし、他方の側面の傾斜を緩やかにすること
ができる。
極の反射率を特定方向で高くする表面凹凸が層間絶縁膜
５に形成されるように、その表面凹凸の形状に対応した
特定のパターンとしてもよい。例えば、図１０（ａ）に
示すように、複数の環状パターンを偏心させる。このフ
ォトマスクを用いてフォトレジスト層６を露光し、現像
し、さらに必要に応じてリフローすることにより、図１
０（ｂ）に示すように、フォトレジスト層６の表面凹凸
を形成する個々のパターンの形状において、一方の側面
の傾斜を急にし、他方の側面の傾斜を緩やかにすること
ができる。
【００３５】また、反射電極の反射率は、図１１に示す
ようにフォトレジスト層６に形成するパターンの段差に
依存し、パターンの段差は、フォトマスクのパターン形
状、露光量等によるので、フォトマスクのパターンやフ
ォトレジスト層６の露光量は、反射電極が所定の反射率
を得られる段差に形成されるように適宜設定する。
ようにフォトレジスト層６に形成するパターンの段差に
依存し、パターンの段差は、フォトマスクのパターン形
状、露光量等によるので、フォトマスクのパターンやフ
ォトレジスト層６の露光量は、反射電極が所定の反射率
を得られる段差に形成されるように適宜設定する。
【００３６】こうしてパターニングしたフォトレジスト
層６をエッチングマスクとして、層間絶縁膜５をドライ
エッチングすると、フォトレジスト層６の形状は、層間
絶縁膜５に転写される。そこで、次の工程（Ｄ）を行
う。
層６をエッチングマスクとして、層間絶縁膜５をドライ
エッチングすると、フォトレジスト層６の形状は、層間
絶縁膜５に転写される。そこで、次の工程（Ｄ）を行
う。
【００３７】工程（Ｄ） 上述の工程（Ｃ）でパターニ
ングしたフォトレジスト層を６エッチングマスクとし
て、コンタクトホールＨ1の形成部位及び画素の透過部
の層間絶縁膜は完全に開口し、反射電極の形成部位の層
間絶縁膜には表面凹凸が形成されるように、ＲＩＥ法又
はＩＣＰ法等のレジスト後退法のドライエッチング法に
より層間絶縁膜５をエッチングする（図１（ｄ））。
ングしたフォトレジスト層を６エッチングマスクとし
て、コンタクトホールＨ1の形成部位及び画素の透過部
の層間絶縁膜は完全に開口し、反射電極の形成部位の層
間絶縁膜には表面凹凸が形成されるように、ＲＩＥ法又
はＩＣＰ法等のレジスト後退法のドライエッチング法に
より層間絶縁膜５をエッチングする（図１（ｄ））。
【００３８】工程（Ｄ）で層間絶縁膜５を形成した後
は、反射電極１０の表面凹凸形状を形成するために、さ
らに絶縁膜を積層することは不要である。したがって、
次の工程（Ｅ）により反射電極１０を形成する。
は、反射電極１０の表面凹凸形状を形成するために、さ
らに絶縁膜を積層することは不要である。したがって、
次の工程（Ｅ）により反射電極１０を形成する。
【００３９】工程（Ｅ） Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ合金、Ａｇ
合金等の反射率の高い金属をスパッタ法等を用いて成膜
することにより金属膜１１を形成し、次いでフォトリソ
グラフ法によりパターニングし、エッチングすることに
より、コンタクトホールＨ1を介してソースＳと導通す
るソース電極Ｓ1と信号配線、及びコンタクトホールＨ1
を介してドレインＤと導通するドレイン電極Ｄ1と反射
電極１０を同時に形成する（図１（ｅ））。この場合、
金属膜１１としては、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ合金、Ａｇ合金
等の反射率の高い導電性膜とＣｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ等の
金属膜との多層構造としてもよい。
合金等の反射率の高い金属をスパッタ法等を用いて成膜
することにより金属膜１１を形成し、次いでフォトリソ
グラフ法によりパターニングし、エッチングすることに
より、コンタクトホールＨ1を介してソースＳと導通す
るソース電極Ｓ1と信号配線、及びコンタクトホールＨ1
を介してドレインＤと導通するドレイン電極Ｄ1と反射
電極１０を同時に形成する（図１（ｅ））。この場合、
金属膜１１としては、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ合金、Ａｇ合金
