JPH08148379A

JPH08148379A - 薄膜キャパシタおよびその製造方法

Info

Publication number: JPH08148379A
Application number: JP6308289A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Waga; 聡和賀; Mitsuo Bito; 三津雄尾藤; Yoshinobu Kakihara; 良亘柿原
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 1994-11-16
Filing date: 1994-11-16
Publication date: 1996-06-07

Abstract

(57)【要約】【目的】小型で且つ大きい静電容量の薄膜キャパシタ
を得る。【構成】基板１０の表面には球面が連続して規則的に
配列した凹凸面１１が形成されている。例えば感光材料
により形成された基板１０を露光現像し、またはシリコ
ンなどの基板１０をエッチングすることにより凹凸面１
１を形成することができる。この凹凸面１１上に下部電
極層２１、誘電体層２２、上部電極層２３を成膜するこ
とにより、薄膜キャパシタが製造される。この薄膜キャ
パシタは、誘電体層２２を挟む下部電極層２１と上部電
極層２３の対向表面積が広いため、平面的なキャパシタ
よりも静電容量の大きなものとなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＬＣフィルターやＣＲ
積分回路などの電気回路に使用されるもので下部電極層
と誘電体層と上部電極層とが順に積層された薄膜キャパ
シタに係り、特に、小寸法にて大きな静電容量を得るこ
とのできる薄膜キャパシタおよびその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】図１２は、従来の薄膜キャパシタを示す
断面図である。図１２に示す薄膜キャパシタは、シリコ
ン（Ｓｉ）などの基板１の上部平面に、下部電極層２が
形成され、その上に誘電体層３と上部電極層４とが順に
積層されたものとなっている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】薄膜キャパシタの誘電
体層３の厚さをｄ、誘電体層３の誘電率をε、誘電体層
３を挟んでいる下部電極２と上部電極４の対向面積をＡ
としたときに、静電容量（キャパシタンス）Ｃは、以下
の数１で表わされる。

【０００４】

【数１】Ｃ＝ε（Ａ／ｄ）

【０００５】このように静電容量Ｃは、電極の対向面積
Ａに比例するものであるが、図１２に示すように、下部
電極層２と上部電極層４の対向面が平面形状であると、
一定の面積内に形成される薄膜キャパシタの静電容量Ｃ
を大きくすることに限界がある。したがって、例えば薄
膜のＬＣフィルターやＣＲ積分回路のように、薄膜イン
ダクタや薄膜抵抗の上に薄膜キャパシタが重ねられるも
のでは、薄膜キャパシタの形成領域の面積が限られて前
記面積Ａを充分に大きくできず、回路に必要となる静電
容量Ｃを確保できないことが生じる。また、限られた面
積内に形成された薄膜キャパシタにおいて静電容量Ｃを
大きくするためには、誘電体層３の厚さｄを可能な限り
薄くしなければならないことになる。誘電体膜３を非常
に薄くしていくと、誘電体層３の膜の欠陥が生じやすく
なる。

【０００６】本発明は上記従来の課題を解決するもので
あり、限られた面積内に形成された場合にも従来よりも
大きな静電容量を得ることができる薄膜キャパシタおよ
びその製造方法を提供することを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明による薄膜キャパ
シタは、下部電極層と誘電体層と上部電極層とが順に積
層されており、下部電極層の表面が規則的な凹凸面とさ
れ、誘電体層が前記凹凸面に倣って形成され、さらに誘
電体層の表面に現れる規則的な凹凸面に上部電極層が積
層されていることを特徴とするものである。

【０００８】または、基板と下部電極層と誘電体層と上
部電極層とが順に積層されており、基板の表面が規則的
な凹凸面とされ、下部電極層が前記凹凸面に倣って形成
され、且つ下部電極層の表面に現れる規則的な凹凸面に
倣って誘電体層が形成され、さらに誘電体層の表面に現
れる規則的な凹凸面に上部電極層が積層されていること
を特徴とするものである。

【０００９】上記において、規則的な凹凸面は、連続す
る曲面により形成されたもので、円筒に近い形状が連続
する凹凸面または球面に近い形状が連続する凹凸面とす
ることが好ましい。

【００１０】上記薄膜キャパシタは、感光材料により形
成された基板の表面に規則的な遮光部を介して露光を行
い且つ現像して、基板の表面に規則的な凹凸面を形成
し、この凹凸面の上に、下部電極層と誘電体層と上部電
極層とを順に形成することにより製造することが可能で
ある。

