JPS59172627A - 表示パネル - Google Patents
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- JPS59172627A JPS59172627A JP58048513A JP4851383A JPS59172627A JP S59172627 A JPS59172627 A JP S59172627A JP 58048513 A JP58048513 A JP 58048513A JP 4851383 A JP4851383 A JP 4851383A JP S59172627 A JPS59172627 A JP S59172627A
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- insulating film
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133357—Planarisation layers
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- G—PHYSICS
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、表示パネルに関し、特に薄膜トランジスタ（
以下、「ＴＰＴ」という）アレイを有する半導体駆動回
路基板を用いたアクティブマ） ＩＪクス型液晶表示パ
ネルに関するものである。
以下、「ＴＰＴ」という）アレイを有する半導体駆動回
路基板を用いたアクティブマ） ＩＪクス型液晶表示パ
ネルに関するものである。
この種の表示パネルとしては、例えば米国特許第３，８
４０，６９５号明細書や米国特許第３，８２４，００３
号明細誓等に於て開示されたものが知られている。この
表示パネルは一方に、薄膜構成の駆動用半導体アレイが
設けられた回路基板を用い、他方に電極形成した対向基
板を用い、液晶層を挟持してなる構成を採用している。
４０，６９５号明細書や米国特許第３，８２４，００３
号明細誓等に於て開示されたものが知られている。この
表示パネルは一方に、薄膜構成の駆動用半導体アレイが
設けられた回路基板を用い、他方に電極形成した対向基
板を用い、液晶層を挟持してなる構成を採用している。
この表示パネルでは、半導体駆動回路基板の半導体とし
てアモルファスシリコンを用いることが知られているが
、一般にアモルファスシリコンは光に対して高い感光性
を有しているために、光の入射によりＴＦＴアレイのオ
ン−オフ特性を低下させる不利益を生じている。このた
め、これまでにもＴＦＴアレイの上に絶縁膜を介して遮
光膜を形成させることが提案されている。
てアモルファスシリコンを用いることが知られているが
、一般にアモルファスシリコンは光に対して高い感光性
を有しているために、光の入射によりＴＦＴアレイのオ
ン−オフ特性を低下させる不利益を生じている。このた
め、これまでにもＴＦＴアレイの上に絶縁膜を介して遮
光膜を形成させることが提案されている。
前述の絶縁膜としてはアルミナや酸化チタンなどの金属
酸化物、窒化シリコンや二酸化シリコンなどのシリコン
化合物に代表される無機系絶縁膜が用いられている。こ
の理由としては、アモルファスシリコンが熱に対して不
安定であること、特に３００ ’ａ以上の温度に加熱さ
れるとアモルファスシリコン中の水素の離脱を生じ、ト
ランジスタ特性を劣化させることになっていたために、
比較的低温下での被膜形成が可能な蒸着法、スパッタリ
ング法、グロー放電分解法を用いることができるという
点からであった。
酸化物、窒化シリコンや二酸化シリコンなどのシリコン
化合物に代表される無機系絶縁膜が用いられている。こ
の理由としては、アモルファスシリコンが熱に対して不
安定であること、特に３００ ’ａ以上の温度に加熱さ
れるとアモルファスシリコン中の水素の離脱を生じ、ト
ランジスタ特性を劣化させることになっていたために、
比較的低温下での被膜形成が可能な蒸着法、スパッタリ
ング法、グロー放電分解法を用いることができるという
点からであった。
しかし、これらの無機系絶縁ｊ模は、複雑な門凸のある
トランジスタ基板を被う為に厚膜化が必要となり、厚膜
化に伴い膜歪みが大きくなり、クラック等の損傷が起こ
り易くなるという欠点があった。また、これらの無機系
絶縁膜は硬いため、電界効果型の液晶を用いた表示パネ
ルの作製にあたり、これらの表面で必要になる配向処理
として、これらの膜に直接一定方向への研磨処理を施し
