CN107221497B - 导线的制造方法和显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种导线的制造方法和显示面板，属于显示技术领域。所述方法包括：在衬底结构上形成过渡层，在形成有过渡层的衬底结构上形成金属层，在形成有金属层的衬底结构上形成第一光刻胶图案，以第一光刻胶图案为掩膜对金属层进行刻蚀，形成金属导线，以第一光刻胶图案为掩膜对过渡层进行刻蚀，形成过渡线，过渡线和金属导线构成导线。本发明通过以第一光刻胶图案作为金属层和过渡层的掩膜进行两次刻蚀，形成导线。解决了相关技术中以金属导线作为掩膜刻蚀过渡层时，刻蚀液可能损伤金属导线的问题，达到了保护金属导线的效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种导线的制造方法和显示面板。
背景技术
在制造显示面板的过程中，会在衬底结构(该衬底结构可以为衬底基板或栅绝缘层等结构)上形成各种金属导线，但由于金属导线和多数衬底结构之间的附着力较弱，因而通常会在金属导线和衬底结构之间设置与金属导线以及衬底结构的附着力均较强的过渡线，由该过渡线和金属导线共同构成显示面板中的导线。
目前，制造显示面板的方法包括1)在衬底结构上形成过渡层(过渡层通常由与衬底结构以及金属导线的附着力均较强的材料构成；2)在形成有过渡层的衬底结构上形成金属层；3)通过构图工艺在金属层上形成金属导线；4)以金属导线作为掩膜，刻蚀金属导线下方的过渡层，使该过渡层转变为与金属导线形状一致的过渡线。
以金属导线作为掩膜，刻蚀金属导线下方的过渡层时，刻蚀液可能会对金属导线造成损伤。
发明内容
为了解决相关技术的问题，本发明实施例提供了一种导线的制造方法和显示面板。所述技术方案如下：
第一方面，提供了一种导线的制造方法，所述方法包括：
在衬底结构上形成过渡层；
在形成有所述过渡层的衬底结构上形成金属层；
在形成有所述金属层的衬底结构上形成第一光刻胶图案；
以所述第一光刻胶图案为掩膜对所述金属层进行刻蚀，形成金属导线；
以所述第一光刻胶图案为掩膜对所述过渡层进行刻蚀，形成过渡线，所述过渡线和所述金属导线构成所述导线。
可选的，所述过渡层的材料包括透明导电材料，
所述以所述第一光刻胶图案为掩膜对所述过渡层进行刻蚀，形成过渡线之前，所述方法还包括：
在形成有所述金属导线和所述第一光刻胶图案的衬底结构上形成用于作为像素电极图案的掩膜的第二光刻胶图案；
所述以所述第一光刻胶图案为掩膜对所述过渡层进行刻蚀，形成过渡线，包括：
以所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案为掩膜对所述过渡层进行刻蚀，形成所述过渡线和所述像素电极图案。
可选的，所述第一光刻胶图案由正性光刻胶构成，所述第二光刻胶图案由负性光刻胶构成；
或者，所述第一光刻胶图案由负性光刻胶构成，所述第二光刻胶图案由负性光刻胶或正性光刻胶构成。
可选的，所述在形成有所述金属导线和所述第一光刻胶图案的衬底结构上形成用于作为像素电极图案的掩膜的第二光刻胶图案，包括：
在形成有所述金属导线和所述第一光刻胶图案的衬底结构上涂布第二光刻胶层；
通过曝光和显影使所述第二光刻胶层转变为所述第二光刻胶图案。
可选的，所述以所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案为掩膜对所述过渡层进行刻蚀，形成所述过渡线和所述像素电极图案之后，所述方法还包括：
去除所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案。
可选的，所述透明导电材料包括多晶硅氧化铟锡。
可选的，所述以所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案为掩膜对所述过渡层进行刻蚀，形成所述过渡线和所述像素电极图案，包括：
