JPS6139041A - ポジ型レジスト現像液 - Google Patents
ポジ型レジスト現像液Info
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- JPS6139041A JPS6139041A JP15934584A JP15934584A JPS6139041A JP S6139041 A JPS6139041 A JP S6139041A JP 15934584 A JP15934584 A JP 15934584A JP 15934584 A JP15934584 A JP 15934584A JP S6139041 A JPS6139041 A JP S6139041A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明にポジ型レジスト現像液、さらに詳しくいえば、
ポジ型レジストに対してはん相性の高い実用的な現像液
に関するものでるる。
ポジ型レジストに対してはん相性の高い実用的な現像液
に関するものでるる。
従来の技術
一般に半導体、プリント基板、印刷版などの製造におい
ては、エツチング、めっき及び拡散などのような処理工
程が必要であって、これらの処理は通常基体上の一部を
保護して行われる。この基体上の一部を保護する方法と
しては１例えば有機すンを使用し、これを基体表面に塗
布し、所望のマスクを介して活性光線を照射したのち、
現像処理を行って基体上にレジストの像を形成する方法
が一般的に用いられている。
ては、エツチング、めっき及び拡散などのような処理工
程が必要であって、これらの処理は通常基体上の一部を
保護して行われる。この基体上の一部を保護する方法と
しては１例えば有機すンを使用し、これを基体表面に塗
布し、所望のマスクを介して活性光線を照射したのち、
現像処理を行って基体上にレジストの像を形成する方法
が一般的に用いられている。
ところで、前記レジストには、照射部分が硬化し、未照
射部分が現像液によシ除去されてレジスト像が形成され
るネガ型のものと、照射部分が現像液によシ溶解除去さ
れて、レジスト像が形成されるポジ型のものが知られて
いる。ポジ型レジストはネガ型レジストに比べて画像の
切れや解像度に優れ、かつ照射時の酸素の影響を受けず
、また塗布後の安定性にも優れているため、近年、注目
され、多くのポジ型レジストが開発されている。
射部分が現像液によシ除去されてレジスト像が形成され
るネガ型のものと、照射部分が現像液によシ溶解除去さ
れて、レジスト像が形成されるポジ型のものが知られて
いる。ポジ型レジストはネガ型レジストに比べて画像の
切れや解像度に優れ、かつ照射時の酸素の影響を受けず
、また塗布後の安定性にも優れているため、近年、注目
され、多くのポジ型レジストが開発されている。
現在、知られているポジ型レジストは、主として感光基
にナフトキノンジアジドが使われておυ。
にナフトキノンジアジドが使われておυ。
その組成としては、例えばキノンジアジド基を有する化
合物を、ノボラック樹脂のＯＨ基にエステル化反応によ
シ縮合させたもの、あるいはナフトキノンジアジド化合
物とアルカリ可溶性の樹脂から構成されるものが多い。
合物を、ノボラック樹脂のＯＨ基にエステル化反応によ
シ縮合させたもの、あるいはナフトキノンジアジド化合
物とアルカリ可溶性の樹脂から構成されるものが多い。
これらのものは、被膜形成物質として、比較的分子量の
低い樹脂であるノボラック樹脂が主に用いられているた
め、形成されたレジスト像の機械的強度及び化学的強度
が十分でないという欠点がある。
低い樹脂であるノボラック樹脂が主に用いられているた
め、形成されたレジスト像の機械的強度及び化学的強度
が十分でないという欠点がある。
このような欠点を改良したポジ型レジストとしては、被
膜形成物質としてノボラック樹脂に代えてアクリル樹脂
を用いたもの、あるいは従来のポジ型レジストに可塑剤
としてアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂など
を添加し、レジスト像の強度を増加したものなどが、近
年多く提案されている。
膜形成物質としてノボラック樹脂に代えてアクリル樹脂
を用いたもの、あるいは従来のポジ型レジストに可塑剤
としてアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂など
を添加し、レジスト像の強度を増加したものなどが、近
年多く提案されている。
これらのポジ型レジストにおいては、いずれも活性光線
の照射によシキノンジアジド基が分解し。
の照射によシキノンジアジド基が分解し。
インデンケテンを経てインデンカルボン酸になり。
その結果光が照射された部分はアルカリ可溶性となる。
したがって、活性光線の照射部分は無機又は有機のアル
カリ性溶液中で溶解する性質を示すことから、現像液と
しては、アルカリ性水溶液が一般に使用されている。
カリ性溶液中で溶解する性質を示すことから、現像液と
しては、アルカリ性水溶液が一般に使用されている。
従来、ポジ型レジストの現像液として用いられているア
ルカリ性水溶液としては１例えばメタケイ酸ナトリウム
、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、リン酸ナトリウ
ムなどを主体とした水溶液が挙げられる。また、半導体
素子製造においては。
ルカリ性水溶液としては１例えばメタケイ酸ナトリウム
、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、リン酸ナトリウ
