JPH03223810A - ブラックマトリックス区域を備えた液晶セル用基体プレートの製造方法 - Google Patents
ブラックマトリックス区域を備えた液晶セル用基体プレートの製造方法Info
- Publication number
- JPH03223810A JPH03223810A JP2336921A JP33692190A JPH03223810A JP H03223810 A JPH03223810 A JP H03223810A JP 2336921 A JP2336921 A JP 2336921A JP 33692190 A JP33692190 A JP 33692190A JP H03223810 A JPH03223810 A JP H03223810A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- areas
- electrode
- blackened
- photosensitive resist
- black matrix
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 9
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 title claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000002585 base Substances 0.000 description 10
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 102100022717 Atypical chemokine receptor 1 Human genes 0.000 description 1
- 101000678879 Homo sapiens Atypical chemokine receptor 1 Proteins 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
- G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ブラックマトリックス区域を有する液晶セル
用基体プレートの製造方法に関するものである。そのよ
うなブラックマトリックス区域は基体プレートに設けら
れ、それは基体プレートの電極区域の存在しない場所に
配置されることが好ましい。
用基体プレートの製造方法に関するものである。そのよ
うなブラックマトリックス区域は基体プレートに設けら
れ、それは基体プレートの電極区域の存在しない場所に
配置されることが好ましい。
ブラックマトリックスは従来２つの既知の方法のいずれ
かによって形成されている。これらの方法の一方はフォ
トリソグラフ法であり、他方は印刷法である。
かによって形成されている。これらの方法の一方はフォ
トリソグラフ法であり、他方は印刷法である。
両方法とも構成された（すなわち所定のパターン形状に
された）電極区域を形成することによって開始される。
された）電極区域を形成することによって開始される。
そのために、
電極層を設けられたセグメントプレートにまず光感性レ
ジスト層が形成され、 この光感性レジスト層はマスクを通して露光され、 露光された光感性レジスト層は現像され、電極層が光感
性レジスト層が除去されている場所でエツチングして除
去される。
ジスト層が形成され、 この光感性レジスト層はマスクを通して露光され、 露光された光感性レジスト層は現像され、電極層が光感
性レジスト層が除去されている場所でエツチングして除
去される。
［発明の解決すべき課題］
両方法において、次の処理工程は残っている光感性レジ
スト層を除去する工程である。フォトリソグラフ法では
、これに続いて電極区域をｒｉする全基体表面に黒くさ
れたポリマー材料の層を被着し、それからこの黒くされ
たポリマー材料の層に光感性レジストを被覆する。続い
てマスクが注意深く正確にこの電極区域と整列され、次
の露出工程で電極区域の上にある黒くされた層の部分が
除去できるように光感性レジストが現像される。黒くさ
れた材料はそれ放電極区域の間の部分にのみ残る。
スト層を除去する工程である。フォトリソグラフ法では
、これに続いて電極区域をｒｉする全基体表面に黒くさ
れたポリマー材料の層を被着し、それからこの黒くされ
たポリマー材料の層に光感性レジストを被覆する。続い
てマスクが注意深く正確にこの電極区域と整列され、次
の露出工程で電極区域の上にある黒くされた層の部分が
除去できるように光感性レジストが現像される。黒くさ
れた材料はそれ放電極区域の間の部分にのみ残る。
他方印刷法では、前記のような残っている光感性レジス
トの除去に続いて、印刷装置が注意深く正確にこの電極
区域と整列され、印刷により電極区域間の間隙のみに黒
くされたポリマーキイ料を付着させる。
トの除去に続いて、印刷装置が注意深く正確にこの電極
区域と整列され、印刷により電極区域間の間隙のみに黒
くされたポリマーキイ料を付着させる。
これら既知の両方法ともに、露光マスクまたは印刷装置
