JPH0456211A - レジストの現像方法 - Google Patents
レジストの現像方法Info
- Publication number
- JPH0456211A JPH0456211A JP16718290A JP16718290A JPH0456211A JP H0456211 A JPH0456211 A JP H0456211A JP 16718290 A JP16718290 A JP 16718290A JP 16718290 A JP16718290 A JP 16718290A JP H0456211 A JPH0456211 A JP H0456211A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive substrate
- developing
- substrate
- resist
- resist film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 abstract description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 abstract description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 16
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- -1 hydroxide ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical compound [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- BJAARRARQJZURR-UHFFFAOYSA-N trimethylazanium;hydroxide Chemical compound O.CN(C)C BJAARRARQJZURR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置などの導電性基板上のレジスト膜
を現像する工程において高アスペクト比の断面形状を持
つ極めて微細なレジストパターンを高速で現像形成がで
きるレジスト膜の現像方法に関するものである。
を現像する工程において高アスペクト比の断面形状を持
つ極めて微細なレジストパターンを高速で現像形成がで
きるレジスト膜の現像方法に関するものである。
従来の技術
半導体装置などの製送工程では加工に必要な１ノジスト
パターンを形成するために半導体基板上にノボラック樹
脂系ホトレジスト膜を形成した後１７所定のマスクパタ
ーンを転写露光後、有機アルカリ系電解水溶液に浸して
現像処理を行うことが一般的である。この現像反応はパ
ターン転写露光部がアルカリ可溶となるためとパターン
未露光部がアルカリ水溶液によって軽い架橋反応を生じ
、難溶化することによる現像速度差を利用し７ている。
パターンを形成するために半導体基板上にノボラック樹
脂系ホトレジスト膜を形成した後１７所定のマスクパタ
ーンを転写露光後、有機アルカリ系電解水溶液に浸して
現像処理を行うことが一般的である。この現像反応はパ
ターン転写露光部がアルカリ可溶となるためとパターン
未露光部がアルカリ水溶液によって軽い架橋反応を生じ
、難溶化することによる現像速度差を利用し７ている。
現像方法は、基板面内の均一性を重視して基板を静止し
て現像する静止現像法が一般的に使用される。
て現像する静止現像法が一般的に使用される。
発明が解決しようとする課題
転写露光パターンは、光学的に結像させるため回折光に
よる光コントラストの低下が生じ従来の現像方式では形
成された微細レジストパターンのアスペクト比が低下す
る。転写露光前にレジスト膜にアルカリ拡散を行うなど
してアスペクト比を向上させる方式もあるが工程が長（
なる問題がある。また現像中の現像液をかく拌すること
により現像速度を向−トさせて転写露光５丁、ネルギー
を節約することが可能であるが均一にか（拌する方法が
ないため一般的には行われていない。
よる光コントラストの低下が生じ従来の現像方式では形
成された微細レジストパターンのアスペクト比が低下す
る。転写露光前にレジスト膜にアルカリ拡散を行うなど
してアスペクト比を向上させる方式もあるが工程が長（
なる問題がある。また現像中の現像液をかく拌すること
により現像速度を向−トさせて転写露光５丁、ネルギー
を節約することが可能であるが均一にか（拌する方法が
ないため一般的には行われていない。
本発明は上記の問題点の解決を図ったものでありアスペ
クト比の高いレジストパターンを形成でき高い現像速度
を実現できる現像方法である。
クト比の高いレジストパターンを形成でき高い現像速度
を実現できる現像方法である。
課題を解決するための手段
本発明は上記の問題点の解決を図る手段として導電性基
板上に形成したレジスト膜に所定のパターンを転写露光
した後の現像処理において、基板とレジスト膜を浸す電
解現像液との間に直流又は交流電位差を外部装置によっ
て加えることを特徴とする現像方法である。
板上に形成したレジスト膜に所定のパターンを転写露光
した後の現像処理において、基板とレジスト膜を浸す電
解現像液との間に直流又は交流電位差を外部装置によっ
て加えることを特徴とする現像方法である。
作用
導電性基板上に形成したノボラック樹脂系ポジ型レジス
ト膜に所定のパターンを転写露光した後に基板との間に
電位差を持たせたアルカリ系電解水溶液に浸して現像し
た場合に次の作用が生じる。現像がはじまるとともに露
光部分の溶解が起り一般的には、２０秒以内に基板表面
に現像液が達する。基板を陽極とし現像液に陰極などを
浸して直流電流を通ずるならば水酸イオンが基板方向に
泳動して未露光部レジストをアタックしてその内部にア
ルカリ拡散による現像難溶化を生じせしめてレジストパ
ターン断面のアスペクト比を向上させる。また基板を陰
極とし現像液に陽極などを浸して直流電流を通ずるなら
ば水酸イオンが基板から現像液方向に泳動して基板表面
付近で現像液のか（拌を活発ならしめて現像速度を向上
させる。この時のかく拌作用は極めて均一なものである
。