ムなどを主体とした水溶液が挙げられる。また、半導体
素子製造においては。
アルカリ金属は最もきられれている不純物であるため、
前記現像液は半導体素子製造のための像形成には不適で
あることから１例えば四級アンモニウム塩や低級アミン
などの有機アルカリ水溶液が多く用いられている。
前記現像液は半導体素子製造のための像形成には不適で
あることから１例えば四級アンモニウム塩や低級アミン
などの有機アルカリ水溶液が多く用いられている。
このような従来用いられている現像液は、アルカリ可溶
性樹脂９例えにノボ２ツク樹脂や、ｐ−ヒドロキシスチ
レン、ステレフ＆Ｕマレイン酸の共重合体などを被膜形
成物質の主体としたポジ型レジストに対しては、実用的
な現像特性を有しているものの、近年多く提案されてい
る改良されたポジ型レジストにあっては、被膜形成物質
としてアルカリ性水溶液に対して膨潤又は不溶の樹脂。
性樹脂９例えにノボ２ツク樹脂や、ｐ−ヒドロキシスチ
レン、ステレフ＆Ｕマレイン酸の共重合体などを被膜形
成物質の主体としたポジ型レジストに対しては、実用的
な現像特性を有しているものの、近年多く提案されてい
る改良されたポジ型レジストにあっては、被膜形成物質
としてアルカリ性水溶液に対して膨潤又は不溶の樹脂。
例えばアクリル樹脂、ポリビニルフェノールｆｒ、トを
用いたものや、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン
樹脂などを可塑剤として添加しているものが多いことか
ら、このような改良されたポジ型レジストを従来のアル
カリ性水溶液のみで現像した場合、非画像部の除去が満
足にできないために。
用いたものや、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン
樹脂などを可塑剤として添加しているものが多いことか
ら、このような改良されたポジ型レジストを従来のアル
カリ性水溶液のみで現像した場合、非画像部の除去が満
足にできないために。
アルカリ濃度をかなシ高くした水溶液を用いるか。
あるいは現像液を強い圧力でぶつつける方法などを付加
したきびしい条件が必要であった。
したきびしい条件が必要であった。
しかしながら、これらの改良されたポジ型レジストに対
して用いられる方法においては、レジスト像の膜べり、
解像度の低下、現像機器の大型化、現像液のち密な管理
などの問題点が生じ、またアルカリ濃度を高くした現像
液は、従来のポジ型レジストに対しては苛酷でらって、
実用的な現像液とはいえない。
して用いられる方法においては、レジスト像の膜べり、
解像度の低下、現像機器の大型化、現像液のち密な管理
などの問題点が生じ、またアルカリ濃度を高くした現像
液は、従来のポジ型レジストに対しては苛酷でらって、
実用的な現像液とはいえない。
このように、従来のポジ型レジスト現像液ははん用的で
なく、そのため、前記の改良されたポジ型レジストに対
しても、また従来のノボラック樹脂を被膜形成物質の主
体として用いたポジ型レジストに対しても有効な、はん
用件の高い現像液の開発が、近年強く望まれていた。
なく、そのため、前記の改良されたポジ型レジストに対
しても、また従来のノボラック樹脂を被膜形成物質の主
体として用いたポジ型レジストに対しても有効な、はん
用件の高い現像液の開発が、近年強く望まれていた。
発明が解決しようとする問題点
本発明の目的は、このような要望にこたえ、はん用件の
高い実用的なポジ型レジスト現像液を提供することであ
る。
高い実用的なポジ型レジスト現像液を提供することであ
る。
問題点を解決するための手段
本発明に従えば、アルカリ性水溶液に、一般式％式％（
（式中のＲ１は水素原子又はメチル基＋ Ｒ２は水素原
子、メチル基又はアセチル基であるンで表わされる化合
物の中から選ばれた少なくとも１種を配合して成る現像
液により、その目的を達成することができる。
子、メチル基又はアセチル基であるンで表わされる化合
物の中から選ばれた少なくとも１種を配合して成る現像
液により、その目的を達成することができる。
本発明に用いるアルカリ性水溶液としては、アルカリ剤
として、例えばケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、第
三リン酸ナトリウム、第ニリン酸ナトリウム、第三リン
酸アンモニウム、第ニリン酸アンモニウム、炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウム、重炭酸ナトリウムなどの無機アル
カリを用いた水溶液、亜硫酸ナトリウムなどの還元性無
機塩の水溶液、低級アミンの水溶液、モノエタノールア
ミン、ジェタノールアミン、トリエタノールアミンなど
のアミノアルコール水溶液、四級アンモニウム塩などの
Ｍ機アルカリ水溶液などを挙げることができる。
として、例えばケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、第
三リン酸ナトリウム、第ニリン酸ナトリウム、第三リン
酸アンモニウム、第ニリン酸アンモニウム、炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウム、重炭酸ナトリウムなどの無機アル
カリを用いた水溶液、亜硫酸ナトリウムなどの還元性無
機塩の水溶液、低級アミンの水溶液、モノエタノールア
ミン、ジェタノールアミン、トリエタノールアミンなど
のアミノアルコール水溶液、四級アンモニウム塩などの
Ｍ機アルカリ水溶液などを挙げることができる。
これらのアルカリ性水溶液中の好適なアルカリ濃度は、
使用するポジ型レジストやアルカリ剤の種類により異な