て配向処理を行なうことが困難で、別途垂直配向剤や水
平配向剤を設け、さらにその表面を研磨処理により配向
性下地全得る事や別途斜方蒸着膜が必要となり、このた
めに工程が複雑になるという欠点があった。
トランジスタ基板を被う為に厚膜化が必要となり、厚膜
化に伴い膜歪みが大きくなり、クラック等の損傷が起こ
り易くなるという欠点があった。また、これらの無機系
絶縁膜は硬いため、電界効果型の液晶を用いた表示パネ
ルの作製にあたり、これらの表面で必要になる配向処理
として、これらの膜に直接一定方向への研磨処理を施し
て配向処理を行なうことが困難で、別途垂直配向剤や水
平配向剤を設け、さらにその表面を研磨処理により配向
性下地全得る事や別途斜方蒸着膜が必要となり、このた
めに工程が複雑になるという欠点があった。
一方、前述の絶縁膜を形成する際に有機樹脂を用いる方
法としてポリイミド樹脂が知られている。しかし、ポリ
イミド樹脂は、３５０°Ｃ以上の温度で加熱硬化させる
条件を必要とするため、絶縁膜としてポリイミド樹脂膜
を用いた半導体駆動回路基板は、そのトランジスタ特性
を大幅に劣化させてしまうという欠点を有している。し
かも、ポリイミド樹脂は可視光のうちブルー光を吸収す
る黄色の色調を有しているため、表示パネルが黄色味を
帯びてしまうなどの欠点を有している。
法としてポリイミド樹脂が知られている。しかし、ポリ
イミド樹脂は、３５０°Ｃ以上の温度で加熱硬化させる
条件を必要とするため、絶縁膜としてポリイミド樹脂膜
を用いた半導体駆動回路基板は、そのトランジスタ特性
を大幅に劣化させてしまうという欠点を有している。し
かも、ポリイミド樹脂は可視光のうちブルー光を吸収す
る黄色の色調を有しているため、表示パネルが黄色味を
帯びてしまうなどの欠点を有している。
本発明の目的は、前述の欠点を解消した表示パネル、特
にアクティブマトリクス型液晶表示パネルを提供するこ
とにある。
にアクティブマトリクス型液晶表示パネルを提供するこ
とにある。
本発明の別の目的は、改良されたトランジスタ特性をも
っＩｌｌ Ｆ ＩＩＩアレイを備えた表示パネルを提供
することにある。
っＩｌｌ Ｆ ＩＩＩアレイを備えた表示パネルを提供
することにある。
本発明の別の目的は、改良された表示性能を有する表示
パネルを提供することにある。
パネルを提供することにある。
本発明のかかる目的は、表示要素単位となる複数個の電
極と薄膜トランジスタアレイを設けた第１基板と対向電
極を設けた第２基板を有し、第１基板と第２基板の間に
電気−光学変調物質を有する表示パネルにおいて、前記
薄膜トランジスタアレイの上に３００°Ｃ以下の温度で
硬化された有機樹脂からなる絶縁膜を有し、且つ該絶縁
膜の上に前記薄膜トランジスタに入射する光線をさえぎ
る遮光膜を有する点に特徴を有している。
極と薄膜トランジスタアレイを設けた第１基板と対向電
極を設けた第２基板を有し、第１基板と第２基板の間に
電気−光学変調物質を有する表示パネルにおいて、前記
薄膜トランジスタアレイの上に３００°Ｃ以下の温度で
硬化された有機樹脂からなる絶縁膜を有し、且つ該絶縁
膜の上に前記薄膜トランジスタに入射する光線をさえぎ
る遮光膜を有する点に特徴を有している。
本発明では、前述有機絶縁膜を形成する事により、無機
絶縁膜を用いた場合の欠点を除失し、膜歪みがない、ま
た直接配向処理を施す事のできる膜を容易にコーティン
グで形成する事が可能になり、同時に表示基板の平滑化
、工程数の軽減、低コスト化も可能になった。
絶縁膜を用いた場合の欠点を除失し、膜歪みがない、ま
た直接配向処理を施す事のできる膜を容易にコーティン
グで形成する事が可能になり、同時に表示基板の平滑化
、工程数の軽減、低コスト化も可能になった。
また、３００ ’Ｏ以下の条件で硬化する透明な有機絶
縁膜であるために、ポリイミドの欠点を除去し、トラン
ジスタ特性を劣化させる事なく、且つ、黄色着色により
表示特性を損う事のない、安定で長寿命で鮮明な画像表
示が可能な表示装置を製作する事が可能になった。
縁膜であるために、ポリイミドの欠点を除去し、トラン
ジスタ特性を劣化させる事なく、且つ、黄色着色により
表示特性を損う事のない、安定で長寿命で鮮明な画像表
示が可能な表示装置を製作する事が可能になった。
本発明で用いる有機絶縁膜の具体例としては、次のよう
なものが挙げられる。
なものが挙げられる。
（１） フェノール樹脂、ポリエステルｍｌ 脂＋シ
リコ＞ ４ＭＪ 脂、ポリビニルアルコール、アクリル
植１１ｔ￥、ウレタン樹脂等の有機樹脂に必要に応じて
