JPS63229452A - レジストの現像方法 - Google Patents
レジストの現像方法Info
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- JPS63229452A JPS63229452A JP6461587A JP6461587A JPS63229452A JP S63229452 A JPS63229452 A JP S63229452A JP 6461587 A JP6461587 A JP 6461587A JP 6461587 A JP6461587 A JP 6461587A JP S63229452 A JPS63229452 A JP S63229452A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレジストの現像方法に関し、％に半導体集積回
路の装置’ｌＥｌ／Ｃおける谷抽半導俸基体へのパター
ン形成方法に関する。
路の装置’ｌＥｌ／Ｃおける谷抽半導俸基体へのパター
ン形成方法に関する。
従来、フェノールノボラック系樹脂に感光剤としてナフ
トキノンジアジドを添加してなるポジ型フォトレジスト
の現像方法は、パドル現像と呼ばれる方法が一般的であ
る。即ちレジストｔ″塗布し露光されたウェーハ上に水
もしくは低一度の現像液を滴下、ウェーハ全面に拡げた
後ウェーハを高速回転して、この液ｅ＆り切るプリウェ
ットと呼ばれる処ｆを施した後、所定の濃度のアルカリ
性の現像液を滴下しウェーハ全面に拡げて一定時間つエ
バーを静止もしくは約５０〜１００回転／分程度の低速
で回転させ、ついで、水洗を行うリンスと呼ばれる工程
をへたのち、高速回転させて乾燥させていた。
トキノンジアジドを添加してなるポジ型フォトレジスト
の現像方法は、パドル現像と呼ばれる方法が一般的であ
る。即ちレジストｔ″塗布し露光されたウェーハ上に水
もしくは低一度の現像液を滴下、ウェーハ全面に拡げた
後ウェーハを高速回転して、この液ｅ＆り切るプリウェ
ットと呼ばれる処ｆを施した後、所定の濃度のアルカリ
性の現像液を滴下しウェーハ全面に拡げて一定時間つエ
バーを静止もしくは約５０〜１００回転／分程度の低速
で回転させ、ついで、水洗を行うリンスと呼ばれる工程
をへたのち、高速回転させて乾燥させていた。
上述した従来のレジストの現像方法は、所定の水晶度の
現像液を用いているので下記のような欠点がるる。一般
に、フェノールノボラック樹脂とキノンジアジド系感光
剤からなるポジ型フォトレジストの現像液は、主にテト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイドＮ （ＣＨ３
） ４−ＯＨＪ）るいはコリｙＮ（Ｃ：）ｉ３）３Ｃ辻
醜ｄ ・ＯＲなどの有機アルカリ物質の水溶液であり、
有機アルカリの譲度が高（）’ｌ（ｊ直の高い場合には
、レジストの感度は高くなり、従って４元装置のスルー
ブツトは高くなるが、γ値は低くなり、レジストのパタ
ーンプロファイルは劣化し、プロセスマージンも低下す
るという欠点がある。逆に、有機アルカリの磯度が低（
１’Ｈ値の低い場合には、ｒ１直は高ぐなシレジストの
パターンプロファイルとプロセスマージンは同上するが
、感度が著しく低下しＭ、光装置のスループットが低下
するという欠点がある。
現像液を用いているので下記のような欠点がるる。一般
に、フェノールノボラック樹脂とキノンジアジド系感光
剤からなるポジ型フォトレジストの現像液は、主にテト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイドＮ （ＣＨ３
） ４−ＯＨＪ）るいはコリｙＮ（Ｃ：）ｉ３）３Ｃ辻
醜ｄ ・ＯＲなどの有機アルカリ物質の水溶液であり、
有機アルカリの譲度が高（）’ｌ（ｊ直の高い場合には
、レジストの感度は高くなり、従って４元装置のスルー
ブツトは高くなるが、γ値は低くなり、レジストのパタ
ーンプロファイルは劣化し、プロセスマージンも低下す
るという欠点がある。逆に、有機アルカリの磯度が低（
１’Ｈ値の低い場合には、ｒ１直は高ぐなシレジストの
パターンプロファイルとプロセスマージンは同上するが
、感度が著しく低下しＭ、光装置のスループットが低下
するという欠点がある。
本発明の目的は、感度の低下全抑えながら、レジストパ
ターンのプロファイルがよく、広いプロセスマージンを
持ったパターン形成が可能となるレジストの現像方法を
提供することにある。
ターンのプロファイルがよく、広いプロセスマージンを
持ったパターン形成が可能となるレジストの現像方法を
提供することにある。
本発明のレジストの現像方法は、アルカリ可溶性フェノ
ール樹脂とキノンジアジド系感光剤とを主成分とするポ
ジ型フォトレジストの有機アルカリ溶液による現像工程
において、第１の現像液で現像する工程と、前記第１の
現像液とは水酸基濃度の異なる第２の現像液あるいは前
記第１の現像液とは水酸基端度の異なる２種類以上の現
像液で現像する工程とを有している。
ール樹脂とキノンジアジド系感光剤とを主成分とするポ
ジ型フォトレジストの有機アルカリ溶液による現像工程
において、第１の現像液で現像する工程と、前記第１の
現像液とは水酸基濃度の異なる第２の現像液あるいは前
記第１の現像液とは水酸基端度の異なる２種類以上の現
像液で現像する工程とを有している。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。＠１図（ａｌ〜（ｄＪは本発明の一実施例全説明する
ために工程順に示した半導体チップの憤断面図であり、
半導体基体上にパターンの裾の部分の矩形性がよいポジ
型フォトレジストのパターンを形成するためのものであ
る。
。＠１図（ａｌ〜（ｄＪは本発明の一実施例全説明する
ために工程順に示した半導体チップの憤断面図であり、
半導体基体上にパターンの裾の部分の矩形性がよいポジ