【００１１】または、基板あるいは下部電極層の表面に
規則的なエッチングマスクを設置し等方エッチングを行
って、基板あるいは下部電極層の表面に規則的な凹凸面
を形成し、この凹凸面の上に、下部電極層と誘電体層と
上部電極層、または誘電体層と上部電極層を順に形成す
ることを特徴とするものである。

【００１２】上記各製造方法では、誘電体層はスパッタ
リングなどにより成膜することが可能であるが、下部電
極層の表面を酸化または窒化処理して、下部電極層の表
面に誘電体層を形成することも可能である。

【００１３】

【作用】本発明の薄膜キャパシタは、下部電極層の表面
に規則的な凹凸面が形成され、好ましくはこの凹凸面
が、ほぼ半円筒面またはほぼ半球面が連続する連続曲面
である。この凹凸面に倣って誘電体層が形成されるが、
凹凸面が曲面形状である場合には、誘電体層は凹凸面に
倣ってほぼ均一な膜厚にて形成される。誘電体層の表面
には下部電極層の凹凸面に追従して下部電極層とほぼ同
じ形状の凹凸面が現れ、誘電体層の表面の凹凸面に上部
電極層が積層される。下部電極層と上部電極層が凹凸面
にて対向するため、誘電体層を挟む上下の電極層の対向
面積が広くなり、よって狭い領域内に形成された薄膜キ
ャパシタであっても、静電容量が大きいものとなる。

【００１４】また上記薄膜キャパシタの凹凸面形状は、
基板となる感光材料を露光して現像することにより形成
でき、または基板表面または下部電極層の表面を等方エ
ッチングすることにより形成することが可能である。こ
の凹凸面に、下部電極層や誘電体層や上部電極層を形成
することにより簡単に薄膜キャパシタを製造できる。

【００１５】さらに、下部電極層を酸化または窒化処理
することにより、下部電極層の表面に均一な膜厚の誘電
体層を形成することが可能である。

【００１６】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面により説明す
る。図１は、薄膜キャパシタの断面図であり、図２
（Ａ）（Ｂ）は、基板の凹凸面に下部電極層および誘電
体層が積層される工程を示す断面図、図３と図４は薄膜
キャパシタの凹凸形状を示す斜視図である。図１に示す
薄膜キャパシタは、基板１０の表面に曲面にて連続する
凹凸面１１が規則的に形成されている。図２（Ａ）に示
すように、基板１０の規則的な凹凸面１１上に下部電極
層２１が形成される。下部電極層２１はほぼ均一な厚さ
にて凹凸面１１に倣うように成膜される。前記凹凸面１
１の曲率半径ｒ0は５μｍ程度であり、下部電極層２１
の膜厚は１μｍ前後または１μｍ以下の厚さであるため
に、下部電極層２１の表面には、前記凹凸面１１と同じ
凹凸面２１ａが現れる。

【００１７】図２（Ｂ）に示すように、下部電極層２１
の表面の凹凸面２１ａの上に誘電体層２２が形成され
る。誘電体層２２は、下部電極層２１の凹凸面２１ａに
倣って形成されるが、誘電体層２２は数百オングストロ
ーム程度または数千オングストロームの膜厚であるた
め、誘電体層２２はほぼ一定の膜厚により形成され、ま
た誘電体層２２の表面には前記凹凸面１１および凹凸面
２１ａとほぼ同じ形状の連続した曲面の凹凸面２２ａが
現れる。図１に示すように、この凹凸面２２ａの上に上
部電極層２３が１μｍ前後または１μｍ以下の膜厚にて
形成される。さらに上部電極層２３の上に絶縁層が形成
されたものが薄膜キャパシタとなる。

【００１８】上記誘電体層２２の膜厚が薄く、且つ凹凸
面１１の曲率半径ｒ0が大きいほど、均一な膜厚の誘電
体層２２が得られる。上記曲率半径ｒ0は誘電体層２２
の膜厚寸法の５倍以上であることが好ましい。上記基板
１０は、感光材料である感光性ポリイミド、あるいはガ
ラス（ＳｉＯ₂）、シリコン（Ｓｉ）、またはアルミナ
（Ａｌ₂Ｏ₃）などの絶縁性材料により形成される。下部
電極層２１と上部電極層２３は、銅（Ｃｕ）、アルミニ
ウム（Ａｌ）またはタンタル（Ｔａ）などの導電性材料
により形成され、誘電体層２２は、ＳｉＯ₂、窒化シリ
コン（Ｓｉ₃Ｎ₄）またはＢａＴｉＯ₃などの誘電体また
は強誘電体材料により形成される。