架橋剤（グリオキザールやマロンジアルデヒドなどのジ
アルデヒド類、エチレンジアミン２Ｐ−フェニレンジア
ミンなどのジアミン類）２重合剤（重クロム酸アンモニ
ウム、塩化マグネシウムなど）、増感剤等を添加したフ
ォトレジスト樹脂や熱硬化性樹脂を溶剤に溶解させて塗
布し、３００ ’ｃ以下、好ましくは５０°Ｃ〜２００
’ａ。
リコ＞ ４ＭＪ 脂、ポリビニルアルコール、アクリル
植１１ｔ￥、ウレタン樹脂等の有機樹脂に必要に応じて
架橋剤（グリオキザールやマロンジアルデヒドなどのジ
アルデヒド類、エチレンジアミン２Ｐ−フェニレンジア
ミンなどのジアミン類）２重合剤（重クロム酸アンモニ
ウム、塩化マグネシウムなど）、増感剤等を添加したフ
ォトレジスト樹脂や熱硬化性樹脂を溶剤に溶解させて塗
布し、３００ ’ｃ以下、好ましくは５０°Ｃ〜２００
’ａ。
特に好ましくは８０°Ｃ〜１８０ ’Ｃの温度での加熱
、紫外線や放射線等を単独もしくは併せて用いることに
より架橋や重合などにより硬化させて有機絶縁膜を形成
する方法； （２）ポリアミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート
、ポリスチレン等の熱可塑性樹１指溶液に必要に応じて
安定剤等を添加し、これを塗布した後に３００ ’Ｃ以
下、好ましくは５０°Ｃ〜２００°Ｃ１特に好ましくは
８０℃〜１８０°Ｃの温度で加熱乾燥して硬化させる事
により有機絶縁膜を形成する方法； （３）環化ポリイソプレン、環化ポリブタジェン等の合
成ゴム系樹脂に必要に応じて架橋剤、増感剤等を添加し
ゴム系フォトレジスト樹脂を溶剤に溶解させたものを塗
布し、３００ ’Ｏ以下、好ましくは５０℃〜２００°
Ｃ，、特に好ましくは８０℃〜１８０ ｃの温度での加
熱と紫外線や放射線等の照射によりフォトレジスト樹脂
を光硬化させて有機絶縁膜を形成する方法； 等がある。又、３００ ’Ｏ以下の条件で完全硬化が可
能で可視光に対し、透明な保護膜かつ配向処理可能な膜
として機能する有機絶縁膜であれば前記以外の樹脂の使
用も可能である。特に、本発明では活性水素を有する残
基（アセト酢酸エステル基など）を有するポリビニルア
ルコール樹脂にグリオキザールやマロンジアルデヒドな
どのジアルデヒド類やジメチロール化メラミンを加えた
熱硬化性樹脂あるいはゴム系フォトレジスト樹脂を用い
て形成した絶縁膜が望ましいトランジスタ特性を与える
ことができる。
、紫外線や放射線等を単独もしくは併せて用いることに
より架橋や重合などにより硬化させて有機絶縁膜を形成
する方法； （２）ポリアミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート
、ポリスチレン等の熱可塑性樹１指溶液に必要に応じて
安定剤等を添加し、これを塗布した後に３００ ’Ｃ以
下、好ましくは５０°Ｃ〜２００°Ｃ１特に好ましくは
８０℃〜１８０°Ｃの温度で加熱乾燥して硬化させる事
により有機絶縁膜を形成する方法； （３）環化ポリイソプレン、環化ポリブタジェン等の合
成ゴム系樹脂に必要に応じて架橋剤、増感剤等を添加し
ゴム系フォトレジスト樹脂を溶剤に溶解させたものを塗
布し、３００ ’Ｏ以下、好ましくは５０℃〜２００°
Ｃ，、特に好ましくは８０℃〜１８０ ｃの温度での加
熱と紫外線や放射線等の照射によりフォトレジスト樹脂
を光硬化させて有機絶縁膜を形成する方法； 等がある。又、３００ ’Ｏ以下の条件で完全硬化が可
能で可視光に対し、透明な保護膜かつ配向処理可能な膜
として機能する有機絶縁膜であれば前記以外の樹脂の使
用も可能である。特に、本発明では活性水素を有する残
基（アセト酢酸エステル基など）を有するポリビニルア
ルコール樹脂にグリオキザールやマロンジアルデヒドな
どのジアルデヒド類やジメチロール化メラミンを加えた
熱硬化性樹脂あるいはゴム系フォトレジスト樹脂を用い
て形成した絶縁膜が望ましいトランジスタ特性を与える
ことができる。
第１図は、本発明の表示パネルで用いる半導体駆動回路
基板の基本的な構造を示す斜視図で、第２図は本発明の
表示パネルの断面図である。
基板の基本的な構造を示す斜視図で、第２図は本発明の
表示パネルの断面図である。
第１図は、表示パネルを構成する基板（カラス等）１の
上に２〜１０本／ｖｎｍ程の密度でマトリクス配置され
たＴＰＴを設けた基板である。
上に２〜１０本／ｖｎｍ程の密度でマトリクス配置され
たＴＰＴを設けた基板である。
Ｔ Ｐ Ｔは、基板１の上に形成されたゲート線２ａ及