以所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案为掩膜，通过多晶硅氧化铟锡刻蚀液对所述过渡层进行刻蚀，形成所述过渡线和所述像素电极图案。
可选的，所述以所述第一光刻胶图案为掩膜对所述金属层进行刻蚀，形成金属导线，包括：
以所述第一光刻胶图案为掩膜，通过金属刻蚀液对所述金属层进行刻蚀，形成金属导线。
可选的，所述以所述第一光刻胶图案为掩膜对所述过渡层进行刻蚀，形成过渡线之后，所述方法还包括：去除所述第一光刻胶图案。
第二方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括：第一方面所述方法制造的导线。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过在衬底结构上形成过渡层，在该过渡层上形成金属层，在该金属层上形成第一光刻胶图案，以该第一光刻胶图案作为金属层和过渡层的掩膜进行两次刻蚀，形成导线。解决了相关技术中以金属导线作为掩膜刻蚀过渡层时，刻蚀液可能损伤金属导线的问题，达到了保护金属导线的效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1-1是本发明实施例提供的一种导线的制造方法流程图；
图1-2是本发明实施例中一种衬底结构的结构示意图；
图1-3是本发明实施例中另一种衬底结构的结构示意图；
图1-4是本发明实施例中另一种衬底结构的结构示意图；
图1-5是本发明实施例中另一种衬底结构的结构示意图；
图2-1是本发明实施例提供的另一种导线的制造方法流程图；
图2-2是本发明实施例中另一种衬底结构的结构示意图；
图2-3是本发明实施例提供的形成第一光刻胶图案的方法流程图；
图2-4是本发明实施例中另一种衬底结构的结构示意图；
图2-5是本发明实施例中另一种衬底结构的结构示意图；
图2-6是本发明实施例提供的形成第二光刻胶图案的方法流程图；
图2-7是本发明实施例中另一种衬底结构的结构示意图；
图2-8是本发明实施例中另一种衬底结构的结构示意图；
图2-9是本发明实施例中另一种衬底结构的结构示意图；
图2-10是本发明实施例中另一种衬底结构的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
本发明各个实施例提供的导线的制造方法所制造的导线可以作为显示面板中用于实现显示功能的导线，也可以作为触控面板中用于实现触控功能的导线等。
如图1-1所示，本发明实施例提供了一种导线的制造方法，该方法可以包括如下几个步骤：
步骤101、在衬底结构上形成过渡层。
步骤102、在形成有过渡层的衬底结构上形成金属层。
步骤103、在形成有金属层的衬底结构上形成第一光刻胶图案。
如图1-2所示，该图示出了步骤103结束时，衬底结构01的结构示意图。在衬底结构01上形成有过渡层02，在形成有过渡层02的衬底结构01上形成有金属层03，在形成有金属层03的衬底结构上形成有第一光刻胶图案041。
步骤104、以第一光刻胶图案为掩膜对金属层进行刻蚀，形成金属导线。
如图1-3所示，该图示出了步骤104结束时，衬底结构01的示意图。金属导线031位于第一光刻胶图案041的正下方，金属导线031的形状和第一光刻胶图案041一致。
步骤105、以第一光刻胶图案为掩膜对过渡层进行刻蚀，形成过渡线，过渡线和金属导线构成导线。
如图1-4所示，该图示出了步骤105结束时，衬底结构01的示意图。过渡线021位于金属导线031的正下方，过渡线021的形状和金属导线031的形状一致。位于金属导线031和衬底结构01之间的过渡线021可以增强金属导线021在衬底结构01上的附着力。041为第一光刻胶图案。
步骤106、去除第一光刻胶图案。
如图1-5所示，其为步骤106结束时衬底结构01的示意图，衬底结构01上形成的过渡线021和金属导线031。过渡线021和金属导线031构成导线。