【００１９】基板１０の表面に形成される凹凸面１１の
形状は、図３に示すようにほぼ半球面またはほぼ球面の
一部分の形状が凸側と凹側に規則的に連続するものとな
る。あるいは図４に示すように、ほぼ半円筒面またはほ
ぼ円筒面の一部分の形状が凸側と凹側に規則的に連続す
るものとなる。前記数１に示すように、誘電体層２２の
膜厚寸法ｄが同じである場合に、静電容量Ｃは、下部電
極層と上部電極層の対向面積Ａに比例する。図３に示す
ように、凹凸面がほぼ半球面の連続するものである場合
には、誘電体層２２の曲率半径をｒとすると、半球面の
表面積が（２πｒ²）で、半球の投影面積が（πｒ²）で
あるため、図１２に示す平面形状の薄膜キャパシタに比
べて上下電極層の対向表面積が２倍になり、よって静電
容量Ｃもほぼ２倍になる。

【００２０】図４に示すように、ほぼ半円筒面が連続す
る凹凸面の薄膜キャパシタでは、誘電体層２２の曲率半
径をｒとすると、断面での半円の軌跡長が（πｒ）で、
その直径が（２πｒ）であるため、上下の電極層の対向
表面積は図１２に示す平面形状の薄膜キャパシタの（π
／２）倍になり、よって静電容量Ｃもほぼ（π／２）倍
となる。

【００２１】次に図３に示すように球面が凸側と凹側に
連続した凹凸面を有する薄膜キャパシタの製造方法を以
下において実施例別に説明する。なお、図４に示す円筒
面が連続する凹凸面を有する薄膜キャパシタの製造方法
は、図３に示すものとほぼ同じであり、凹凸面を形成す
る際の露光やエッチングの際のマスクの形状が相違する
だけである。

【００２２】図５（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、薄膜キャパシ
タの製造方法の第１実施例を示す工程図、図６は製造に
使用されるフォトマスクの底面図である。この実施例に
使用される基板１０は、ガラスまたはシリコン（Ｓｉ）
などの基層１２の上に、感光材料である感光性ポリイミ
ドの中間層１３が形成されたものである。図５（Ａ）に
示すように、基層１２の表面に感光性ポリイミド樹脂を
回転塗布し、ホットプレート上で、８０℃にて５分間の
プリベークを行い、中間層１３を形成する。

【００２３】基層１２と中間層１３から成る基板１０を
露光装置に設置して露光を行うが、このときフォトマス
ク３０が使用される。図５（Ｂ）に示すように、フォト
マスク３０は透明基板３１の下面に遮光層３２ａが形成
されたものである。図６の底面図に示すように、フォト
マスク３０の遮光層３２ａには規則的に配列する小径の
透光穴３２ｂが開口している。この実施例では、透光穴
３２ｂが形成されている部分に、薄膜キャパシタの凸側
の曲面が形成されることになる。

【００２４】図５（Ｂ）に示すように、フォトマスク３
０は中間層１３の表面から１０〜３０μｍの間隔Ｈを設
けて配置し、露光装置によりフォトマスク３０上に紫外
線光（ＵＶ光）を照射する。中間層１３の上にフォトマ
スク３０を間隔Ｈを開けて設置して行う露光は、プロキ
シミティー露光となり、フォトマスク３０上から照射さ
れたＵＶ光は、フォトマスク３０の透光穴３２ｂの周縁
部にて回析する。その結果、中間層１３である感光性ポ
リイミド層の露光量は、透光穴３２ｂの真下で大きく、
透光穴３２ｂから離れるに従って減少する分布と成る。
図５（Ｂ）では、感光性ポリイミドの露光量分布を線α
で示している。

【００２５】上記のプロキシミティー露光の後に、現像
液を用いて露光部分の現像を行うと、感光性ポリイミド
の中間層１３の表面に、前記露光量分布に沿った凹凸面
１１が残される（図５（Ｃ）参照）。この凹凸面１１
は、図３に示したように、ほぼ半球面またはほぼ球面の
一部が凸側と凹側に連続して形成されるものとなる。中
間層１３に凹凸面１１が形成された基板１０は、焼成炉
にて、４５０℃で９０分間の焼成が行なわれ、凹凸面１
１が形成された中間層１３が安定化する。