び２ａ′（透明又は金属の薄膜導電膜からなる）、該ゲ
ート電極上に絶縁膜５を介して形成した１．′）″膜状
の半導体６、半導体に接して設けたソース線（導電膜か
ら成る）３．３’、及び前記ゲート線を直交する該゛／
−ス線とゲー）ｋ上に於て微少なギャップを設けて対置
する表示要素単位となるドレイン電極４１４’ ＋ ４
″＋ ４”等から僧“ｑ成されている。
び２ａ′（透明又は金属の薄膜導電膜からなる）、該ゲ
ート電極上に絶縁膜５を介して形成した１．′）″膜状
の半導体６、半導体に接して設けたソース線（導電膜か
ら成る）３．３’、及び前記ゲート線を直交する該゛／
−ス線とゲー）ｋ上に於て微少なギャップを設けて対置
する表示要素単位となるドレイン電極４１４’ ＋ ４
″＋ ４”等から僧“ｑ成されている。
また、半導体６の上に設けられたソース電極３．３′と
ドレイン電極４ 、４／ 、 ４／／ 、 ４／／／は
、それぞれ半導体６の面に接してｎ＋層が設けられてお
り、これは半導体６とのオーミック接触を可能としてい
る。
ドレイン電極４ 、４／ 、 ４／／ 、 ４／／／は
、それぞれ半導体６の面に接してｎ＋層が設けられてお
り、これは半導体６とのオーミック接触を可能としてい
る。
第２図に於いて、７及び１はガラス等の基板、４“及び
４′／／は前述のドレイン′電極、８は対向電極である
。４“、４“′としては、Ａｕ 、 ｈｅ 、 Ｐｄ等
の金属薄膜が使用される。８にはＩｎ２Ｏ３＊ ＳｎＯ
，、等の透明導電膜が使用される。２ａ ＋ ２ａ’及
び３゜３′はそれぞれゲート電極及びソース線であって
、Ａｅ 、 Ａｕ 、 Ａｇ 、 Ｐｔ ＋ Ｐｄ 、
Ｏｕ 等の金属か使用される。
４′／／は前述のドレイン′電極、８は対向電極である
。４“、４“′としては、Ａｕ 、 ｈｅ 、 Ｐｄ等
の金属薄膜が使用される。８にはＩｎ２Ｏ３＊ ＳｎＯ
，、等の透明導電膜が使用される。２ａ ＋ ２ａ’及
び３゜３′はそれぞれゲート電極及びソース線であって
、Ａｅ 、 Ａｕ 、 Ａｇ 、 Ｐｔ ＋ Ｐｄ 、
Ｏｕ 等の金属か使用される。
９は必要に応じて設けられる絶縁膜であり、６はＯｄＳ
、 ０ｄＳｅ 、 Ｔｅ 、 Ｓｅ 、アモルファス
シリコン等の半導体である。１２は本発明で用いる前述
の絶縁膜である。１１は液晶層である。絶縁膜１２の上
には半導体６に入射する光をさえぎる遮光膜１０が形成
されている。この遮光膜１０としては、有機染料膜、有
機顔料膜や金属膜によって形成することができる。この
表示ノぐネルでは、動的散乱モード（Ｄ Ｓ Ｍ ）や
ねじれ配列ネマティック（ＴＮ）等の表示モードのいず
れも利用することができ、又そのパネルを透過型又は反
射型にするかに応じて、種々の液晶分子配向状態及び偏
向板、Ｊ、／４板や反射板等の光学検知手段が適宜設定
されることができる。この表示パネルの駆動方法を概説
すれば、例えばゲート線に画像信号を、ソース線には駆
動用′電圧を走査して印加する。ゲート線に信号が入力
されている時これらの電極の交点のうち選択された箇所
でソースとドレイン間が導通して、ドレイン電極と対向
電極との間で電場が生じ、液晶層の液晶分子の配列状態
が変化することにより表示が行なわれる。即ち、線順次
方式によって駆動することかできる。
、 ０ｄＳｅ 、 Ｔｅ 、 Ｓｅ 、アモルファス
シリコン等の半導体である。１２は本発明で用いる前述
の絶縁膜である。１１は液晶層である。絶縁膜１２の上
には半導体６に入射する光をさえぎる遮光膜１０が形成
されている。この遮光膜１０としては、有機染料膜、有
機顔料膜や金属膜によって形成することができる。この
表示ノぐネルでは、動的散乱モード（Ｄ Ｓ Ｍ ）や
ねじれ配列ネマティック（ＴＮ）等の表示モードのいず
れも利用することができ、又そのパネルを透過型又は反
射型にするかに応じて、種々の液晶分子配向状態及び偏
向板、Ｊ、／４板や反射板等の光学検知手段が適宜設定
されることができる。この表示パネルの駆動方法を概説
すれば、例えばゲート線に画像信号を、ソース線には駆
動用′電圧を走査して印加する。ゲート線に信号が入力
されている時これらの電極の交点のうち選択された箇所
でソースとドレイン間が導通して、ドレイン電極と対向
電極との間で電場が生じ、液晶層の液晶分子の配列状態
が変化することにより表示が行なわれる。即ち、線順次
方式によって駆動することかできる。
又、本発明の表示パネルでは電気−光学変ｎ１４物質と
して前述した液晶の他にエレクトロクロミック物質など
を用いることもできる。
して前述した液晶の他にエレクトロクロミック物質など