ト膜に所定のパターンを転写露光した後に基板との間に
電位差を持たせたアルカリ系電解水溶液に浸して現像し
た場合に次の作用が生じる。現像がはじまるとともに露
光部分の溶解が起り一般的には、２０秒以内に基板表面
に現像液が達する。基板を陽極とし現像液に陰極などを
浸して直流電流を通ずるならば水酸イオンが基板方向に
泳動して未露光部レジストをアタックしてその内部にア
ルカリ拡散による現像難溶化を生じせしめてレジストパ
ターン断面のアスペクト比を向上させる。また基板を陰
極とし現像液に陽極などを浸して直流電流を通ずるなら
ば水酸イオンが基板から現像液方向に泳動して基板表面
付近で現像液のか（拌を活発ならしめて現像速度を向上
させる。この時のかく拌作用は極めて均一なものである
。
次に基板と現像液に浸した電極との間に交流電流を通ず
るならば上記の作用が交互に現れるためアスペクト比の
向上と現像速度の向上が同時に可能である。
るならば上記の作用が交互に現れるためアスペクト比の
向上と現像速度の向上が同時に可能である。
実施例
本発明の詳細を実施例をもって説明する。
使用したレジストはポジ型のホトレジストで７エノール
ノボラツク系の樹膜をベースレジンにし、感光基にキノ
ンジアジド系を用いたものである。現像液はトリメチル
アンモニウムハイドロオキサイドを成分とするアルカリ
規定度が２．３８％の水溶液を使用する。外部から加え
る電位差は、直流および交流において実効電圧が１ボル
トであり交流を使用する場合は、１キロヘルツの矩形波
を用いる。
ノボラツク系の樹膜をベースレジンにし、感光基にキノ
ンジアジド系を用いたものである。現像液はトリメチル
アンモニウムハイドロオキサイドを成分とするアルカリ
規定度が２．３８％の水溶液を使用する。外部から加え
る電位差は、直流および交流において実効電圧が１ボル
トであり交流を使用する場合は、１キロヘルツの矩形波
を用いる。
第１図は、本発明による現像方式の概略図である。第１
図中、１は電源装置、２はリード線、３は容器、４は白
金電極、５は現像液、６はレジスト膜、７は露光潜像部
、８は導電性基板である。
図中、１は電源装置、２はリード線、３は容器、４は白
金電極、５は現像液、６はレジスト膜、７は露光潜像部
、８は導電性基板である。
現像の全工程は４０秒であり、現像開始後の１０〜２０
秒で露光潜像部７は、溶解して現像液５は、導電性基板
８に達する。電源装置１よりリード線２から直流を通じ
て白金電極４を負、導電性基板８を正に帯電させるなら
ば露光潜像部７を通して水酸イオンの泳動が白金電極４
から導電性基板８の方向に生じてレジスト膜６を現像液
に対して強く難溶化して現像終了後の露光潜像部７はほ
とんど矩形のホールパターンになる。また電源装置１か
らリード線２より直流を通じて白金電極４を正、導電性
基板８を負に帯電させるならば水酸イオンの泳動が導電
性基板８から白金電極４の方向に生じるため露光潜像部
７における反応製酸物のかく拌を容易ならしめ現像速度
が向上し、潜像を形成するために必要な露光エネルギー
は従来方法よりも３０％も少なくてすむ。また電源装置
１よりリード線２を通じて白金電極４と導電性基板８の
間に交流電流を通ずるならば上記の作用が交互に起こる
ため現像終了後の露光潜像部７には、矩形に近いホール
パターンが形成され潜像を形成するために必要な露光エ
ネルギーは従来方法よりも１５％少な（てすむ。
秒で露光潜像部７は、溶解して現像液５は、導電性基板
８に達する。電源装置１よりリード線２から直流を通じ
て白金電極４を負、導電性基板８を正に帯電させるなら
ば露光潜像部７を通して水酸イオンの泳動が白金電極４
から導電性基板８の方向に生じてレジスト膜６を現像液
に対して強く難溶化して現像終了後の露光潜像部７はほ
とんど矩形のホールパターンになる。また電源装置１か
らリード線２より直流を通じて白金電極４を正、導電性
基板８を負に帯電させるならば水酸イオンの泳動が導電
性基板８から白金電極４の方向に生じるため露光潜像部
７における反応製酸物のかく拌を容易ならしめ現像速度
が向上し、潜像を形成するために必要な露光エネルギー
は従来方法よりも３０％も少なくてすむ。また電源装置
１よりリード線２を通じて白金電極４と導電性基板８の
間に交流電流を通ずるならば上記の作用が交互に起こる
ため現像終了後の露光潜像部７には、矩形に近いホール
パターンが形成され潜像を形成するために必要な露光エ
ネルギーは従来方法よりも１５％少な（てすむ。
発明の効果
本発明によればレジスト処理工程を長くせずに形成され
るレジストパターンのアスペクト比を向上することがで
き、現像速度の向上が可能である。導電性基板上で行う
という制約があるが半導体装置の製造工程における高反
射メタル蒸着の基板でのパターン形成ではパターンのア
スペクト比を向上させるとともに潜像露光エネルギーを
減少させることが可能でありハレーションによるパター
ン欠損を低減することができる。またレジストスカムの
除去効果もあり工業的な価値が高い。
るレジストパターンのアスペクト比を向上することがで
き、現像速度の向上が可能である。導電性基板上で行う
という制約があるが半導体装置の製造工程における高反
射メタル蒸着の基板でのパターン形成ではパターンのア
スペクト比を向上させるとともに潜像露光エネルギーを
減少させることが可能でありハレーションによるパター
ン欠損を低減することができる。またレジストスカムの
除去効果もあり工業的な価値が高い。
第１図は本発明の現像方法の実施例で用し）た装置の概
略図である。 １・・・・・・電源装置、２・・・・・・リード線、３
・・・・・・容器、４・・・・・・白金電極、５・・・
・・・現像液、６・・・・・・レジスト膜、７・・・・
・・露光潜像部、８・・・・・・導電性基板。
略図である。 １・・・・・・電源装置、２・・・・・・リード線、３
・・・・・・容器、４・・・・・・白金電極、５・・・
・・・現像液、６・・・・・・レジスト膜、７・・・・
・・露光潜像部、８・・・・・・導電性基板。
Claims (1)
- 露光後のレジスト膜が形成された第１の導電性基板と
第２の導電性基板を電解現像液に浸した後、前記第１の
導電性基板と第２の導電性基板間に直流または交流の電
