JP2007140556A - 薄膜トランジスタの製造方法およびこれを用いた液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の液晶表示装置用TFTの製造方法は、TFTを形成する工程と、前記透明絶縁性基板上に該TFT領域に起因する段差部をなくすように表面が平坦化された層間絶縁膜を形成する工程と、該層間絶縁膜のドレイン電極の上部にコンタクトホールを設け、該コンタクトホールを介して下部のドレイン電極と電気的に接続されるように該層間絶縁膜上に画素電極を形成する工程と、前記層間絶縁膜にコンタクトホール部を形成したのち、該コンタクトホール部に露出した前記下部のドレイン電極の表面を含む基板表面を、コンタクト部表面を清浄化するために表面処理する工程を含んでなるものである。
【選択図】図1
Description
(1)コンタクトホール形成後の透明性樹脂膜の残さ物
(2)画素電極膜形成時の透明性樹脂膜の分解物
が生成原因であることが従来のTFTアレイ基板とは異なる新たな知見である。
以下に、図を用いて本発明の一実施の形態について説明する。
図3および4は、本発明の実施の形態2によるTFTアレイ基板の製造方法を示す概略断面説明図である。なお、図3において、15は化学薬液であり、その他、図1および図2に示した部分と同一の部分については同一の符号を付けて示してある。
以上のような材料の組み合わせにおいても、この発明の実施の形態によれば、コンタクト面14におけるコンタクト抵抗値として10E3Ω以下の低い値が実現できる。
図5は、本発明の実施の形態3によるTFTアレイ基板の製造方法を示す概略断面説明図である。なお、図5においては、16はパッシベーション膜であり、17はフォトレジストであり、その他、図1〜4に示した部分と同一の部分については同一の符号をつけて示してある。
図6は、本発明の実施の形態4によるTFTアレイ基板の製造方法を示す概略断面図である。なお、図6においては、図1〜5に示した部分と同一の部分については同一の符号をつけて示してある。
図7は、本発明の実施の形態5によるTFTアレイ基板の製造方法を示す概略断面説明図である。なお、図7においては、図1、2、3および図4に示した部分と同一の部分については同一の符号をつけて示してある。
以上、実施の形態2〜5によってえられる液晶表示装置用TFTアレイ基板をそれぞれ用いて実施の形態1と同様に本発明の液晶表示装置をうることができる。
Claims (6)
- 透明絶縁性基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次設けて薄膜トランジスタを形成する工程と、前記透明絶縁性基板上に該薄膜トランジスタ領域に起因する段差部をなくすように表面が平坦化された透明性樹脂からなる層間絶縁膜を形成する工程と、該層間絶縁膜の前記ドレイン電極の上部にコンタクトホールを設け、該コンタクトホールを介して下部のドレイン電極と電気的に接続されるように該層間絶縁膜上に透明導電膜からなる画素電極とを形成する工程からなる液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法であって、前記層間絶縁膜にコンタクトホール部を形成したのち、該コンタクトホール部に露出した前記下部のドレイン電極の表面を含む基板表面を、コンタクト部表面を清浄化するために表面処理する工程を含む液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記ドレイン電極の膜厚のうち、前記透明性樹脂からなる層間絶縁膜のコンタクトホールを介して画素電極と電気的に接続される部分の膜厚が、その他の部分の膜厚よりも薄くされ、
前記層間絶縁膜を形成する前に、前記薄膜トランジスタのチャネル部を保護する窒化シリコン膜を形成する工程をさらに有し、
前記層間絶縁膜の前記ドレイン電極の上部に前記コンタクトホールを設ける工程の後に、前記窒化シリコン膜の前記ドレイン電極の上部に前記コンタクトホールを設ける工程を有することを特徴とする液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法。 - 透明絶縁性基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次設けて薄膜トランジスタを形成すると共に前記ドレイン電極につながる接続電極を形成する工程と、前記透明絶縁性基板上に該薄膜トランジスタ領域に起因する段差部をなくすように表面が平坦化された透明性樹脂からなる層間絶縁膜を形成する工程と、該層間絶縁膜の前記接続電極の上部にコンタクトホールを設け、該コンタクトホールを介して下部の接続電極と電気的に接続されるように該層間絶縁膜上に透明導電膜からなる画素電極とを形成する工程からなる液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法であって、前記層間絶縁膜にコンタクトホール部を形成したのち、該コンタクトホール部に露出した前記下部の接続電極の表面を含む基板表面を、コンタクト部表面を清浄化するために表面処理する工程を含む液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記接続電極の膜厚のうち、前記透明性樹脂からなる層間絶縁膜のコンタクトホールを介して画素電極と電気的に接続される部分の膜厚が、その他の部分の膜厚よりも薄くされ、
前記層間絶縁膜を形成する前に、前記薄膜トランジスタのチャネル部を保護する窒化シリコン膜を形成する工程をさらに有し、
前記層間絶縁膜の前記接続電極の上部に前記コンタクトホールを設ける工程の後に、