を用いることもできる。
以下、本発明を実施例に従って説明する。
実施例１
第１図に示すアモルファスシリコン炎膜トランジスタア
レイを形成した基板の上にウレタン樹脂を主成分とした
フォトレジスト樹脂であるデルポＭＡＸ（東亜ペイント
）を重量比１０％の割合でトルエンに溶解したものを１
００ ＋＋＋ａｉ ７分の引き上げスピードで浸漬塗布
し、５０°Ｃで２０分の乾燥を施した後に、高圧水銀灯
で４０分照射して硬化させたところ、乾燥膜厚１５μｍ
±０．１μｍの無色透明な絶縁膜を形成することかでき
た。
レイを形成した基板の上にウレタン樹脂を主成分とした
フォトレジスト樹脂であるデルポＭＡＸ（東亜ペイント
）を重量比１０％の割合でトルエンに溶解したものを１
００ ＋＋＋ａｉ ７分の引き上げスピードで浸漬塗布
し、５０°Ｃで２０分の乾燥を施した後に、高圧水銀灯
で４０分照射して硬化させたところ、乾燥膜厚１５μｍ
±０．１μｍの無色透明な絶縁膜を形成することかでき
た。
この上に、金属アルミニウムを２０００人の膜厚で蒸着
し、表示要素単位を構成している複数個の電極領域の部
分をエツチングにより除去することにより、アモルファ
スシリコン半導体部の遮光をほどこした基板を作製し、
さらにその上から一定方向への研磨による配向処理を行
ないしかる後に前記配向方向とは直交した配向処理した
対向電極板を重ね合せてセル組みし、そのセルに所定の
方法で正の誘電異方性をもつネマチック液晶を注入して
表示パネルを作製し、両電極間に駆動電圧を印加したと
ころ、通常室内光下でコントラスト約２５／１の良好な
表示特性が得られた。
し、表示要素単位を構成している複数個の電極領域の部
分をエツチングにより除去することにより、アモルファ
スシリコン半導体部の遮光をほどこした基板を作製し、
さらにその上から一定方向への研磨による配向処理を行
ないしかる後に前記配向方向とは直交した配向処理した
対向電極板を重ね合せてセル組みし、そのセルに所定の
方法で正の誘電異方性をもつネマチック液晶を注入して
表示パネルを作製し、両電極間に駆動電圧を印加したと
ころ、通常室内光下でコントラスト約２５／１の良好な
表示特性が得られた。
実施例２
第１図に示すアモルファスシリコン簿膜トランジスタア
レイを形成した基板を、アセト酢酸エステル基をもつポ
リビニルアルコールとグリオキザールからなるアルコー
ル溶液中に浸漬し、１１１ｍ／分の引き上げスピードで
浸漬塗布し、乾燥した後に１８０°Ｃの温度で加熱した
ところ、３μｒｎ±０，３μｍの厚さで無色透明な絶縁
膜が形成された。
レイを形成した基板を、アセト酢酸エステル基をもつポ
リビニルアルコールとグリオキザールからなるアルコー
ル溶液中に浸漬し、１１１ｍ／分の引き上げスピードで
浸漬塗布し、乾燥した後に１８０°Ｃの温度で加熱した
ところ、３μｒｎ±０，３μｍの厚さで無色透明な絶縁
膜が形成された。
この上に、黒色有機染料としてカヤロンジアゾブラック
（日本化共（株）製）を約３０００人の膜厚で塗布し、
アモルファスシリコン半導体領域以外の部分をり７トオ
フにより除去することにより、遮光をほどこした表示基
板を作製した。
（日本化共（株）製）を約３０００人の膜厚で塗布し、
アモルファスシリコン半導体領域以外の部分をり７トオ
フにより除去することにより、遮光をほどこした表示基
板を作製した。
さらにその上から配向処理を行ない、［）ｉｊ記実施例
１と同様の方法で表示パネルを作製し、ｕＴｔｉ ’：
ｉｉ極間に駆動電圧を印加したところ、室内光下でコン
トラスト釣２０／１の良好な表示特性が得られた。
１と同様の方法で表示パネルを作製し、ｕＴｔｉ ’：
ｉｉ極間に駆動電圧を印加したところ、室内光下でコン
トラスト釣２０／１の良好な表示特性が得られた。
実施例３
第１図に示すアモルファスシリコンｓ １換）ランジス
タアレイを形成した基板上に環化ポリイソプレン系レジ
スト（ＯＤＵＩＲ−１１０Ｗ１（；東京応化（株）製；
１８ｃｐ）のキシレン溶液を３００Ｏｒｐｍでスピンナ
ー塗布した後に、高圧水銀灯で２秒硬化さぜ、さらに１
５０”Ｃで２０分のベーキング（加熱）を行なったとこ
ろ、厚さ１μｍ±０．１μｍの無色透明な絶縁膜を形成
することができた。
タアレイを形成した基板上に環化ポリイソプレン系レジ
スト（ＯＤＵＩＲ−１１０Ｗ１（；東京応化（株）製；
１８ｃｐ）のキシレン溶液を３００Ｏｒｐｍでスピンナ
ー塗布した後に、高圧水銀灯で２秒硬化さぜ、さらに１
５０”Ｃで２０分のベーキング（加熱）を行なったとこ
ろ、厚さ１μｍ±０．１μｍの無色透明な絶縁膜を形成
