JP2529141B2 - 液晶基板の製造方法 - Google Patents
液晶基板の製造方法Info
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- JP2529141B2 JP2529141B2 JP3203508A JP20350891A JP2529141B2 JP 2529141 B2 JP2529141 B2 JP 2529141B2 JP 3203508 A JP3203508 A JP 3203508A JP 20350891 A JP20350891 A JP 20350891A JP 2529141 B2 JP2529141 B2 JP 2529141B2
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- crystal substrate
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示素子に関するも
のであり、詳細にはその製造工程である液晶基板の製造
方法に係るものである。
のであり、詳細にはその製造工程である液晶基板の製造
方法に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶基板１０の製造方法を工程の
順に示すものが図６〜図９であり、ガラス基板１の一方
の面には例えば７セグメントなどの形状とした透明電極
２が敷設され、これにより前記ガラス基板１は当初から
透明電極２が敷設された電極部１Ａと敷設されない非電
極部１Ｂとで僅かな段差Ｄを有する（図６）ものと成っ
ている。
順に示すものが図６〜図９であり、ガラス基板１の一方
の面には例えば７セグメントなどの形状とした透明電極
２が敷設され、これにより前記ガラス基板１は当初から
透明電極２が敷設された電極部１Ａと敷設されない非電
極部１Ｂとで僅かな段差Ｄを有する（図６）ものと成っ
ている。
【０００３】この状態において、例えばジルコニウムア
セチルアセラートなど溶液状の有機金属化合物による塗
装膜９０を前記ガラス基板１の透明電極２が敷設された
側に均一に塗装（図７）し、その後の工程で紫外線を照
射して前記有機金属化合物即ち、塗装膜９０中に含まれ
る有機化合物を分解除去（図８）し、更に図示は省略す
るが熱処理および配向膜４の塗布の工程が行われて図９
に示す有機金属化合物の絶縁膜９１が設けられた液晶基
板８０が得られるものとなる。
セチルアセラートなど溶液状の有機金属化合物による塗
装膜９０を前記ガラス基板１の透明電極２が敷設された
側に均一に塗装（図７）し、その後の工程で紫外線を照
射して前記有機金属化合物即ち、塗装膜９０中に含まれ
る有機化合物を分解除去（図８）し、更に図示は省略す
るが熱処理および配向膜４の塗布の工程が行われて図９
に示す有機金属化合物の絶縁膜９１が設けられた液晶基
板８０が得られるものとなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た従来の製造方法による液晶基板８０においては、当初
から生じていた電極部１Ａと非電極部１Ｂとの段差Ｄが
完成状態においても配向膜４の表面に表れるものとな
り、この状態で液晶表示素子７０を組立てたときには図
１０に示すように前記透明電極２が敷設された部分の液
晶５の厚さＨ１と、されていない部分の液晶５の厚さＨ
２とに差を生じ、特にＳＴＮ液晶表示素子の場合などに
はこの厚さの差により液晶表示素子７０の表示面に甚だ
しい色ムラを生じて大変に見苦しいものとなる問題点を
生じ、この点の解決が課題とされるものとなっていた。
た従来の製造方法による液晶基板８０においては、当初
から生じていた電極部１Ａと非電極部１Ｂとの段差Ｄが
完成状態においても配向膜４の表面に表れるものとな
り、この状態で液晶表示素子７０を組立てたときには図
１０に示すように前記透明電極２が敷設された部分の液
晶５の厚さＨ１と、されていない部分の液晶５の厚さＨ
２とに差を生じ、特にＳＴＮ液晶表示素子の場合などに
はこの厚さの差により液晶表示素子７０の表示面に甚だ
しい色ムラを生じて大変に見苦しいものとなる問題点を
生じ、この点の解決が課題とされるものとなっていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は前記した従来の
課題を解決するための具体的手段として、一面が透明電
極が敷設された電極部と敷設されない非電極部とで成る
ガラス基板に前記電極部と非電極部とを共に覆う有機金
属化合物による絶縁膜を全面に形成する液晶基板の製造
方法において、前記絶縁膜は全面に均一に塗布した溶液
状の有機金属化合物に有機化合物除去のための紫外線露
光を行う際に、前記非電極部に対応する形状のマスクを
用いて、前記電極部と非電極部とに段差を生じないよう
に露光量の調整を行うことを特徴とする液晶基板の製造
方法を提供することで段差を解消して課題を解決するも
のである。
課題を解決するための具体的手段として、一面が透明電
極が敷設された電極部と敷設されない非電極部とで成る
ガラス基板に前記電極部と非電極部とを共に覆う有機金
属化合物による絶縁膜を全面に形成する液晶基板の製造
方法において、前記絶縁膜は全面に均一に塗布した溶液
状の有機金属化合物に有機化合物除去のための紫外線露
光を行う際に、前記非電極部に対応する形状のマスクを
用いて、前記電極部と非電極部とに段差を生じないよう
に露光量の調整を行うことを特徴とする液晶基板の製造
方法を提供することで段差を解消して課題を解決するも
のである。
【０００６】
【実施例】つぎに、本発明を図に示す一実施例に基づい
て詳細に説明する。尚、理解を容易とするために従来例
と同じ部分には同じ符号を付して説明し、重複する部分
については一部その説明を省略する。図１〜図４は本発
明による液晶基板１０の製造方法を工程の順に示すもの
であり、先ず図１に示すように部分的に透明電極２が敷
設され電極部１Ａと非電極部１Ｂとに段差Ｄを有するガ
ラス基板１上に有機金属化合物による塗装膜３０が塗装
などの手段により形成される点は従来例のものと全くに
同様である。
て詳細に説明する。尚、理解を容易とするために従来例
と同じ部分には同じ符号を付して説明し、重複する部分
については一部その説明を省略する。図１〜図４は本発
明による液晶基板１０の製造方法を工程の順に示すもの
であり、先ず図１に示すように部分的に透明電極２が敷
設され電極部１Ａと非電極部１Ｂとに段差Ｄを有するガ
ラス基板１上に有機金属化合物による塗装膜３０が塗装
などの手段により形成される点は従来例のものと全くに
同様である。
【０００７】しかしながら、本発明により続く工程であ
る紫外線照射の工程において、図２に示すように前記非
電極部１Ｂを覆うマスク６が用意され、このマスク６に
より前記非電極部１Ｂに対する紫外線の露光量が調整さ
れて塗装膜３０中の有機化合物の除去量の調整が行わ
れ、前記電極部１Ａとに段差Ｄを生じないものとされて
いる。
る紫外線照射の工程において、図２に示すように前記非
電極部１Ｂを覆うマスク６が用意され、このマスク６に
より前記非電極部１Ｂに対する紫外線の露光量が調整さ
れて塗装膜３０中の有機化合物の除去量の調整が行わ
れ、前記電極部１Ａとに段差Ｄを生じないものとされて
いる。
【０００８】ここで、前記マスク７は例えばステンレス
板など不透明な部材で形成し、前記した紫外線による露
光工程中の適宜時間だけ非電極部１Ｂをマスク６で覆う
ようにして有機化合物の除去量の調整を行っても良いも
のであるが、例えばＵＶフィルタなど紫外線に対して適
宜な減衰量を有する半透明な部材で形成し露光工程の全
工程期間に渡り非電極部１Ｂを覆うものとしても良いも
のである。
板など不透明な部材で形成し、前記した紫外線による露
光工程中の適宜時間だけ非電極部１Ｂをマスク６で覆う
ようにして有機化合物の除去量の調整を行っても良いも
のであるが、例えばＵＶフィルタなど紫外線に対して適
宜な減衰量を有する半透明な部材で形成し露光工程の全
工程期間に渡り非電極部１Ｂを覆うものとしても良いも
のである。
【０００９】上記露光工程が終了した後においては前記
塗装膜３０は図３に示すように平坦な表面を有する絶縁
膜３１となるので、この後に従来例でも説明したように
熱処理が行われ、配向膜４が塗布されて図４に示す液晶
基板１０が完成するものとなる。
塗装膜３０は図３に示すように平坦な表面を有する絶縁
膜３１となるので、この後に従来例でも説明したように
熱処理が行われ、配向膜４が塗布されて図４に示す液晶
基板１０が完成するものとなる。
【００１０】図５に示すものは上記に説明した製造方法
により得られた液晶基板１０を使用して形成された液晶
表示素子２０であり、液晶基板１０の表面に段差Ｄを生
じないものとされたことで、この液晶表示素子２０の内
部に封止される液晶５の厚さＨは電極部１Ａ、非電極部
１Ｂ何れの場所においても均一なものとなる。
により得られた液晶基板１０を使用して形成された液晶
表示素子２０であり、液晶基板１０の表面に段差Ｄを生
じないものとされたことで、この液晶表示素子２０の内
部に封止される液晶５の厚さＨは電極部１Ａ、非電極部
１Ｂ何れの場所においても均一なものとなる。
【００１１】
【発明の効果】以上に説明したように本発明により、絶
縁膜は全面に均一に塗布した溶液状の有機金属化合物に
有機化合物除去のための紫外線露光を行う際に、非電極
部に対応する形状のマスクを用いて電極部と非電極部と
に段差を生じないように露光量の調整を行う液晶基板の
製造方法としたことで、前記液晶基板の面上に段差の生
じないものとして、この液晶基板を用いて製造された液
晶表示素子に液晶の厚みの差を生じないものとし、以て
液晶表示素子の表示面に色ムラを生じないものとして、
この種の液晶表示素子の品質向上に優れた効果を奏する
ものである。
縁膜は全面に均一に塗布した溶液状の有機金属化合物に
有機化合物除去のための紫外線露光を行う際に、非電極
部に対応する形状のマスクを用いて電極部と非電極部と
に段差を生じないように露光量の調整を行う液晶基板の
製造方法としたことで、前記液晶基板の面上に段差の生
じないものとして、この液晶基板を用いて製造された液
晶表示素子に液晶の厚みの差を生じないものとし、以て
液晶表示素子の表示面に色ムラを生じないものとして、
この種の液晶表示素子の品質向上に優れた効果を奏する
ものである。
【図１】 本発明に係る液晶基板の製造方法における塗
装膜の形成工程を示す断面図である。
装膜の形成工程を示す断面図である。
【図２】 同じく液晶基板の露光工程を示す断面図であ
る。
る。
【図３】 同じく液晶基板の露光工程終了後の状態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】 同じく液晶基板の完成状態を示す断面図であ
る。
る。
【図５】 本発明の製造方法による液晶基板を採用した
液晶表示素子を示す断面図である。
液晶表示素子を示す断面図である。
【図６】 この種の液晶基板のガラス基板を示す断面図
である。
である。
【図７】 従来の液晶基板の製造方法における塗装膜の
形成工程を示す断面図である。
形成工程を示す断面図である。
【図８】 同じく従来の液晶基板の露光工程を示す断面
図である。
図である。
【図９】 同じく従来の液晶基板の完成状態を示す断面
図である。
図である。
【図１０】 従来の製造方法による液晶基板を採用した
液晶表示素子を示す断面図である。
液晶表示素子を示す断面図である。
１……ガラス基板 １Ａ……電極部、１Ｂ……非電極部 ２……透明電極 ４……配向膜 ５……液晶 ６……マスク １０……液晶基板 ２０……液晶表示素子 ３０……塗装膜 ３１……絶縁膜 Ｄ……段差、Ｈ……液晶の厚さ
Claims (1)
- 【請求項１】 一面が透明電極が敷設された電極部と敷
設されない非電極部とで成るガラス基板に前記電極部と
非電極部とを共に覆う有機金属化合物による絶縁膜を全
面に形成する液晶基板の製造方法において、前記絶縁膜
は全面に均一に塗布した溶液状の有機金属化合物に有機
化合物除去のための紫外線露光を行う際に、前記非電極
部に対応する形状のマスクを用いて、前記電極部と非電
極部とに段差を生じないように露光量の調整を行うこと
を特徴とする液晶基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3203508A JP2529141B2 (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 液晶基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3203508A JP2529141B2 (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 液晶基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0527225A JPH0527225A (ja) | 1993-02-05 |
| JP2529141B2 true JP2529141B2 (ja) | 1996-08-28 |
Family
ID=16475321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3203508A Expired - Lifetime JP2529141B2 (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 液晶基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2529141B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8871577B2 (en) | 2011-09-07 | 2014-10-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor and manufacturing method thereof |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100489603B1 (ko) * | 2002-07-16 | 2005-05-16 | 엘지.필립스 디스플레이 주식회사 | 평면 디스플레이 장치 |
| KR102070219B1 (ko) | 2013-05-27 | 2020-01-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 프린팅 마스크 및 유기 발광층 프린팅 장치 |
-
1991
- 1991-07-19 JP JP3203508A patent/JP2529141B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8871577B2 (en) | 2011-09-07 | 2014-10-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor and manufacturing method thereof |
| US9136342B2 (en) | 2011-09-07 | 2015-09-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0527225A (ja) | 1993-02-05 |
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