前記窒化シリコン膜の前記接続電極の上部に前記コンタクトホールを設ける工程を有することを特徴とする液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法。 - 透明絶縁性基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次設けて薄膜トランジスタを形成する工程と、前記透明絶縁性基板上に該薄膜トランジスタ領域に起因する段差部をなくすように表面が平坦化された透明性樹脂からなる層間絶縁膜を形成する工程と、該層間絶縁膜の前記ドレイン電極の上部にコンタクトホールを設け、該コンタクトホールを介して下部のドレイン電極と電気的に接続されるように該層間絶縁膜上に透明導電膜からなる画素電極とを形成する工程からなる液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法であって、前記層間絶縁膜にコンタクトホール部を形成したのち、該コンタクトホール部に露出した前記下部のドレイン電極の表面を含む基板表面を、コンタクト部表面を清浄化するために表面処理する工程を含む液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記ドレイン電極の膜厚のうち、前記透明性樹脂からなる層間絶縁膜のコンタクトホールを介して画素電極と電気的に接続される部分の膜厚が、その他の部分の膜厚よりも薄くされ
前記層間絶縁膜を形成する前に、前記薄膜トランジスタのチャネル部を保護する窒化シリコン膜を形成する工程をさらに有し、
前記層間絶縁膜のドレイン電極の上部にコンタクトホールを設ける工程は、
前記層間絶縁膜のドレイン電極の上部にコンタクトホールを設けた後に、該コンタクトホール形成後の層間絶縁膜をマスクとして前記窒化シリコン膜をエッチング除去する工程であること
を特徴とする記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法。 - 透明絶縁性基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次設けて薄膜トランジスタを形成すると共に前記ドレイン電極につながる接続電極を形成する工程と、前記透明絶縁性基板上に該薄膜トランジスタ領域に起因する段差部をなくすように表面が平坦化された透明性樹脂からなる層間絶縁膜を形成する工程と、該層間絶縁膜の前記接続電極の上部にコンタクトホールを設け、該コンタクトホールを介して下部の接続電極と電気的に接続されるように該層間絶縁膜上に透明導電膜からなる画素電極とを形成する工程からなる液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法であって、前記層間絶縁膜にコンタクトホール部を形成したのち、該コンタクトホール部に露出した前記下部の接続電極の表面を含む基板表面を、コンタクト部表面を清浄化するために表面処理する工程を含む液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記接続電極の膜厚のうち、前記透明性樹脂からなる層間絶縁膜のコンタクトホールを介して画素電極と電気的に接続される部分の膜厚が、その他の部分の膜厚よりも薄くされ、
前記層間絶縁膜を形成する前に、前記薄膜トランジスタのチャネル部を保護する窒化シリコン膜を形成する工程をさらに有し、
前記層間絶縁膜の接続電極の上部にコンタクトホールを設ける工程は、
前記層間絶縁膜の接続電極の上部にコンタクトホールを設けた後に、該コンタクトホール形成後の層間絶縁膜をマスクとして前記窒化シリコン膜をエッチング除去する工程であること
を特徴とする液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法。 - 透明絶縁性基板上にゲート電極と、
前記ゲート電極に接するように形成されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向するように配置される半導体層と、
前記半導体層と電気的に接続されるソース電極とドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極を覆って形成される層間絶縁膜と、
前記ドレイン電極上において前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、
前記コンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続するように、前記層間絶縁膜上に形成される透明導電膜からなる画素電極と、
を有する薄膜トランジスタにおいて、
前記ドレイン電極は、前記コンタクトホールにおける膜厚がその他の部分の膜厚よりも薄く、
前記層間絶縁膜の下層に無機絶縁膜が形成されており、
前記コンタクトホールは、前記層間絶縁膜と前記無機絶縁膜とに形成されていることを特徴とする液晶表示装置用薄膜トランジスタ。 - 前記無機絶縁膜は、窒化シリコン膜であることを特徴とする請求項5記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007034064A JP4800236B2 (ja) | 2007-02-14 | 2007-02-14 | 薄膜トランジスタの製造方法およびこれを用いた液晶表示装置 |
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---|---|---|---|
JP08629198A Division JP4458563B2 (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 薄膜トランジスタの製造方法およびこれを用いた液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007140556A true JP2007140556A (ja) | 2007-06-07 |
JP4800236B2 JP4800236B2 (ja) | 2011-10-26 |
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4800236B2 (ja) |
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A521 | Written amendment |
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