することができた。
この上に金属アルミニウムを２０００人の膜厚に蒸着し
、アモルファスシリコン半導体領域以外の部分をエツチ
ングにより除去することにより、遮光をほどこした表示
基板を作製し、さらにその上から、配向処理を行ない、
前記実施例１と同様の方法で表示装置を作製し、両電極
間に駆動電圧を印加したところ、室内灯下でコントラス
ト約２５／１の良好な表示特性が得られた。
、アモルファスシリコン半導体領域以外の部分をエツチ
ングにより除去することにより、遮光をほどこした表示
基板を作製し、さらにその上から、配向処理を行ない、
前記実施例１と同様の方法で表示装置を作製し、両電極
間に駆動電圧を印加したところ、室内灯下でコントラス
ト約２５／１の良好な表示特性が得られた。
以上、説明したように、本発明は有機絶縁膜を使用する
ことにより、膜歪みのない透明な絶縁膜を容易に形成す
ることが可能となったほかに、トランジスタ特性を向上
させることができ、その結果表示素子が平滑化さね、さ
らに直接この絶縁膜に配向処理を行なう事により、表示
パネルの構成の簡素化、製作工程の短縮化、低コスト化
に大きく寄与する事になった。
ことにより、膜歪みのない透明な絶縁膜を容易に形成す
ることが可能となったほかに、トランジスタ特性を向上
させることができ、その結果表示素子が平滑化さね、さ
らに直接この絶縁膜に配向処理を行なう事により、表示
パネルの構成の簡素化、製作工程の短縮化、低コスト化
に大きく寄与する事になった。
第１図は、本発明で用いる半導体駆動回路基板の斜視図
である。第２図は、本発明の表示パネルの断面図である
。 １．７；基板 ２ａ、２ａ′； ゲート電極 ３．３’；ソース電極 ４．４’、４“、４“′；ドレイン電極５．９，１２；
’絶縁膜 ６：半導体 ８；対向電極 １０；遮光膜 １１；液晶層
である。第２図は、本発明の表示パネルの断面図である
。 １．７；基板 ２ａ、２ａ′； ゲート電極 ３．３’；ソース電極 ４．４’、４“、４“′；ドレイン電極５．９，１２；
’絶縁膜 ６：半導体 ８；対向電極 １０；遮光膜 １１；液晶層
Claims (7)
- （１）表示要素単位となる複数個の電極と薄膜トランジ
スタアレイを設けた第１基板と対向′電極を設けた第２
基板を有し、第１基板と第２基板の間に電気−光学変調
物質を壱する表示ハネルニオいて、前記薄膜トランジス
タアレイの上に３００℃以下の温度で硬化された有ｉ樹
脂からなる絶縁膜を有し、且つ該絶縁膜の上に前記薄膜
トランジスタに入射する光線をさえぎる遮光膜を有する
ことを特徴とする表示パネル。 - （２）前記尚膜トランジスタがアモルファスシリコン半
導体を有する特許Ｋｆｊ求の範囲第１項記載の表示パネ
ル。 - （３）前記電気−光学変調物質が液晶である特許請求の
範囲第１項記載の表示パネル。 - （４） 前記有機樹脂が光硬化性樹脂である特許請求
の範囲第１項記載の表示パネル。 - （５） 前記有ｔａｔａｔ脂がポリビニルアルコール
樹脂である特許請求の範囲第１項記載の表示パネル。 - （６）前記有機樹脂が可視光に対して透明となる光学特
性を有する特許請求の範囲第１項記載の表示パネル。 - （７）前記有機樹脂からなる絶縁膜が表示要素単位とな
る複数個の電極の上に連続的に被膜形成されている特許
請求の範囲第１項記載の表示パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58048513A JPS59172627A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | 表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58048513A JPS59172627A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | 表示パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59172627A true JPS59172627A (ja) | 1984-09-29 |
Family
