JPH1152402A - 液晶装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶装置及びその製造方法Info
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- JPH1152402A JPH1152402A JP20441397A JP20441397A JPH1152402A JP H1152402 A JPH1152402 A JP H1152402A JP 20441397 A JP20441397 A JP 20441397A JP 20441397 A JP20441397 A JP 20441397A JP H1152402 A JPH1152402 A JP H1152402A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶装置の液晶パネル用基板に設けた透明電
極パターンの精度向上とその製造に於けるスループット
の向上の両立を容易とする。 【解決手段】 液晶パネル用基板１に形成した透明導電
膜２の上にレジスト３を形成し、エッチング（ＳＴ７）
により、前記透明導電膜２の一部を除去して透明電極５
を形成する液晶装置の製造方法に於いて、前記レジスト
３の露光工程（ＳＴ３、ＳＴ５）を少なくとも２回行
う。
極パターンの精度向上とその製造に於けるスループット
の向上の両立を容易とする。 【解決手段】 液晶パネル用基板１に形成した透明導電
膜２の上にレジスト３を形成し、エッチング（ＳＴ７）
により、前記透明導電膜２の一部を除去して透明電極５
を形成する液晶装置の製造方法に於いて、前記レジスト
３の露光工程（ＳＴ３、ＳＴ５）を少なくとも２回行
う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶装置、特に透明
電極を備えた液晶パネル用基板を有する液晶装置および
その製造方法に関する。
電極を備えた液晶パネル用基板を有する液晶装置および
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】パネル用基板に透明電極を備え、液晶パ
ネル用基板間に液晶を挟持して、光の透過を制御する液
晶装置は、薄型で消費電力が少ないという長所により、
従来から、液晶表示装置、液晶プリンタ等情報機器に広
く用いられている。かかる液晶装置に於いて、そのパネ
ル用基板に透明電極を形成する製造方法として従来行わ
れている方法につき図面を用いて説明する。図３は前記
パネル用基板に透明電極を形成する従来の液晶装置の製
造方法を示す断面図である。
ネル用基板間に液晶を挟持して、光の透過を制御する液
晶装置は、薄型で消費電力が少ないという長所により、
従来から、液晶表示装置、液晶プリンタ等情報機器に広
く用いられている。かかる液晶装置に於いて、そのパネ
ル用基板に透明電極を形成する製造方法として従来行わ
れている方法につき図面を用いて説明する。図３は前記
パネル用基板に透明電極を形成する従来の液晶装置の製
造方法を示す断面図である。
【０００３】図３に示すようにＳＴ３１に於いて、蒸
着、スパッタリング等の製膜技術によりガラス等の液晶
パネル用基板５１にＩＴＯ（酸化インジューム薄膜）等
よりなる透明導電膜５２を被着する。次に、ＳＴ３２に
於いて、前記透明導電膜５２の上にレジスト５３を塗布
する。
着、スパッタリング等の製膜技術によりガラス等の液晶
パネル用基板５１にＩＴＯ（酸化インジューム薄膜）等
よりなる透明導電膜５２を被着する。次に、ＳＴ３２に
於いて、前記透明導電膜５２の上にレジスト５３を塗布
する。
【０００４】次に、ＳＴ３３に於いて、前記ジスト５３
をマスク５４を用いて露光する。マスク５４は遮光部５
４ａと窓部５４ｂとを有し、前記露光により、レジスト
５３前記窓部５４ｂに対応する部分は感光・変質した露
光部分５３ｂとなり、前記遮光部５４ａに対応する部分
は未露光部分５３ａとなる。次に、ＳＴ３４に於いて、
現像液により、レジスト５３のうちで感光・変質した前
記露光部分５３ｂのみを選択的に溶解除去する現像を行
う。次に、ＳＴ３５に於いて、残されたレジスト５３の
前記未露光部分５３ａを加熱してポストベークする。こ
こで、このポストベークは前記残されたレジスト５３の
未露光部分５３ａと前記透明導電膜５２との密着力を高
めるために行うものである。
をマスク５４を用いて露光する。マスク５４は遮光部５
４ａと窓部５４ｂとを有し、前記露光により、レジスト
５３前記窓部５４ｂに対応する部分は感光・変質した露
光部分５３ｂとなり、前記遮光部５４ａに対応する部分
は未露光部分５３ａとなる。次に、ＳＴ３４に於いて、
現像液により、レジスト５３のうちで感光・変質した前
記露光部分５３ｂのみを選択的に溶解除去する現像を行
う。次に、ＳＴ３５に於いて、残されたレジスト５３の
前記未露光部分５３ａを加熱してポストベークする。こ
こで、このポストベークは前記残されたレジスト５３の
未露光部分５３ａと前記透明導電膜５２との密着力を高
めるために行うものである。
【０００５】次に、ＳＴ３６に於いて酸性のエッチング
液を用いて、残されたレジスト５３の未露光部分５３ａ
により被覆されいる透明導電膜５２の被覆部分５２ａを
残して、これ以外の透明導電膜５２の部分をエッチング
により除去する。次に、ＳＴ３７に於いて、無機酸強ア
ルカリ（例えば、ＫＯＨ、ＮＡＯＨ）の剥離液を用い
て、透明導電膜５２の前記被覆部分５２ａの上に残され
たレジスト５３の未露光部分５３ａを溶解・剥離し、前
記被覆部分５２ａを透明電極５５とする。以上の工程を
有する製造方法により、液晶装置のパネル用基板上５１
上に透明電極５５が形成される。
液を用いて、残されたレジスト５３の未露光部分５３ａ
により被覆されいる透明導電膜５２の被覆部分５２ａを
残して、これ以外の透明導電膜５２の部分をエッチング
により除去する。次に、ＳＴ３７に於いて、無機酸強ア
ルカリ（例えば、ＫＯＨ、ＮＡＯＨ）の剥離液を用い
て、透明導電膜５２の前記被覆部分５２ａの上に残され
たレジスト５３の未露光部分５３ａを溶解・剥離し、前
記被覆部分５２ａを透明電極５５とする。以上の工程を
有する製造方法により、液晶装置のパネル用基板上５１
上に透明電極５５が形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】かかる液晶装置の製造
方法に於いては、製造コストを低減させことが望まし
く、そのためには、製造工程に於けるランニングコスト
が低く、スループットが高いことが必要である。一方、
液晶装置としては表示、印刷等に於ける分解能、再現精
度等の再現機能が高いことが望ましく、そのためには、
透明電極５５のパターンの精度が高いことが必要であ
る。しかし、従来の製造方法に於いては、製造コストの
低減と透明電極５５パターン精度の向上というこれら二
つの要求を共に満足させることは困難であった。
方法に於いては、製造コストを低減させことが望まし
く、そのためには、製造工程に於けるランニングコスト
が低く、スループットが高いことが必要である。一方、
液晶装置としては表示、印刷等に於ける分解能、再現精
度等の再現機能が高いことが望ましく、そのためには、
透明電極５５のパターンの精度が高いことが必要であ
る。しかし、従来の製造方法に於いては、製造コストの
低減と透明電極５５パターン精度の向上というこれら二
つの要求を共に満足させることは困難であった。
【０００７】すなわち、透明電極５５のパターン精度を
高く維持するには前記のＳＴ３５のポストベークの工程
に於いて、ポストベークの温度を上げ、レジスト５３の
前記未露光部分５３ａと透明導電膜５２の密着性を十分
に高める必要がある。なぜならば、この密着性が十分で
ないときはＳＴ３６のエッチング工程に於いてエッチン
グ液が前記レジスト５３ａと透明導電膜５２の界面に食
