JPH04191822A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JPH04191822A JPH04191822A JP32393290A JP32393290A JPH04191822A JP H04191822 A JPH04191822 A JP H04191822A JP 32393290 A JP32393290 A JP 32393290A JP 32393290 A JP32393290 A JP 32393290A JP H04191822 A JPH04191822 A JP H04191822A
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- Japan
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- insulating film
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- mask
- saw
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、透明電極付き基板上に短絡防止用の絶縁層を
有する液晶表示素子の製造方法、特にその絶縁層形成工
程の改良に関するものである。
有する液晶表示素子の製造方法、特にその絶縁層形成工
程の改良に関するものである。
透明電極付きのガラス基板を対向配置し、その間に液晶
を注入した液晶表示素子においては、対向基数との短絡
を防止するために、透明電極上に絶縁層を形成する場合
がある。その絶縁層形成工程の一例を説明する。 まず、第4図(A)に示すようにガラス基板1】に形成
された透明電極12上に絶縁材料13′を塗布、仮乾燥
した後、第4図(B)に示すようにUV光を均一に照射
し、続いて第4図CC’)に示すように本焼成を行って
絶縁膜13を形成している。 この後、基板上に垂直配向用の配向膜を形成する工程に
移行する。 上述の工程Bにおいて絶縁材料】3′にUV光を照射し
た場合、絶縁膜の厚みが照射強度に応じて減少する。こ
の膜厚の減少度合は、全面均一に照射しているため、同
一となり、絶8813の表面も平滑となる。
を注入した液晶表示素子においては、対向基数との短絡
を防止するために、透明電極上に絶縁層を形成する場合
がある。その絶縁層形成工程の一例を説明する。 まず、第4図(A)に示すようにガラス基板1】に形成
された透明電極12上に絶縁材料13′を塗布、仮乾燥
した後、第4図(B)に示すようにUV光を均一に照射
し、続いて第4図CC’)に示すように本焼成を行って
絶縁膜13を形成している。 この後、基板上に垂直配向用の配向膜を形成する工程に
移行する。 上述の工程Bにおいて絶縁材料】3′にUV光を照射し
た場合、絶縁膜の厚みが照射強度に応じて減少する。こ
の膜厚の減少度合は、全面均一に照射しているため、同
一となり、絶8813の表面も平滑となる。
しかし、このような方法では、絶縁膜13の表面が平滑
となり、その後に形成する配向膜の表面も平滑となって
、垂直配向ではチルト角が略0度となるので、ラビング
などの処理を施してチルト角を制御する場合、その制御
がかなり難しくなる。 本発明の目的は、基板間短絡防止用絶縁膜を後工程のチ
ルト角制御に有利な形で形成できる液晶表示素子の製造
方法を提供することにある。
となり、その後に形成する配向膜の表面も平滑となって
、垂直配向ではチルト角が略0度となるので、ラビング
などの処理を施してチルト角を制御する場合、その制御
がかなり難しくなる。 本発明の目的は、基板間短絡防止用絶縁膜を後工程のチ
ルト角制御に有利な形で形成できる液晶表示素子の製造
方法を提供することにある。
本発明は、透明電極付き基板に対向電極との短絡を防止
するための絶縁膜を形成する際、絶縁膜の塗布、仮乾燥
後、可変幅のスリット、グレースケールなどのマスクを
用い照射量を部分的に変化させながらUV光の照射を行
って、絶縁膜表面を鋸歯状とすることを特徴とするもの
である。
するための絶縁膜を形成する際、絶縁膜の塗布、仮乾燥
後、可変幅のスリット、グレースケールなどのマスクを
用い照射量を部分的に変化させながらUV光の照射を行
って、絶縁膜表面を鋸歯状とすることを特徴とするもの
である。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。 第1図(A)〜(C)、第2図及び第3図は本発明の一
実施例を示すもので、第1図(A)のようにガラス基板
1に形成された透明電極2上に絶縁材料3′を塗装、仮
乾燥した後、第1図(B)のようにUV光を照射する。 この時、可変幅のスリット板、微細ピッチのグレースケ
ールなとのマスク4(第1図(B)、第3図参照)を光
源と基板1の間に介在させる。この後、本焼成を行うと
、第1図(C)のように表面が鋸歯状の基板間短絡防止
用の絶縁膜3が形成される。 上記のU V光の照射に際し、可変幅のスリット板をマ
スク4として用いた場合には、UV光を照射しながらマ
スク4のスリット幅を徐々に拡大すると、UV光の照射
量が位置によって異なるようになり、それに伴って絶縁
膜3の厚みに相違が生しる。即ち、表面が鋸歯状となる
。 絶縁膜形成工程の後に配向膜形成工程に移行し、絶縁膜
3上に垂直配向用配向膜5を形成する(第2図)。この
場合、配向膜5は、その表面が絶縁膜3の表面と同様に
鋸歯状となる。このため、液晶を注入した場合、液晶が
傾斜の度合に対応して、ある角度で並ぶようになり、チ
ルト角の制御が容易となる。 【発明の効果〕 以上のように本発明によれば、絶縁材料の塗布、仮乾燥
後にUV光を照射する際、可変幅のスリット板、グレー
スケールなどのマスクを光源と基板の間に介在させ、照
射量を徐々に変化させるため、絶縁膜表面が後工程の配
向膜形成工程てのチルト角制御に適した鋸歯状とするこ
とが可能となり、チルト角制御を容易に行うことができ
る。
する。 第1図(A)〜(C)、第2図及び第3図は本発明の一
実施例を示すもので、第1図(A)のようにガラス基板
1に形成された透明電極2上に絶縁材料3′を塗装、仮
乾燥した後、第1図(B)のようにUV光を照射する。 この時、可変幅のスリット板、微細ピッチのグレースケ