综上所述，本发明实施例提供的一种导线的制造方法，通过在衬底结构上形成过渡层，在该过渡层上形成金属层，在该金属层上形成第一光刻胶图案，以该第一光刻胶图案作为金属层和过渡层的掩膜进行两次刻蚀，形成导线。解决了相关技术中以金属导线作为掩膜刻蚀过渡层时，刻蚀液可能损伤金属导线的问题，达到了保护金属导线的效果。
图2-1是本发明实施例示出的另一种导线的制造方法，该方法可以包括下面几个步骤：
步骤201、在衬底结构上形成过渡层。
具体的，衬底结构可以为衬底基板或栅绝缘层结构，比如玻璃或薄膜等。在衬底结构上形成过渡层，该过渡层的材料可以包括透明导电材料，该透明导电材料可以包括氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)。
步骤202、在形成有过渡层的衬底结构上形成金属层。
步骤202结束时，衬底结构上各结构可以如图2-2所示，衬底结构01上依次形成有过渡层02和金属层03。
步骤203、在形成有金属层的衬底结构上形成第一光刻胶图案。
具体的，如图2-3所示，步骤203可以包括下面两个子步骤：
子步骤2031、在形成有金属层的衬底结构上涂布第一光刻胶层。
光刻胶是一种对光敏感的混合液体，光刻胶经过照射后，它的溶解性、亲合性等性能会发生改变，经过显影液处理后可以得到所需的图案。
图2-4示出了子步骤2031结束时，衬底结构01的示意图，形成有金属层03的衬底结构01上形成有第一光刻胶层04。图2-4中其他标记的含义可以参考图2-2，在此不再赘述。
可选的，该第一光刻胶层04可以为正性光刻胶层或者负性光刻胶层。
光刻胶可以包括正性光刻胶和负性光刻胶，其中，正性光刻胶被光照射后，被照射的区域发生光分解反应，形成可溶于显影液的物质，用显影液溶去被光照射的区域，能够得到所需图案。负性光刻胶被光照射后，被照射的区域发生光固化反应，形成不可溶于显影液的物质，用显影液溶去未被光照射部分，能够得到所需图案。
子步骤2032、通过曝光和显影使第一光刻胶层转变为第一光刻胶图案。
可以通过预设的掩膜板和光源来对第一光刻胶层进行曝光，使第一光刻胶层中仅有预设区域(该预设区域可以为第一光刻胶图案在第一光刻胶层上的对应区域之外的区域)的光刻胶为可溶性物质(可溶于显影液)，再在显影过程中通过显影液来溶解第一光刻胶层中的可溶性物质，使第一光刻胶层转变为第一光刻胶图案。
可选的，当该第一光刻胶层由正性光刻胶构成时，第一光刻胶图案上的曝光区域可以为上述预设区域，当该第一光刻胶层为负性光刻胶层时，第一光刻胶图案上的曝光区域可以为第一光刻胶图案在第一光刻胶层上对应的区域。
子步骤结束时，衬底结构01上各个结构可以参考图1-2，其中，形成有金属层03的衬底结构01上形成有第一光刻胶图案041。
有关于对光刻胶进行曝光和显影的技术可参考相关技术，在此不再进行赘述。
步骤204、以第一光刻胶图案为掩膜对金属层进行刻蚀，形成金属导线。
如图2-5所示，以第一光刻胶图案041为掩膜，通过金属刻蚀液对金属层进行刻蚀后，金属层未被第一光刻胶图案041覆盖的区域会被金属刻蚀液刻蚀，而第一光刻胶图案041覆盖的区域会保留在过渡层02上，该区域为金属导线031。01为衬底结构。
有关于对金属进行刻蚀的技术可参考相关技术，在此不再进行赘述。
步骤205、在形成有金属导线和第一光刻胶图案的衬底结构上形成用于作为像素电极图案的掩膜的第二光刻胶图案。
在一种相关技术中，通过一次构图工艺(或称黄光工艺)在衬底结构上形成金属导线，再通过第二次构图工艺在衬底结构上形成过渡线。由于在第二次构图工艺中要形成金属导线的掩膜以保护金属导线，但这在金属导线较细时，会使得掩膜板和金属导线的对位难度较大，因而相关技术中的金属导线通常会被限制在一个较粗的尺寸。
在本发明实施例中，以第一光刻胶图案作为金属层和过渡层的掩膜进行两次刻蚀，无需考虑掩膜板与金属导线的对位问题，从而减小了金属导线的尺寸限制。