等の反射率の高い導電性膜とＣｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ等の
金属膜との多層構造としてもよい。
【００４０】反射電極１０を形成した後は、以下に示す
工程（１）〜（３）により、反射電極１０上に紫外線反
応型の液晶配向膜が形成されている液晶表示装置を次の
ように製造する。
工程（１）〜（３）により、反射電極１０上に紫外線反
応型の液晶配向膜が形成されている液晶表示装置を次の
ように製造する。
【００４１】工程（１） 反射電極１０上に、保護膜１
２を、反射電極１０の表面凹凸の段差を解消するように
形成する。この保護膜１２は、可視光に対しては透明で
あるが、紫外線を吸収する材料から形成する。保護膜１
２の具体的な形成材料としては、例えば、ＪＳＲ社製４
０５Ｇ、４１５Ｇ、４２０Ｇ等の有機系のフォトレジス
ト材料を使用することができる。図１４に、これらのフ
ォトレジスト材料の透過特性を示す。
２を、反射電極１０の表面凹凸の段差を解消するように
形成する。この保護膜１２は、可視光に対しては透明で
あるが、紫外線を吸収する材料から形成する。保護膜１
２の具体的な形成材料としては、例えば、ＪＳＲ社製４
０５Ｇ、４１５Ｇ、４２０Ｇ等の有機系のフォトレジス
ト材料を使用することができる。図１４に、これらのフ
ォトレジスト材料の透過特性を示す。
【００４２】保護膜１２には、フォトリソグラフ工程に
より、ドレイン電極Ｄ1の形成部位に対応したコンタク
トホールＨ2と、画素の透過部Ｔに対応した開口部をパ
ターニングする（図１（ｆ））。
より、ドレイン電極Ｄ1の形成部位に対応したコンタク
トホールＨ2と、画素の透過部Ｔに対応した開口部をパ
ターニングする（図１（ｆ））。
【００４３】保護膜１２の厚さは、液晶表示セルのセル
ギャップが画素の透過部で１／２λ、反射部で１／４λ
となるように設定することが好ましい。なお、このよう
な液晶表示セルのセルギャップは、画面を明るくする点
から一般に要請されているが、本発明においては、保護
膜１２の厚さを調整することにより、容易にかかるセル
ギャップに形成することができる。
ギャップが画素の透過部で１／２λ、反射部で１／４λ
となるように設定することが好ましい。なお、このよう
な液晶表示セルのセルギャップは、画面を明るくする点
から一般に要請されているが、本発明においては、保護
膜１２の厚さを調整することにより、容易にかかるセル
ギャップに形成することができる。
【００４４】本発明においては、工程（１）で保護膜１
２を形成した後は、工程（２）で保護膜１２上に紫外線
反応型の液晶配向膜用組成物を塗布するが、好ましく
は、工程（２）で紫外線反応型の液晶配向膜用組成物を
塗布する前に、図１（ｇ）に示すように、保護膜１２上
に透明導電膜９を、画素の透過部Ｔと画素の反射部Ｒを
含むパターンとなるように形成し、画素の透過部Ｔの透
明電極を形成すると共に、透明導電膜９が反射電極１０
を覆い、かつこの透明導電膜９が、コンタクトホールＨ
2を介して反射電極１０と電気的に導電位に接続される
ようにする。透明導電膜９のパターンは、画素の透過
部、及び画素の透過部と反射部とのコンタクト部にのみ
形成してもよいが、上述のように、透明導電膜９を、反
射電極１０を覆うように形成し、透明導電膜９と反射電
極１０とを電気的に導電位に接続することにより、液晶
表示セルにおいて、反射電極１０を形成するＡｇが対向
基板に転写される、所謂、焼付現象を防止できる。
２を形成した後は、工程（２）で保護膜１２上に紫外線
反応型の液晶配向膜用組成物を塗布するが、好ましく
は、工程（２）で紫外線反応型の液晶配向膜用組成物を
塗布する前に、図１（ｇ）に示すように、保護膜１２上
に透明導電膜９を、画素の透過部Ｔと画素の反射部Ｒを
含むパターンとなるように形成し、画素の透過部Ｔの透
明電極を形成すると共に、透明導電膜９が反射電極１０
を覆い、かつこの透明導電膜９が、コンタクトホールＨ
2を介して反射電極１０と電気的に導電位に接続される
ようにする。透明導電膜９のパターンは、画素の透過
部、及び画素の透過部と反射部とのコンタクト部にのみ
形成してもよいが、上述のように、透明導電膜９を、反
射電極１０を覆うように形成し、透明導電膜９と反射電
極１０とを電気的に導電位に接続することにより、液晶
表示セルにおいて、反射電極１０を形成するＡｇが対向
基板に転写される、所謂、焼付現象を防止できる。
【００４５】透明導電膜９は、例えば、ＩＴＯをスパッ