い込んで、図４に示すように、前記レジスト５３ａの端
部５３ａ１よりも内側の部分に於いて、透明電極膜２の
前記被覆部分５２ａの一部が溶解・除去されるオーバー
エッチングを生じ、図３のＳＴ３７の剥離工程に示す透
明電極５５のパターンの寸法精度を低下させるからであ
る。ところが、かかるオーバーエッチングを回避するた
め、ポストベークの温度を上げると、レジスト５３ａは
アルカリに溶けにくい材質に変質し、ＳＴ３７の剥離工
程に於いて、アルカリ性の弱い剥離液を用いてレジスト
５３ａを剥離する際に、剥離が困難となり、長時間を要
し、剥離不十分で残渣を生じ易くなる。残渣があれば不
良品となる。
高く維持するには前記のＳＴ３５のポストベークの工程
に於いて、ポストベークの温度を上げ、レジスト５３の
前記未露光部分５３ａと透明導電膜５２の密着性を十分
に高める必要がある。なぜならば、この密着性が十分で
ないときはＳＴ３６のエッチング工程に於いてエッチン
グ液が前記レジスト５３ａと透明導電膜５２の界面に食
い込んで、図４に示すように、前記レジスト５３ａの端
部５３ａ１よりも内側の部分に於いて、透明電極膜２の
前記被覆部分５２ａの一部が溶解・除去されるオーバー
エッチングを生じ、図３のＳＴ３７の剥離工程に示す透
明電極５５のパターンの寸法精度を低下させるからであ
る。ところが、かかるオーバーエッチングを回避するた
め、ポストベークの温度を上げると、レジスト５３ａは
アルカリに溶けにくい材質に変質し、ＳＴ３７の剥離工
程に於いて、アルカリ性の弱い剥離液を用いてレジスト
５３ａを剥離する際に、剥離が困難となり、長時間を要
し、剥離不十分で残渣を生じ易くなる。残渣があれば不
良品となる。
【０００８】従って、処理時間の増加および歩留りの低
下を招く。全体の処理工程が、バッチ処理を含まず枚葉
処理のみにより行われる自動化ラインに於いては、特に
スループットを顕著に低下させることになる。一方、ア
ルカリ性の強い剥離液を用いれば、処理時間の増加は防
止できるが、材料費が高くなり、材料の取扱いに手間が
かかり、環境悪化も増すため、ランニングコストが増加
し、又、パネル基板１に他に保護膜等が設けられている
場合はこれらを傷つけ易くなる。
下を招く。全体の処理工程が、バッチ処理を含まず枚葉
処理のみにより行われる自動化ラインに於いては、特に
スループットを顕著に低下させることになる。一方、ア
ルカリ性の強い剥離液を用いれば、処理時間の増加は防
止できるが、材料費が高くなり、材料の取扱いに手間が
かかり、環境悪化も増すため、ランニングコストが増加
し、又、パネル基板１に他に保護膜等が設けられている
場合はこれらを傷つけ易くなる。
【０００９】本発明は上記した従来技術の問題点、すな
わち、液晶装置のパネル用基板に設けた透明電極のパタ
ーン精度の向上とその製造に於ける製造コストの低減と
を両立をさせることを解決すべき課題とするものであ
る。そして本発明はかかる課題を解決し、パターン精度
の高い透明電極を備えたパネルを有し、高品位の液層制
御により、高品位の表示、印字等を行うことができる液
晶装置を低い製造コストに於いて提供することを目的と
する。
わち、液晶装置のパネル用基板に設けた透明電極のパタ
ーン精度の向上とその製造に於ける製造コストの低減と
を両立をさせることを解決すべき課題とするものであ
る。そして本発明はかかる課題を解決し、パターン精度
の高い透明電極を備えたパネルを有し、高品位の液層制
御により、高品位の表示、印字等を行うことができる液
晶装置を低い製造コストに於いて提供することを目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明はその第１の手段として、液晶パネル用基板
に形成した透明導電膜の上にレジストを形成し、エッチ
ングにより、前記透明導電膜の一部を除去して透明電極
を形成する液晶装置の製造方法に於いて、前記レジスト
の露光工程を少なくとも２回行うことを特徴とする。
めに本発明はその第１の手段として、液晶パネル用基板
に形成した透明導電膜の上にレジストを形成し、エッチ
ングにより、前記透明導電膜の一部を除去して透明電極
を形成する液晶装置の製造方法に於いて、前記レジスト
の露光工程を少なくとも２回行うことを特徴とする。
【００１１】また上記の課題を解決するために本発明は
その第２の手段として、前記第１の手段に於いて、前記
レジストの露光工程をレジストの現像工程よりも前およ
び後に於いて行うことを特徴とする。
その第２の手段として、前記第１の手段に於いて、前記
レジストの露光工程をレジストの現像工程よりも前およ
び後に於いて行うことを特徴とする。
【００１２】上記の課題を解決するために本発明はその
第３の手段として、前記第１の手段又は第２の手段に於
いて、前記レジストの現像工程よりも前に行う露光工程
の露光はレジストの一部を感光させ、残部を感光させな
い選択的な露光であり、前記現像工程よりも後に行う露
光はレジストの全部を感光させる非選択的な露光である
ことを特徴とする。
第３の手段として、前記第１の手段又は第２の手段に於
いて、前記レジストの現像工程よりも前に行う露光工程
の露光はレジストの一部を感光させ、残部を感光させな
い選択的な露光であり、前記現像工程よりも後に行う露
光はレジストの全部を感光させる非選択的な露光である
ことを特徴とする。
【００１３】上記の課題を解決するために本発明はその
第４の手段として、液晶パネル用基板に形成した透明導
電膜の上にレジストを形成し、露光し、現像し、ポスト
ベークし、エッチングにより、前記透明導電膜の一部を
除去して透明電極を形成する液晶装置の製造方法に於い
て、前記レジストの現像工程と前記レジストのポストベ
ーク工程の間に前記レジストの露光工程を行うことを特
徴とする。
第４の手段として、液晶パネル用基板に形成した透明導
電膜の上にレジストを形成し、露光し、現像し、ポスト
ベークし、エッチングにより、前記透明導電膜の一部を
除去して透明電極を形成する液晶装置の製造方法に於い
て、前記レジストの現像工程と前記レジストのポストベ
ーク工程の間に前記レジストの露光工程を行うことを特
徴とする。
【００１４】上記の課題を解決するために本発明はその
第５の手段として、前記第４の手段に於いて、前記レジ
ストの現像工程よりも後のレジストの露光工程の露光に
より、ポストベーク工程後のレジストの密着性を保持し
つつ該レジストをアルカリに可溶とすることを特徴とす
る。
第５の手段として、前記第４の手段に於いて、前記レジ
ストの現像工程よりも後のレジストの露光工程の露光に
より、ポストベーク工程後のレジストの密着性を保持し
つつ該レジストをアルカリに可溶とすることを特徴とす
る。
【００１５】上記の課題を解決するために本発明はその
第６の手段として、液晶パネル用基板に形成した透明導
電膜の上にレジストを形成し、エッチングにより、前記
透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装
置の製造方法に於いて、前記レジストのマスクを用いた
露光工程及び前記レジストの現像工程及び前記レジスト
のマスクを用いない露光工程及び前記レジストのポスト
ベーク工程及び前記透明導電膜のエッチング工程を有す
ることを特徴とする。
第６の手段として、液晶パネル用基板に形成した透明導
電膜の上にレジストを形成し、エッチングにより、前記
透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装
置の製造方法に於いて、前記レジストのマスクを用いた
露光工程及び前記レジストの現像工程及び前記レジスト
のマスクを用いない露光工程及び前記レジストのポスト
ベーク工程及び前記透明導電膜のエッチング工程を有す
ることを特徴とする。
【００１６】上記の課題を解決するために本発明はその
第７の手段として、液晶パネル用基板に形成した透明導