るため、特に限定できないが１通常１０重量係以下で十
分である。その濃度が１０重量％を超えると、廃液の問
題や、アルカリ剤が結晶化しやすくなって、アルカリ濃
度のバラツキが生じるなどの問題が生じて好ましくない
。
使用するポジ型レジストやアルカリ剤の種類により異な
るため、特に限定できないが１通常１０重量係以下で十
分である。その濃度が１０重量％を超えると、廃液の問
題や、アルカリ剤が結晶化しやすくなって、アルカリ濃
度のバラツキが生じるなどの問題が生じて好ましくない
。
本発明の現像液において、前記アルカリ性水溶液に配合
する化合物は１次の一般式（１）％式％（１） （式中のＲ１及びＲ２は前記と同じ意味をもつ）で表わ
されるものであって、このような化合物としては１例え
ば３−メチル−３−メトキシブタノール、３−メチル−
３−メトキシブチルアセテート、３−メチルブタン−１
，３−ジオール、１．１−ジメチル−３−メトキシフェ
ノールなどが挙げられる。これらの化合物はそれぞれ単
独で用いてもよいし、２種以上組み合わせて用いてもよ
く。
する化合物は１次の一般式（１）％式％（１） （式中のＲ１及びＲ２は前記と同じ意味をもつ）で表わ
されるものであって、このような化合物としては１例え
ば３−メチル−３−メトキシブタノール、３−メチル−
３−メトキシブチルアセテート、３−メチルブタン−１
，３−ジオール、１．１−ジメチル−３−メトキシフェ
ノールなどが挙げられる。これらの化合物はそれぞれ単
独で用いてもよいし、２種以上組み合わせて用いてもよ
く。
その配合量は、アルカリ性水溶液に対して０．５〜５０
重量係、特に好ましくは２．５〜１０重量係の範囲で選
ばれる。その量が０．５重量係未満では十分な効果が得
られず、また５０重２＊を超えると。
重量係、特に好ましくは２．５〜１０重量係の範囲で選
ばれる。その量が０．５重量係未満では十分な効果が得
られず、また５０重２＊を超えると。
配合量の割には効果は上がらず実用的でない。
前記一般式（１）で表わされる化合物は、アルカリ性水
溶液の現像能力を促進させる作用を有するため、それを
添加することにより、アルカリ濃度を下げたアルカリ性
水溶液が使用できるようになる。
溶液の現像能力を促進させる作用を有するため、それを
添加することにより、アルカリ濃度を下げたアルカリ性
水溶液が使用できるようになる。
この場合、過度にアルカリ濃度を下げたアルカリ性水溶
液を用いると、その現像液の現像処理能力が低下してし
まうので１本発明の現像液を８裳する場合には、現像性
や現像処理量を考慮して調製することが好ましい。
液を用いると、その現像液の現像処理能力が低下してし
まうので１本発明の現像液を８裳する場合には、現像性
や現像処理量を考慮して調製することが好ましい。
本発明の現像液を用いて現像する場合の現像液温度につ
いては特に制限はないが、１５℃以下の温度では現像速
度が遅く、膜残シが発生しやすいし、また４０℃を超え
ると膜べ夛が進み、密着性も悪くなる傾向があって安定
した像が得られにくいため実用的ではない。したがって
、好ましい現像液温度は２０〜３５℃の範囲である。
いては特に制限はないが、１５℃以下の温度では現像速
度が遅く、膜残シが発生しやすいし、また４０℃を超え
ると膜べ夛が進み、密着性も悪くなる傾向があって安定
した像が得られにくいため実用的ではない。したがって
、好ましい現像液温度は２０〜３５℃の範囲である。
また、本発明の現像液には１品質向上のために所望に応
じ、アニオン性又は両性の界面活性剤。
じ、アニオン性又は両性の界面活性剤。
染料、アルコールのような有機溶剤などを添加すること
もできる。
もできる。
本発明の現像液は、例えば浸漬法、スプレー法など、慣
用されているいかなる現像方法にも適用できる。
用されているいかなる現像方法にも適用できる。
一方、本発明の現像液で現像処理できるポジ型レジスト
は、感光性物質がキノンジアジド基含有化合物１例えば
オルトベンゾキノンジアジド、オルトナフトキノ〉・ジ
アジド、オルトアントラキノンジアジドなどの基を含有
する化合物であり、このようなものの具体例としては、
オルトキノンジアジドスルホニルクロリドと、水酸基又
はアミ７基を含有する化合物、例えばフェノール、ｐ−
メトキシフェノール、ジメチルフェノール、ヒドロキノ
ン、ビスフェノールＡ、ナフトール、トリヒドロキシベ
ンゾフェノン、ピロカテコール、ピロガロール、ヒロガ
ロールモノメチルエーテル、ヒロガロール−１，３−ジ
メチルエーテル、没食子酸。
は、感光性物質がキノンジアジド基含有化合物１例えば
オルトベンゾキノンジアジド、オルトナフトキノ〉・ジ
アジド、オルトアントラキノンジアジドなどの基を含有
する化合物であり、このようなものの具体例としては、
オルトキノンジアジドスルホニルクロリドと、水酸基又
はアミ７基を含有する化合物、例えばフェノール、ｐ−
メトキシフェノール、ジメチルフェノール、ヒドロキノ
ン、ビスフェノールＡ、ナフトール、トリヒドロキシベ
ンゾフェノン、ピロカテコール、ピロガロール、ヒロガ
ロールモノメチルエーテル、ヒロガロール−１，３−ジ
メチルエーテル、没食子酸。
水酸基を一部残しエステル化又はエーテル化された没食
子酸、アニリン、ｐ−アミノジフェニルアミンなどとの
反応生成物が挙けられる。
子酸、アニリン、ｐ−アミノジフェニルアミンなどとの
反応生成物が挙けられる。
また、前記のポジ型レジストに配合される被膜形成物質
としては５例えばフェノールやクレゾールなどとアルデ
ヒド類とから製造されるノボラック樹脂、アクリル樹脂
、ポリビニルアルコール。
としては５例えばフェノールやクレゾールなどとアルデ