タ法により成膜し、フォトリソグラフ工程とエッチング
工程によりパターニングすることにより形成する。
タ法により成膜し、フォトリソグラフ工程とエッチング
工程によりパターニングすることにより形成する。
【００４６】透明導電膜９の形成後、工程（２）とし
て、図１（ｈ）に示すように、紫外線反応型の液晶配向
膜用組成物の塗膜３１を形成する。
て、図１（ｈ）に示すように、紫外線反応型の液晶配向
膜用組成物の塗膜３１を形成する。
【００４７】紫外線反応型の液晶配向膜用組成物として
は、例えば、米国特許第５７３１４０５号明細書に開示
されているポリイミド型光配向材料であるポリアミック
酸系高分子材料を使用することができる。この塗膜３１
の厚さは、通常０．０２〜０．０８μｍとする。
は、例えば、米国特許第５７３１４０５号明細書に開示
されているポリイミド型光配向材料であるポリアミック
酸系高分子材料を使用することができる。この塗膜３１
の厚さは、通常０．０２〜０．０８μｍとする。
【００４８】工程（３） 工程（２）で形成した塗膜３
１に、偏光紫外線Ｌを基板面に対して斜め方向から照射
することにより、液晶配向膜３２の形成されたＴＦＴ基
板を得る（図１（ｉ））。
１に、偏光紫外線Ｌを基板面に対して斜め方向から照射
することにより、液晶配向膜３２の形成されたＴＦＴ基
板を得る（図１（ｉ））。
【００４９】偏光紫外線の照射は、液晶の配向方向を規
制する第１照射と、プレチルト角を発現させる第２照射
の２回にわたって行うことが好ましい。
制する第１照射と、プレチルト角を発現させる第２照射
の２回にわたって行うことが好ましい。
【００５０】第１照射における偏光紫外線Ｌの照射角
度、コントラスト低下の防止のため、基板面に対する照
射角θが、４０°≦θ＜９０°となるようにすることが
好ましい。また、第２照射は、第１照射に対して、基板
面を４５〜９０°回転させて行うことが好ましい。第２
照射の照射角度は、基板面に対する照射角θが、４０°
≦θ＜９０°となるようにすることが好ましい。この範
囲をはずれるとプレチルト角が小さくなる。
度、コントラスト低下の防止のため、基板面に対する照
射角θが、４０°≦θ＜９０°となるようにすることが
好ましい。また、第２照射は、第１照射に対して、基板
面を４５〜９０°回転させて行うことが好ましい。第２
照射の照射角度は、基板面に対する照射角θが、４０°
≦θ＜９０°となるようにすることが好ましい。この範
囲をはずれるとプレチルト角が小さくなる。
【００５１】本発明においては、紫外線反応型の液晶配
向膜用組成物の塗膜３１が、反射電極１０上にあるにも
かかわらず、保護膜１２により平坦に形成されているた
め、偏光紫外線Ｌは紫外線反応型の液晶配向膜用組成物
の塗膜３１を一定の入射角で照射する。
向膜用組成物の塗膜３１が、反射電極１０上にあるにも
かかわらず、保護膜１２により平坦に形成されているた
め、偏光紫外線Ｌは紫外線反応型の液晶配向膜用組成物
の塗膜３１を一定の入射角で照射する。
【００５２】また、偏光紫外線Ｌは、この塗膜３１と保
護膜１２を透過し、反射電極１０で反射されるが、偏光
紫外線は保護膜１２で吸収されるので、反射電極１０か
らの反射光には偏光紫外線は含まれない。したがって、
塗膜３１での再照射現象を防止することができる。よっ
て、本発明によれば安定した液晶配向膜３２を得ること
ができる。
護膜１２を透過し、反射電極１０で反射されるが、偏光
紫外線は保護膜１２で吸収されるので、反射電極１０か
らの反射光には偏光紫外線は含まれない。したがって、
塗膜３１での再照射現象を防止することができる。よっ
て、本発明によれば安定した液晶配向膜３２を得ること
ができる。
【００５３】一方、カラーフィルタと対向透明電極が形
成された対向基板にも同様に紫外線反応型の液晶配向膜
を形成する。そして、前述の液晶配向膜３２を形成した
ＴＦＴ基板と対向基板とが適当なギャップを保つように
ギャップ材を使用して双方の基板をシール材で貼り合わ
せ、液晶を注入し、封止することにより液晶表示装置を
得る。
成された対向基板にも同様に紫外線反応型の液晶配向膜
を形成する。そして、前述の液晶配向膜３２を形成した
ＴＦＴ基板と対向基板とが適当なギャップを保つように
ギャップ材を使用して双方の基板をシール材で貼り合わ
せ、液晶を注入し、封止することにより液晶表示装置を
得る。
【００５４】以上、半透過型液晶表示を行う液晶表示装
置の製造方法を、反射電極１０を工程（Ａ）〜（Ｅ）に