電膜の上にレジストを形成する第１の工程、前記レジス
トをマスクを用いて露光する第２の工程、露光された前
記レジストを現像する第３の工程、マスクを用いないで
現像後の前記レジストを露光する第４の工程、現像後の
前記レジストをポストベークする第５の工程、前記透明
導電膜をエッチング第６の工程および現像後の前記レジ
ストを剥離する第７の工程を有する液晶装置の製造方法
に於いて、露光された前記レジストを現像する前記第３
の工程と現像後の前記レジストをポストベークする前記
第５の工程の間に、マスクを用いないで現像後の前記レ
ジストを露光する前記第４の工程を行うことを特徴とす
る。
第７の手段として、液晶パネル用基板に形成した透明導
電膜の上にレジストを形成する第１の工程、前記レジス
トをマスクを用いて露光する第２の工程、露光された前
記レジストを現像する第３の工程、マスクを用いないで
現像後の前記レジストを露光する第４の工程、現像後の
前記レジストをポストベークする第５の工程、前記透明
導電膜をエッチング第６の工程および現像後の前記レジ
ストを剥離する第７の工程を有する液晶装置の製造方法
に於いて、露光された前記レジストを現像する前記第３
の工程と現像後の前記レジストをポストベークする前記
第５の工程の間に、マスクを用いないで現像後の前記レ
ジストを露光する前記第４の工程を行うことを特徴とす
る。
【００１７】上記の課題を解決するために本発明はその
第８の手段として、液晶パネル用基板に形成した透明導
電膜の上にレジストを形成し、エッチングにより、前記
透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装
置の製造方法により製造された透明電極を有する液晶装
置に於いて、前記レジストの露光工程を少なくとも２回
行う製造方法により製造された透明電極を有することを
特徴とする。
第８の手段として、液晶パネル用基板に形成した透明導
電膜の上にレジストを形成し、エッチングにより、前記
透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装
置の製造方法により製造された透明電極を有する液晶装
置に於いて、前記レジストの露光工程を少なくとも２回
行う製造方法により製造された透明電極を有することを
特徴とする。
【００１８】また上記の課題を解決するために本発明は
その第９の手段として、前記第８の手段の液晶装置に於
いて、前記レジストの露光工程をレジストの現像工程よ
りも前および後に於いて行う製造方法により製造された
透明電極を有することを特徴とする。
その第９の手段として、前記第８の手段の液晶装置に於
いて、前記レジストの露光工程をレジストの現像工程よ
りも前および後に於いて行う製造方法により製造された
透明電極を有することを特徴とする。
【００１９】また上記の課題を解決するために本発明は
その第１０の手段として、前記第８の手段又は第９の手
段の液晶装置に於いて、前記レジストの現像工程よりも
前に行う露光工程の露光はレジストの一部を感光させ、
残部を感光させない選択的な露光であり、前記現像工程
よりも後に行う露光はレジストの全部を感光させる非選
択的な露光である製造方法により製造された透明電極を
有することを特徴とする。
その第１０の手段として、前記第８の手段又は第９の手
段の液晶装置に於いて、前記レジストの現像工程よりも
前に行う露光工程の露光はレジストの一部を感光させ、
残部を感光させない選択的な露光であり、前記現像工程
よりも後に行う露光はレジストの全部を感光させる非選
択的な露光である製造方法により製造された透明電極を
有することを特徴とする。
【００２０】また上記の課題を解決するために本発明は
その第１１の手段として、液晶パネル用基板に形成した
透明導電膜の上にレジストを形成し、露光し、現像し、
ポストベークし、エッチングにより、前記透明導電膜の
一部を除去して透明電極を形成する液晶装置の製造方法
により製造された透明電極を有する液晶装置に於いて、
前記レジストの現像工程と前記レジストのポストベーク
工程の間に前記レジストの露光工程を行うことにより製
造された透明電極を有することを特徴とする。
その第１１の手段として、液晶パネル用基板に形成した
透明導電膜の上にレジストを形成し、露光し、現像し、
ポストベークし、エッチングにより、前記透明導電膜の
一部を除去して透明電極を形成する液晶装置の製造方法
により製造された透明電極を有する液晶装置に於いて、
前記レジストの現像工程と前記レジストのポストベーク
工程の間に前記レジストの露光工程を行うことにより製
造された透明電極を有することを特徴とする。
【００２１】また上記の課題を解決するために本発明は
その第１２の手段として、前記第１１の手段の液晶装置
に於いて、前記レジストの現像工程よりも後のレジスト
の露光工程の露光により、ポストベーク工程後のレジス
トの密着性を保持しつつ該レジストをアルカリに可溶と
する製造方法により製造された透明電極を有することを
特徴とする。
その第１２の手段として、前記第１１の手段の液晶装置
に於いて、前記レジストの現像工程よりも後のレジスト
の露光工程の露光により、ポストベーク工程後のレジス
トの密着性を保持しつつ該レジストをアルカリに可溶と
する製造方法により製造された透明電極を有することを
特徴とする。
【００２２】また上記の課題を解決するために本発明は
その第１３の手段として、液晶パネル用基板に形成した
透明導電膜の上にレジストを形成し、エッチングによ
り、前記透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成す
る製造方法により製造された液晶装置に於いて、前記レ
ジストのマスクを用いた露光工程及び前記レジストの現
像工程及び前記レジストのマスクを用いない露光工程及
び前記レジストのポストベーク工程及び前記透明導電膜
のエッチング工程を有する製造方法により製造された透
明導電膜を有することを特徴とする。
その第１３の手段として、液晶パネル用基板に形成した
透明導電膜の上にレジストを形成し、エッチングによ
り、前記透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成す
る製造方法により製造された液晶装置に於いて、前記レ
ジストのマスクを用いた露光工程及び前記レジストの現
像工程及び前記レジストのマスクを用いない露光工程及
び前記レジストのポストベーク工程及び前記透明導電膜
のエッチング工程を有する製造方法により製造された透
明導電膜を有することを特徴とする。
【００２３】また上記の課題を解決するために本発明は
その第１４の手段として、液晶パネル用基板に形成した
透明導電膜の上にレジストを形成する第１の工程、前記
レジストをマスクを用いて露光する第２の工程、露光さ
れた前記レジストを現像する第３の工程、マスクを用い
ないで現像後の前記レジストを露光する第４の工程、現
像後の前記レジストをポストベークする第５の工程、前
記透明導電膜をエッチング第６の工程および現像後の前
記レジストを剥離する第７の工程を有する製造方法によ
り製造される液晶装置に於いて、露光された前記レジス
トを現像する前記第３の工程と現像後の前記レジストを
ポストベークする前記第５の工程の間に、マスクを用い
ないで現像後の前記レジストを露光する前記第４の工程
を行う製造方法により製造された透明電極を有すること
を特徴とする。
その第１４の手段として、液晶パネル用基板に形成した
透明導電膜の上にレジストを形成する第１の工程、前記
レジストをマスクを用いて露光する第２の工程、露光さ
れた前記レジストを現像する第３の工程、マスクを用い
ないで現像後の前記レジストを露光する第４の工程、現
像後の前記レジストをポストベークする第５の工程、前
記透明導電膜をエッチング第６の工程および現像後の前
記レジストを剥離する第７の工程を有する製造方法によ
り製造される液晶装置に於いて、露光された前記レジス
トを現像する前記第３の工程と現像後の前記レジストを
ポストベークする前記第５の工程の間に、マスクを用い
ないで現像後の前記レジストを露光する前記第４の工程
を行う製造方法により製造された透明電極を有すること
を特徴とする。
【００２４】また上記の課題を解決するために本発明は
その第１５の手段として、前記第１の手段乃至第７の手
段の製造方法のいずれかに於いて、前記レジストはポジ
レジストであることを特徴とする。
その第１５の手段として、前記第１の手段乃至第７の手
段の製造方法のいずれかに於いて、前記レジストはポジ
レジストであることを特徴とする。
【００２５】また上記の課題を解決するために本発明は
その第１６の手段として、前記第８の手段乃至第１４の
手段の液晶装置のいずれかに於いて、前記液晶装置はそ
の液晶パネル用基板にカラーフィルターを備えているこ
とを特徴とする。
その第１６の手段として、前記第８の手段乃至第１４の
手段の液晶装置のいずれかに於いて、前記液晶装置はそ
の液晶パネル用基板にカラーフィルターを備えているこ
とを特徴とする。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下図面に基づいて本発明の好適
な実施の形態を第１の実施例について説明する。本実施
例は液晶装置の製造方法に係るものであり、図１は本実
施例の製造方法の工程を示す断面図である。
な実施の形態を第１の実施例について説明する。本実施
例は液晶装置の製造方法に係るものであり、図１は本実
施例の製造方法の工程を示す断面図である。
【００２７】図１に示すように、ＳＴ１に於いて、蒸
着、スパッタリング等の製膜技術によりガラス等の液晶
パネル用基板１にＩＴＯ（酸化インジューム薄膜）等よ
りなる透明導電膜２を被着する。
着、スパッタリング等の製膜技術によりガラス等の液晶
パネル用基板１にＩＴＯ（酸化インジューム薄膜）等よ
りなる透明導電膜２を被着する。
【００２８】次に、ＳＴ２に於いて、前記透明導電膜２
の上にレジスト３を塗布する。ここで、レジスト３はポ
ジレジストであり、例えばノボラックに感光剤を添加し
た材料よりなる。
の上にレジスト３を塗布する。ここで、レジスト３はポ
ジレジストであり、例えばノボラックに感光剤を添加し
た材料よりなる。
【００２９】次に、ＳＴ３に於いて、前記レジスト３を
マスク４を用いて露光する。マスク４は後述する透明電
極５のパターンに対応する遮光部４ａと光を通す窓部４
ｂとを有し、前記露光により、レジスト３の前記窓部４
ｂに対応する部分は感光・変質した露光部分３ｂとな
り、前記遮光部４ａに対応する部分は未露光部分３ａと
なる。ここで、レジスト３は露光されない状態では、ア
ルカリに溶けにくい性質を有し、露光されると、アルカ
リに溶け易い性質に変わる。従って、前記レジスト３の
記未露光部分３ａはアルカリに溶けにくく、前記露光部
分３ｂはアルカリに溶け易い性質を有する。
マスク４を用いて露光する。マスク４は後述する透明電
極５のパターンに対応する遮光部４ａと光を通す窓部４
ｂとを有し、前記露光により、レジスト３の前記窓部４
ｂに対応する部分は感光・変質した露光部分３ｂとな
り、前記遮光部４ａに対応する部分は未露光部分３ａと
なる。ここで、レジスト３は露光されない状態では、ア
ルカリに溶けにくい性質を有し、露光されると、アルカ
リに溶け易い性質に変わる。従って、前記レジスト３の
記未露光部分３ａはアルカリに溶けにくく、前記露光部
分３ｂはアルカリに溶け易い性質を有する。
【００３０】次にＳＴ４に於いて、アルカリ性の現像液
を用いて、レジスト３のうちで前記露光部分３ｂのみを
選択的に溶解除去する現像を行う。
を用いて、レジスト３のうちで前記露光部分３ｂのみを
選択的に溶解除去する現像を行う。
【００３１】次に、ＳＴ５に於いて、マスクを用いない
非選択的露光を行うことにより、残されたレジスト３の
前記未露光部分３ａを感光・変質させ、アルカリに溶け
易い性質の第２の露光部分３ｃとする。実際には、数百
ワットの水銀ランプを用いた。当然、マスクを用いて
も、本願の効果は得られる。
非選択的露光を行うことにより、残されたレジスト３の
前記未露光部分３ａを感光・変質させ、アルカリに溶け
易い性質の第２の露光部分３ｃとする。実際には、数百
ワットの水銀ランプを用いた。当然、マスクを用いて
も、本願の効果は得られる。
【００３２】次に、ＳＴ６に於いて例えば１２０℃以上
の温度でポストベークする。ここで、このポストベーク
は前記残されたレジスト５３の前記第２の露光部分５３
ｃと前記透明導電膜２との密着性を高めるために行うも
のである。
の温度でポストベークする。ここで、このポストベーク
は前記残されたレジスト５３の前記第２の露光部分５３
ｃと前記透明導電膜２との密着性を高めるために行うも
のである。
【００３３】次に、ＳＴ７に於いて酸性のエッチング液
（例えば、塩化第２鉄、臭化水素、塩酸、硝酸）を用い
て、残されたレジスト３の前記第２の露光部分３ｃによ
り被覆されいる被覆部分２ａを残して透明導電膜２をエ
ッチングにより除去する。
（例えば、塩化第２鉄、臭化水素、塩酸、硝酸）を用い
て、残されたレジスト３の前記第２の露光部分３ｃによ
り被覆されいる被覆部分２ａを残して透明導電膜２をエ
ッチングにより除去する。
【００３４】次に、ＳＴ８に於いて、アルカリ性の剥離
液（例えば、数％のＫＯＨを含む安いアルカリ液）を用
いて、透明導電膜２の前記被覆部分２ａの上に被覆され
たレジスト３の前記第２の露光部分３ｃを溶解・剥離す
る。これにより、前記液晶パネル用基板１の上には透明
導電膜２の前記被覆部分２ａが透明電極５として残さ
れ、透明電極５が液晶パネル用基板１の上に形成され
る。この際、レジスト３の前記第２の露光部分３ｃは前
記のようにアルカリに解け易いものとなっているので、
短時間で、残渣を残さず確実なレジスト３の剥離を行う
ことができる。
液（例えば、数％のＫＯＨを含む安いアルカリ液）を用
いて、透明導電膜２の前記被覆部分２ａの上に被覆され
たレジスト３の前記第２の露光部分３ｃを溶解・剥離す
る。これにより、前記液晶パネル用基板１の上には透明
導電膜２の前記被覆部分２ａが透明電極５として残さ
れ、透明電極５が液晶パネル用基板１の上に形成され
る。この際、レジスト３の前記第２の露光部分３ｃは前
記のようにアルカリに解け易いものとなっているので、
短時間で、残渣を残さず確実なレジスト３の剥離を行う
ことができる。
【００３５】本実施例に於いては、従来の製造方法と異
なり、上記のように１回目の露光工程（ＳＴ３）の後、
レジストの現像工程（ＳＴ４）とポストベーク工程（Ｓ
Ｔ６）の間に２回目の露光工程（ＳＴ５）を行う。この
２回目の露光工程により、エッチング後のレジストの剥
離工程（ＳＴ８）に於けるレジストの剥離が、かかる２
回目の露光工程を行わない従来の製造方法に比して、容
易で確実なものとなる。
なり、上記のように１回目の露光工程（ＳＴ３）の後、
レジストの現像工程（ＳＴ４）とポストベーク工程（Ｓ
Ｔ６）の間に２回目の露光工程（ＳＴ５）を行う。この
２回目の露光工程により、エッチング後のレジストの剥
離工程（ＳＴ８）に於けるレジストの剥離が、かかる２
回目の露光工程を行わない従来の製造方法に比して、容
易で確実なものとなる。
【００３６】すなわち、従来の場合は、図３に示すよう
に、現像工程（ＳＴ３４）後に残されたレジスト５３の
未露光部分５３ａは露光されることなく、ポストベーク
工程（ＳＴ３５）、エッチング工程（ＳＴ３６）を経
て、剥離工程（ＳＴ３７）に入る。ここで、前記レジス
ト５３の未露光部分５３ａのアルカリに対する溶け易さ
および透明導電膜５２への密着力はポストベーク工程
（ＳＴ３５）に於ける加熱温度に依存する。すなわち、
ある温度以上でポストベークを行った場合、ポストベー
ク前に比較すれば、全般的には、アルカリに対する溶け