ヒド類とから製造されるノボラック樹脂、アクリル樹脂
、ポリビニルアルコール。
ポリビニルアルキルエーテル、スチレンとアクリル酸と
の共重合体、ヒドロキシスチレンの重合体。
の共重合体、ヒドロキシスチレンの重合体。
ホリヒニルヒドロキシベンゾエート、ポリビニルヒドロ
キシベンザルなどのアルカリ可溶性の樹脂が有効である
。
キシベンザルなどのアルカリ可溶性の樹脂が有効である
。
さらに、該ポジ型レジストは、必要に応じて各種添加剤
を加えたものであってもよい。添加剤としては１例えば
感脂性を向上させるための親油性フェノールホルムアル
デヒド樹脂、塗布性ｔ［＆するための界面活性剤、塗膜
の可焼性を改良するための可塑剤であるアクリル樹脂、
エポキシ樹脂。
を加えたものであってもよい。添加剤としては１例えば
感脂性を向上させるための親油性フェノールホルムアル
デヒド樹脂、塗布性ｔ［＆するための界面活性剤、塗膜
の可焼性を改良するための可塑剤であるアクリル樹脂、
エポキシ樹脂。
ウレタン樹脂などを挙げることができる。
このよ５ｆｃポジ型レジストは、アルミニウム、亜鉛、
銅などの金属板、ポリエステルなどのプラスナックシー
ト、するいは半導体製造におけるシリコンウェハーなど
の基体上に慣用の手段によシ設けられ、所望のマスクを
介して選択的に活性光線が照射されたのち５本発明の現
像液に接触することによシ、従来技術では得られない物
理的及び化学的強度に優れた像を形成することができる
。
銅などの金属板、ポリエステルなどのプラスナックシー
ト、するいは半導体製造におけるシリコンウェハーなど
の基体上に慣用の手段によシ設けられ、所望のマスクを
介して選択的に活性光線が照射されたのち５本発明の現
像液に接触することによシ、従来技術では得られない物
理的及び化学的強度に優れた像を形成することができる
。
発明の効果
本発明の現像液は、アルカリ性水溶液に、前記一般式（
１）で表わされる化合物の中から選ばれた少なくとも１
種を配合したものでらって、該化合物がアルカリ性水溶
液のポジ型レジストに対する現像性を促進する作用を有
するために、浸漬法などの比較的簡単な現像手段によシ
解像度の高いレジスト像を形成しうる。特に従来のアル
カリ性水溶液のみの現像液では、レジスト像の膜べり、
解像度の低下などの問題点があシ、質の高い現像処理が
できなかったアクリル樹脂などを含有するポジ型レジス
トに対しても１本発明の現像ｒｉ、は簡単な現像方法で
良好な現像ができるため、現在知られているほとんどの
ポジ型レジストにも使用できる。
１）で表わされる化合物の中から選ばれた少なくとも１
種を配合したものでらって、該化合物がアルカリ性水溶
液のポジ型レジストに対する現像性を促進する作用を有
するために、浸漬法などの比較的簡単な現像手段によシ
解像度の高いレジスト像を形成しうる。特に従来のアル
カリ性水溶液のみの現像液では、レジスト像の膜べり、
解像度の低下などの問題点があシ、質の高い現像処理が
できなかったアクリル樹脂などを含有するポジ型レジス
トに対しても１本発明の現像ｒｉ、は簡単な現像方法で
良好な現像ができるため、現在知られているほとんどの
ポジ型レジストにも使用できる。
また１本発明の現像液はアルカリ濃度を低くできるため
に、現像の際、基体などに悪影響を与えないばかりでな
く、廃液の問題も少なくなるという効果を併せて有する
。
に、現像の際、基体などに悪影響を与えないばかりでな
く、廃液の問題も少なくなるという効果を併せて有する
。
実施例
次に実施例によって本発明をさらに詳細に説明する＠
実施例１
２．３．４−トリヒドロキシベンゾフェノン２３１とす
７トキノンー（１，２）−ジアジド−（２） −５−ス
ルホン酸クロリド５４グとの縮合生成物１５重量部、ｍ
−、ｐ−混合クレゾールノボラック樹脂（住友ベークラ
イト社製）１００重量部、アクリル樹脂（カルボキシル
基含有率２０重量係、平均分子量６万５千、メタクリル
酸・メタクリル酸メチル・メタクリル酸インブチル・ア
クリロニトリルの４元型合体〕３０重量部、クリスタル
バイオレット１−４ 重ｉ 部、エチレングリコールモ
ノエチルエーテルアセテート５６０重量部よシ成るポジ
型感元液をプレートローラーによシ銅被覆した絶縁板の
片面に塗布し、９０℃に保持した温風機の中で２０分間
かけて揮発性成分を除去した。こうして得られた被膜は
８．５μｍの厚さであった。この被膜の上に所望のポジ
フィルム及びステップタブレットＡ ２ （イーストマ
ンコダック社裂）を真空密着し＋ ２ＫＷのメタルハ
ライドランプにて４５秒間露光した。このようにして得
られた露光処理された試料板を８枚用意し、第１表（１
）〜（Ｖ）の配合割合で示される現像液中に１枚は６０
秒間浸漬して現像し、１枚は１ 、０ Ｋ９ ／ ｃｔ
ｌのスプレー圧で６０秒間現像し、十分水洗いしたのち
、ポストベータなしで露出した銅被覆を塩化第二鉄水溶
液をスプレーにてエツチングし、水洗い後、メチルエテ
ルケトンにより未露光部の感光性組成物を剥離し、プリ
ント回路板を得た。
７トキノンー（１，２）−ジアジド−（２） −５−ス
ルホン酸クロリド５４グとの縮合生成物１５重量部、ｍ
−、ｐ−混合クレゾールノボラック樹脂（住友ベークラ
イト社製）１００重量部、アクリル樹脂（カルボキシル
基含有率２０重量係、平均分子量６万５千、メタクリル
酸・メタクリル酸メチル・メタクリル酸インブチル・ア
クリロニトリルの４元型合体〕３０重量部、クリスタル
バイオレット１−４ 重ｉ 部、エチレングリコールモ
ノエチルエーテルアセテート５６０重量部よシ成るポジ
型感元液をプレートローラーによシ銅被覆した絶縁板の
片面に塗布し、９０℃に保持した温風機の中で２０分間