よって形成し、その上に紫外線反応型の液晶配向膜３２
を工程（１）〜（３）によって形成する場合について説
明したが、本発明は、図１２に示した従来の方法で反射
電極を形成し、その上に紫外線反応型の液晶配向膜を形
成する場合にも適用することができる。
置の製造方法を、反射電極１０を工程（Ａ）〜（Ｅ）に
よって形成し、その上に紫外線反応型の液晶配向膜３２
を工程（１）〜（３）によって形成する場合について説
明したが、本発明は、図１２に示した従来の方法で反射
電極を形成し、その上に紫外線反応型の液晶配向膜を形
成する場合にも適用することができる。
【００５５】この場合、画素の反射部Ｒに反射電極１０
が形成され、透過部Ｔに透明導電膜９からなる透明電極
が形成されている基板（図１２（ｉ））に対し、図２
（ａ）に示すように、可視光に対して透明で、紫外線を
吸収する材料からなる保護膜１２を、反射電極１０の表
面凹凸の段差を解消するように形成する。次いで、紫外
線反応型の液晶配向膜用組成物の塗膜３１を形成し（図
２（ｂ））、偏光紫外線Ｌを照射することにより液晶配
向膜３２を形成する（図２（ｃ））。
が形成され、透過部Ｔに透明導電膜９からなる透明電極
が形成されている基板（図１２（ｉ））に対し、図２
（ａ）に示すように、可視光に対して透明で、紫外線を
吸収する材料からなる保護膜１２を、反射電極１０の表
面凹凸の段差を解消するように形成する。次いで、紫外
線反応型の液晶配向膜用組成物の塗膜３１を形成し（図
２（ｂ））、偏光紫外線Ｌを照射することにより液晶配
向膜３２を形成する（図２（ｃ））。
【００５６】また、本発明は、画素の反射部Ｒに反射電
極を有し、画素の透過部Ｔに透明電極を有する半透過型
液晶表示装置だけでなく、画素電極として、反射電極の
みが形成されている反射型液晶表示装置にも同様に適用
することができる。
極を有し、画素の透過部Ｔに透明電極を有する半透過型
液晶表示装置だけでなく、画素電極として、反射電極の
みが形成されている反射型液晶表示装置にも同様に適用
することができる。
【００５７】この場合、反射型液晶表示装置の反射電極
１０の形成方法は、図１に示した半透過型液晶表示装置
の製造方法における、工程（Ａ）〜（Ｅ）の反射電極１
０の形成方法に準じることができる。これにより、図３
に示すように、反射電極１０上に、保護膜１２が、反射
電極１０の表面凹凸を解消するように形成され、この保
護膜１２上に紫外線反応型の液晶配向膜３２を有するＴ
ＦＴ基板を製造することができる。
１０の形成方法は、図１に示した半透過型液晶表示装置
の製造方法における、工程（Ａ）〜（Ｅ）の反射電極１
０の形成方法に準じることができる。これにより、図３
に示すように、反射電極１０上に、保護膜１２が、反射
電極１０の表面凹凸を解消するように形成され、この保
護膜１２上に紫外線反応型の液晶配向膜３２を有するＴ
ＦＴ基板を製造することができる。
【００５８】また、反射型液晶表示装置の反射電極１０
の形成方法は、図１２に示したように、反射電極１０の
下層の絶縁層を三層積層構成（層間絶縁膜５、フォトレ
ジスト材料からなる第一層７、第二層８）とする方法に
よってもよい。この場合には、図４に示すように、反射
電極１０上に保護膜１２が形成され、さらに保護膜１２
上に紫外線反応型の液晶配向膜３２を有するＴＦＴ基板
を製造することができる。
の形成方法は、図１２に示したように、反射電極１０の
下層の絶縁層を三層積層構成（層間絶縁膜５、フォトレ
ジスト材料からなる第一層７、第二層８）とする方法に
よってもよい。この場合には、図４に示すように、反射
電極１０上に保護膜１２が形成され、さらに保護膜１２
上に紫外線反応型の液晶配向膜３２を有するＴＦＴ基板
を製造することができる。
【００５９】以上、図面を参照しつつ本発明を説明した
が、本発明は、さらに種々の態様をとることができる。
例えば、図では、ボトムゲート構造のＴＦＴを画素構造
に有する液晶表示装置について示したが、本発明は、ト
ップゲート構造のＴＦＴを画素構造に有する液晶表示装
置にも同様に適用することができる。また、アクティブ
マトリクス型液晶表示装置だけでなく、パッシブ型液晶
表示装置にも適用することができる。
が、本発明は、さらに種々の態様をとることができる。
例えば、図では、ボトムゲート構造のＴＦＴを画素構造
に有する液晶表示装置について示したが、本発明は、ト
ップゲート構造のＴＦＴを画素構造に有する液晶表示装
置にも同様に適用することができる。また、アクティブ
マトリクス型液晶表示装置だけでなく、パッシブ型液晶
表示装置にも適用することができる。
【００６０】
【発明の効果】本発明によれば、液晶表示装置に紫外線
反応型の液晶配向膜を設けるので、メカニカルラビング
法による液晶配向膜を設ける場合のような、発塵による
汚染、欠陥、摩擦による静電ダメージ等がなく、歩留ま
りが向上する。
反応型の液晶配向膜を設けるので、メカニカルラビング
法による液晶配向膜を設ける場合のような、発塵による
汚染、欠陥、摩擦による静電ダメージ等がなく、歩留ま
りが向上する。
【００６１】さらに、保護膜が反射電極の表面凹凸を平
坦化し、かつ保護膜が反射電極からの反射光による再照
射現象を防止するので、光配向技術によって反射電極上
に液晶配向膜を形成するにもかかわらず、液晶に所期の
プレチルト角を実現し、表示品質の優れた画像を形成す
ることが可能となる。
坦化し、かつ保護膜が反射電極からの反射光による再照
射現象を防止するので、光配向技術によって反射電極上
に液晶配向膜を形成するにもかかわらず、液晶に所期の
プレチルト角を実現し、表示品質の優れた画像を形成す
ることが可能となる。
【図１】 本発明の液晶表示装置の製造方法の工程説明
図である。
図である。
【図２】 本発明の液晶表示装置の製造方法の工程説明
図である。
図である。
【図３】 本発明の製造方法により得られるＴＦＴ基板
の断面図である。
の断面図である。
【図４】 本発明の製造方法により得られるＴＦＴ基板
の断面図である。
の断面図である。
【図５】 Ｌ／Ｓパターンを有するフォトマスクの平面
図である。
図である。
【図６】 フォトレジスト層のフォトリソグラフ工程に
おける、フォトマスクのＬ／Ｓと、露光時間と、フォト
レジスト層の膜厚の減少量との関係図である。
おける、フォトマスクのＬ／Ｓと、露光時間と、フォト
レジスト層の膜厚の減少量との関係図である。
【図７】 ドットパターンを有するフォトマスクの平面
図である。
図である。
【図８】 フォトレジスト層に使用するフォトマスクの
平面図である。
平面図である。
【図９】 フォトレジスト層に表面凹凸を形成するフォ
トマスクのパターンの平面図（同図（ａ））及びそのマ
スクを用いて形成されるフォトレジスト層の表面凹凸の
側面図（同図（ｂ））である。
トマスクのパターンの平面図（同図（ａ））及びそのマ
スクを用いて形成されるフォトレジスト層の表面凹凸の
側面図（同図（ｂ））である。
【図１０】 フォトレジスト層に表面凹凸を形成するフ
ォトマスクのパターンの平面図（同図（ａ））及びその
マスクを用いて形成されるフォトレジスト層の表面凹凸
の側面図（同図（ｂ））である。
ォトマスクのパターンの平面図（同図（ａ））及びその
マスクを用いて形成されるフォトレジスト層の表面凹凸
の側面図（同図（ｂ））である。
【図１１】 反射電極の表面凹凸の段差と反射率との関
係図である。
係図である。
【図１２】 従来のアクティブマトリクス型半透過型液
晶表示装置の製造工程図である。
晶表示装置の製造工程図である。
【図１３】 従来の反射電極とその上に設けた紫外線反
応型の液晶配向膜用組成物塗膜の作用の説明図である。
応型の液晶配向膜用組成物塗膜の作用の説明図である。
【図１４】 保護膜を形成するフォトレジスト材料の透
過率特性図である。
過率特性図である。
１…透明基板、 ２…ゲート絶縁膜、 ３…ポリシリコ
ン膜、 ４…ストッパ、 ５…層間絶縁膜、 ６…フォ
トレジスト層、 ７…第一層、 ８…第二層、９…透明
導電膜、 １０…反射電極、 １１…金属膜、 １２…
保護膜、 ２０…フォトマスク、３０…メカニカルラビ
ングによる液晶配向膜、３１…紫外線反応型の液晶配向
膜用組成物の塗膜、 ３２…紫外線反応型の液晶配向
膜、 Ｄ…ドレイン、 Ｄ1…ドレイン電極、 Ｇ…ゲ
ート、 Ｓ…ソース、 Ｓ1…ソース電極、 Ｔ…層間
絶縁膜の開口部
ン膜、 ４…ストッパ、 ５…層間絶縁膜、 ６…フォ
トレジスト層、 ７…第一層、 ８…第二層、９…透明
導電膜、 １０…反射電極、 １１…金属膜、 １２…
保護膜、 ２０…フォトマスク、３０…メカニカルラビ
ングによる液晶配向膜、３１…紫外線反応型の液晶配向
膜用組成物の塗膜、 ３２…紫外線反応型の液晶配向
膜、 Ｄ…ドレイン、 Ｄ1…ドレイン電極、 Ｇ…ゲ
ート、 Ｓ…ソース、 Ｓ1…ソース電極、 Ｔ…層間
絶縁膜の開口部