ID=12805446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58048513A Pending JPS59172627A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | 表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59172627A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0603866A1 (en) * | 1992-12-25 | 1994-06-29 | Sony Corporation | Active matrix substrate |
| US5666176A (en) * | 1992-05-11 | 1997-09-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing liquid crystal display panel by photolithography using microlenses |
| US6441468B1 (en) | 1995-12-14 | 2002-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US6800875B1 (en) | 1995-11-17 | 2004-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix electro-luminescent display device with an organic leveling layer |
-
1983
- 1983-03-23 JP JP58048513A patent/JPS59172627A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5666176A (en) * | 1992-05-11 | 1997-09-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing liquid crystal display panel by photolithography using microlenses |
| EP0603866A1 (en) * | 1992-12-25 | 1994-06-29 | Sony Corporation | Active matrix substrate |
| US6800875B1 (en) | 1995-11-17 | 2004-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix electro-luminescent display device with an organic leveling layer |
| US6867434B2 (en) | 1995-11-17 | 2005-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix electro-luminescent display with an organic leveling layer |
| US6441468B1 (en) | 1995-12-14 | 2002-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US6445059B1 (en) | 1995-12-14 | 2002-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR100351777B1 (ko) * | 1995-12-14 | 2003-01-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
| US6787887B2 (en) | 1995-12-14 | 2004-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7034381B2 (en) | 1995-12-14 | 2006-04-25 | Semiconductor Energey Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7202551B2 (en) | 1995-12-14 | 2007-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having underlying insulating film and insulating films |
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