【００２６】次に図２（Ａ）（Ｂ）に示すように、基板
１０の表面の凹凸面１１上に対し、スパッタ法や蒸着法
によりアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）などの導電性
材料による下部電極層２１が形成される。下部電極層２
１上には、電力印加端子となる部分を除いて均一の厚さ
で誘電体層２２が形成され、さらに誘電体層２２の上に
現れる凹凸面２２ａ上に対し、スパッタ法や蒸着法によ
り、ＡｌやＣｕなどの導電性材料による上部電極層２３
が形成される。上記の感光性ポリイミドの中間層１２に
形成される凹凸面１１の形状は、フォトマスク３０の透
光穴３２ｂの開口径Ｄ、透光穴３２ｂの配列間隔Ｂ、図
５（Ｂ）に示す中間層１３の表面とフォトマスク３０の
間隔Ｈ、および感光性ポリイミドに対する露光量により
決定される。

【００２７】本実施例において、上記開口径Ｄを３μ
ｍ、配列間隔Ｂを２０μｍ、中間層１３とフォトマスク
３０の間隙Ｈを３０μｍ、露光量をＬＩ＝７０として露
光および現像を行ったところ、図５（Ｃ）に示すよう
に、凸部の頂点から凹部の底点までの高さｈが１０μ
ｍ、凸部の頂点間の間隔Ｂが２０μｍの規則的に連続す
る凹凸面１１が得られた。また凹凸面１１は、ほぼ球面
状の凸部と凹部が連続する滑らかな凹凸曲面となった。
凸部と凹部のそれぞれの曲率半径ｒ0はほぼ５μｍとな
った。上記滑らかな凹凸面１１に下部電極層２１、誘電
体層２２、上部電極層２３を積層したところ、誘電体層
２２は均一な膜厚で且つ膜欠陥のないものが得られた。

【００２８】本発明の薄膜キャパシタは、誘電体層２２
が凹凸面に倣って均一な膜厚に形成されることが必要で
あるが、誘電体層２２の膜厚を１μｍ未満のものとして
成膜すると、膜厚の均一性が得られることを確認でき
た。前記の実施例では、凹凸面１１の凸部と凹部の高さ
が５μｍで、曲率半径ｒ0がほぼ５μｍである。よっ
て、誘電体層２２の膜厚ｄが、凹凸面１１の曲率半径ｒ
0（図１参照）またはｒ（図３参照）の１／５未満であ
れば、膜厚の均一な誘電体層２２が形成されることが確
認できた。

【００２９】図７（Ａ）ないし（Ｅ）は、本発明の薄膜
キャパシタの製造方法の第２実施例を示す工程図、図８
はこの工程に使用されるフォトマスクの底面図である。
図７（Ａ）に示すように、この実施例の基板１０は、ガ
ラスやシリコンなどの基層１２とポリイミド樹脂による
中間層１３ａとから成るものである。ポリイミド樹脂
は、基層１２の表面に回転塗布され、ホットプレート上
で８０℃で５分のプリベークが行われ、さらに焼成炉
で、４５０℃で９０分の焼成が行われ安定した状態の中
間層１３ａが形成される。

【００３０】図７（Ｂ）に示すように、ポリイミド樹脂
の中間層１３ａの表面に対し、スパッタ法または蒸着法
により、アルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）などの
エッチングマスク膜１４を成膜する。また、エッチング
マスク膜１４の上にレジスト材料を塗布しプリベークし
てレジスト層１５を形成する。上記基板１０を露光装置
に設置する。このときに使用されるフォトマスク４０は
図８に示すように、透明基板４１の下面に、規則的に配
列した円形の遮光層４２が形成されたものである。本発
明の方法により製造される薄膜キャパシタは、円形の遮
光層４２の中心部分が凹凸曲面の頂点部分となる。

【００３１】図７（Ｂ）に示すフォトマスク４０上から
露光を行うと、レジスト層１５は、前記遮光層４２以外
の部分で露光される。フォトマスク４０を除去し、現像
液により現像を行うと、図７（Ｃ）に示すように、露光
された部分以外のレジスト材料が除去されたレジストパ
ターン１５ａが形成される。このレジストパターン１５
ａをポストベークして安定化させる。

【００３２】図７（Ｃ）に示す基板１０に対して、ウェ
ットエッチング法やドライエッチング法を施し、レジス
トパターン１５ａの下に位置する部分以外のエッチング
マスク膜１４を除去する。レジストパターン１５ａを除
去すると、図７（Ｄ）に示すように、エッチングマスク
膜１４の一部がエッチングマスクパターン１４ａとして
残される。このエッチングマスクパターン１４ａは、図
８に示したフォトマスク４０の遮光層４２と同じ位置で
且つほぼ同じ形状のものとなる。