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３０ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３０Ｚ Ｆターム(参考） 2H090 HA03 HB07Y HC13 HD03 HD14 LA01 LA20 MA10 MB12 2H091 FA16Y FA31Y FC03 FC10 FC23 GA02 GA06 GA07 GA16 2H092 HA05 JA26 JA37 JB07 JB08 JB58 KA04 KA12 KB25 MA05 MA06 MA07 MA13 MA27 MA30 NA04 NA27 PA02 PA12 5C094 AA02 AA42 BA03 BA43 CA19 EA04 EA05 EA06 HA10 5G435 AA01 AA17 BB12 BB16 FF03 GG16 KK05
Claims (8)
- 【請求項１】 駆動基板に、表面凹凸が形成された反射
拡散板形状の反射電極が設けられ、その反射電極上に紫
外線反応型の液晶配向膜が形成されている液晶表示装置
を製造する方法であって、次の工程（１）〜（３）、
（１）駆動基板上の反射電極上に、可視光に対して透明
で、紫外線を吸収する材料からなる保護膜を、反射電極
の表面凹凸の段差を解消するように形成する工程、
（２）保護膜上に紫外線反応型の液晶配向膜用組成物を
塗布する工程、（３）液晶配向膜用組成物の塗膜に偏光
紫外線を基板面に対して斜め方向から照射することによ
り液晶配向膜を形成する工程、を行うことを特徴とする
液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２】 工程（３）において、紫外線の照射角θ
を、基板面に対して４０°≦θ＜９０°とする請求項１
記載の製造方法。 - 【請求項３】 工程（１）で保護膜を形成した後、工程
（２）の液晶配向膜用組成物の塗布の前に、保護膜上に
透明導電膜を、反射電極を覆うようにかつ反射電極と電
気的に導電位になるように形成し、その透明導電膜上に
工程（２）の液晶配向膜用組成物を塗布する請求項１又
は２記載の製造方法。 - 【請求項４】 駆動基板に画素の反射部の画素電極とし
て反射電極を形成し、画素の透過部の画素電極として透
明導電膜からなる透明電極を形成し、半透過型液晶表示
を行う液晶表示装置を製造する請求項１記載の製造方
法。 - 【請求項５】 駆動基板に画素電極として反射電極のみ
を形成し、反射型液晶表示を行う液晶表示装置を製造す
る請求項１記載の製造方法。 - 【請求項６】 駆動基板に、表面凹凸が形成された反射
拡散板形状の反射電極が設けられ、その反射電極上に紫
外線反応型の液晶配向膜が形成されている液晶表示装置
であって、可視光に対して透明で、紫外線を吸収する材
料からなる保護膜が、反射電極の表面凹凸の段差を解消
するように形成されており、その保護膜上に紫外線反応
型の液晶配向膜が形成されている液晶表示装置。 - 【請求項７】 駆動基板に、画素の反射部の画素電極と
して反射電極が形成され、画素の透過部の画素電極とし
て、透明導電膜からなる透明電極が形成され、半透過型
液晶表示を行う請求項６記載の液晶表示装置。 - 【請求項８】 駆動基板上に画素電極として反射電極の
みが形成され、反射型液晶表示を行う請求項６記載の液
晶表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000284292A JP4560924B2 (ja) | 2000-09-19 | 2000-09-19 | 液晶表示装置 |
| US09/951,681 US6822708B2 (en) | 2000-09-19 | 2001-09-13 | Liquid crystal display device |
| KR1020010057499A KR100838093B1 (ko) | 2000-09-19 | 2001-09-18 | 액정 표시 장치 |
| TW090123037A TW562960B (en) | 2000-09-19 | 2001-09-19 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000284292A JP4560924B2 (ja) | 2000-09-19 | 2000-09-19 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JP2002090742A true JP2002090742A (ja) | 2002-03-27 |