位を与えることを特徴とするレジストの現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16718290A JPH0456211A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | レジストの現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16718290A JPH0456211A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | レジストの現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456211A true JPH0456211A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15844948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16718290A Pending JPH0456211A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | レジストの現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0456211A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5732632A (en) * | 1980-08-04 | 1982-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | Development of resist |
| JPS63182817A (ja) * | 1987-01-26 | 1988-07-28 | Hitachi Ltd | 現像処理方法 |
-
1990
- 1990-06-25 JP JP16718290A patent/JPH0456211A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5732632A (en) * | 1980-08-04 | 1982-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | Development of resist |
| JPS63182817A (ja) * | 1987-01-26 | 1988-07-28 | Hitachi Ltd | 現像処理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3033765A (en) | Photographic production of electrically conducting silver images | |
| US3567447A (en) | Process for making masks photographically | |
| US2725298A (en) | Transfer process of photographic printing | |
| US2843485A (en) | Transfer process of photographic printing | |
| GB573798A (en) | Improvements in the production of photographic stencils | |
| GB1501194A (en) | Photoresist process | |
| EP0073445B1 (de) | Elektrochemisches Entwicklungsverfahren für Reproduktionsschichten | |
| US3897251A (en) | Process for utilizing a photoprinting article and method for making said article | |
| US3099209A (en) | Process of treating residual positive silver halide images with organic sulfur to render said images oleophilic | |
| JPH0456211A (ja) | レジストの現像方法 | |
| KR0160921B1 (ko) | 레지스트 패턴의 형성방법 | |
| JPS6360897B2 (ja) | ||
| US3620735A (en) | Relief image process utilizing a simple and a complex ferric salt | |
| US3385701A (en) | Lithographic offset master and method | |
| US2990282A (en) | Method of etching and composition therefor | |
| JPS6139041A (ja) | ポジ型レジスト現像液 | |
| DE2051932C3 (de) | Elektrostatisches Druckverfahren mittels einer Druckform | |
| JPS63177518A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH0290170A (ja) | パターン形成方法 | |
| US2411108A (en) | Developing colloid resists with substantive dyes | |
| JPH08286387A (ja) | 感放射線性組成物用アルカリ性現像液 | |
| JPH06275514A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JP2793014B2 (ja) | 電子写真平版印刷版 | |
| JPS63182817A (ja) | 現像処理方法 | |
| GB571107A (en) | Improvements in photographic stencils |