【００３３】図７（Ｄ）の基板１０に対し、酸素
（Ｏ₂）プラズマ中でエッチングすると、ポリイミド樹
脂の中間層１３ａは、線βで示すように、エッチングマ
スクパターン１４ａの真下では浅く、パターン１４ａの
無い部分に向けて徐々に深くなるように等方的にエッチ
ングされる。エッチングマスクパターン１４ａを除去す
ると、基板１０の表面に滑らかに連続する規則的な凹凸
面１１が形成される。この凹凸面１１は、ほぼ球面が凸
側と凹側に連続するものであり、その形状は、図５に示
した第１実施例の製造方法で製造されるものと同じであ
る。上記凹凸面１１に対し、図２に示すように、下部電
極層２１、誘電体層２２および上部電極層２３が形成さ
れて、薄膜キャパシタが完成する。

【００３４】図９（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の薄膜キャパ
シタの製造方法の第３実施例を示す工程図である。この
実施例での基板１０は、シリコン基板またはガラス基板
（例えばコーニング社製の「＃７０５９ガラス」）であ
る。図９（Ａ）に示すように、シリコン基板１１上にレ
ジスト材料を塗布し、プリベークしてレジスト層１５を
形成する。図９（Ｂ）に示すようにレジスト層１５上に
フォトマスク４０を設置して露光するが、このフォトマ
スク４０は、図８に示すものであり、第２実施例の図７
（Ｂ）の工程に用いたものと同じである。

【００３５】上記フォトマスク４０を用いて露光し、現
像液にて現像すると、図９（Ｃ）に示すように、フォト
マスク４０の遮光層４２にて遮光された部分以外のレジ
スト材料が除去され、レジストパターン１５ａが形成さ
れる。レジストパターン１５ａは図８に示すフォトマス
ク４０の遮光層４２の円形パターンと同じ形状のもので
あり、この方法で製造される薄膜キャパシタでは、レジ
ストパターン１５ａの部分が凸形状となる。レジストパ
ターン１５ａはホストベークにより安定化される。

【００３６】図９（Ｃ）に示す基板１０に対して等方性
エッチングが行われる。基板１０がシリコン基板の場合
には、バッファードふっ酸（ＢＨＦ）によるウエットエ
ッチング法、またはＳＦ６プラズマによるドライエッチ
ング法が用いられる。また基板１０がガラス基板の場合
には、バッファードふっ酸（ＢＨＦ）によるウエットエ
ッチング法が用いられる。この等方性エッチングによ
り、基板１０に滑らかな凹凸面１１が形成される。この
凹凸面１１の形状は、図５（Ｃ）や図７（Ｅ）に示すも
のと同じである。上記凹凸面１１上に下部電極層２１、
誘電体層２２、上部電極層２３が積層されて、薄膜キャ
パシタが製造される。

【００３７】図１０（Ａ）（Ｂ）は本発明の薄膜キャパ
シタの製造方法の第４実施例を示している。この実施例
では、ガラス基板やシリコン基板などの基板１０の上
に、スパッタ法や蒸着法などにより、ＡｌやＣｕなどの
導電性材料の層２１Ａを成膜する。そして図９（Ａ）
（Ｂ）に示すのと同じ工程により、導電性材料の層２１
Ａの表面にレジストパターン１５ａを形成する。

【００３８】図１０（Ａ）に示す基板に対し、バッファ
ードふっ酸（ＢＨＦ）によるウエットエッチング法、ま
たはＳＦ６プラズマによるドライエッチング法による等
方性エッチングを行うと、導電性材料の層２１Ａの表面
に滑らかに連続する凹凸面２１ａが形成された下部電極
層２１が得られる。この下部電極層２１の凹凸面２１ａ
は、図５（Ｃ）、図７（Ｅ）などに示すものとほぼ同じ
形状である。上記下部電極層２１の凹凸面２１ａ上に誘
電体層２２と上部電極層２３を積層することにより、薄
膜キャパシタを製造できる。

【００３９】上記各実施例では、ＡｌやＣｕなどの下部
電極層２１の表面に、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ₄などの誘電体膜
を別材料として積層しているが、導電性材料の下部電極
層２１の凹凸面２１ａを酸化または窒化処理して誘電体
層を形成してもよい。例えば図１１に示すように、下部
電極層２１をタンタル（Ｔａ）によりスパッタリング成
膜し、その表面の凹凸面２１ａを陽極酸化処理して、凹
凸面２１ａに誘電体層を形成することができる。下部電
極層２１の凹凸面２１ａに形成された誘電体層は均一な
厚さを有するものとなる。また、図４に示すほぼ円筒面
の凹凸面を形成する場合には、前記各実施例の製造方法
に使用されるフォトマスク３０または４０の遮光層の形
状をストライプ状にすれば、各実施例と同じ工程で製造
することができる。

【００４０】

【発明の効果】以上のように本発明の薄膜キャパシタで
は、誘電体層を挟む下部電極層と上部電極層の対向面積
を広くでき、狭い領域に形成される薄膜キャパシタの静
電容量を大きくできる。特に凹凸面が曲面形状のもので
は、誘電体層の膜厚を均一なものにできる。また静電容
量を大きくするために無理に誘電体層の膜厚を薄くする
必要がないため、誘電体層の膜欠陥などが生じにくいも
のとなる。

【００４１】また、本発明の薄膜キャパシタの製造方法
によれば、所定のパターンのマスクを用いて露光・現像
やエッチングを行うことにより、簡単に製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の薄膜キャパシタの層構造を示す断面
図、

【図２】（Ａ）（Ｂ）は下部電極層と誘電体層を形成す
る工程を示す断面図、

【図３】球面状の凹凸面が形成された薄膜キャパシタの
斜視図、

【図４】円筒状の凹凸面が形成された薄膜キャパシタの
斜視図、

【図５】（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は本発明の製造方法の第１
実施例を示す工程図、

【図６】図５に示す工程に使用されるフォトマスクの底
面図、

【図７】（Ａ）〜（Ｅ）は本発明の製造方法の第２実施
例を示す工程図、

【図８】図７に示す工程に使用されるフォトマスクの底
面図、

【図９】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の製造方法の第３実施
例を示す工程図、

【図１０】（Ａ）（Ｂ）は本発明の製造方法の第４実施
例を示す工程図、

【図１１】下部電極層の表面が処理されて誘電体層が形
成されたものを示す断面図、

【図１２】従来の薄膜キャパシタを示す断面図、

【符号の説明】

１０基板１１凹凸面１２基層１３中間層（感光性ポリイミド層）１３ａ中間層（ポリイミド層）１４エッチングマスク膜１５レジスト膜２１下部電極層２１ａ凹凸面２２誘電体層２２ａ凹凸面２３上部電極層３０フォトマスク３２ａ遮光層３２ｂ透光穴４０フォトマスク４２遮光層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下部電極層と誘電体層と上部電極層とが
順に積層されており、下部電極層の表面が規則的な凹凸
面とされ、誘電体層が前記凹凸面に倣って形成され、さ
らに誘電体層の表面に現れる規則的な凹凸面に上部電極
層が積層されていることを特徴とする薄膜キャパシタ。
【請求項２】基板と下部電極層と誘電体層と上部電極
層とが順に積層されており、基板の表面が規則的な凹凸
面とされ、下部電極層が前記凹凸面に倣って形成され、
且つ下部電極層の表面に現れる規則的な凹凸面に倣って
誘電体層が形成され、さらに誘電体層の表面に現れる規
則的な凹凸面に上部電極層が積層されていることを特徴
とする薄膜キャパシタ。
【請求項３】規則的な凹凸面は、連続する曲面により
形成されている請求項１または２記載の薄膜キャパシ
タ。
【請求項４】感光材料により形成された基板の表面に
規則的な遮光部を介して露光を行い且つ現像して、基板
の表面に規則的な凹凸面を形成し、この凹凸面の上に、
下部電極層と誘電体層と上部電極層とを順に形成するこ
とを特徴とする薄膜キャパシタの製造方法。
【請求項５】基板の表面に規則的なエッチングマスク
を設置し等方エッチングを行って、基板の表面に規則的
な凹凸面を形成し、この凹凸面の上に、下部電極層と誘
電体層と上部電極層とを順に形成することを特徴とする
薄膜キャパシタの製造方法。
【請求項６】下部電極層の表面に規則的なエッチング
マスクを設置し等方エッチングを行って、下部電極層の
表面に規則的な凹凸面を形成し、この凹凸面の上に、誘
電体層と上部電極層とを順に形成することを特徴とする
薄膜キャパシタの製造方法。