CN108179378A - 金属光掩膜的制作方法以及金属光掩膜 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种金属光掩膜的制作方法，其包括步骤：在基板上制作形成正性光阻层；在所述正性光阻层上制作形成多个负性光阻块，相邻的两个所述负性光阻块之间具有间隔；在所述正性光阻层和所述负性光阻块上制作形成金属层；将所述正性光阻层和所述负性光阻块去除，以形成金属光掩膜。本发明的金属光掩膜的制作方法采用正性光阻和负性光阻做基板和金属层的中间介体，在完成金属层的制作之后可以将正负性光阻与金属层完全分离，从而制作过程简单且良率较高。
Description
技术领域
本发明属于半导体制造技术领域，具体地讲，涉及一种金属光掩膜的制作方法以及由该制作方法制作的金属光掩膜。
背景技术
在半导体制造的整个流程中，其中一部分就是从版图到晶圆(wafer)制造中间的一个过程，即光掩膜或称光罩(mask)制造。这一部分是流程衔接的关键部分，是流程中造价最高的一部分，也是限制最小线宽的瓶颈之一。
目前，金属光掩膜广泛应用于有机发光二极管(OLED)制造中的蒸镀沉积、PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)沉积、ALD(原子层沉积法)沉积等工艺制程中，可以使沉积的膜层在基板上形成所需要的图案(pattern)。然而，目前的金属光掩膜的制作需要经过多次黄光制程、蚀刻制程等，从而制作流程较为复杂，并且良率也较低。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种制作方法简单且良率较高的金属光掩膜的制作方法以及金属光掩膜。
根据本发明的一方面，提供了一种金属光掩膜的制作方法，其包括步骤：在基板上制作形成正性光阻层；在所述正性光阻层上制作形成多个负性光阻块，相邻的两个所述负性光阻块之间具有间隔；在所述正性光阻层和所述负性光阻块上制作形成金属层；将所述正性光阻层和所述负性光阻块去除，以形成金属光掩膜。
进一步地，制作形成所述正性光阻层的方法包括步骤：将正性光阻液涂布在所述基板上；对涂布的所述正性光阻液进行固化，以形成所述正性光阻层。
进一步地，制作形成所述多个负性光阻块的方法包括：将负性光阻液涂布在所述正性光阻层上；对涂布的负性光阻液进行预固化，以形成预固化负性光阻层；对所述预固化负性光阻层进行曝光和显影处理，以形成多个预固化负性光阻块，相邻的两个所述预固化负性光阻块之间具有间隔；对所述多个预固化负性光阻块再次进行固化，以形成所述多个负性光阻块。
进一步地，对经曝光后的所述预固化负性光阻层进行显影处理的显影液为氢氧化钾溶液，所述氢氧化钾溶液的浓度为0.02％。
进一步地，制作形成金属层的方法包括：利用磁控溅射方法在所述正性光阻层和所述负性光阻块上溅镀金属材料，从而形成所述金属层。
进一步地，所述金属材料为铁镍合金材料。
进一步地，将所述正性光阻层和所述负性光阻块去除的方法包括：利用有机脱膜液对所述正性光阻层和所述负性光阻块进去脱膜处理，以将所述正性光阻层和所述负性光阻块去除。
进一步地，所述负性光阻块的截面形状呈倒梯形状。
进一步地，所述负性光阻块的厚度大于所述金属层的厚度。
根据本发明的另一方面，还提供了一种由上述的制作方法制作的金属光掩膜。
本发明的有益效果：本发明的金属光掩膜的制作方法采用正性光阻和负性光阻做基板和金属层的中间介体，在完成金属层的制作之后可以将正负性光阻与金属层完全分离，从而制作过程简单且良率较高。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：
图1是根据本发明的实施例的金属光掩膜的制作方法的流程图；
图2A至图2D是根据本发明的实施例的金属光掩膜的制程图。
具体实施方式
以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。
在附图中，为了清楚器件，夸大了层和区域的厚度。相同的标号在整个说明书和附图中表示相同的元器件。
图1是根据本发明的实施例的金属光掩膜的制作方法的流程图。图2A至图2D是根据本发明的实施例的金属光掩膜的制程图。
参照图1，根据本发明的实施例的金属光掩膜的制作方法包括步骤S100至步骤S400。
具体地，参照图1和图2A，在步骤S100中，在基板100上制作形成正性光阻层200。
这里，基板100可例如是玻璃基板，但本发明并不限制于此，例如基板100也可以是树脂基板。
此外，制作形成正性光阻层200的方法包括步骤：首先，利用涂布设备将正性光阻液涂布在基板100上；接着，对涂布的所述正性光阻液进行固化，以形成正性光阻层200。进一步地，在固化温度为130℃的条件下对所述正性光阻液进行约3分钟的固化，以形成所述正性光阻层200。
进行完步骤S100之后，接着进行步骤S200。
参照图1和图2B，在步骤S200中，在正性光阻层200上制作形成多个负性光阻块300，相邻的两个负性光阻块300之间具有间隔。这里，该间隔将负性光阻块300之间的正性光阻层200暴露。
在本实施例中，优选地，负性光阻块300的截面形状为倒梯形形状。也就是说，负性光阻块300的宽度沿远离正性光阻层200的方向逐渐增大。这里，由于在之后需要制作金属膜，金属膜的制作一般采用沉淀的方式，因此在倒梯形形状的负性光阻块300上沉淀金属膜，金属膜会有部分不能完全覆盖倒梯形形状的负性光阻块300，这样有利于脱膜时药液与倒梯形形状的负性光阻块300接触，从而有利于脱膜过程。
进一步地，制作形成多个负性光阻块300的方法包括步骤：首先，利用涂布设备将负性光阻液涂布在正性光阻层200上；接着，对涂布的负性光阻液进行预固化，以形成预固化负性光阻层；接着，对所述预固化负性光阻层进行曝光和显影处理，以形成多个预固化负性光阻块(其与负性光阻块300的形状完全相同)，相邻的两个所述预固化负性光阻块之间具有间隔；最后，对所述多个预固化负性光阻块再次进行固化，以形成所述多个负性光阻块300。
这里，对经曝光后的所述预固化负性光阻层进行显影处理的显影液可以为氢氧化钾(KOH)溶液，该氢氧化钾溶液的浓度约为0.02％，但本发明并不限制于此。
进行完步骤S200之后，接着进行步骤S300。
参照图1和图2C，在步骤S300中，在正性光阻层200和负性光阻块300上制作形成金属层400。
进一步地，制作形成金属层400的方法包括：利用磁控溅射方法在正性光阻层200和负性光阻块300上溅镀金属材料，从而形成金属层400。在本实施例中，优选地，所述金属材料为铁镍合金材料，但本发明并不限制于此。
此外，需要说明的是，负性光阻块300的厚度大于金属层400的厚度，但本发明并不限制于此。这里，将负性光阻块300的厚度设置成大于金属层400的厚度，可以保证负性光阻块300的部分从金属层400中裸露出来，从而有利于脱膜时药液与负性光阻块300接触，进而有利于脱膜过程。
进行完步骤S300之后，接着进行步骤S400。
参照图1和图2D，在步骤S400中，将正性光阻层200和负性光阻块300去除，以形成金属光掩膜。
进一步地，将正性光阻层200和负性光阻块300去除的方法包括：利用有机脱膜液对正性光阻层200和负性光阻块300进去脱膜处理，以将正性光阻层200和负性光阻块300去除。
综上所述，根据本发明的实施例的金属光掩膜的制作方法采用正性光阻和负性光阻做基板和金属层的中间介体，在完成金属层的制作之后可以将正负性光阻与金属层完全分离，从而制作过程简单且良率较高。
虽然已经参照特定实施例示出并描述了本发明，但是本领域的技术人员将理解：在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，可在此进行形式和细节上的各种变化。
Claims (10)
1.一种金属光掩膜的制作方法，其特征在于，包括步骤：
在基板上制作形成正性光阻层；
在所述正性光阻层上制作形成多个负性光阻块，相邻的两个所述负性光阻块之间具有间隔；
在所述正性光阻层和所述负性光阻块上制作形成金属层；
将所述正性光阻层和所述负性光阻块去除，以形成金属光掩膜。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，制作形成所述正性光阻层的方法包括步骤：
将正性光阻液涂布在所述基板上；
对涂布的所述正性光阻液进行固化，以形成所述正性光阻层。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，制作形成所述多个负性光阻块的方法包括：
将负性光阻液涂布在所述正性光阻层上；
对涂布的负性光阻液进行预固化，以形成预固化负性光阻层；
对所述预固化负性光阻层进行曝光和显影处理，以形成多个预固化负性光阻块，相邻的两个所述预固化负性光阻块之间具有间隔；
对所述多个预固化负性光阻块再次进行固化，以形成所述多个负性光阻块。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，对经曝光后的所述预固化负性光阻层进行显影处理的显影液为氢氧化钾溶液，所述氢氧化钾溶液的浓度为0.02％。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，制作形成金属层的方法包括：利用磁控溅射方法在所述正性光阻层和所述负性光阻块上溅镀金属材料，从而形成所述金属层。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述金属材料为铁镍合金材料。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，将所述正性光阻层和所述负性光阻块去除的方法包括：利用有机脱膜液对所述正性光阻层和所述负性光阻块进去脱膜处理，以将所述正性光阻层和所述负性光阻块去除。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述负性光阻块的截面形状呈倒梯形状。
9.根据权利要求1或8所述的制作方法，其特征在于，所述负性光阻块的厚度大于所述金属层的厚度。
10.一种由权利要求1至9任一项所述的制作方法制作的金属光掩膜。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2020143201A1 (zh) * | 2019-01-09 | 2020-07-16 | 昆山国显光电有限公司 | 掩膜板制作方法及掩膜板 |
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