易さおよび透明導電膜５２への密着力は向上する傾向に
はあるが、その中で、温度が比較的低い場合は、密着力
が不十分で、すでに述べたようエッチング工程（ＳＴ３
６）においてオーバーエッチングを起こし、図４に示す
透明電極５５のパターン精度が低下する。
に、現像工程（ＳＴ３４）後に残されたレジスト５３の
未露光部分５３ａは露光されることなく、ポストベーク
工程（ＳＴ３５）、エッチング工程（ＳＴ３６）を経
て、剥離工程（ＳＴ３７）に入る。ここで、前記レジス
ト５３の未露光部分５３ａのアルカリに対する溶け易さ
および透明導電膜５２への密着力はポストベーク工程
（ＳＴ３５）に於ける加熱温度に依存する。すなわち、
ある温度以上でポストベークを行った場合、ポストベー
ク前に比較すれば、全般的には、アルカリに対する溶け
易さおよび透明導電膜５２への密着力は向上する傾向に
はあるが、その中で、温度が比較的低い場合は、密着力
が不十分で、すでに述べたようエッチング工程（ＳＴ３
６）においてオーバーエッチングを起こし、図４に示す
透明電極５５のパターン精度が低下する。
【００３７】本実施例に於いては、前記２回目の露光工
程（ＳＴ５）より、エッチング工程（ＳＴ７）の際に前
記透明導電膜２の保護膜となるレジスト３の第２の感光
部分３ｃはアルカリに溶け易い性質に変質し、ポストベ
ーク工程（ＳＴ６）の際の加熱温度をかなり上げてもそ
の性質は維持される。一方、前記保護膜と前記透明導電
膜２との密着力はポストベーク工程（ＳＴ）の際の加熱
温度を上げることににより向上する。従って、前記加熱
温度を適切に選択することにより、前記密着力と前記ア
ルカリへの溶け易さを共に十分に高く維持することがで
きる。そして、前記密着力の向上これにより、エッチン
グ工程（ＳＴ７）に於けるアンダーエッチングを十分に
小さくして前記透明電極５のパターン精度を十分に確保
し、向上させ、前記アルカリへの溶け易さの維持によ
り、レジストの剥離（ＳＴ８）が容易となり、剥離工程
のランニングコストを十分に低くし又はスループット、
歩留りを十分に大にすることができる。
程（ＳＴ５）より、エッチング工程（ＳＴ７）の際に前
記透明導電膜２の保護膜となるレジスト３の第２の感光
部分３ｃはアルカリに溶け易い性質に変質し、ポストベ
ーク工程（ＳＴ６）の際の加熱温度をかなり上げてもそ
の性質は維持される。一方、前記保護膜と前記透明導電
膜２との密着力はポストベーク工程（ＳＴ）の際の加熱
温度を上げることににより向上する。従って、前記加熱
温度を適切に選択することにより、前記密着力と前記ア
ルカリへの溶け易さを共に十分に高く維持することがで
きる。そして、前記密着力の向上これにより、エッチン
グ工程（ＳＴ７）に於けるアンダーエッチングを十分に
小さくして前記透明電極５のパターン精度を十分に確保
し、向上させ、前記アルカリへの溶け易さの維持によ
り、レジストの剥離（ＳＴ８）が容易となり、剥離工程
のランニングコストを十分に低くし又はスループット、
歩留りを十分に大にすることができる。
【００３８】本実施例の製造方法を前記２回目の露光工
程を有しない従来の製造方法と更に対比すると、ポスト
ベーク工程に於ける加熱温度が同一の場合、本実施例は
従来に比し、レジストと透明導電膜の密着力はほぼ等し
いが、レジストのアルカリへの溶解度は常に高い。すな
わち、前記密着力が同一のときに、本実施例の場合は従
来に比し常に前記アルカリへの溶解度が高くなり、レジ
スト剥離（ＳＴ８）が容易となる。よって、本実施例に
よれば、透明電極につき、同一のパターン精度を得よう
とするときは従来よりもランニングコストの低減又はス
ループットの向上をすることができる。逆に、同一のア
ルカリへの溶け易さとなる前記加熱温度ついていえば、
本実施例の方が従来よりも高い温度とすることができ
る。すなわち、同一の前記溶け易さに於いて従来よりも
前記密着力を高め、透明電極のパターン精度を上げるこ
とができる。よって、本実施例によれば、同一のランニ
ングコスト又はスループットに於いて、従来よりも透明
電極のパターン精度を上げることができる。
程を有しない従来の製造方法と更に対比すると、ポスト
ベーク工程に於ける加熱温度が同一の場合、本実施例は
従来に比し、レジストと透明導電膜の密着力はほぼ等し
いが、レジストのアルカリへの溶解度は常に高い。すな
わち、前記密着力が同一のときに、本実施例の場合は従
来に比し常に前記アルカリへの溶解度が高くなり、レジ
スト剥離（ＳＴ８）が容易となる。よって、本実施例に
よれば、透明電極につき、同一のパターン精度を得よう
とするときは従来よりもランニングコストの低減又はス
ループットの向上をすることができる。逆に、同一のア
ルカリへの溶け易さとなる前記加熱温度ついていえば、
本実施例の方が従来よりも高い温度とすることができ
る。すなわち、同一の前記溶け易さに於いて従来よりも
前記密着力を高め、透明電極のパターン精度を上げるこ
とができる。よって、本実施例によれば、同一のランニ
ングコスト又はスループットに於いて、従来よりも透明
電極のパターン精度を上げることができる。
【００３９】以下図面に基づいて本発明の好適な実施の
形態を第２の実施例について説明する。本実施例は液晶
装置の製造方法に係るものであり、図２は本実施例の製
造方法の工程を示す断面図である。
形態を第２の実施例について説明する。本実施例は液晶
装置の製造方法に係るものであり、図２は本実施例の製
造方法の工程を示す断面図である。
【００４０】図２に示すようにＳＴ１１に於いて、ガラ
ス等の液晶パネル用基板１上に公知の技術を用いてＲ、
Ｇ、Ｂのカラーフィルター６および該カラーフィルター
６を覆い、保護する透明な保護膜７を形成する。ここで
カラーフィルター６および保護膜７は一般的に有機材料
（例えば、ゼラチン、アクリル、エポキシ、ポリイミ
ド、ポリアミド、塩化ビニール等）にて形成される。
ス等の液晶パネル用基板１上に公知の技術を用いてＲ、
Ｇ、Ｂのカラーフィルター６および該カラーフィルター
６を覆い、保護する透明な保護膜７を形成する。ここで
カラーフィルター６および保護膜７は一般的に有機材料
（例えば、ゼラチン、アクリル、エポキシ、ポリイミ
ド、ポリアミド、塩化ビニール等）にて形成される。
【００４１】ＳＴ１２に於いて、蒸着、スパッタリング
等の製膜技術により前記保護膜７の上にＩＴＯ（酸化イ
ンジューム薄膜）等よりなる透明導電膜２を被着する。
等の製膜技術により前記保護膜７の上にＩＴＯ（酸化イ
ンジューム薄膜）等よりなる透明導電膜２を被着する。
【００４２】次に、ＳＴ１３に於いて、前記透明導電膜
２の上にレジスト３を塗布する。
２の上にレジスト３を塗布する。
【００４３】次に、ＳＴ１４に於いて、前記レジスト３
に対しマスク４を用いて前記第１の実施例のＳＴ３と同
様の露光を行ない、同様の原理により、レジスト３を感
光・変質した露光部分３ｂと未露光部分３ａに区分す
る。
に対しマスク４を用いて前記第１の実施例のＳＴ３と同
様の露光を行ない、同様の原理により、レジスト３を感
光・変質した露光部分３ｂと未露光部分３ａに区分す
る。
【００４４】次にＳＴ１５に於いて、前記第１の実施例
のＳＴ４と同様にして、同様の原理によりレジスト３の
現像を行う。
のＳＴ４と同様にして、同様の原理によりレジスト３の
現像を行う。
【００４５】次に、ＳＴ１６に於いて、前記第１の実施
例のＳＴ５と同様の２回目の露光により、残されたレジ
スト３の前記未露光部分３ａをアルカリに溶け易い性質
の第２の露光部分３ｃとする。
例のＳＴ５と同様の２回目の露光により、残されたレジ
スト３の前記未露光部分３ａをアルカリに溶け易い性質
の第２の露光部分３ｃとする。
【００４６】次に、ＳＴ１７に於いて、前記第１の実施
例のＳＴ６と同様のポストベークを行う。
例のＳＴ６と同様のポストベークを行う。
【００４７】次に、ＳＴ１８に於いて、前記第１の実施
例のＳＴ７と同様のエッチングにより、前記第２の露光
部分３ｃにより被覆されいる被覆部分２ａを残して透明
導電膜２を除去する。
例のＳＴ７と同様のエッチングにより、前記第２の露光
部分３ｃにより被覆されいる被覆部分２ａを残して透明
導電膜２を除去する。
【００４８】次に、ＳＴ１９に於いて、前記第１の実施
例のＳＴ８と同様の剥離工程により、透明導電膜２の前
記被覆部分２ａの上に被覆されたレジスト３の前記第２
の露光部分３ｃを溶解・剥離する。これにより、保護膜
７の上には透明導電膜２の前記被覆部分２ａが透明電極
５として残され、透明電極５が液晶パネル用基板１の上
に設けられたカラーフィルタ６を被覆する保護膜７の上
に形成される。この際、レジスト３の前記第２の露光部
分３ｃは前記のようにアルカリに解け易いものとなって
いるので、弱アルカリ性の剥離液を用いて、比較的短時
間で残渣を残さず確実なレジスト３の剥離を行うことが
できる。
例のＳＴ８と同様の剥離工程により、透明導電膜２の前
記被覆部分２ａの上に被覆されたレジスト３の前記第２
の露光部分３ｃを溶解・剥離する。これにより、保護膜
７の上には透明導電膜２の前記被覆部分２ａが透明電極
５として残され、透明電極５が液晶パネル用基板１の上
に設けられたカラーフィルタ６を被覆する保護膜７の上
に形成される。この際、レジスト３の前記第２の露光部
分３ｃは前記のようにアルカリに解け易いものとなって
いるので、弱アルカリ性の剥離液を用いて、比較的短時
間で残渣を残さず確実なレジスト３の剥離を行うことが
できる。
【００４９】ここで、前記保護膜７はすでに述べたよう
に有機材料よりなっているので、酸に対しては比較的耐
性が強いが、アルカリに対しては必ずしも耐性が強くな
く、弱アルカリには侵されにくいが、強アルカリには侵
され易い。本実施例に於いては、上記のように弱アルカ
リ性の剥離液を用いてレジスト３の剥離を行うことがで
きるので、剥離工程に於いて、前記保護膜７傷つけるこ
とはない。
に有機材料よりなっているので、酸に対しては比較的耐
性が強いが、アルカリに対しては必ずしも耐性が強くな
く、弱アルカリには侵されにくいが、強アルカリには侵
され易い。本実施例に於いては、上記のように弱アルカ
リ性の剥離液を用いてレジスト３の剥離を行うことがで
きるので、剥離工程に於いて、前記保護膜７傷つけるこ
とはない。
【００５０】従来は、パネル基板１の上にカラーフィル
ター６および該カラーフィルターを被覆する保護膜７を
形成し、更にその上に透明電極を形成する方法はとし
て、前記ＳＴ２１と同様のカラーフィルターおよび保護
膜形成の工程の後に図３に示したＳＴ３１からＳＴ３７
に至る工程と同様の工程を行っていた。本実施例とかか
る従来の製造方法を対比すると、本実施例のような２回
目の露光工程（ＳＴ１６）を有しない従来の製造方法に
よれば、そのレジスト５３ａの剥離工程（図３のＳＴ３
７に相当する工程）に於いて、すでに述べたのと同様の
理由により、レジスト５３ａはアルカリに溶けにくい性
質を有している。従って、弱アルカリ性の剥離液を用い
た場合は剥離に長時間を要し、スループットを低下させ
る。更に、剥離が不完全で残渣を生じ易い。かかる問題
を回避しようとして剥離液をアルカリ性の強いものとす
ると、前記保護膜７が傷つき、パネルが不良品となる。
ター６および該カラーフィルターを被覆する保護膜７を
形成し、更にその上に透明電極を形成する方法はとし
て、前記ＳＴ２１と同様のカラーフィルターおよび保護
膜形成の工程の後に図３に示したＳＴ３１からＳＴ３７
に至る工程と同様の工程を行っていた。本実施例とかか
る従来の製造方法を対比すると、本実施例のような２回
目の露光工程（ＳＴ１６）を有しない従来の製造方法に
よれば、そのレジスト５３ａの剥離工程（図３のＳＴ３
７に相当する工程）に於いて、すでに述べたのと同様の
理由により、レジスト５３ａはアルカリに溶けにくい性
質を有している。従って、弱アルカリ性の剥離液を用い
た場合は剥離に長時間を要し、スループットを低下させ
る。更に、剥離が不完全で残渣を生じ易い。かかる問題
を回避しようとして剥離液をアルカリ性の強いものとす
ると、前記保護膜７が傷つき、パネルが不良品となる。
【００５１】本実施例の場合はポストベーク工程（ＳＴ
１７）に於ける加熱温度を高くしてレジスト３ｃと透明
導電膜２の密着力を十分高めても、レジスト３ｃをアル
カリに溶け易い性質に維持することができるので、透明
電極５のパターン精度を上げることができるとともに、
レジスト３ｃの剥離工程（ＳＴ１９）に於いて上記のご
とく弱アルカリ性の剥離液を用い、短時間で確実な剥離
をすることができる。このように、本実施例の製造方法
によれば、カラーフィルタ６の保護膜７を傷つけること
なく、レジス３ｃの剥離のスループットおよび確実性を
従来よりも顕著に向上することができる。
１７）に於ける加熱温度を高くしてレジスト３ｃと透明
導電膜２の密着力を十分高めても、レジスト３ｃをアル
カリに溶け易い性質に維持することができるので、透明
電極５のパターン精度を上げることができるとともに、
レジスト３ｃの剥離工程（ＳＴ１９）に於いて上記のご
とく弱アルカリ性の剥離液を用い、短時間で確実な剥離
をすることができる。このように、本実施例の製造方法
によれば、カラーフィルタ６の保護膜７を傷つけること
なく、レジス３ｃの剥離のスループットおよび確実性を
従来よりも顕著に向上することができる。
【００５２】以下図面に基づいて本発明の好適な実施の
形態を第３の実施例について説明する。本実施例は液晶
装置の製造方法に係るものであり、前記第１の実施例の
変形例である。本実施例の工程は現像工程までは、図１
に示した第１の実施例のＳＴ１からＳＴ４に至る工程と
同様である。しかし、ＳＴ４に相当する現像工程の後に
前記ＳＴ６に相当するポストベーク工程を行い、その次
に前記ＳＴ５に相当する２回目の露光工程を行い、その
後にＳＴ７に相当するエッチング工程およびＳＴ８に相
当するレジストの剥離工程を順次行う。
形態を第３の実施例について説明する。本実施例は液晶
装置の製造方法に係るものであり、前記第１の実施例の
変形例である。本実施例の工程は現像工程までは、図１
に示した第１の実施例のＳＴ１からＳＴ４に至る工程と
同様である。しかし、ＳＴ４に相当する現像工程の後に
前記ＳＴ６に相当するポストベーク工程を行い、その次
に前記ＳＴ５に相当する２回目の露光工程を行い、その
後にＳＴ７に相当するエッチング工程およびＳＴ８に相
当するレジストの剥離工程を順次行う。
【００５３】本実施例の製造方法は第１の実施例の製造
方法と比較するとポストベーク工程と２回目の露光工程
の順序が入れ替わっている。本実施例のようにポストベ
ーク工程の後に第２の露光工程を行う方法においても、
ポストベーク工程での加熱温度によっては、ポストベー
ク後のレジスト３のアルカリに対する溶解度をその後の
露光により向上させ、ＳＴ８に相当するレジストの剥離
工程を従来よりもかなり容易とすることができる。製造
装置等の都合により、本実施例のような工程の順序を選
択する場合もある。又、このような場合、必要に応じ
て、２回目の露光工程の次でエッチング工程の前に、さ
らなる２回目のポストベーク工程を行うことでポジレジ
スト３と透明導電膜２の密着力を高めることもできる。
方法と比較するとポストベーク工程と２回目の露光工程
の順序が入れ替わっている。本実施例のようにポストベ
ーク工程の後に第２の露光工程を行う方法においても、
ポストベーク工程での加熱温度によっては、ポストベー
ク後のレジスト３のアルカリに対する溶解度をその後の
露光により向上させ、ＳＴ８に相当するレジストの剥離
工程を従来よりもかなり容易とすることができる。製造
装置等の都合により、本実施例のような工程の順序を選
択する場合もある。又、このような場合、必要に応じ
て、２回目の露光工程の次でエッチング工程の前に、さ
らなる２回目のポストベーク工程を行うことでポジレジ
スト３と透明導電膜２の密着力を高めることもできる。
【００５４】本発明のその他の実施の形態について以下
に説明する。前記第１の実施例に於ける２回目の露光工
程（ＳＴ５）又は第２の実施例に於ける２回目の露光工
程（ＳＴ２６）に於ける露光は、マスクを用いない露光
であると説明したが、本発明はこれに限らず、２回目の
露光はたとえマスクを用いた露光であっても、現像後
に、透明電極パターン部を被覆するべく残さたレジスト
３を実質的に露光するものであればよい。また、レジス
ト剥離以降の工程まで、一部のレジストパターンを基板
上に、例えばアライメントマークやロット番号として残
しておきたい場合などは、本発明を応用し２回目の露光
にマスクを用い、残したい部分を露光しないことでアル
カリ溶解度に差をもうけて、選択的レジスト剥離を行う
こともできる。更に、本発明に於いては露光は２回に限
らず必要に応じ３回以上であっても良い。例えば、マス
クを用いた選択的露光に加え、現像後エッチング迄の間
の露光およびエッチング後でレジストの剥離前の露光を
行うこともできる。
に説明する。前記第１の実施例に於ける２回目の露光工
程（ＳＴ５）又は第２の実施例に於ける２回目の露光工
程（ＳＴ２６）に於ける露光は、マスクを用いない露光
であると説明したが、本発明はこれに限らず、２回目の
露光はたとえマスクを用いた露光であっても、現像後
に、透明電極パターン部を被覆するべく残さたレジスト
３を実質的に露光するものであればよい。また、レジス
ト剥離以降の工程まで、一部のレジストパターンを基板
上に、例えばアライメントマークやロット番号として残
しておきたい場合などは、本発明を応用し２回目の露光
にマスクを用い、残したい部分を露光しないことでアル
カリ溶解度に差をもうけて、選択的レジスト剥離を行う
こともできる。更に、本発明に於いては露光は２回に限
らず必要に応じ３回以上であっても良い。例えば、マス
クを用いた選択的露光に加え、現像後エッチング迄の間
の露光およびエッチング後でレジストの剥離前の露光を
行うこともできる。
【００５５】本発明は以上に述べた実施の形態のように
製造方法のみに限定されるものではなく、例えば第１の
実施例、第２の実施例、又は第３の実施例の製造方法に
より製造された透明電極を備えたパネル基板を有する液
晶装置を含むものである。かかる液晶装置はすでに説明
した理由により、透明電極のパターン精度に優れている
ので高品位の液晶層制御により、高品位の表示、印字等
を行うことができ、且つ、低いランニングコストと高い
スループットにより製造され、製造コストが低いという
利点を有する。
製造方法のみに限定されるものではなく、例えば第１の
実施例、第２の実施例、又は第３の実施例の製造方法に
より製造された透明電極を備えたパネル基板を有する液
晶装置を含むものである。かかる液晶装置はすでに説明
した理由により、透明電極のパターン精度に優れている
ので高品位の液晶層制御により、高品位の表示、印字等
を行うことができ、且つ、低いランニングコストと高い
スループットにより製造され、製造コストが低いという
利点を有する。
【００５６】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明によれば、
従来は困難であった液晶装置の液晶パネル用基板に設け
た透明電極パターンの精度向上とその製造に於けるスル
ープットの向上の両立を容易に実現させることができ
る。この結果、本発明によれば、パターン精度の高い透
明電極を備えたパネルを有し、高品位の液層制御によ
り、高品位の表示、印字等を行うことができる液晶装置
を低い製造コストに於いて提供することができるように
なった。
従来は困難であった液晶装置の液晶パネル用基板に設け
た透明電極パターンの精度向上とその製造に於けるスル
ープットの向上の両立を容易に実現させることができ
る。この結果、本発明によれば、パターン精度の高い透
明電極を備えたパネルを有し、高品位の液層制御によ
り、高品位の表示、印字等を行うことができる液晶装置
を低い製造コストに於いて提供することができるように
なった。
【図１】本発明の実施の形態の一つである液晶装置の製
造方法を示す断面図である。
造方法を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態の一つである液晶装置の製
造方法を示す断面図である。
造方法を示す断面図である。
【図３】従来の液晶装置の製造方法を示す断面図であ
る。
る。
【図４】従来の液晶装置の製造方法に於けるオーバーエ
ッチングの状態を示す断面図である。
ッチングの状態を示す断面図である。
１ 液晶パネル用基板 ２ 透明導電膜 ３ レジスト ４ マスク ５ 透明電極 ６ カラーフィルター ７ 保護膜
Claims (16)
- 【請求項１】 液晶パネル用基板に形成した透明導電膜
の上にレジストを形成し、エッチングにより、前記透明
導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装置の
製造方法に於いて、前記レジストの露光工程を少なくと
も２回行うことを特徴とする液晶装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記レジストの露光工程をレジストの現
像工程よりも前および後に於いて行うことを特徴とする
請求項１に記載の液晶装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記レジストの現像工程よりも前に行う
露光工程の露光はレジストの一部を感光させ、残部を感
光させない選択的な露光であり、前記現像工程よりも後
に行う露光はレジストの全部を感光させる非選択的な露
光であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載
の液晶装置の製造方法。 - 【請求項４】 液晶パネル用基板に形成した透明導電膜
の上にレジストを形成し、露光し、現像し、ポストベー
クし、エッチングにより、前記透明導電膜の一部を除去
して透明電極を形成する液晶装置の製造方法に於いて、
前記レジストの現像工程と前記レジストのポストベーク
工程の間に前記レジストの露光工程を行うことを特徴と
する液晶装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記レジストの現像工程よりも後のレジ
ストの露光工程の露光により、ポストベーク工程後のレ
ジストの密着性を保持しつつ該レジストをアルカリに可
溶とすることを特徴とする請求項４に記載の液晶装置の
製造方法。 - 【請求項６】 液晶パネル用基板に形成した透明導電膜
の上にレジストを形成し、エッチングにより、前記透明
導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装置の
製造方法に於いて、前記レジストのマスクを用いた露光
工程及び前記レジストの現像工程及び前記レジストのマ
スクを用いない露光工程及び前記レジストのポストベー
ク工程及び前記透明電極膜のエッチング工程を有するこ
とを特徴とする液晶装置の製造方法。 - 【請求項７】 液晶パネル用基板に形成した透明導電膜
の上にレジストを形成する第１の工程、前記レジストを
マスクを用いて露光する第２の工程、露光された前記レ
ジストを現像する第３の工程、マスクを用いないで現像
後の前記レジストを露光する第４の工程、現像後の前記
レジストをポストベークする第５の工程、前記透明電極
膜をエッチングする第６の工程および現像後の前記レジ
ストを剥離する第７の工程を有し、露光された前記レジ
ストを現像する前記第３の工程と現像後の前記レジスト
をポストベークする前記第５の工程の間に、マスクを用
いないで現像後の前記レジストを露光する前記第４の工
程を行うことを特徴とする液晶装置の製造方法。 - 【請求項８】 液晶パネル用基板に形成した透明導電膜
の上にレジストを形成し、エッチングにより、前記透明
導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装置の
製造方法により製造された透明電極を有する液晶装置に
於いて、前記レジストの露光工程を少なくとも２回行う
製造方法により形成された透明電極を有することを特徴
とする液晶装置。 - 【請求項９】 前記レジストの露光工程をレジストの現
像工程よりも前および後に於いて行う製造方法により製
造された透明電極を有することを特徴とする請求項８に
記載の液晶装置。 - 【請求項１０】 前記レジストの現像工程よりも前に行
う露光工程の露光はレジストの一部を感光させ、残部を
感光させない選択的な露光であり、前記現像工程よりも
後に行う露光はレジストの全部を感光させる非選択的な
露光である製造方法により製造された透明電極を有する
ことを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の液晶装
置。 - 【請求項１１】 液晶パネル用基板に形成した透明導電
膜の上にレジストを形成し、露光し、現像し、ポストベ
ークし、エッチングにより、前記透明導電膜の一部を除
去して透明電極を形成する液晶装置の製造方法により製
造された透明電極を有する液晶装置に於いて、前記レジ
ストの現像工程と前記レジストのポストベーク工程の間
に前記レジストの露光工程を行うことにより製造された
透明電極を有することを特徴とする液晶装置。 - 【請求項１２】 前記レジストの現像工程よりも後のレ
ジストの露光工程の露光により、ポストベーク工程後の
レジストの密着性を保持しつつ該レジストをアルカリに
可溶とする製造方法により製造された透明電極を有する
ことを特徴とする請求項１１に記載の液晶装置。 - 【請求項１３】 液晶パネル用基板に形成した透明導電
膜の上にレジストを形成し、エッチングにより、前記透
明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する製造方法
により製造された液晶装置に於いて、前記レジストのマ
スクを用いた露光工程及び前記レジストの現像工程及び
前記レジストのマスクを用いない露光工程及び前記レジ
ストのポストベーク工程及び前記透明電極膜のエッチン
グ工程を有する製造方法により製造された透明電極膜を
有することを特徴とする液晶装置。 - 【請求項１４】 液晶パネル用基板に形成した透明導電
膜の上にレジストを形成する第１の工程、前記レジスト
をマスクを用いて露光する第２の工程、露光された前記
レジストを現像する第３の工程、マスクを用いないで現
像後の前記レジストを露光する第４の工程、現像後の前
記レジストをポストベークする第５の工程、前記透明電
極膜をエッチング第６の工程および現像後の前記レジス
トを剥離する第７の工程を有する製造方法により製造さ
れる液晶装置に於いて、露光された前記レジストを現像
する前記第３の工程と現像後の前記レジストをポストベ
ークする前記第５の工程の間に、マスクを用いないで現
像後の前記レジストを露光する前記第４の工程を行う製
造方法により製造された透明電極を有することを特徴と
する液晶装置。 - 【請求項１５】 前記レジストはポジレジストであるこ
とを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載
の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１６】 前記液晶装置はその液晶パネル用基板
にカラーフィルターを備えていることを特徴とする請求
項８乃至請求項１４のいずれかに記載の液晶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20441397A JP3898293B2 (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | 液晶装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20441397A JP3898293B2 (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | 液晶装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1152402A true JPH1152402A (ja) | 1999-02-26 |
| JP3898293B2 JP3898293B2 (ja) | 2007-03-28 |
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ID=16490137
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20441397A Expired - Fee Related JP3898293B2 (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | 液晶装置の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3898293B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6410358B1 (en) * | 1999-07-14 | 2002-06-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Manufacturing method for reflection type liquid crystal display |
| US6621540B2 (en) | 1998-10-20 | 2003-09-16 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Reflection type liquid crystal display |
| US6784959B2 (en) | 2000-02-02 | 2004-08-31 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Reflective liquid crystal display |
-
1997
- 1997-07-30 JP JP20441397A patent/JP3898293B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6621540B2 (en) | 1998-10-20 | 2003-09-16 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Reflection type liquid crystal display |
| US6410358B1 (en) * | 1999-07-14 | 2002-06-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Manufacturing method for reflection type liquid crystal display |
| US6784959B2 (en) | 2000-02-02 | 2004-08-31 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Reflective liquid crystal display |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3898293B2 (ja) | 2007-03-28 |
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