かけて揮発性成分を除去した。こうして得られた被膜は
８．５μｍの厚さであった。この被膜の上に所望のポジ
フィルム及びステップタブレットＡ ２ （イーストマ
ンコダック社裂）を真空密着し＋ ２ＫＷのメタルハ
ライドランプにて４５秒間露光した。このようにして得
られた露光処理された試料板を８枚用意し、第１表（１
）〜（Ｖ）の配合割合で示される現像液中に１枚は６０
秒間浸漬して現像し、１枚は１ 、０ Ｋ９ ／ ｃｔ
ｌのスプレー圧で６０秒間現像し、十分水洗いしたのち
、ポストベータなしで露出した銅被覆を塩化第二鉄水溶
液をスプレーにてエツチングし、水洗い後、メチルエテ
ルケトンにより未露光部の感光性組成物を剥離し、プリ
ント回路板を得た。
また、第２表に現像液の臭気、現像に−よシ溶出したス
テップ・ウェッジ段数、５０μｍ細線間の現像残シ及び
未露光部分の膜ベシの結果をまとめて示す〇 以上の結果、現像液（Ｉｔ）の３−メチル−３−メトキ
シブタノールを含有した本発明の現像液に比べ、他のも
のは露光部の現像残シ及び未露光部分の膜ベシが極めて
不安定でらった。
テップ・ウェッジ段数、５０μｍ細線間の現像残シ及び
未露光部分の膜ベシの結果をまとめて示す〇 以上の結果、現像液（Ｉｔ）の３−メチル−３−メトキ
シブタノールを含有した本発明の現像液に比べ、他のも
のは露光部の現像残シ及び未露光部分の膜ベシが極めて
不安定でらった。
実施例２
特開昭５１−１３９４０２号公報に記載されている没食
子酸イソアミル２５２とナフトキノン−（１，２）−ジ
アジド−（２）−５−スルホン酸クロリド６０ｆとの縮
合生成物２５重量部、ｍ−、ｐ−混合タレゾールノボラ
ック樹脂（住友ベークライト社裂）１ｏｏｉ［Ｅ置部ヲ
エチレンクリコールモノエチルエーテルアセテート４２
０重量部、酢酸ブチル５２重量部、キシレン５２重量部
よシ成る溶液に混合して調與したポジ型感光液をスピン
ナーによシシリコンウエハー上に１．５μｍの塗膜にな
るように塗布し、８０℃の温風機中にて１０分間乾燥し
た。ネガマスクを通じて３５０Ｗ超高圧水銀灯を光源と
するコンタクトマスクアライナ−を用い８秒間露光した
のち、メタケイ酸ナトリウム５２．３−メチル−３−メ
トキシブチルアセテ−）２．４Ｍ’、３−メチルブタン
−１，３−ジオール２．５？、水９５２より成る現像液
で６０秒間浸漬現像した。比較としてメタケイ酸ナトリ
ウム８９．水９２ｆよシ成る現像液でも同様に処理した
。次いで十分に水洗いしたのち、露光した部分を７ツ酸
とフッ化アンモニウムの混合水溶液でエツチングした０
その結果１本発明の現像液で処理したものは、従来の無
機アルカリ水溶液のみで処理したものに比べ、未露光部
分の膜べりの少ない、解像力２寸法精度の優れたエツチ
ング画像が得られた。
子酸イソアミル２５２とナフトキノン−（１，２）−ジ
アジド−（２）−５−スルホン酸クロリド６０ｆとの縮
合生成物２５重量部、ｍ−、ｐ−混合タレゾールノボラ
ック樹脂（住友ベークライト社裂）１ｏｏｉ［Ｅ置部ヲ
エチレンクリコールモノエチルエーテルアセテート４２
０重量部、酢酸ブチル５２重量部、キシレン５２重量部
よシ成る溶液に混合して調與したポジ型感光液をスピン
ナーによシシリコンウエハー上に１．５μｍの塗膜にな
るように塗布し、８０℃の温風機中にて１０分間乾燥し
た。ネガマスクを通じて３５０Ｗ超高圧水銀灯を光源と
するコンタクトマスクアライナ−を用い８秒間露光した
のち、メタケイ酸ナトリウム５２．３−メチル−３−メ
トキシブチルアセテ−）２．４Ｍ’、３−メチルブタン
−１，３−ジオール２．５？、水９５２より成る現像液
で６０秒間浸漬現像した。比較としてメタケイ酸ナトリ
ウム８９．水９２ｆよシ成る現像液でも同様に処理した
。次いで十分に水洗いしたのち、露光した部分を７ツ酸
とフッ化アンモニウムの混合水溶液でエツチングした０
その結果１本発明の現像液で処理したものは、従来の無
機アルカリ水溶液のみで処理したものに比べ、未露光部
分の膜べりの少ない、解像力２寸法精度の優れたエツチ
ング画像が得られた。
実施例３
ｍ−クレゾールノボラック樹脂（住友ベークライト社ｆ
ｆ）４８Ｆとナフトキノン−（１，２）−ジアジド−（
２）−５−スルホン酸クロリド３０ｔとの縮合生成物２
０重量部１ｍ〜、ｐ−混合クレゾールノボラック樹脂（
住友ベークライト社製）２０重量部、アクリル樹脂（実
施例１で使用したものと同様でカルボキシル基含有率１
２重量％）３０重量部、ポリビニルメチルエーテル４０
重量部、ナフトキノン−（１，２）−ジアジド−（２）
−４−スルホン酸クロリド１０重量部、クリスタルバイ
オレット１．２重量部をメチルエチルケトン１５０重量
部に混合溶解して得られたポジ型感光液をプレートロー
ラーを使用してポリエステルシート（厚さ０．０３６ｍ
＋）に塗布し、乾燥を行い塗膜１０μｍを得た。このも
のをさらにポリエステルシートで被覆し、ポジ型ドライ
フィルムとした。そして、このポジ型ドライフィルムを
銅被覆された絶縁板に貼りつけポジフィルムを介して３
ＫＷ超高圧水銀灯にて４００ｍＪ／ｃｄの露光量で露光
後、水９５０ｔ、エタノールアミ７５０？、３−メチル
ブタン−１，３−ジオール８０Ｆ、３−メチル−３−メ
トキシブチルアセテート４０？とから成る現像液で現像
処理をした。また、比較のため水９００Ｆ、エタノール
アミン１００１とから成る現像液でも現像処理を行った
。次いでポストベークなしに塩化第二鉄水溶液にて露出
された銅をエツチングし水洗い後、未露光部をジメチル
ホルムアミドとメチルエテルケトンとの混合溶剤により
除去しプリント回路板を得た。その結果、水とエタノー
ルアミンとから成る比較のための現像液では、浸漬時間
１２０秒で現像が完了したのに対し１本発明の現像液は
、浸漬時間４５秒で完了し、また、１２０秒現像を行っ
ても何ら画像に変化は起こらなかった。
ｆ）４８Ｆとナフトキノン−（１，２）−ジアジド−（
２）−５−スルホン酸クロリド３０ｔとの縮合生成物２
０重量部１ｍ〜、ｐ−混合クレゾールノボラック樹脂（
住友ベークライト社製）２０重量部、アクリル樹脂（実
施例１で使用したものと同様でカルボキシル基含有率１
２重量％）３０重量部、ポリビニルメチルエーテル４０
重量部、ナフトキノン−（１，２）−ジアジド−（２）
−４−スルホン酸クロリド１０重量部、クリスタルバイ
オレット１．２重量部をメチルエチルケトン１５０重量
部に混合溶解して得られたポジ型感光液をプレートロー
ラーを使用してポリエステルシート（厚さ０．０３６ｍ
＋）に塗布し、乾燥を行い塗膜１０μｍを得た。このも
のをさらにポリエステルシートで被覆し、ポジ型ドライ
フィルムとした。そして、このポジ型ドライフィルムを
銅被覆された絶縁板に貼りつけポジフィルムを介して３
ＫＷ超高圧水銀灯にて４００ｍＪ／ｃｄの露光量で露光
後、水９５０ｔ、エタノールアミ７５０？、３−メチル
ブタン−１，３−ジオール８０Ｆ、３−メチル−３−メ
トキシブチルアセテート４０？とから成る現像液で現像
処理をした。また、比較のため水９００Ｆ、エタノール
アミン１００１とから成る現像液でも現像処理を行った
。次いでポストベークなしに塩化第二鉄水溶液にて露出
された銅をエツチングし水洗い後、未露光部をジメチル
ホルムアミドとメチルエテルケトンとの混合溶剤により
除去しプリント回路板を得た。その結果、水とエタノー
ルアミンとから成る比較のための現像液では、浸漬時間
１２０秒で現像が完了したのに対し１本発明の現像液は
、浸漬時間４５秒で完了し、また、１２０秒現像を行っ
ても何ら画像に変化は起こらなかった。
実施例４
ブラシ研磨法にて砂目立てし、次に陽極酸化処理し、さ
らに特公昭４４−６４１０号公報記載の没食子酸３重量
係水溶液にて処理した０、２４１１１１アルミニウム板
にフェノールとｍ−、ｐ−混合クレゾールの共縮合ノボ
ラック樹脂（フェノールとクレゾールのモル比は３ニア
）１０（ｌとナフトキノン−（１，２）−ジアジド−（
２）−４−スルホン酸クロリド６０ｆとの縮合生成物５
５重量部、ｐ−ｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂（
群栄化学工業社製）４０９とナフトキノ７−（１，２）
−ジアジド−（２）−５−スルホン酸クロリド４０１と
の縮合生成物５重量部、ｍ−クレゾールノボラック樹脂
４０重量部、す７トキノンー（１，２ンージアジドー（
２） −４−スルホン酸クロリド３重量部、クリスタル
バイオレツ）０．７５重量部をエチレングリコール七ツ
メチルエーテル５００重量部に混合溶解して得たポジ型
感光液をホワラーにて塗布し、９５℃に保持された温風
機で２５分間乾燥し塗膜厚が２．５ｔ／ｎ？の平版印刷
版を得た。このものを公知の方法で露光後、下記の現像
液で現像し水洗い後、消去液Ｄ−２０（東京アルメタル
工業社製）Ｋて消去し。
らに特公昭４４−６４１０号公報記載の没食子酸３重量
係水溶液にて処理した０、２４１１１１アルミニウム板
にフェノールとｍ−、ｐ−混合クレゾールの共縮合ノボ
ラック樹脂（フェノールとクレゾールのモル比は３ニア
）１０（ｌとナフトキノン−（１，２）−ジアジド−（
２）−４−スルホン酸クロリド６０ｆとの縮合生成物５
５重量部、ｐ−ｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂（
群栄化学工業社製）４０９とナフトキノ７−（１，２）
−ジアジド−（２）−５−スルホン酸クロリド４０１と
の縮合生成物５重量部、ｍ−クレゾールノボラック樹脂
４０重量部、す７トキノンー（１，２ンージアジドー（
２） −４−スルホン酸クロリド３重量部、クリスタル
バイオレツ）０．７５重量部をエチレングリコール七ツ
メチルエーテル５００重量部に混合溶解して得たポジ型
感光液をホワラーにて塗布し、９５℃に保持された温風
機で２５分間乾燥し塗膜厚が２．５ｔ／ｎ？の平版印刷
版を得た。このものを公知の方法で露光後、下記の現像
液で現像し水洗い後、消去液Ｄ−２０（東京アルメタル
工業社製）Ｋて消去し。
プロテクトインキにてインキングレープレートガムを乗
せ製版した。
せ製版した。
水 ６８８ノ
この原液を水で２．７倍に希釈したもの比較現像液（特
開昭５５−２２７５９号公報記載）この原液を水で２．
７倍に希釈したものその結果、プレートの印刷適性は両
現像液ともに大差はなかったが５本発明の現像液は、現
像スピード及び廃液の問題などにおいて、比較現像液よ
り優れていた。
この原液を水で２．７倍に希釈したもの比較現像液（特
開昭５５−２２７５９号公報記載）この原液を水で２．
７倍に希釈したものその結果、プレートの印刷適性は両
現像液ともに大差はなかったが５本発明の現像液は、現
像スピード及び廃液の問題などにおいて、比較現像液よ
り優れていた。
実施例５
ｍ−クレゾールノボラック樹脂４８１とナフトキノン−
（１，２）−ジアジド−（２）−５−スルホン酸クロリ
ド２０９との縮合生成物２５重量部、クレゾールノボラ
ック樹脂〔住友ベークライト社製〕１００重量部、エポ
キシ樹脂（シェル社製ン２０重量部、クリスタルバイオ
レット１．４５重ｔｉをエチレングリコールモノエチル
エーテルアセテート５００重量部に混合溶解して成るポ
ジ型感光液を。
（１，２）−ジアジド−（２）−５−スルホン酸クロリ
ド２０９との縮合生成物２５重量部、クレゾールノボラ
ック樹脂〔住友ベークライト社製〕１００重量部、エポ