ールなとのマスク4(第1図(B)、第3図参照)を光
源と基板1の間に介在させる。この後、本焼成を行うと
、第1図(C)のように表面が鋸歯状の基板間短絡防止
用の絶縁膜3が形成される。 上記のU V光の照射に際し、可変幅のスリット板をマ
スク4として用いた場合には、UV光を照射しながらマ
スク4のスリット幅を徐々に拡大すると、UV光の照射
量が位置によって異なるようになり、それに伴って絶縁
膜3の厚みに相違が生しる。即ち、表面が鋸歯状となる
。 絶縁膜形成工程の後に配向膜形成工程に移行し、絶縁膜
3上に垂直配向用配向膜5を形成する(第2図)。この
場合、配向膜5は、その表面が絶縁膜3の表面と同様に
鋸歯状となる。このため、液晶を注入した場合、液晶が
傾斜の度合に対応して、ある角度で並ぶようになり、チ
ルト角の制御が容易となる。 【発明の効果〕 以上のように本発明によれば、絶縁材料の塗布、仮乾燥
後にUV光を照射する際、可変幅のスリット板、グレー
スケールなどのマスクを光源と基板の間に介在させ、照
射量を徐々に変化させるため、絶縁膜表面が後工程の配
向膜形成工程てのチルト角制御に適した鋸歯状とするこ
とが可能となり、チルト角制御を容易に行うことができ
る。
第1図(A)〜(C)は本発明に係る液晶セルの製造方
法の一実施例を示す基板間短絡防止用絶縁膜形成工程説
明用の断面図、第2図は同実施例の配向膜形成工程説明
用の断面図、第3図は絶縁膜形成用のマスク、第4図(
A)〜(C)は従来の絶縁膜形成工程を説明するための
断面図である1・・・ガラス基板 2・・・
透明電極3・・・絶縁膜 3′・・・絶
縁材料4・・・マスク 5・・・配向膜
特許出願人 スタンレー電気株式会社第1図 UV丸 第2図 ら ノー
法の一実施例を示す基板間短絡防止用絶縁膜形成工程説
明用の断面図、第2図は同実施例の配向膜形成工程説明
用の断面図、第3図は絶縁膜形成用のマスク、第4図(
A)〜(C)は従来の絶縁膜形成工程を説明するための
断面図である1・・・ガラス基板 2・・・
透明電極3・・・絶縁膜 3′・・・絶
縁材料4・・・マスク 5・・・配向膜
特許出願人 スタンレー電気株式会社第1図 UV丸 第2図 ら ノー
Claims (1)
- 透明電極付き基板に対向電極との短絡を防止するための
絶縁膜を形成する際、絶縁膜の塗布、仮乾燥後、可変幅
のスリット、グレースケールなどのマスクを用い照射量
を部分的に変化させながらUV光の照射を行って、絶縁
膜表面を鋸歯状とすることを特徴とする液晶表示素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02323932A JP3083316B2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02323932A JP3083316B2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04191822A true JPH04191822A (ja) | 1992-07-10 |
JP3083316B2 JP3083316B2 (ja) | 2000-09-04 |
Family
ID=18160240
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP02323932A Expired - Fee Related JP3083316B2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3083316B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01191016A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-08-01 | Sankei Seisakusho:Kk | 油圧検出装置 |
WO2005084883A1 (ja) * | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Seiko Epson Corporation | 微細構造素子の製造方法、この方法により製造された微細構造素子、空間光変調装置及びプロジェクタ |
CN100463775C (zh) * | 2004-03-04 | 2009-02-25 | 精工爱普生株式会社 | 微细结构元件的制造方法及其应用 |
-
1990
- 1990-11-27 JP JP02323932A patent/JP3083316B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01191016A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-08-01 | Sankei Seisakusho:Kk | 油圧検出装置 |
WO2005084883A1 (ja) * | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Seiko Epson Corporation | 微細構造素子の製造方法、この方法により製造された微細構造素子、空間光変調装置及びプロジェクタ |
US7419271B2 (en) | 2004-03-04 | 2008-09-02 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method for fine structure element, fine structure element manufactured by the method, spatial light modulator, and projector |
CN100463775C (zh) * | 2004-03-04 | 2009-02-25 | 精工爱普生株式会社 | 微细结构元件的制造方法及其应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3083316B2 (ja) | 2000-09-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |