JPS584143A - ポジ・レジスト膜の現像方法 - Google Patents
ポジ・レジスト膜の現像方法Info
- Publication number
- JPS584143A JPS584143A JP10187881A JP10187881A JPS584143A JP S584143 A JPS584143 A JP S584143A JP 10187881 A JP10187881 A JP 10187881A JP 10187881 A JP10187881 A JP 10187881A JP S584143 A JPS584143 A JP S584143A
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- positive resist
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- resist film
- electric field
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3007—Imagewise removal using liquid means combined with electrical means, e.g. force fields
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はポジ・レジスト展現俸方法の改良に関する。
亭導体１１Ｎ、７オトマスク等を製造する際の７オト・
リソグラフィ工程に於ては、感光性樹脂膜としてパター
ンＯ転写槽ｌ！が優れたポジ・レジスト膜が多く用いら
れる。該ポジ・レジストは通常ノ ７ｇラック系の樹脂からなってお夛、鋏ポジ・レジスト
の現像にはジ・メチル・７オルムア書ド等の有機塩基（
アルカリ）が用いられる。そして現像ＫＩＩしては、従
来御１図に示すように、露光が完了したポジ・レジスト
族が被着されている被処理基板１を、１〜２〔■〕Ｉｉ
度の間隔ｄで２０〜３０〔枚〕１１ｆ所望の基板保持具
２に立て並べ、該基板保持具２を定温に保持した前記現
像液３中に浸漬し、該基板保持具２を所望の速さで上下
に振とうしながら、ポジ・レジスト膜に於ける感光領域
の溶解除去を行っていた（図中矢印４は振とり方向）。
リソグラフィ工程に於ては、感光性樹脂膜としてパター
ンＯ転写槽ｌ！が優れたポジ・レジスト膜が多く用いら
れる。該ポジ・レジストは通常ノ ７ｇラック系の樹脂からなってお夛、鋏ポジ・レジスト
の現像にはジ・メチル・７オルムア書ド等の有機塩基（
アルカリ）が用いられる。そして現像ＫＩＩしては、従
来御１図に示すように、露光が完了したポジ・レジスト
族が被着されている被処理基板１を、１〜２〔■〕Ｉｉ
度の間隔ｄで２０〜３０〔枚〕１１ｆ所望の基板保持具
２に立て並べ、該基板保持具２を定温に保持した前記現
像液３中に浸漬し、該基板保持具２を所望の速さで上下
に振とうしながら、ポジ・レジスト膜に於ける感光領域
の溶解除去を行っていた（図中矢印４は振とり方向）。
然し上記従来方法に於ては、ポジ・レジスト現像液との
反応酸生物を、ポジ・レジスト族の表面から一様に離脱
せしめることが困難であり、従って活性の強い現像液が
ポジ・レジスト族の表面全域にわたって一様に作用しな
いために現像がむらになる。そのため現像残中パターン
幅のばらつき等を生ずるので、上記従来の浸漬現像方法
は、微細パターンを形成する際の現像方法としては不適
当であるという問題があった。
反応酸生物を、ポジ・レジスト族の表面から一様に離脱
せしめることが困難であり、従って活性の強い現像液が
ポジ・レジスト族の表面全域にわたって一様に作用しな
いために現像がむらになる。そのため現像残中パターン
幅のばらつき等を生ずるので、上記従来の浸漬現像方法
は、微細パターンを形成する際の現像方法としては不適
当であるという問題があった。
そこで微細パターンの形成に適用する現像方法として、
回転させた被処理基板上に現像液を注加して、ポジ・レ
ジスト族が常に新しい現像液に接するようにして現像む
らをなくす方法（スピン・デベロップ法）が従来から用
いられるが、この方法祉被旭理基板を一枚ずつ処理しな
ければならない丸めに、現像処理の能率が悪く、又現像
液の消費量も増大するという問題があった。
回転させた被処理基板上に現像液を注加して、ポジ・レ
ジスト族が常に新しい現像液に接するようにして現像む
らをなくす方法（スピン・デベロップ法）が従来から用
いられるが、この方法祉被旭理基板を一枚ずつ処理しな
ければならない丸めに、現像処理の能率が悪く、又現像
液の消費量も増大するという問題があった。
本発明は上記問題点に鑑み現像能率が高くしかも現像Ｓ
Ｏ消資量が少ないポジ・レジストの浸漬現像法に、ポジ
・レジストとｌＫ俸液との反応生成物を速かにポジ・レ
ジスト膜上から離脱せしめる手段をこうじて、現像むら
を減少せしめたポジ・レジストｌｌ０１１１１フＦ法を
提供する。
Ｏ消資量が少ないポジ・レジストの浸漬現像法に、ポジ
・レジストとｌＫ俸液との反応生成物を速かにポジ・レ
ジスト膜上から離脱せしめる手段をこうじて、現像むら
を減少せしめたポジ・レジストｌｌ０１１１１フＦ法を
提供する。
即ち本尭−はポジ・レジスト族の現像方法に於て、露光
を完了したポジ・レジスト膜が被着されている被処理基
板を、電界を附与し九ポジ・レジスト現像液中に浸漬し
てポジ・レジスト膜の感光領域を溶解除去することを特
徴とする。
を完了したポジ・レジスト膜が被着されている被処理基
板を、電界を附与し九ポジ・レジスト現像液中に浸漬し
てポジ・レジスト膜の感光領域を溶解除去することを特
徴とする。
以下本発−を一夷輪例について、第２ｍＫ示すａＳ装置
の上面模式ＩＩ（勾及びＡ−Ａ’矢視断面図内を用いて
詳細に説明する。
の上面模式ＩＩ（勾及びＡ−Ａ’矢視断面図内を用いて
詳細に説明する。
本発明Ｋｉ＠いる現像装置は例えば第２図（”）及び（
ｂ） Ｋ示すよちに、現像容器１１内に５０（マｏｊｆ
ｉ ）ＳｔのＩｌ［を有するジメチル・フォルムアルデ
ヒド（ＣＨｉ）ｍ ＮＣＨＯ水ａｔ等からなシ強アルカ
リ性を有する定温のポジ・レジスト現像液１２が充たさ
れており、該現像液１２中に対向して陽極１３及び陰極
１４が設けられている。そして該陽極１３と陰極１４０
関Ｋ、例えば直流電源１５により゛て１０〜１５ （Ｖ
）ｌｉ度の電位差が与えられ、現像液１２内に１０（ｍ
Ａ）ｌｉｌｆの電解電流が流れる電界領域１６が形成さ
れている。
ｂ） Ｋ示すよちに、現像容器１１内に５０（マｏｊｆ
ｉ ）ＳｔのＩｌ［を有するジメチル・フォルムアルデ
ヒド（ＣＨｉ）ｍ ＮＣＨＯ水ａｔ等からなシ強アルカ
リ性を有する定温のポジ・レジスト現像液１２が充たさ
れており、該現像液１２中に対向して陽極１３及び陰極
１４が設けられている。そして該陽極１３と陰極１４０
関Ｋ、例えば直流電源１５により゛て１０〜１５ （Ｖ
）ｌｉ度の電位差が与えられ、現像液１２内に１０（ｍ
Ａ）ｌｉｌｆの電解電流が流れる電界領域１６が形成さ
れている。
本発明の方法によりポジ・レジスト膜のａｍを行う際に
は、第２図に示すように露光の完了したポジ・レジスト
膜が被着されている例えば半導体被処理基板４７を、石
英成るいはテフロン等からなる耐アルカリ性を有する基
板保持具１Ｂ上に、１．５〜２（ｕ）程度の間隔ｄで２
０〜３０（：枚〕程度立て並べ、該被処理中導体基板１
７を基板保持具１８と共に前記ポジ・レジスト現像液１
２４０電界領域１６内に所望の時間浸漬してポジ・レジ
スト膜の現像を行う。なお上記浸漬に際しては、半導体
被処理基１［１７面が電極１３，１４の表面に対して直
角に向くことが好オしい。
は、第２図に示すように露光の完了したポジ・レジスト
膜が被着されている例えば半導体被処理基板４７を、石
英成るいはテフロン等からなる耐アルカリ性を有する基
板保持具１Ｂ上に、１．５〜２（ｕ）程度の間隔ｄで２
０〜３０（：枚〕程度立て並べ、該被処理中導体基板１
７を基板保持具１８と共に前記ポジ・レジスト現像液１
２４０電界領域１６内に所望の時間浸漬してポジ・レジ
スト膜の現像を行う。なお上記浸漬に際しては、半導体
被処理基１［１７面が電極１３，１４の表面に対して直
角に向くことが好オしい。
おシ、該ポジ・レジストは紫外線等に感光すると窒素（
Ｎ、）を放出して、・（Ｉ）さとなる。そして露光を完
了し九ポジ・レジス）ＩＩを前記ポジ・レジスト現像液
に浸漬すると、該ポジ・レジストオン（２）ｊｃＹ）６
＞と陽イオン（Ｈ・）に解離する。そして現像液内に形
成されている電界によシ陰イオン＜ｍ（ｌｑは陽極１３
Ｋ、又陽イオン（Ｈつは陰極１４に引かれて、速かにポ
ジ・レジスト膜上から離脱し、ポジ・レジスト膜上に反
応生成物を金型ない現像液が絶えず補給される。
Ｎ、）を放出して、・（Ｉ）さとなる。そして露光を完
了し九ポジ・レジス）ＩＩを前記ポジ・レジスト現像液
に浸漬すると、該ポジ・レジストオン（２）ｊｃＹ）６
＞と陽イオン（Ｈ・）に解離する。そして現像液内に形
成されている電界によシ陰イオン＜ｍ（ｌｑは陽極１３
Ｋ、又陽イオン（Ｈつは陰極１４に引かれて、速かにポ
ジ・レジスト膜上から離脱し、ポジ・レジスト膜上に反
応生成物を金型ない現像液が絶えず補給される。
従って上記実紬例に於ては、従来の浸漬方式に対して１
．５〔倍）ｌｉｔＯ現像速度が得られ、且つ現像むらも
殆んどなくな〕、現像後のパターン幅のばらつｔＩｉは
、例えばｌ〔バッチ〕即ち３．５〔吋〕基板２４〔枚〕
Ｋついて±０．１〔μｍ）以下となシ、従来に比べてｉ
以下に改善される。
．５〔倍）ｌｉｔＯ現像速度が得られ、且つ現像むらも
殆んどなくな〕、現像後のパターン幅のばらつｔＩｉは
、例えばｌ〔バッチ〕即ち３．５〔吋〕基板２４〔枚〕
Ｋついて±０．１〔μｍ）以下となシ、従来に比べてｉ
以下に改善される。
なお上記実施例に於ては直流電界中で現像を行ったが、
交流電界中でも同様の効果が得られる。
交流電界中でも同様の効果が得られる。
以上説明し友ように本発明によれば、現像処理の能率が
高く、且つ現像液消費量の少ない浸漬方式の現像方法を
用いて、寸法のばらつきが極めて少ないポジ・レジスト
・パターンを形成することができる。従って微細パター
ンの形式に浸漬方式のポジ・レジスト現儂法を適用する
ことが可能になり、半導体装置やフォト・マースフを製
造する際のｌ！侭待時間現像費用の低減が図れる。
高く、且つ現像液消費量の少ない浸漬方式の現像方法を
用いて、寸法のばらつきが極めて少ないポジ・レジスト
・パターンを形成することができる。従って微細パター
ンの形式に浸漬方式のポジ・レジスト現儂法を適用する
ことが可能になり、半導体装置やフォト・マースフを製
造する際のｌ！侭待時間現像費用の低減が図れる。
纂１図は従来の浸漬現像法の説明図、第２図は本発明の
一実施例に用いた現像装置の上面模式図（ａ）及びＡ−
に矢視断ｆｆ１ｌｌ（ｔＱテ４！。 図に於て、１１は現像容ｉｔ）、１２はポジ・レジスト
′ｉＪＬ儂液、１３は陽極、１４は陰極、１５は直流電
源、１６は電界領域、１７は牛導体被処理基板、１８＃
ｉ基板保持具、ｄは基板間隔を示す。 Ｐ馳 代理人 弁理士 松 岡 宏四
一実施例に用いた現像装置の上面模式図（ａ）及びＡ−
に矢視断ｆｆ１ｌｌ（ｔＱテ４！。 図に於て、１１は現像容ｉｔ）、１２はポジ・レジスト
′ｉＪＬ儂液、１３は陽極、１４は陰極、１５は直流電
源、１６は電界領域、１７は牛導体被処理基板、１８＃
ｉ基板保持具、ｄは基板間隔を示す。 Ｐ馳 代理人 弁理士 松 岡 宏四
Claims (1)
- 露光を完了したポジ・レジスト族が被着されている被処
理基板を、電界を附与したポジ・レジメト現像筐中に浸
漬してポジ・レジスト膜の感光領域を溶解除去する仁と
を特徴とするポジ・レジスト族の現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10187881A JPS584143A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | ポジ・レジスト膜の現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10187881A JPS584143A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | ポジ・レジスト膜の現像方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS584143A true JPS584143A (ja) | 1983-01-11 |
| JPS6360897B2 JPS6360897B2 (ja) | 1988-11-25 |
Family
ID=14312205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10187881A Granted JPS584143A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | ポジ・レジスト膜の現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584143A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5842042A (ja) * | 1981-08-28 | 1983-03-11 | ヘキスト・アクチエンゲゼルシヤフト | 露光した感光性複写層の現像法 |
| JPS6120043A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-28 | Sigma Gijutsu Kogyo Kk | 現像の終点検出方法 |
| JPS61167947A (ja) * | 1985-01-21 | 1986-07-29 | Sigma Gijutsu Kogyo Kk | 現像の終点検出方法 |
| JPS61171244U (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-24 | ||
| JPS6238457A (ja) * | 1985-08-14 | 1987-02-19 | Asahi Chem Ind Co Ltd | レジスト現像方法 |
| JPS62135838A (ja) * | 1985-08-19 | 1987-06-18 | Toshiba Corp | パタ−ン形成方法及び装置 |
| JPH0220876A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 現像方法 |
-
1981
- 1981-06-30 JP JP10187881A patent/JPS584143A/ja active Granted
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5842042A (ja) * | 1981-08-28 | 1983-03-11 | ヘキスト・アクチエンゲゼルシヤフト | 露光した感光性複写層の現像法 |
| JPH0347495B2 (ja) * | 1981-08-28 | 1991-07-19 | Hoechst Ag | |
| JPS6120043A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-28 | Sigma Gijutsu Kogyo Kk | 現像の終点検出方法 |
| JPH0511304B2 (ja) * | 1984-07-09 | 1993-02-15 | Shiguma Merutetsuku Kk | |
| JPS61167947A (ja) * | 1985-01-21 | 1986-07-29 | Sigma Gijutsu Kogyo Kk | 現像の終点検出方法 |
| JPS61171244U (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-24 | ||
| JPH0234823Y2 (ja) * | 1985-04-12 | 1990-09-19 | ||
| JPS6238457A (ja) * | 1985-08-14 | 1987-02-19 | Asahi Chem Ind Co Ltd | レジスト現像方法 |
| JPS62135838A (ja) * | 1985-08-19 | 1987-06-18 | Toshiba Corp | パタ−ン形成方法及び装置 |
| JPH0220876A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 現像方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6360897B2 (ja) | 1988-11-25 |
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