JPH05134247A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH05134247A JPH05134247A JP32403791A JP32403791A JPH05134247A JP H05134247 A JPH05134247 A JP H05134247A JP 32403791 A JP32403791 A JP 32403791A JP 32403791 A JP32403791 A JP 32403791A JP H05134247 A JPH05134247 A JP H05134247A
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- light
- liquid crystal
- crystal display
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Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、絶縁膜へのＵＶ光照射工程で該膜
表面を凹凸状に形成可能な液晶表示素子の製造方法を目
的にしている。 【構成】透明電極２付きガラス基板１に対向電極との短
絡を防止するための絶縁膜３を形成する際、絶縁膜３の
塗布・仮乾燥後、穴径の可変可能な穴４１を穿設したマ
スク４を用い、照射量を部分的に変化させながらＵＶ光
Ｒの照射を行い、絶縁膜３表面を凹凸状に形成すること
を特徴としている。
表面を凹凸状に形成可能な液晶表示素子の製造方法を目
的にしている。 【構成】透明電極２付きガラス基板１に対向電極との短
絡を防止するための絶縁膜３を形成する際、絶縁膜３の
塗布・仮乾燥後、穴径の可変可能な穴４１を穿設したマ
スク４を用い、照射量を部分的に変化させながらＵＶ光
Ｒの照射を行い、絶縁膜３表面を凹凸状に形成すること
を特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、液晶表示素子に利用
される液晶表示素子の製造方法に関するものである。
される液晶表示素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示素子は、図３に図示した
構造図のように、ガラス基板１自体の表面をサンドブラ
ストやエッチング処理等を施して荒らし、凹凸面に形成
している。
構造図のように、ガラス基板１自体の表面をサンドブラ
ストやエッチング処理等を施して荒らし、凹凸面に形成
している。
【０００３】その後、透明電極２、対向電極との短絡防
止用の有機金属化合物による絶縁膜３、配向膜５を順次
形成し、液晶層に接する配向膜５の表面を、ガラス基板
１の荒れに沿った凹凸面に形成している（例えば、特開
昭６３−７１８３０号公報）。
止用の有機金属化合物による絶縁膜３、配向膜５を順次
形成し、液晶層に接する配向膜５の表面を、ガラス基板
１の荒れに沿った凹凸面に形成している（例えば、特開
昭６３−７１８３０号公報）。
【０００４】また、液晶表示素子の製造工程をあらわし
た図４では、透明電極２付ガラス基板１に、対向電極と
の短絡を防止するための有機金属化合物による絶縁膜３
塗布工程Ｂの後、工程ＣでＵＶ光照射を行う。その後工
程Ｄで該絶縁膜３上に液晶用配向膜４を成膜する。
た図４では、透明電極２付ガラス基板１に、対向電極と
の短絡を防止するための有機金属化合物による絶縁膜３
塗布工程Ｂの後、工程ＣでＵＶ光照射を行う。その後工
程Ｄで該絶縁膜３上に液晶用配向膜４を成膜する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来の技
術では、前者の場合は、ガラス基板の表面を荒らす処理
工程があるため、専用の処理装置が必要となり、更に、
処理時間や工数がかかる等により、コストが高くなると
いう問題点がある。
術では、前者の場合は、ガラス基板の表面を荒らす処理
工程があるため、専用の処理装置が必要となり、更に、
処理時間や工数がかかる等により、コストが高くなると
いう問題点がある。
【０００６】また、後者の場合は、有機金属化合物によ
る絶縁膜塗布後のＵＶ照射工程では全面均一に照射する
ため、絶縁膜の膜厚が均一に減少して凹凸状に形成でき
ないという問題点がある。
る絶縁膜塗布後のＵＶ照射工程では全面均一に照射する
ため、絶縁膜の膜厚が均一に減少して凹凸状に形成でき
ないという問題点がある。
【０００７】そこで、本発明は上記従来の技術の問題点
に鑑み案出されたもので、絶縁膜へのＵＶ光照射工程で
該膜表面を凹凸状に形成可能な液晶表示素子の製造方法
の提供を目的としている。
に鑑み案出されたもので、絶縁膜へのＵＶ光照射工程で
該膜表面を凹凸状に形成可能な液晶表示素子の製造方法
の提供を目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明における液晶表示素子の製造方法において
は、透明電極付きガラス基板に対向電極との短絡を防止
するための絶縁膜を形成する際、絶縁膜の塗布・仮乾燥
後、穴径の可変可能な穴を穿設したマスクを用い、照射
量を部分的に変化させながらＵＶ光の照射を行い、絶縁
膜表面を凹凸状に形成することを特徴としている。
に、本発明における液晶表示素子の製造方法において
は、透明電極付きガラス基板に対向電極との短絡を防止
するための絶縁膜を形成する際、絶縁膜の塗布・仮乾燥
後、穴径の可変可能な穴を穿設したマスクを用い、照射
量を部分的に変化させながらＵＶ光の照射を行い、絶縁
膜表面を凹凸状に形成することを特徴としている。
【０００９】
【作用】絶縁膜にＵＶ光を照射する際、穴径の可変可能
なマスクを介在させＵＶ光の照射を行い部分的に変化さ
せる。すなわち、穴径を徐々に小さくするに従い、有機
金属化合物による絶縁膜の膜厚は穴中央部と同位置の部
分が最小となり、その周囲は徐々に厚くなり、膜表面が
凹凸状になる。この上に配向膜の塗布乾燥を行うことに
よって配向膜表面も凹凸状に形成できる。
なマスクを介在させＵＶ光の照射を行い部分的に変化さ
せる。すなわち、穴径を徐々に小さくするに従い、有機
金属化合物による絶縁膜の膜厚は穴中央部と同位置の部
分が最小となり、その周囲は徐々に厚くなり、膜表面が
凹凸状になる。この上に配向膜の塗布乾燥を行うことに
よって配向膜表面も凹凸状に形成できる。
【００１０】
【実施例】実施例について図１及び図２を参照して説明
すると、符号の一部は従来例と共通の符号を用いてい
る。
すると、符号の一部は従来例と共通の符号を用いてい
る。
【００１１】本発明は、透明電極２付きガラス基板１に
対向電極との短絡を防止するための絶縁膜３を形成する
際の、該絶縁膜３塗布・仮乾燥後の処理方法である。
対向電極との短絡を防止するための絶縁膜３を形成する
際の、該絶縁膜３塗布・仮乾燥後の処理方法である。
【００１２】液晶表示素子の製造工程をあらわした図１
において、工程Ｂの絶縁膜３塗布・仮乾燥後の工程Ｃ
で、可変可能な穴４１を穿設したマスク４を介して絶縁
膜３にＵＶ（紫外線）光Ｒを照射する。そして、該マス
ク４で照射量を部分的に変化させながらＵＶ光Ｒの照射
を行い、絶縁膜３の表面を凹凸状に形成している。
において、工程Ｂの絶縁膜３塗布・仮乾燥後の工程Ｃ
で、可変可能な穴４１を穿設したマスク４を介して絶縁
膜３にＵＶ（紫外線）光Ｒを照射する。そして、該マス
ク４で照射量を部分的に変化させながらＵＶ光Ｒの照射
を行い、絶縁膜３の表面を凹凸状に形成している。
【００１３】すなわち、ＵＶ光Ｒを有機金属化合物によ
る絶縁膜３に照射する際に、マスク４の穴４１を徐々に
小さく又は大きくして変化させ、ＵＶ光の照射量が部分
的に異なるように照射されている。
る絶縁膜３に照射する際に、マスク４の穴４１を徐々に
小さく又は大きくして変化させ、ＵＶ光の照射量が部分
的に異なるように照射されている。
【００１４】前記絶縁膜３は、有機金属化合物による絶
縁膜としたが、ＵＶ光Ｒを膜形成に使用する絶縁膜でも
よい。
縁膜としたが、ＵＶ光Ｒを膜形成に使用する絶縁膜でも
よい。
【００１５】上記有機金属化合物とは、炭素−金属結合
を持つ有機化合物をいい、例えば、ＣＨ3 −ＣＯ−ＣＨ
2 −ＣＯ−ＣＨ2 −Ｍｅあり、Ｍｅは金属でＺｒ、Ｔ
ｉ、Ｓｉ、等である。例えば、前記化学式構造でＭｅが
Ｚｒの場合は、ジルコニウムアセチルアセトナートとな
る。
を持つ有機化合物をいい、例えば、ＣＨ3 −ＣＯ−ＣＨ
2 −ＣＯ−ＣＨ2 −Ｍｅあり、Ｍｅは金属でＺｒ、Ｔ
ｉ、Ｓｉ、等である。例えば、前記化学式構造でＭｅが
Ｚｒの場合は、ジルコニウムアセチルアセトナートとな
る。
【００１６】また、有機金属化合物の作成工程は、通
常、有機金属化合物を基板に塗布→仮焼成（７０°Ｃ以
下）→ＵＶ光照射→本焼成（３００°Ｃ以上）である。
常、有機金属化合物を基板に塗布→仮焼成（７０°Ｃ以
下）→ＵＶ光照射→本焼成（３００°Ｃ以上）である。
【００１７】その場合、焼成後の膜が平滑となるよう
に、ＵＶ照射光量、膜厚等に応じてＵＶフィルターの透
過率を適宜変更する等して決定すれば良い。
に、ＵＶ照射光量、膜厚等に応じてＵＶフィルターの透
過率を適宜変更する等して決定すれば良い。
【００１８】また、該工程Ｃで照射されるＵＶ光Ｒは、
有機金属化合物質に含まれる有機化合物を分解・除去す
る為に用いるもので、２５４ｎｍ、１８５ｎｍ等の短波
長側に強いピークを持ったので強いエネルギーのものが
望ましい。
有機金属化合物質に含まれる有機化合物を分解・除去す
る為に用いるもので、２５４ｎｍ、１８５ｎｍ等の短波
長側に強いピークを持ったので強いエネルギーのものが
望ましい。
【００１９】更に、ＵＶ光Ｒを遮断するマスク４は、Ｖ
の部分にＵＶ光Ｒを当てない為に使用し、設置位置は光
源側、ガラス基板１側（ガラス基板１上を含む）どちら
でも良く、ガラス基板１上に置いても問題のない材質例
えば、ＳＵＳのものならば良い。また、本実施例では、
ＵＶ光Ｒを完全に遮断するマスク４としたが、該マスク
４はＵＶ光Ｒの透過量を減衰するＵＶフィルターとして
もよい。
の部分にＵＶ光Ｒを当てない為に使用し、設置位置は光
源側、ガラス基板１側（ガラス基板１上を含む）どちら
でも良く、ガラス基板１上に置いても問題のない材質例
えば、ＳＵＳのものならば良い。また、本実施例では、
ＵＶ光Ｒを完全に遮断するマスク４としたが、該マスク
４はＵＶ光Ｒの透過量を減衰するＵＶフィルターとして
もよい。
【００２０】その後、工程Ｄにて配向膜４を塗布を行
う。
う。
【００２１】
【発明の効果】本発明は上述の通り構成されているの
で、次に記載する効果を奏する。 Ａ．絶縁膜にＵＶ光を照射する際、穴径の可変できるマ
スクを介在させＵＶ光の照射を部分的に変化させている
ため、照射量に応じて有機金属化合物による絶縁膜の膜
厚が３０００Ａ位から８００〜１０００位に減少する。
すなわち、ＵＶ光を照射する際、穴径を徐々に小さくす
るに従って、有機金属化合物による絶縁膜の膜厚は穴中
央部と同位置の部分が最小となり、その周囲は徐々に厚
くなる。従って、膜表面は凹凸状に形成できる。そし
て、この絶縁膜上に配向膜の塗布乾燥を行うことによっ
て配向膜の表面も凹凸状に形成できる。
で、次に記載する効果を奏する。 Ａ．絶縁膜にＵＶ光を照射する際、穴径の可変できるマ
スクを介在させＵＶ光の照射を部分的に変化させている
ため、照射量に応じて有機金属化合物による絶縁膜の膜
厚が３０００Ａ位から８００〜１０００位に減少する。
すなわち、ＵＶ光を照射する際、穴径を徐々に小さくす
るに従って、有機金属化合物による絶縁膜の膜厚は穴中
央部と同位置の部分が最小となり、その周囲は徐々に厚
くなる。従って、膜表面は凹凸状に形成できる。そし
て、この絶縁膜上に配向膜の塗布乾燥を行うことによっ
て配向膜の表面も凹凸状に形成できる。
【００２２】Ｂ．表面が凹凸状になった基板を用いて液
晶表示素子を製作すると、対向する基板との間隔（スペ
ース又はギャップ）は均一にならず、凹部分では広く、
凸部分では狭い現象となる。従って、同一面内で部分的
に違うギャップの液晶表示素子が作成でき、更に、ＴＮ
モードの液晶表示素子等では表示のコントラスト等を向
上させることができる。
晶表示素子を製作すると、対向する基板との間隔（スペ
ース又はギャップ）は均一にならず、凹部分では広く、
凸部分では狭い現象となる。従って、同一面内で部分的
に違うギャップの液晶表示素子が作成でき、更に、ＴＮ
モードの液晶表示素子等では表示のコントラスト等を向
上させることができる。
【図１】本発明の液晶表示素子の製造工程図である。
【図２】本発明のマスクの平面図である。
【図３】従来の液晶表示素子の切断面図である。
【図４】従来の液晶表示素子の製造工程図である。
１ ガラス基板 ２ 透明電極 ３ 絶縁膜 ４ マスク ４１ 穴 ５ 配向膜 Ｒ ＵＶ光
Claims (1)
- 【請求項１】透明電極付きガラス基板に対向電極との短
絡を防止するための絶縁膜を形成する際、絶縁膜の塗布
・仮乾燥後、穴径の可変可能な穴を穿設したマスクを用
い、照射量を部分的に変化させながらＵＶ光の照射を行
い、絶縁膜表面を凹凸状に形成することを特徴とする液
晶表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32403791A JPH05134247A (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32403791A JPH05134247A (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05134247A true JPH05134247A (ja) | 1993-05-28 |
Family
ID=18161453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32403791A Pending JPH05134247A (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05134247A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0684500A2 (en) | 1994-05-27 | 1995-11-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device, method for producing the same, and apparatus for producing the same |
| KR20000003187A (ko) * | 1998-06-26 | 2000-01-15 | 김영환 | 액정 표시 장치 및 그 제조방법 |
| KR100502793B1 (ko) * | 1997-09-25 | 2005-10-21 | 삼성전자주식회사 | 유기절연막을이용한다중영역수직배향비틀린네마틱액정표시장치용기판및이를포함하는액정표시장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01191121A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-08-01 | Alps Electric Co Ltd | 液晶表示素子 |
-
1991
- 1991-11-13 JP JP32403791A patent/JPH05134247A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01191121A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-08-01 | Alps Electric Co Ltd | 液晶表示素子 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0684500A2 (en) | 1994-05-27 | 1995-11-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device, method for producing the same, and apparatus for producing the same |
| US5604615A (en) * | 1994-05-27 | 1997-02-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and methods for producing same with alignment layer having new bond formation or bond cleavage reaction of molecular chains by light irradiation |
| KR100502793B1 (ko) * | 1997-09-25 | 2005-10-21 | 삼성전자주식회사 | 유기절연막을이용한다중영역수직배향비틀린네마틱액정표시장치용기판및이를포함하는액정표시장치 |
| KR20000003187A (ko) * | 1998-06-26 | 2000-01-15 | 김영환 | 액정 표시 장치 및 그 제조방법 |
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