の電極区域との正確な整列を確保するために可成の費用
がかかることは明白である。
の電極区域との正確な整列を確保するために可成の費用
がかかることは明白である。
［発明の解決のための手段］
この発明による方法は、エツチングで除去されない電極
層の区域の上にある光感性レジスト層の部分の除去に先
立って黒くされたポリマー材料が供給される点で既知の
方法と相違している。電極層の区域の部分的エツチング
後に次の工程か行われる。
層の区域の上にある光感性レジスト層の部分の除去に先
立って黒くされたポリマー材料が供給される点で既知の
方法と相違している。電極層の区域の部分的エツチング
後に次の工程か行われる。
黒くされたポリマー材料が電極区域および光感性レジス
ト層区域を合する基体表面全体に付着され、 黒くされたポリマー材料が硬化され、 残っていた光感性レジスト区域を、その上に付着されて
いる黒くされたポリマー材料と共に除去して黒くされた
ポリマー材料を電極区域の間の区域にのみ残留させる。
ト層区域を合する基体表面全体に付着され、 黒くされたポリマー材料が硬化され、 残っていた光感性レジスト区域を、その上に付着されて
いる黒くされたポリマー材料と共に除去して黒くされた
ポリマー材料を電極区域の間の区域にのみ残留させる。
この処理順序は調整または整列工程を完全に除去する。
何故ならば残留する光感性レジスト区域が電極区域間の
みにブラックマトリックスが付着されることを確実にす
る目的に利用されるからである。ブラックマトリックス
区域を有していない基体プレートを生成する従来の処理
順序と比較して、この発明の方法は、ただ黒くされたポ
リマー材料を付着させて付着した材料を硬化させる付加
工程が必要であるに過ぎない。ブラックマトリックス区
域を生成する他の方法と比較して、この簡単な処理によ
り、この発明の方法はまたブラックマトリックス材料が
電極のない区域をカバーするのみならず、また全ての場
所で電極区域と直接接触し、それにより最大の可能な区
域がブラックマトリックス材料によって被覆されること
を確実にする利点を有している。
みにブラックマトリックスが付着されることを確実にす
る目的に利用されるからである。ブラックマトリックス
区域を有していない基体プレートを生成する従来の処理
順序と比較して、この発明の方法は、ただ黒くされたポ
リマー材料を付着させて付着した材料を硬化させる付加
工程が必要であるに過ぎない。ブラックマトリックス区
域を生成する他の方法と比較して、この簡単な処理によ
り、この発明の方法はまたブラックマトリックス材料が
電極のない区域をカバーするのみならず、また全ての場
所で電極区域と直接接触し、それにより最大の可能な区
域がブラックマトリックス材料によって被覆されること
を確実にする利点を有している。
光感性レジストが除去される区域で黒くされたポリマー
材料が容易に除去できることを確実にする点で、特定の
ポリマー材料に応じて例えば約１３０°Ｃでポリマー材
料の比較的僅かのｙ−備硬化を使用し、光感性レジスト
とその上に付着されたポリマー材料の区域の除去後に最
終硬化によって所望の最終程度の硬化を得るのがａ効で
ある。
材料が容易に除去できることを確実にする点で、特定の
ポリマー材料に応じて例えば約１３０°Ｃでポリマー材
料の比較的僅かのｙ−備硬化を使用し、光感性レジスト
とその上に付着されたポリマー材料の区域の除去後に最
終硬化によって所望の最終程度の硬化を得るのがａ効で
ある。
液晶層が非常に薄い液晶セル用の所定の基体プレートを
得るために、電極区域とブラックマトリックス区域との
間におけるレベル差を等化層によりスムースにすること
も有効である。全ての市販の等化層材料はこの目的に適
している カーボンは黒くされたポリマー材料として使用するのに
好ましい材料である。適当な材料は例えばドイツ特許Ｄ
Ｅ ３８１２０３０＾ｌ明細書に記載されている。こ
の明細書に記載されているポリマー材料は乾燥によって
硬化する樹脂である。別のポリマー材料としてはポリイ
ミドがある。この材料はやはり後での焼成によって硬化
される。しかし紫外線照射によって硬化する感光性レジ
ンまたはイミドその他のポリマーを使用することも可能
である。
得るために、電極区域とブラックマトリックス区域との
間におけるレベル差を等化層によりスムースにすること
も有効である。全ての市販の等化層材料はこの目的に適
している カーボンは黒くされたポリマー材料として使用するのに
好ましい材料である。適当な材料は例えばドイツ特許Ｄ
Ｅ ３８１２０３０＾ｌ明細書に記載されている。こ
の明細書に記載されているポリマー材料は乾燥によって
硬化する樹脂である。別のポリマー材料としてはポリイ
ミドがある。この材料はやはり後での焼成によって硬化
される。しかし紫外線照射によって硬化する感光性レジ
ンまたはイミドその他のポリマーを使用することも可能
である。
特定の区域の電極層のエツチングによる除去に続いてこ
れらの区域の基体中に四部をエツチングすることは非常
に有効である。これは２つの利点を有する。まず第１に
、それは黒くされたポリマー材料区域の厚さを増加させ
、黒の印象を改善する。第２の利点は硬化処理中の黒く
された層の絶対的収縮が大きくなることであり、それに
より黒くされた区域が電極層のレベルよりも上に突出す
ることがなくなり、或いは突出してもほんの僅かに過ぎ
ないくなる。
れらの区域の基体中に四部をエツチングすることは非常
に有効である。これは２つの利点を有する。まず第１に
、それは黒くされたポリマー材料区域の厚さを増加させ
、黒の印象を改善する。第２の利点は硬化処理中の黒く
された層の絶対的収縮が大きくなることであり、それに
より黒くされた区域が電極層のレベルよりも上に突出す
ることがなくなり、或いは突出してもほんの僅かに過ぎ
ないくなる。
［実施例］
以下本発明を添付図面を参照にして説明する。
第１図に示された基体プレート１０はガラスで作られ、
ＩＴ−０（酸化錫）の電極層１１を支持する。
ＩＴ−０（酸化錫）の電極層１１を支持する。
典型的な基体プレートＩＯの厚さは１〜２■であり、−
万雷極層１１の厚さは０．１ ａｍである。次に第２図
のように光感性レジスト層１２が例えばスピン被覆のよ
うな通常の方法によって電極層１１を有する基体プレー
トＩＯの全表面に被覆される。この層１２はそれからマ
スクを通して露光１３される。ここに示された実施例で
は露光後はアルカリに溶解するようになる光感性レジス
トが使用される。光感性レジストが稀アルカリ溶液で処
理されるならば、露光された部分は溶解されて除去され
、そのため分離された光感性レジストの区域１２ｂが第
３図に示されるのように残される。第３図には断面が示
されているだけであるが、これらの区域は例えば細長い
条帯であってもよい。次の工程は電極層１１を溶解する
溶媒の適用である。この実施例では稀塩酸が５５’ Ｃ
で散布される。これによって光感性レジスト区域１２ｂ
によって覆われていない電極層１１の区域がエツチング
されて第４図に示すように光感性レジスト区域１２ｂの
下の電極区域１１ｂだけが残される。
万雷極層１１の厚さは０．１ ａｍである。次に第２図
のように光感性レジスト層１２が例えばスピン被覆のよ
うな通常の方法によって電極層１１を有する基体プレー
トＩＯの全表面に被覆される。この層１２はそれからマ
スクを通して露光１３される。ここに示された実施例で
は露光後はアルカリに溶解するようになる光感性レジス
トが使用される。光感性レジストが稀アルカリ溶液で処
理されるならば、露光された部分は溶解されて除去され
、そのため分離された光感性レジストの区域１２ｂが第
３図に示されるのように残される。第３図には断面が示
されているだけであるが、これらの区域は例えば細長い
条帯であってもよい。次の工程は電極層１１を溶解する
溶媒の適用である。この実施例では稀塩酸が５５’ Ｃ
で散布される。これによって光感性レジスト区域１２ｂ
によって覆われていない電極層１１の区域がエツチング
されて第４図に示すように光感性レジスト区域１２ｂの
下の電極区域１１ｂだけが残される。
これまでの工程は従来の方法と全く同様である。
ブラックマトリックス区域を有する基体プレートか、有
しない基体プレートかに関係な〈従来の全ての方法の次
の工程は光感性レジスト区域１２ｂの除去であるが、こ
の発明の方法では異なる工程が使用される。すなわち次
の工程においては電極層１１のエツチングされた区域の
基体をエツチングするために弗酸が使用され、その結果
第５図に示すように四部Ｉ６が形成される。室温で４％
の弗酸を使用して数分間の処理で数ミクロンの深さの四
部１６が形成される。この実施例では約４■の深さの凹
部１６が形成されている。
しない基体プレートかに関係な〈従来の全ての方法の次
の工程は光感性レジスト区域１２ｂの除去であるが、こ
の発明の方法では異なる工程が使用される。すなわち次
の工程においては電極層１１のエツチングされた区域の
基体をエツチングするために弗酸が使用され、その結果
第５図に示すように四部Ｉ６が形成される。室温で４％
の弗酸を使用して数分間の処理で数ミクロンの深さの四
部１６が形成される。この実施例では約４■の深さの凹
部１６が形成されている。
次に第６図に示すように、黒くされたポリマー材料１４
が電極区域１１ｂおよび光感性レジスト区域１２ｂを合
する基体プレート１０の全表面に被覆される。米国のメ
ッサース・ブリューア・サイエンス（Ｍｅｓｓｒｓ、Ｉ
３ｒｅｗｅｒ ５ｃｉｅｎｃｅ ）社より市販されてい
る″ブラックマトリックスＤＡＲＣ”がこの実施例で使
用された。このポリマーの濃縮液が基体プレート１０上
に注がれ過剰の材料はコムローラで除去された。それか
ら乾燥され、１３０ ＠Ｃで予備硬化された。次に残留
している光感性レジスト区域１２ｂがその上のブラック
マトリックス材料１４と共に稀アルカリ溶液によって除
去された。その結果第７図に示すように基体プレートＩ
Ｏ上に電極区域１１ｂおよびそれら電極区域ｔｔｂの間
に位置するブラックマトリックス区域１４ｂのみが残さ
れる。
が電極区域１１ｂおよび光感性レジスト区域１２ｂを合
する基体プレート１０の全表面に被覆される。米国のメ
ッサース・ブリューア・サイエンス（Ｍｅｓｓｒｓ、Ｉ
３ｒｅｗｅｒ ５ｃｉｅｎｃｅ ）社より市販されてい
る″ブラックマトリックスＤＡＲＣ”がこの実施例で使
用された。このポリマーの濃縮液が基体プレート１０上
に注がれ過剰の材料はコムローラで除去された。それか
ら乾燥され、１３０ ＠Ｃで予備硬化された。次に残留
している光感性レジスト区域１２ｂがその上のブラック
マトリックス材料１４と共に稀アルカリ溶液によって除
去された。その結果第７図に示すように基体プレートＩ
Ｏ上に電極区域１１ｂおよびそれら電極区域ｔｔｂの間
に位置するブラックマトリックス区域１４ｂのみが残さ
れる。
第７図に示すブラックマトリックス区域１４ｂは電極区
域ｌｌｂの上方にあまり突出していないことに注意する
必要がある。この特徴は以下説明するような理由に基づ
くものである。黒くされた材料が乾燥され、光感性レジ
スト区域１２ｂが除去された後に、ブラックマトリック
ス区域１４ｂが電極区域１１ｂの表面より上方に突出し
ている高さは電極区域１１ｂ上の光感性レジスト区域１
２ｂの元の高さと同じである。すなわち、この実施例の
場合には１■である。そのときのブラックマトリックス
区域１４ｂの全体の高さは５．１ ｉ＋ｎ程度であり、
それはエツチングされた四部１６の深さ（４■）と、電
極区域１１ｂの厚さ（０，１ｍｓ）と、光感性レジスト
区域１２ｂの厚さ（１■）との合計に対応する。しかし
ながらブラックマトリックス材料は乾燥および硬化中に
著しく収縮する。この実施例の場合には約２０％収縮し
、そのため最終的には黒くされた区域の表面は電極区域
１１ｂの表面とほぼ同じ平面になる。
域ｌｌｂの上方にあまり突出していないことに注意する
必要がある。この特徴は以下説明するような理由に基づ
くものである。黒くされた材料が乾燥され、光感性レジ
スト区域１２ｂが除去された後に、ブラックマトリック
ス区域１４ｂが電極区域１１ｂの表面より上方に突出し
ている高さは電極区域１１ｂ上の光感性レジスト区域１
２ｂの元の高さと同じである。すなわち、この実施例の
場合には１■である。そのときのブラックマトリックス
区域１４ｂの全体の高さは５．１ ｉ＋ｎ程度であり、
それはエツチングされた四部１６の深さ（４■）と、電
極区域１１ｂの厚さ（０，１ｍｓ）と、光感性レジスト
区域１２ｂの厚さ（１■）との合計に対応する。しかし
ながらブラックマトリックス材料は乾燥および硬化中に
著しく収縮する。この実施例の場合には約２０％収縮し
、そのため最終的には黒くされた区域の表面は電極区域
１１ｂの表面とほぼ同じ平面になる。
凹部１６を形成するとき、黒くされた材ｆ４の全体の深
さが外側から来る入射光を可能な限り１００％に近く吸
収することができるように十分な深さにするように注意
する必要がある。この実施例で使用される材料に関して
は、４〜５１１１１程度の厚さが必要である。カーボン
粒子が使用される時には厚さを薄くすることができる。
さが外側から来る入射光を可能な限り１００％に近く吸
収することができるように十分な深さにするように注意
する必要がある。この実施例で使用される材料に関して
は、４〜５１１１１程度の厚さが必要である。カーボン
粒子が使用される時には厚さを薄くすることができる。
四部１６の深さはそれ故所望の吸収結果によって主とし
て決定される。
て決定される。
凹部１６の深さおよび光感性レジスト層の厚さが知られ
ているとき、黒くされた材料の収縮特性は後続の硬化に
おいて黒くされた材料の表面が電極区域用すの表面とで
きるだけ同一平面になるように設定されることが好まし
い。収縮特性は特に黒くされた材料が溶解される溶媒の
品質を調整することによって決定される。しかしながら
収縮特性がブラックマトリックス材料の表面を電極区域
１１ｂの表面の平面より下まで収縮させるように設定で
きない場合でも、これは液晶セルの適切な機能にほとん
ど、或いはは全く悪影響を与えない。
ているとき、黒くされた材料の収縮特性は後続の硬化に
おいて黒くされた材料の表面が電極区域用すの表面とで
きるだけ同一平面になるように設定されることが好まし
い。収縮特性は特に黒くされた材料が溶解される溶媒の
品質を調整することによって決定される。しかしながら
収縮特性がブラックマトリックス材料の表面を電極区域
１１ｂの表面の平面より下まで収縮させるように設定で
きない場合でも、これは液晶セルの適切な機能にほとん
ど、或いはは全く悪影響を与えない。
この点において第１図乃至第８図は実際のスケールでは
ないことに注意する必要がある。テレビジョン表示装置
に使用される液晶セルを考えるとき、ブラックマトリッ
クス区域１４ｂは幅が２５ｍｍであり、最大の厚さが約
１．１ ａｖであり、それは電極層の厚さ（約０．１
■）と収縮前の光感性レジスト区域の厚さ（約１ ａｍ
）の和に対応する。ブラックマトリックス区域１４ｂは
細長い条帯の形態を有し、それは中心間で約２５０１の
間隔で配置されている。
ないことに注意する必要がある。テレビジョン表示装置
に使用される液晶セルを考えるとき、ブラックマトリッ
クス区域１４ｂは幅が２５ｍｍであり、最大の厚さが約
１．１ ａｖであり、それは電極層の厚さ（約０．１
■）と収縮前の光感性レジスト区域の厚さ（約１ ａｍ
）の和に対応する。ブラックマトリックス区域１４ｂは
細長い条帯の形態を有し、それは中心間で約２５０１の
間隔で配置されている。
容易に想像できるようにｌ ■の距離をｌＩＩに置換え
るならば、全方向に数キロメートルにわたって延在して
いる水平なガラス表面に高さＩ Ｏｃｏで幅が２５０ｍ
の条帯の形態の電極区域が配置されることを意味し、そ
れらの区域の６対は高さ１．１ ｍで幅か２５ ｍの盛
り上がった介在するブラックマトリックス区域によって
分離されている。
るならば、全方向に数キロメートルにわたって延在して
いる水平なガラス表面に高さＩ Ｏｃｏで幅が２５０ｍ
の条帯の形態の電極区域が配置されることを意味し、そ
れらの区域の６対は高さ１．１ ｍで幅か２５ ｍの盛
り上がった介在するブラックマトリックス区域によって
分離されている。
配向層は第７図に示された構造に直接被覆されることが
でき、必要ならばＳｉＯ□からなる障壁層と配向層との
順次の層から構成されてもよい。
でき、必要ならばＳｉＯ□からなる障壁層と配向層との
順次の層から構成されてもよい。
配向層はそれから通常のようにベルベットのローラで摩
擦される。前述の例ではこの摩擦は全体のレベルよりも
突出している可能性のあるブラックマトリックス区域に
よって大きな妨害を受けなかった。しかしもしもブラッ
クマトリックス区域の突出により摩擦が妨害されるので
あれば、第７図に示された構造に配向層（図示せず）或
いは上記の順次の層の形成に先立って通常の等化層１５
（第８図）が設けられる。等化層１５の材料の一例はメ
ルク社の’５ｃｌｃｋｔｉｌｕｘ ｔｌＴＲＢ−２００
”である。
擦される。前述の例ではこの摩擦は全体のレベルよりも
突出している可能性のあるブラックマトリックス区域に
よって大きな妨害を受けなかった。しかしもしもブラッ
クマトリックス区域の突出により摩擦が妨害されるので
あれば、第７図に示された構造に配向層（図示せず）或
いは上記の順次の層の形成に先立って通常の等化層１５
（第８図）が設けられる。等化層１５の材料の一例はメ
ルク社の’５ｃｌｃｋｔｉｌｕｘ ｔｌＴＲＢ−２００
”である。
しかしながら第７図に示された構造に他の層を設ける前
にブラックマトリックス材料は後処理として２５０°Ｃ
て１時間加熱される。
にブラックマトリックス材料は後処理として２５０°Ｃ
て１時間加熱される。
前記の処理工程においてそれぞれその特定の目的に応じ
て既知の材料および既知の付着方法が使用できることに
注意すべきである。この発明において新規な点は、使用
される材料やその付着方法にあるのではなく、その処理
シーケンスにある。
て既知の材料および既知の付着方法が使用できることに
注意すべきである。この発明において新規な点は、使用
される材料やその付着方法にあるのではなく、その処理
シーケンスにある。
すなわち構成された光感性レジスト区域１２ｂが構成さ
れた電極区域１１ｂから除去される前に黒くされたポリ
マー材料が付着されることにある。四部のエツチングに
よる形成は、黒くされた電極区域１１ｂを形成するだめ
の簡単な処理シーケンスを得るためには本質的なもので
はない。それは黒くされた区域により特に高い吸収が確
保されることを確実にするための付加的な手段である。
れた電極区域１１ｂから除去される前に黒くされたポリ
マー材料が付着されることにある。四部のエツチングに
よる形成は、黒くされた電極区域１１ｂを形成するだめ
の簡単な処理シーケンスを得るためには本質的なもので
はない。それは黒くされた区域により特に高い吸収が確
保されることを確実にするための付加的な手段である。
しかし、四部のエツチングは黒くされた層の形成と同様
の利点を与える。すなわち、いずれにせよすでに存在し
ている光感性レジスト区域１２ｂが電極区域１１ｂを構
成するためのマスクとして使用できることである。黒く
されたポリマー材料が設けられる区域のみをエツチング
剤でエツチングすることを確実にする観点で、エツチン
グ剤は局部的に供給されるか、或いはエツチング剤の浸
蝕を防止するために残りの基体区域が覆われなければな
らない。
の利点を与える。すなわち、いずれにせよすでに存在し
ている光感性レジスト区域１２ｂが電極区域１１ｂを構
成するためのマスクとして使用できることである。黒く
されたポリマー材料が設けられる区域のみをエツチング
剤でエツチングすることを確実にする観点で、エツチン
グ剤は局部的に供給されるか、或いはエツチング剤の浸
蝕を防止するために残りの基体区域が覆われなければな
らない。
後者の場合には基体プレート全体をエツチング剤、例え
ば稀い弗酸溶液に浸漬することができる。
ば稀い弗酸溶液に浸漬することができる。
第１図は、電極層を有する基体の縦断面図である。
第２図は、マスクを介して露光された付加的な光感性レ
ジスト層を有する第１図のものの縦断面図である。 第３図は、現像された光感性レジスト層を有する第２図
のものの縦断面図である。 第４図は、エツチングされた電極層を有する第３図のも
のの縦断面図である。 第５図は、基体材料中にエツチングされた四部を有する
第４図のものの縦断面図である。 第６図は、黒くされたポリマー材料の層を有する第５図
のものの縦断面図である。 第７図は、光感性レジストの層の残りの区域の除去後の
第６図のものの縦断面図である。 第８図は、 付加的な等化層を有する第７図のも のの縦断面図である。 ＩＯ・・・基体プレート、 １１・・・電極層、 １２・・・光感性レ ジスト層、 １３・・・マスクを介する露光、 １４・・・黒く 去 れたポリマー材料。
ジスト層を有する第１図のものの縦断面図である。 第３図は、現像された光感性レジスト層を有する第２図
のものの縦断面図である。 第４図は、エツチングされた電極層を有する第３図のも
のの縦断面図である。 第５図は、基体材料中にエツチングされた四部を有する
第４図のものの縦断面図である。 第６図は、黒くされたポリマー材料の層を有する第５図
のものの縦断面図である。 第７図は、光感性レジストの層の残りの区域の除去後の
第６図のものの縦断面図である。 第８図は、 付加的な等化層を有する第７図のも のの縦断面図である。 ＩＯ・・・基体プレート、 １１・・・電極層、 １２・・・光感性レ ジスト層、 １３・・・マスクを介する露光、 １４・・・黒く 去 れたポリマー材料。
Claims (4)
- （１）電極層を設けられた基体プレートに光感性レジス
ト層を形成し、 光感性レジスト層をマスクを通して露光し、露光した光
感性レジスト層を現像し、 光感性レジスト層が除去されている場所で電極層をエッ
チングして除去するブラックマトリックス区域を備えた
液晶セル用基体プレートの製造方法において、 黒くされたポリマー材料が現像およびエッチングで残さ
れた光感性レジスト区域および電極区域を有する基体表
面全体に被覆され、 黒くされたポリマー材料が硬化され、 残っていた光感性レジスト区域を、その上に付着されて
いる黒くされたポリマー材料と共に除去して黒くされた
ポリマー材料を電極区域間の区域にのみ配置することを
特徴とする液晶セル用基体プレートの製造方法。 - （２）黒くされたポリマー材料は光感性レジストの除去
後に硬化されることを特徴とする請求項１記載の製造方
法。 - （３）等化層が電極区域および黒くされたポリマー材料
の区域上に付着されることを特徴とする請求項１記載の
製造方法。 - （４）電極層がエッチングで除去される基体の部分が黒
くされたポリマー材料のための凹部を形成するためにエ
ッチングされることを特徴とする請求項１記載の製造方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3940640.7 | 1989-12-08 | ||
| DE3940640A DE3940640A1 (de) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | Verfahren zum herstellen einer substratplatte fuer eine fluessigkristallzelle mit schwarzmatrixbereichen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03223810A true JPH03223810A (ja) | 1991-10-02 |
Family
ID=6395092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2336921A Pending JPH03223810A (ja) | 1989-12-08 | 1990-11-30 | ブラックマトリックス区域を備えた液晶セル用基体プレートの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5120623A (ja) |
| JP (1) | JPH03223810A (ja) |
| CA (1) | CA2030879A1 (ja) |
| DE (1) | DE3940640A1 (ja) |
| NL (1) | NL9002679A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0772070A1 (en) | 1995-11-06 | 1997-05-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus and fabrication process thereof |
| US5754263A (en) * | 1995-11-06 | 1998-05-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus with silicon or silicon-germanium thin films cover spaces between electrodes |
| JPH1164890A (ja) * | 1997-08-20 | 1999-03-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子機器およびその作製方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2652072B2 (ja) * | 1990-02-26 | 1997-09-10 | キヤノン株式会社 | 遮光層の形成方法 |
| JP3067362B2 (ja) * | 1991-12-19 | 2000-07-17 | ソニー株式会社 | 液晶パネルの製造方法 |
| US5382317A (en) * | 1994-02-18 | 1995-01-17 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of selectively applying a coating to a bilevel substrate |
| KR970016690A (ko) * | 1995-09-30 | 1997-04-28 | 윤종용 | 액정 표시 장치의 블랙 매트릭스 형성 방법 |
| KR970062775A (ko) * | 1996-02-03 | 1997-09-12 | 구자홍 | 액정표시소자의 블랙매트릭스 및 그 제조방법 |
| KR100239778B1 (ko) * | 1996-12-03 | 2000-01-15 | 구본준 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| US6423582B1 (en) * | 1999-02-25 | 2002-07-23 | Micron Technology, Inc. | Use of DAR coating to modulate the efficiency of laser fuse blows |
| CN114063336B (zh) * | 2020-07-31 | 2024-03-05 | 北京小米移动软件有限公司 | 黑矩阵及其制作方法、彩膜基板及其制作方法和显示屏 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3013142A1 (de) * | 1980-04-03 | 1981-10-08 | Agfa-Gevaert Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur herstellung eines fotoempfaengers mt einem multichroitischen farbstreifenfilter |
| GB2121226B (en) * | 1982-04-13 | 1987-01-28 | Canon Kk | Liquid crystal display |
| JPS59129832A (ja) * | 1983-01-18 | 1984-07-26 | Canon Inc | 光学変調装置 |
| DE3400225A1 (de) * | 1984-01-05 | 1985-07-18 | Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart | Verfahren zur erzeugung einer schwarzmatrixschicht |
| DE3405318A1 (de) * | 1984-02-15 | 1985-08-22 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Fluessigkristallanzeige |
| JPS60192903A (ja) * | 1984-03-14 | 1985-10-01 | Canon Inc | カラ−フイルタ− |
| DE3514807C2 (de) * | 1984-04-25 | 1994-12-22 | Canon Kk | Vorrichtung mit einer Flüssigkristallzelle, zum Ansteuern einer Transistoranordnung |
| JPS63266424A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-02 | Alps Electric Co Ltd | 液晶表示素子 |
| US4948706A (en) * | 1987-12-30 | 1990-08-14 | Hoya Corporation | Process for producing transparent substrate having thereon transparent conductive pattern elements separated by light-shielding insulating film, and process for producing surface-colored material |
-
1989
- 1989-12-08 DE DE3940640A patent/DE3940640A1/de active Granted
-
1990
- 1990-11-26 CA CA002030879A patent/CA2030879A1/en not_active Abandoned
- 1990-11-30 JP JP2336921A patent/JPH03223810A/ja active Pending
- 1990-12-05 NL NL9002679A patent/NL9002679A/nl not_active Application Discontinuation
- 1990-12-07 US US07/624,076 patent/US5120623A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0772070A1 (en) | 1995-11-06 | 1997-05-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus and fabrication process thereof |
| US5754263A (en) * | 1995-11-06 | 1998-05-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus with silicon or silicon-germanium thin films cover spaces between electrodes |
| US5847793A (en) * | 1995-11-06 | 1998-12-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus and fabrication process thereof |
| JPH1164890A (ja) * | 1997-08-20 | 1999-03-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子機器およびその作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5120623A (en) | 1992-06-09 |
| CA2030879A1 (en) | 1991-06-09 |
| DE3940640A1 (de) | 1991-06-20 |
| DE3940640C2 (ja) | 1993-04-15 |
| NL9002679A (nl) | 1991-07-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3472422B2 (ja) | 液晶装置の製造方法 | |
| TW442693B (en) | Color filter and its manufacturing method | |
| JPH03223810A (ja) | ブラックマトリックス区域を備えた液晶セル用基体プレートの製造方法 | |
| JPS60214532A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH06267843A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0895024A (ja) | カラーフィルター、その製造方法、及び同カラーフィルターを組込んだ液晶表示パネル | |
| EP0877417A1 (en) | Method for fabrication of electrodes and other electrically-conductive structures | |
| CN108628498B (zh) | 触控面板、触控显示屏幕及触控显示设备 | |
| JPH0973092A (ja) | スペーサ及びそのスペーサを用いた光学素子 並びにその製造方法 | |
| JP3109218B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPS61166132A (ja) | 薄膜の選択的形成方法 | |
| JPH02156244A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH01296201A (ja) | カラーフィルタの製造方法 | |
| EP0345046A2 (en) | Display device | |
| JPH03246942A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| KR930006133B1 (ko) | 모스소자의 콘택트홀 형성방법 | |
| JPH0361931B2 (ja) | ||
| JPS6040184B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100221912B1 (ko) | 자기저항 효과형 헤드 제조 방법 | |
| JPH10239673A (ja) | 液晶素子 | |
| JPS60102735A (ja) | 電子線レジストの処理方法 | |
| CN118534732A (zh) | 基于光刻胶展宽的轮廓图案形成工艺及微观轮廓图案结构 | |
| JP2003289165A (ja) | マスクを用いたパターン形成方法 | |
| KR960016828B1 (ko) | 반도체 소자의 패턴 형성방법 | |
| JP4096371B2 (ja) | カラーフィルタの製造方法 |