具体的，如图2-6所示，步骤205可以包括以下两个子步骤：
子步骤2051、在形成有金属导线和第一光刻胶图案的衬底结构上涂布第二光刻胶层。
子步骤2051结束时，衬底结构01上各结构可以如图2-7所示，第二光刻胶层05形成于形成有金属导线031和第一光刻胶图案041的衬底结构01上。02为过渡层。
子步骤2052、通过曝光和显影使第二光刻胶层转变为第二光刻胶图案。
曝光和显影的过程可以参考上述步骤203。
可选的，为了避免形成第一光刻胶图案和第二光刻胶图案时相互造成影响，本发明实施例中的第一光刻胶图案由正性光刻胶构成(即第一光刻胶层也由正性光刻胶构成)，第二光刻胶图案由负性光刻胶构成(即第二光刻胶层也由负性光刻胶构成)；或者，第一光刻胶图案由负性光刻胶构成(即第一光刻胶层也由负性光刻胶构成)，第二光刻胶图案由负性光刻胶或正性光刻胶构成。即第一光刻胶层和第二光刻胶层可以不均为正性光刻胶。这是由于当第一光刻胶层由正性光刻胶构成时，步骤2032结束时，形成的第一光刻胶图案为第一光刻胶层上未被光照射过的部分。若第二光刻胶层由负性光刻胶构成，在对第二光刻胶层进行曝光时，光线照射的是第二光刻胶图案在第二光刻胶层上对应的区域，第一光刻胶图案所在区域不会受到光照，因而不会受到影响，但若第二光刻胶层由正性光刻胶构成，在对第二光刻胶层进行曝光时，光线照射的是第二光刻胶图案在第二光刻胶层上对应的区域之外的区域，第一光刻胶图案所在区域位于光线照射的区域，第一光刻胶图案会受到光照并转化为可溶性物质，难以在后续步骤中作为掩膜。
图2-8为子步骤2052结束时，衬底结构01的示意图，其中，第二光刻胶图案051形成于形成有第一掩膜图案041和金属导线031的衬底结构01上。02为过渡层。
步骤206、以第一光刻胶图案和第二光刻胶图案为掩膜对过渡层进行刻蚀，形成过渡线和像素电极图案。
具体的，用过渡层刻蚀液对过渡层进行刻蚀时，没有被第一光刻胶图案和第二光刻胶图案覆盖的过渡层区域会被过渡层刻蚀液刻蚀，然后过渡层转化为过渡线和像素电极图案。本步骤结束时，本发明实施例通过一次构图工艺在衬底结构上形成了过渡线和像素电极图案，相较于相关技术中分别通过两次构图工艺形成过渡线和像素电极图案，节省了一次构图工艺。
需要说明的是，当过渡层由透明导电材料中的多晶硅氧化铟锡构成时，过渡层刻蚀液通常为王水，王水是一种腐蚀性能极强的液体，可以腐蚀金属。传统方法中，如果过渡层由多晶硅氧化铟锡构成，当对多晶硅氧化铟锡进行刻蚀时，由于多晶硅氧化铟锡的刻蚀液(即王水)刻蚀性能极强，会腐蚀金属导线。因此，传统方法中难以以多晶硅氧化铟锡作为过渡层的材料。本发明实施例通过以第一光刻胶图案为金属导线的掩膜，保护了金属导线，使金属导线不会被多晶硅氧化铟锡的刻蚀液刻蚀。丰富了过渡层的材料。
步骤206结束时，衬底结构的结构可以如图2-9所示，其中，衬底结构01上形成有过渡线021以及像素电极图案022。图2-9中其他标记的含义可以参考图2-8，在此不再赘述。
步骤207、去除第一光刻胶图案和第二光刻胶图案。
可以通过剥离液浸泡形成有第一光刻胶图案和第二光刻胶图案的衬底结构，使第一光刻胶图案和第二光刻胶图案从衬底结构上剥离(Strip)。
步骤207结束时，衬底结构的结构可以如图2-10所示，去除第一光刻胶图案和第二光刻胶图案之后，衬底结构01上形成有导线(由过渡线021和金属导线031构成)和像素电极图案022。
综上所述，本发明实施例提供的一种导线的制造方法，通过在衬底结构上形成过渡层，在该过渡层上形成金属层，在该金属层上形成第一光刻胶图案，以该第一光刻胶图案作为金属层和过渡层的掩膜进行两次刻蚀，形成导线。解决了相关技术中以金属导线作为掩膜刻蚀过渡层时，刻蚀液可能损伤金属导线的问题，达到了保护金属导线的效果。
本发明实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括由图1-1所示的导线的制造方法制造而成的导线，或由图2-1所示的导线的制造方法制造而成的导线。
需要说明的是：上述实施例提供的导线的制造方法在制造导线时，仅以上述各步骤功能的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而完成上述部分或全部功能。另外，上述实施例提供的导线的制造方法和显示面板实施例属于同一构思，其具体实现过程详见方法实施例，这里不再赘述。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种导线的制造方法，其特征在于，所述导线为用于实现显示功能的导线，或者用于实现触控功能的导线，所述方法包括：
在衬底结构上形成过渡层，所述过渡层的材料包括透明导电材料；
在形成有所述过渡层的衬底结构上形成金属层；
在形成有所述金属层的衬底结构上形成第一光刻胶图案；
以所述第一光刻胶图案为掩膜对所述金属层进行刻蚀，形成金属导线；
在形成有所述金属导线和所述第一光刻胶图案的衬底结构上形成用于作为像素电极图案的掩膜的第二光刻胶图案；
以所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案为掩膜对所述过渡层进行刻蚀，形成过渡线和所述像素电极图案，所述过渡线和所述金属导线构成所述导线；
其中，所述第一光刻胶图案由正性光刻胶构成，所述第二光刻胶图案由负性光刻胶构成，或者，所述第一光刻胶图案由负性光刻胶构成，所述第二光刻胶图案由负性光刻胶或正性光刻胶构成。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述金属导线和所述第一光刻胶图案的衬底结构上形成用于作为像素电极图案的掩膜的第二光刻胶图案，包括：
在形成有所述金属导线和所述第一光刻胶图案的衬底结构上涂布第二光刻胶层；
通过曝光和显影使所述第二光刻胶层转变为所述第二光刻胶图案。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述以所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案为掩膜对所述过渡层进行刻蚀，形成所述过渡线和所述像素电极图案之后，所述方法还包括：
去除所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述透明导电材料包括多晶硅氧化铟锡。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述以所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案为掩膜对所述过渡层进行刻蚀，形成所述过渡线和所述像素电极图案，包括：
以所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案为掩膜，通过多晶硅氧化铟锡刻蚀液对所述过渡层进行刻蚀，形成所述过渡线和所述像素电极图案。
6.根据权利要求1-5任一所述的方法，其特征在于，所述以所述第一光刻胶图案为掩膜对所述金属层进行刻蚀，形成金属导线，包括：
以所述第一光刻胶图案为掩膜，通过金属刻蚀液对所述金属层进行刻蚀，形成金属导线。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述以所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案为掩膜对所述过渡层进行刻蚀，形成过渡线和所述像素电极图案之后，所述方法还包括：
去除所述第一光刻胶图案。
8.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1-5任一所述方法制造的导线。
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