| JP4560924B2 JP4560924B2 (ja) | 2010-10-13 |
Family
ID=18768534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000284292A Expired - Fee Related JP4560924B2 (ja) | 2000-09-19 | 2000-09-19 | 液晶表示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6822708B2 (ja) |
| JP (1) | JP4560924B2 (ja) |
| KR (1) | KR100838093B1 (ja) |
| TW (1) | TW562960B (ja) |
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| US7106404B2 (en) | 2003-01-24 | 2006-09-12 | Seiko Epson Corporation | Transflective liquid crystal display device having surface roughness in the transmissive area and homeotropic alignment |
| JP2005010411A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Sony Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
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| JP2007114258A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-05-10 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶装置及び電子機器 |
| KR100730224B1 (ko) | 2006-08-01 | 2007-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| JP2008070508A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-03-27 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及び電子機器 |
| US8576369B2 (en) | 2006-12-20 | 2013-11-05 | Japan Display West, Inc. | Liquid crystal display device and manufacturing method of liquid crystal display device |
| JP2012035548A (ja) * | 2010-08-09 | 2012-02-23 | Dainippon Printing Co Ltd | 発光媒体 |
| JP2012173534A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶光学素子及び液晶光学素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW562960B (en) | 2003-11-21 |
| US6822708B2 (en) | 2004-11-23 |
| US20020047966A1 (en) | 2002-04-25 |
| KR20020022582A (ko) | 2002-03-27 |
| JP4560924B2 (ja) | 2010-10-13 |
| KR100838093B1 (ko) | 2008-06-13 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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