JPH10239673A - 液晶素子 - Google Patents

液晶素子

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Publication number
JPH10239673A
JPH10239673A JP4430497A JP4430497A JPH10239673A JP H10239673 A JPH10239673 A JP H10239673A JP 4430497 A JP4430497 A JP 4430497A JP 4430497 A JP4430497 A JP 4430497A JP H10239673 A JPH10239673 A JP H10239673A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
outer peripheral
resist
liquid crystal
light
Prior art date
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Pending
Application number
JP4430497A
Other languages
English (en)
Inventor
Michiharu Ito
道治 伊藤
Nobuyuki Ishikawa
信行 石川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 外周部の盛り上がりを防ぐことのできる透光
性基材を備えた配線基板を有する液晶素子を提供する。 【解決手段】 配線基板の電極がパターン形成される透
光性基材6の外周部に段部12を形成することにより、
外周部を中央部より低くしてレジスト13の外周部での
盛り上がりを防ぐようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、一対の配線基板間
に液晶を挟持する液晶素子に関し、特に電極がパターン
形成される配線基板の透光性基材の形状に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、一対の配線基板間に液晶を挟持す
る液晶素子において、配線基板は透光性基材と、この透
光性基材にパターン形成された電極とを備えているが、
透光性基材に電極をパターン形成する際には、まず例え
ば透光性基材の一例であるガラス基板の表面に金属薄膜
を成膜し、この後この金属薄膜上にレジストを塗布する
ようにしている。
【0003】ここで、このレジストの塗布方法として
は、例えば特開昭60−183730公報に記載されて
いるフォトレジスト膜塗布用スピナーのように、回転台
の周縁部にガラス基板に塗布されるレジストの膜厚と同
じ高さに調整した壁面を形成し、その中にガラス基板を
置いた後レジストを塗布させ、この後レジスト膜を硬化
させることで基板表面を平坦な状態する方法が知られて
いる。
【0004】また、例えば特開平2−28919公報に
記載されているレジスト膜の形成方法のように、ガラス
基板より面積の大きいステージを設け、このステージに
ガラス基板を載置すると共に載置された基板の周辺を樹
脂で囲んだ後、レジストを塗布する方法が知られてい
る。
【0005】さらに、例えば特開平3−1525公報に
記載されているレジストの均一塗布方法というように、
ガラス基板の周囲に基板と同じ板厚のダミーを隙間なく
配置して、レジストを塗布することでレジストを均一に
塗布した基板を得るという方法が知られている。
【0006】なお、このような方法によりガラス基板に
レジストを塗布した後、紫外線等を照射してレジストを
硬化させ、この後エッチング等を行って電極をパターン
形成する。さらに、この後配向膜等を成膜して配線基板
を形成すると共に、このような構成の一対の配線基板間
に液晶を挟持して液晶素子を形成するようにしている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の液晶素子において、既述したレジスト塗布方法で
レジストを塗布する場合、ガラス基板の中央部は均一な
膜厚を有しているが、基板外周部に基板の表面張力等の
表面エネルギーによって盛り上がり部分が発生する傾向
がある。そして、このような盛り上がり部分が発生する
と、紫外線照射による露光時にプロキシ方法では、マス
クとのギャップに制限が発生したり、コンタクト方法で
は完全な密着が得られない。また、セルギャップに影響
を与えるため、セルギャップを小さくすることができな
い。したがって、外周部のレジスト膜を削除するための
後処理が必要となるという問題点があった。
【0008】なお、既述した回転台に周縁部を設ける方
法では、基板より回転台の方が面積が大きいので、この
問題点以外にも裏面の回り込みの後処理が必要となると
いう他の問題点があった。また、基板の周囲を樹脂で囲
んでレジストを塗布する方法においては、後処理として
樹脂部を削除することが必要となり、ダミー基板を周囲
に配置する方法においても同様な処理が必要となるとい
う他の問題点があった。
【0009】そこで、本発明は、このような従来の問題
点を解決するためになされたものであり、外周部の盛り
上がりを防ぐことのできる透光性基材を備えた配線基板
を有する液晶素子を提供することを目的とするものであ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、透光性基材と
該透光性基材にパターン形成された電極とを備えた一対
の配線基板間に液晶を挟持した液晶素子において、前記
透光性基材の外周部を中央部より低くしたことを特徴と
するものである。
【0011】また本発明は、前記中央部より低くするよ
う前記透光性基材の外周部に段部を形成したことを特徴
とするものである。
【0012】また本発明は、前記中央部より低くするよ
う前記透光性基材の外周部を傾斜形状としたことを特徴
とするものである。
【0013】また本発明は、前記中央部より低くするよ
う前記透光性基材の外周部をR面取り形状としたことを
特徴とするものである。
【0014】また本発明のように、配線基板の電極がパ
ターン形成される透光性基材の外周部に段部を形成する
ことにより、外周部を中央部より低くしてレジストの外
周部での盛り上がりを防ぐようにする。
【0015】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施の形態に係
る液晶素子の構造を示す図であり、同図において、1は
液晶素子であり、2は配線基板、3は液晶、4はシール
材、5はスペーサでである。ここで、この配線基板2
は、透光性基材である基板6と、透明電極7と、金属電
極10と、金属電極10間を絶縁する絶縁層とを有した
ものである。なお、この配線基板2には絶縁膜8及び配
向膜9が形成されている。
【0016】ところで、この基板6はガラス等の無機材
料又は金属材料等の剛性のある材料にて形成されたもの
であり、使用用途により選ぶことができる。例えば、カ
ラーフィルター等では、無アルカリガラスの加熱処理品
が好ましい。
【0017】一方、この基板6の外周部には、外周部が
中央部分に比べて低くなるよう例えば図2に示すような
段部12が形成されている。そして、このような段部1
2を設けることにより、例えば基板6上に金属電極10
を形成する工程や透明電極7を形成する工程において、
スピンコート、ロールコート等の方法でレジストを塗布
する際、基板6の外周部におけるレジストの状態は図3
に示すようになる。
【0018】即ち、同図に示すように基板6の外周部に
はレジスト13の盛り上がり部分13aが生じるが、こ
の盛り上がり部分13aは段部12の上に発生するた
め、高さは、同図において破線で示す基板6の中央部の
均一な膜厚面より低くなる。そして、このようにレジス
ト13の盛り上がり部分13aを低くさせることによ
り、後工程として発生しているエッチング等の処理を簡
略化させることができ、コスト等を低減することができ
る。
【0019】なお、レジスト13は、フォトレジスト・
接着剤・保護剤などで、使用用途により選ぶことができ
る。例えばフォトレジストでは、東京応化工業社製のB
MRなどがある。
【0020】ところで、基板6の段部12は、例えば平
面研削盤等によって任意の形状に抵石を形成して研磨加
工することにより形成することができるが、この段部1
2の中央部との段差及び幅等を決定するために次に示す
実験を行った。 〈実験1〉まず、360×465×0.7(mm)のガ
ラス基板上に、レジストBMRを30mg滴下する。次
にスピンコート条件、回転数1000rpm立ち上げ3
秒・ホールド10秒・立ち下げ3秒でスピンコーターで
塗布する。この後、50℃で5分間でレジストを乾燥さ
せる。このようにして作成されたガラス基板上のレジス
ト膜の周辺部を接触式の測定機テンコール社製α−ステ
ップでガラスの端部の断面プロファイルを計測した。 〈実験2〉実験1と同様にしてレジスト塗布を行ない、
スピンコート条件を1200rpmに変更させ、実験1
と同様の処理を行ない断面プロファイルを計測した。 〈実験3〉実験1と同様にしてレジスト塗布を行ない、
スピンコート条件を800rpmに変更させ、実験1と
同様の処理を行ない断面プロファイルを計測した。 〈実験4〉実験1と同様にしてレジスト塗布を行ない、
スピンコート条件でのホールド時間を20秒に変更さ
せ、実験1と同様の処理を行ない断面プロファイルを計
測した。 〈実験5〉実験1と同様にして、レジスト塗布を行な
い、スピンコート条件でのホールド時間を30秒に変更
させ、実験1と同様の処理を行ない断面プロファイルを
計測した。
【0021】これら5つの実験の結果は、下記の表に示
すとおりである。
【0022】
【表1】 ここで、例えば実験1の条件でレジストを塗布する場合
には、実験結果から段部12の段差が少なくとも4.3
μm以上となるように、また段部12の幅は少なくとも
0.7mm以上となるように予め基板6の外周部を研磨
加工するようにすれば良いことが判る。そして、このよ
うな条件で段部12を形成することにより、既述した図
3に示すように基板6の外周部のレジスト13の盛り上
がり部分13aの高さを基板6の中央部の均一な膜厚面
より低くさせることができる。
【0023】ところで、これまでの説明においては、中
央部より低くするよう外周部に段部12を形成する場合
について説明したが、本発明はこれに限らず、中央部よ
り低くするよう、例えば図4に示すように基板6の外周
部を傾斜部14を形成し、外周部を傾斜形状とするよう
にしてもよい。また、図5に示すように基板の外周部に
R面取り部15を形成し、R面取り形状とするようにし
てもよい。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、透
光性基材の外周部を中央部分より低くすることにより、
レジストを塗布した時に発生する端部の盛り上がりを中
央部の膜厚より低くすることができ、オーバーコート層
などの塗布時に発生する周辺部の処理工程を必要とせ
ず、工程の簡略化ができる。また、液晶素子では、セル
化の際にセルギャップを小さくでき、性能を向上させる
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る液晶素子の構造を示
す図。
【図2】上記液晶素子の配線基板を構成する透光性基材
の外周部を示す図。
【図3】上記透光性基材外周部におけるレジストの盛り
上がり状態を説明する図。
【図4】上記透光性基材の他の実施例に係る外周部を示
す図。
【図5】上記透光性基材のその他の実施例に係る外周部
を示す図。
【符号の説明】
1 液晶素子 2 配線基板 3 液晶 6 基板 7 透明電極 10 金属電極 12 段部 13 レジスト 13a レジストの盛り上がり部分 14 傾斜部 15 R面取り部

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 透光性基材と該透光性基材にパターン形
    成された電極とを備えた一対の配線基板間に液晶を挟持
    した液晶素子において、 前記透光性基材の外周部を中央部より低くしたことを特
    徴とする液晶素子。
  2. 【請求項2】 前記中央部より低くするよう前記透光性
    基材の外周部に段部を形成したことを特徴とする請求項
    1記載の液晶素子。
  3. 【請求項3】 前記中央部より低くするよう前記透光性
    基材の外周部を傾斜形状としたことを特徴とする請求項
    1記載の液晶素子。
  4. 【請求項4】 前記中央部より低くするよう前記透光性
    基材の外周部をR面取り形状としたことを特徴とする請
    求項1記載の液晶素子。
JP4430497A 1997-02-27 1997-02-27 液晶素子 Pending JPH10239673A (ja)

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JP4430497A JPH10239673A (ja) 1997-02-27 1997-02-27 液晶素子

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JP4430497A JPH10239673A (ja) 1997-02-27 1997-02-27 液晶素子

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