型フォトレジストのパターンを形成するためのものであ
る。
まず、第１図（ａｌに示すように、シリコン基板１上に
ポジ型フォトレジスト材（例えば束基応化製の（ＪＦ）
’８８０ Ｕ ）を１．５μｍの厚さに塗布し、フォト
レジスト膜２を形成し、ついで、微細マスクパターンの
耳元を行なう。
ポジ型フォトレジスト材（例えば束基応化製の（ＪＦ）
’８８０ Ｕ ）を１．５μｍの厚さに塗布し、フォト
レジスト膜２を形成し、ついで、微細マスクパターンの
耳元を行なう。
次に、現像を行なう。最初にプリウニ・’ｚ トと呼ば
れる。現１！Ｊ！液と７オトレジスト膜２との親和性を
向上させるための処理を施し九のち、第１図（ｂＪに示
したようにテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドを主成分とするメタルイオンフリーの高濃度有機アル
カリ現像液（例えば東京応化裏のＮＭＬ＞−３のアルカ
リは度ｉ２．３８％としたもの）３で、２０秒間静止パ
ドル現像を行なり次のち、ウェーハを回転させ現ｙＪｇ
、金偏りきる。
れる。現１！Ｊ！液と７オトレジスト膜２との親和性を
向上させるための処理を施し九のち、第１図（ｂＪに示
したようにテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドを主成分とするメタルイオンフリーの高濃度有機アル
カリ現像液（例えば東京応化裏のＮＭＬ＞−３のアルカ
リは度ｉ２．３８％としたもの）３で、２０秒間静止パ
ドル現像を行なり次のち、ウェーハを回転させ現ｙＪｇ
、金偏りきる。
ついで、第１１Ｑ（ｃ）に示したように、低濃度現像液
（例えば、Ｎ Ｍ Ｌ＋ −３でアルカリ一度を２．０
％としたもの）４で５０秒間静止パドル現像を行なう。
（例えば、Ｎ Ｍ Ｌ＋ −３でアルカリ一度を２．０
％としたもの）４で５０秒間静止パドル現像を行なう。
この後、純水によりリンスを行なうと第１図（ｄｌに示
したように、フォトレジストバター７２３ カ得られる
。
したように、フォトレジストバター７２３ カ得られる
。
Ｏのフォトレジストパターン２ａｉ形成するにあ友って
、レジストを除去すべき領域の大部分は、高碩度現像液
３で現像しているので蕗１童はそれほど多く必要としな
い。ま念、パターンの裾に近い部分では低濃度現像液４
で現像しているのでパターンの矩形性が向上し、テーパ
をひくことなく微細バター７の形成ができる。
、レジストを除去すべき領域の大部分は、高碩度現像液
３で現像しているので蕗１童はそれほど多く必要としな
い。ま念、パターンの裾に近い部分では低濃度現像液４
で現像しているのでパターンの矩形性が向上し、テーパ
をひくことなく微細バター７の形成ができる。
第２図（ａｌ〜（ｅ）は本発明の他の実施例全説明する
ために工程順に示した半導体チップの妊断面図でろシ、
特にコンタクトホールのような穴状の微細パターンを得
るためのものである。
ために工程順に示した半導体チップの妊断面図でろシ、
特にコンタクトホールのような穴状の微細パターンを得
るためのものである。
第２図（ａ）は、第１図ｔａ＋と同様にシリコン基板１
上に、フォトレジスト膜２を形成し、Ｍ元を行なったも
のでるる。
上に、フォトレジスト膜２を形成し、Ｍ元を行なったも
のでるる。
第２図（ｂＪも、同様に高濃度現像液３で２０秒間静止
パドル現現像性なったところを示している。
パドル現現像性なったところを示している。
ついで、＠２図（Ｃ１に示すように、低濃度現像液４で
静止パドル現像を３０秒間行なった後、第２図（ｄｌに
示すように中濃度現像液５（アルカ１７ ｄ度２．１４
％）を供給し、１５秒間静止パドル現像を行ない、純水
でリンスを行なって第２因（ｅｌＫ示すようにフォトレ
ジストパターン２ａｉ得る。
静止パドル現像を３０秒間行なった後、第２図（ｄｌに
示すように中濃度現像液５（アルカ１７ ｄ度２．１４
％）を供給し、１５秒間静止パドル現像を行ない、純水
でリンスを行なって第２因（ｅｌＫ示すようにフォトレ
ジストパターン２ａｉ得る。
中濃度現像液５を供給したのは、現像が進行することに
よって低濃度現像液中のＯＨイオンが減り、穴状パター
ンの甲のＯＨ−イオンが極端に少なくなって、現像速度
が著しく低下するのを防ぐためである。
よって低濃度現像液中のＯＨイオンが減り、穴状パター
ンの甲のＯＨ−イオンが極端に少なくなって、現像速度
が著しく低下するのを防ぐためである。
この実施例では、コンタクトホ−ルの現像において（Ｊ
Ｈイオンの供給全十分に行ないながら低濃度あるいは中
濃度現像液でパターン裾部を現像でさるため、矩形性の
よいコンタクトパターンを確実に形成するＣとができる
。
Ｈイオンの供給全十分に行ないながら低濃度あるいは中
濃度現像液でパターン裾部を現像でさるため、矩形性の
よいコンタクトパターンを確実に形成するＣとができる
。
Ｃ発明の効果〕
以上説明したように本発明は、高アルカリ濃度の現像液
と低アルカリａ度の現像液を用いてフォトレジストの現
像をすることにより、Ｍ、光装置のスループット’２著
しく下げることなく、微細パターンの形ＪＥ’に矩形性
よく、そしてそれによって精度よく行うことができる。
と低アルカリａ度の現像液を用いてフォトレジストの現
像をすることにより、Ｍ、光装置のスループット’２著
しく下げることなく、微細パターンの形ＪＥ’に矩形性
よく、そしてそれによって精度よく行うことができる。
第１図（ａｌ〜（ｄｌは本発明の一実施例を説明するた
めに工程順に示した半導体チップの縦断面図、第２図（
ａｌ〜（ｅｌは本発明の他の実施例を説明するために工
程順に示した半導体チップの縦断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・フォトレジスト膜、２
ａ・・・フォトレジストパターン、３・・・高濃度現像
液、万１ 圏
めに工程順に示した半導体チップの縦断面図、第２図（
ａｌ〜（ｅｌは本発明の他の実施例を説明するために工
程順に示した半導体チップの縦断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・フォトレジスト膜、２
ａ・・・フォトレジストパターン、３・・・高濃度現像
液、万１ 圏
Claims (1)
- アルカリ可溶性フェノール樹脂とキノンジアジド系感光
剤とを主成分とするポジ型フォトレジストの有機アルカ
リ溶液による現像工程において、互いに水酸基濃度の異
なる複数の種類の現像液を順次使用することを特徴とす
るレジストの現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6461587A JPS63229452A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | レジストの現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6461587A JPS63229452A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | レジストの現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63229452A true JPS63229452A (ja) | 1988-09-26 |
Family
ID=13263339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6461587A Pending JPS63229452A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | レジストの現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63229452A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0942330A1 (en) * | 1998-03-11 | 1999-09-15 | Applied Materials, Inc. | Process for depositing and developing a plasma polymerized organosilicon photoresist film |
| US6811962B2 (en) * | 2001-08-28 | 2004-11-02 | Tokyo Electron Limited | Method for developing processing and apparatus for supplying developing solution |
| US7892722B2 (en) * | 2004-05-17 | 2011-02-22 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method |
| JP2015005586A (ja) * | 2013-06-20 | 2015-01-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-03-18 JP JP6461587A patent/JPS63229452A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0942330A1 (en) * | 1998-03-11 | 1999-09-15 | Applied Materials, Inc. | Process for depositing and developing a plasma polymerized organosilicon photoresist film |
| US6238844B1 (en) | 1998-03-11 | 2001-05-29 | Applied Materials, Inc. | Process for depositing a plasma polymerized organosilicon photoresist film |
| US6589715B2 (en) | 1998-03-11 | 2003-07-08 | France Telecom | Process for depositing and developing a plasma polymerized organosilicon photoresist film |
| US6811962B2 (en) * | 2001-08-28 | 2004-11-02 | Tokyo Electron Limited | Method for developing processing and apparatus for supplying developing solution |
| US6991385B2 (en) | 2001-08-28 | 2006-01-31 | Tokyo Electron Limited | Method for developing processing and apparatus for supplying developing solution |
| US7892722B2 (en) * | 2004-05-17 | 2011-02-22 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method |
| JP2015005586A (ja) * | 2013-06-20 | 2015-01-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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