キシ樹脂（シェル社製ン２０重量部、クリスタルバイオ
レット１．４５重ｔｉをエチレングリコールモノエチル
エーテルアセテート５００重量部に混合溶解して成るポ
ジ型感光液を。
脱脂後スコッチブライトにて研磨された亜鉛板にホワラ
ーによシ塗布厚３．５ｆ／ｎ？になるように塗布し次の
ち、９０℃に保持された温風機中で１０分間乾燥した。
ーによシ塗布厚３．５ｆ／ｎ？になるように塗布し次の
ち、９０℃に保持された温風機中で１０分間乾燥した。
次いでポジフィルムを介して２ＫＷメタルハライドラン
プにて３０秒露光したのち、メタケイ酸ナトリウム５０
？、リン酸ナトリウム２５ｆ％ ３−メチル−３−メト
キシブタノール２５１、水９２５ｆよυ成る現像液で６
０秒間浸漬現像を行い画像を形成した。そして、これを
引きつづき５分間現像液に浸漬したが、未露光部分の膜
ベクはみられず、非常に安定した画像が得られた。
プにて３０秒露光したのち、メタケイ酸ナトリウム５０
？、リン酸ナトリウム２５ｆ％ ３−メチル−３−メト
キシブタノール２５１、水９２５ｆよυ成る現像液で６
０秒間浸漬現像を行い画像を形成した。そして、これを
引きつづき５分間現像液に浸漬したが、未露光部分の膜
ベクはみられず、非常に安定した画像が得られた。
実施例６
２．３．４−１７ヒドロキシベンゾフエノン２３９とす
７トキノンー（１，２）−ジアジド−（２）−５−スル
ホン酸クロリド５４９との縮合生成物３５重量部、アク
リル樹脂（カルボキシル基含有率２０重量係、平均分子
量６万５千、メタクリル酸・メタクリル酸メチル・メタ
クリル酸イソブチル・アクリロニトリルの４元重合体）
５５重量部、低分子ポリウレタン樹脂１０重量部、オイ
ルブラックＨＢＢ （オリエント化学工業社製）５重量
部をエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
２ｏｏ重ｆｊｋ部、エチレンジクロリド２００重量部よ
シ成る溶液に混合溶解して得られるポジ型感光液を。
７トキノンー（１，２）−ジアジド−（２）−５−スル
ホン酸クロリド５４９との縮合生成物３５重量部、アク
リル樹脂（カルボキシル基含有率２０重量係、平均分子
量６万５千、メタクリル酸・メタクリル酸メチル・メタ
クリル酸イソブチル・アクリロニトリルの４元重合体）
５５重量部、低分子ポリウレタン樹脂１０重量部、オイ
ルブラックＨＢＢ （オリエント化学工業社製）５重量
部をエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
２ｏｏ重ｆｊｋ部、エチレンジクロリド２００重量部よ
シ成る溶液に混合溶解して得られるポジ型感光液を。
プレートローラーを使用して１００μｍのポリエチレン
テレフタレートフィルム上に塗膜厚２ ｔ ／ ｍ’に
なるように塗布したのち、８０℃に保持された温風機中
で５分間乾燥し、次いでポジフィルムを介して２ＫＷメ
タルハライドランプにて９０秒間露光したのち、メタケ
イ酸ナトリウム２０２．水９８（１，３−メチル−３−
メトキシブタノール１２０２よシ成る現像液にて９０秒
間浸漬後、脱脂綿で表面を軽くこす９露元部を除去する
と、黒色の画像を有するオーバーヘッドプロジェクタ−
用のフィルムが得られた。この画像は下地との密着もよ
く皮膜のひび割れやピンホールもなく優れた皮膜特性を
有していた。
テレフタレートフィルム上に塗膜厚２ ｔ ／ ｍ’に
なるように塗布したのち、８０℃に保持された温風機中
で５分間乾燥し、次いでポジフィルムを介して２ＫＷメ
タルハライドランプにて９０秒間露光したのち、メタケ
イ酸ナトリウム２０２．水９８（１，３−メチル−３−
メトキシブタノール１２０２よシ成る現像液にて９０秒
間浸漬後、脱脂綿で表面を軽くこす９露元部を除去する
と、黒色の画像を有するオーバーヘッドプロジェクタ−
用のフィルムが得られた。この画像は下地との密着もよ
く皮膜のひび割れやピンホールもなく優れた皮膜特性を
有していた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アルカリ性水溶液に、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中のＲ＿１は水素原子又はメチル基、Ｒ＿２は水素
原子、メチル基又はアセチル基である） で表わされる化合物の中から選ばれた少なくとも１種を
配合して成るポジ型レジスト現像液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15934584A JPS6139041A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | ポジ型レジスト現像液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15934584A JPS6139041A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | ポジ型レジスト現像液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6139041A true JPS6139041A (ja) | 1986-02-25 |
| JPH0451019B2 JPH0451019B2 (ja) | 1992-08-17 |
Family
ID=15691810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15934584A Granted JPS6139041A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | ポジ型レジスト現像液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6139041A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6462359A (en) * | 1987-09-02 | 1989-03-08 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Radiation-sensitive composition |
| US5094934A (en) * | 1987-04-06 | 1992-03-10 | Morton International, Inc. | Method of developing a high contrast, positive photoresist using a developer containing alkanolamine |
| US5126230A (en) * | 1987-04-06 | 1992-06-30 | Morton International, Inc. | High contrast, positive photoresist developer containing alkanolamine |
| JPH0862852A (ja) * | 1995-01-30 | 1996-03-08 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | 現像原液の希釈装置 |
| US7638246B2 (en) | 2004-06-30 | 2009-12-29 | Lg Display Co., Ltd. | Photo development apparatus and method for fabricating a color filter substrate using the same |
| JP2020144355A (ja) * | 2019-02-28 | 2020-09-10 | 東京応化工業株式会社 | 感光性樹脂組成物、及びガラス基板のエッチング方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5688135A (en) * | 1979-12-21 | 1981-07-17 | Hitachi Ltd | Developer |
-
1984
- 1984-07-31 JP JP15934584A patent/JPS6139041A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5688135A (en) * | 1979-12-21 | 1981-07-17 | Hitachi Ltd | Developer |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5094934A (en) * | 1987-04-06 | 1992-03-10 | Morton International, Inc. | Method of developing a high contrast, positive photoresist using a developer containing alkanolamine |
| US5126230A (en) * | 1987-04-06 | 1992-06-30 | Morton International, Inc. | High contrast, positive photoresist developer containing alkanolamine |
| JPS6462359A (en) * | 1987-09-02 | 1989-03-08 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Radiation-sensitive composition |
| JPH0862852A (ja) * | 1995-01-30 | 1996-03-08 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | 現像原液の希釈装置 |
| US7638246B2 (en) | 2004-06-30 | 2009-12-29 | Lg Display Co., Ltd. | Photo development apparatus and method for fabricating a color filter substrate using the same |
| US7874748B2 (en) | 2004-06-30 | 2011-01-25 | Lg Display Co., Ltd. | Photo development apparatus and method for fabricating a color filter substrate using the same |
| JP2020144355A (ja) * | 2019-02-28 | 2020-09-10 | 東京応化工業株式会社 | 感光性樹脂組成物、及びガラス基板のエッチング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0451019B2 (ja) | 1992-08-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |