JP3243904B2 - レジストパターンの形成方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はレジストパターンの形成
方法に関し、より詳細には半導体装置やその他の薄膜素
子の製造過程のフォトリソグラフィ工程において用いら
れるレジストパターンの形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体装置（半導体集積回路）の
製造過程においては、配線や電極などを形成する際のエ
ッチングマスクや不純物拡散層を形成する際のイオン注
入用マスクとしてレジストパターンが用いられている。
このようなレジストパターンを形成するためにフォトリ
ソグラフィ工程が採用されている。

【０００３】フォトリソグラフィ工程で用いられるレジ
ストにはポジ型のものとネガ型のものとがあり、例えば
感光性の高分子からなるポジ型のレジストを用いた場合
には、回路設計されたパターンが形成されたマスクを通
してレジスト膜に光を当て、現像すると、光の当たった
部分のレジストが除去され、該パターンが転写されたレ
ジストパターンが形成される。一方、ネガ型のレジスト
を用いた場合には、ポジ型レジストの場合とは逆に光の
当らなかった部分のレジストが除去され、マスクパター
ンと反対のパターンが転写されたレジストパターンが形
成される。

【０００４】ポジ型レジストを用いてレジストパターン
を形成する場合の一般的なフォトリソグラフィ工程を図
３に基づいて説明する。まず、基板（図示せず）上に例
えばＳｉＯ₂ 膜３１を形成し、次いで感光性高分子から
成るポジ型レジスト膜３２をスピンコーティングにより
形成し、この後プリベークを行なってポジ型レジスト膜
３２中に含まれる有機溶剤を除去する（図３（ａ））。
次に、マスク３３を用いて露光を行い（図３（ｂ））、
その後現像する。その後、ポストベークを行なってポジ
型レジスト膜３２を硬化させ、ＳｉＯ₂ 膜３１との密着
性を高め、マスク３３のパターンに対応するレジストパ
ターン３２ａを形成する（図３（ｃ））。

【０００５】ところで近年、半導体装置の集積度が高く
なるに従って、回路パターンの微細化・高密度化が一層
要求されてきており、現在では露光装置の解像度限界に
近い微細なレジストパターンを安定的に形成することが
求められている。

【０００６】フォトリソグラフィ工程では、露光の際に
マスク３３を透過する光の強度分布はマスク３３の光透
過部分の幅によって異なる。すなわち光透過部分の幅が
広い場合は、図４に示したように光が透過した全ての部
分において十分な強度が得られるので、ポジ型のレジス
トを用いた場合には図５に示したような形状のレジスト
パターン３２ａが形成される。しかし光透過部分の幅が
狭い場合は、図６に示したように十分な強度を得にく
く、光透過部分の中心部から外に向かうにつれて光強度
は弱くなる。このため、例えば露光装置の解像度限界に
近い微細なパターンが形成されたマスク３３を用いた場
合、ポジ型レジスト膜３２の底部まで十分感光させるこ
とができず、その結果図７に示したような底部が除去さ
れていないレジストパターン３２ａが形成されてしま
う。従って、露光装置の解像度限界に近い微細なパター
ンを安定的に形成することができないという問題があっ
た。

【０００７】そこでこのような問題を解決するために、
露光装置の解像度限界に近い微細なレジストパターンを
形成する方法として、目的のパターンと反対のパターン
を用いて微細な幅の底部を有するレジスト柱状体を形成
した後、このレジスト柱状体を第２のレジスト膜で覆
い、この後前記レジスト柱状体及び該レジスト柱状体上
の前記第２のレジスト膜を除去する方法が提案されてい
る（特開平５−２９１８６号公報）。

【０００８】図８は特開平５−２９１８６号公報記載の
レジストパターンの形成方法を説明するための各工程を
示した模式的断面図である。まず、基板（図示せず）に
形成されたＳｉＯ₂ 膜４１表面にスピンコーティングに
より第１のポジ型レジスト膜４２を形成する（図８
（ａ））。この後、目的のパターンと反対のパターンが
形成された第１のマスク４３を用いて露光を行い（図８
（ｂ））、１度目の現像を行ってレジスト柱状体４２ａ
を形成する（図８（ｃ））。

【０００９】次に、レジスト柱状体４２ａ及びＳｉＯ₂
膜４１上の全面にコーティングによりレジスト柱状体４
２ａよりも厚さが厚い第２のポジ型レジスト膜４４を形
成する。（図８（ｄ））。次に、目的のパターンが形成
された第２のマスク４５を用いて第２のポジ型レジスト
膜４４の破線で示した部分の露光を行う（図８
（ｅ））。この後、２度目の現像を行って第２のポジ型
レジスト膜４４の露光部分及び第１のレジスト柱状体４
２ａを除去してレジストパターン４４ａを形成する（図
８（ｆ））。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上記した特開平５−２
９１８６号公報記載のレジストパターンの形成方法にお
いては、レジスト柱状体４２ａの形状を前記露光装置の
解像度限界に近い微細なパターンとすることができるも
のの、第２のポジ型レジスト膜４４の形成工程、２度目
の露光工程及び現像工程が増えるため、工程が煩雑であ
るという課題があった。

【００１１】また２度目の露光・現像の際には、未露光
のレジスト柱状体４２ａ及びそれを覆う第２のポジ型レ
ジスト膜４４の露光部分のみを露光して現像する必要が
あり、マスク合わせが困難であると同時に使用し得るポ
ジ型レジスト及び現像液が限定されるという課題があっ
た。

【００１２】本発明はこのような課題に鑑みてなされた
ものであって、種々のポジ型レジスト及び現像液を用い
ることができ、露光装置の解像度限界に近い微細なパタ
ーンを安定的にしかも簡略な工程で形成することができ
るレジストパターンの形成方法を提供することを目的と
している。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るレジストパターンの形成方法（１）は、
次の〜の工程を含むことを特徴としている。

【００１４】 レジストパターンを形成する材料表面
に第１のポジ型レジスト膜を形成する。

【００１５】 目的のパターンと反対のパターンが
形成されたマスクを用いての第１のポジ型レジスト膜
を露光する。

【００１６】 現像して第１のレジストパターンを
形成する。

【００１７】 全面露光を行う。

【００１８】 前記材料表面のの第１のレジスト
パターンが形成されていない部分に第２のレジスト膜を
形成する。

【００１９】 現像しての第１のレジストパター
ンを除去する。

【００２０】また本発明に係るレジストパターンの形成
方法（２）は、次の（ア）〜（キ）の工程を含むことを
特徴としている。

【００２１】（ア） レジストパターンを形成する材料
表面に第１のポジ型レジスト膜を形成する。

【００２２】（イ） 目的のパターンと反対のパターン
が形成されたマスクを用いて（ア）の第１のポジ型レジ
スト膜を露光する。

【００２３】（ウ） 現像して第１のレジストパターン
を形成する。

【００２４】（エ） 全面露光を行う。

【００２５】（オ） 前記材料表面および（ウ）の第１
のレジストパターン上の全面に第２のレジスト膜を形成
する。

【００２６】（カ） （ウ）の第１のレジストパターン
上に形成された（オ）の第２のレジスト膜を除去できる
ように露光する。

【００２７】（キ） 現像して前記第２のレジスト膜の
うちの除去可能部分と（ウ）の第１のレジストパターン
とを除去する。

【００２８】

【作用】上記した構成のレジストパターンの形成方法
（１）によれば、レジストパターンを形成する材料表面
に第１のポジ型レジスト膜を形成し、目的のパターンと
反対のパターンが形成されたマスクを用いて前記第１の
ポジ型レジスト膜を露光するので、目的のパターンが露
光装置の解像度限界に近い微細なパターン幅を有してい
ても、光透過部分の幅が広い前記マスクを用いて露光を
行うことが可能となり、前記第１のポジ型レジスト膜の
底部まで十分感光させることが可能となる。従って、レ
ジスト残存部分底部の径が微細な前記第１のレジストパ
ターンが形成される。次に全面露光を行うことにより、
前記第１のレジストパターン全体を現像可能な状態にし
ておくことが可能となる。また、前記材料表面の前記第
１のレジストパターンが形成されていない部分に第２の
レジスト膜を形成し、その後現像して前記第１のレジス
トパターンを除去するので、前記第１のレジストパター
ンの形状と反対形状のレジストパターンが形成される。
従って、このようなレジストパターンを用いることによ
り前記露光装置の解像度限界に近い微細なパターンを安
定的に形成することが可能となる。

【００２９】また、前記第１のレジストパターン上に前
記第２のレジスト膜が形成されていないので、該第２の
レジスト膜を露光・現像する必要がなく、工程が大幅に
簡略化される。また前記第１のポジ型レジスト膜及び前
記第２のレジスト膜にはどのようなタイプのポジ型レジ
ストでも用いることが可能となる。

【００３０】さらに、前記第１のレジストパターンに全
面露光を施しておくので、従来例の場合のように、後の
現像の際に感光していない前記第１のレジストパターン
を現像する必要がなく、通常のポジ型レジスト用現像液
を用いることが可能となる。この場合、前記第２のレジ
スト膜にはポジ型、ネガ型のいずれのレジストを用いて
も良く、目的によっては、通常レジストとは言わないが
感光性を有さない樹脂を用いても良い。

【００３１】また上記した構成のレジストパターンの形
成方法（２）においては、上記（１）と同様な方法によ
り第１のレジストパターンを形成して全面露光を行うの
で、レジスト残存部分底部の径が微細な第１のレジスト
パターン全体を現像可能な状態にしておくことが可能と
なる。また、レジストパターンを形成する材料表面及び
前記第１のレジストパターン上の全面に第２のレジスト
膜を形成し、前記第１のレジストパターン上に形成され
た前記第２のレジスト膜を除去できるように露光するの
で、露光条件を選択して露光を行うことにより前記第１
のレジストパターン上の前記第２のレジスト膜のみをテ
ーパ形状に感光させて現像可能な状態にすることが可能
となる。また、現像して前記第２のレジスト膜のうちの
除去可能部分と前記第１のレジストパターンとを除去す
るので、前記第１のレジストパターンの形状と略反対形
状のレジストパターンが形成される。従って、このよう
なレジストパターンを用いることにより前記露光装置の
解像度限界に近い微細なパターンを安定的に形成するこ
とが可能となる。

【００３２】また、現像液には通常のレジスト用のもの
を用いることが可能となる。また、前記第２のレジスト
膜にはポジ型、ネガ型のいずれのものを用いても良く、
前記第１のポジ型レジスト膜と同じものを用いる場合
は、どのようなタイプのポジ型レジストを用いても良
く、異なるポジ型のものを用いる場合には、同一の現像
液に対して同程度の反応性を有するものを用いるのが良
い。またネガ型のものを用いる場合には、前記第１のポ
ジ型レジスト膜を露光するマスクと前記第２のレジスト
膜を露光するマスクとを同一のものとし、マスク製造工
程を簡略化することが可能となる。

【００３３】

【実施例】以下、本発明に係るレジストパターンの形成
方法の実施例を図面に基づいて説明する。ここでは、解
像度の限界が０．５μｍの露光装置（図示せず）を使用
し、パターン幅が約０．４μｍのレジストパターンを形
成する場合を例に挙げて説明する。

【００３４】［実施例１］図１（ａ）〜（ｆ）は実施例
１に係るレジストパターンの形成方法を説明するための
各工程を示した模式的断面図である。まず、基板（図示
せず）上に形成された例えばＳｉＯ₂ 膜１１表面に例え
ばＰＥＸ１５（住友化学工業（株）製）をスピンコート
することにより厚さが１．２μｍの第１のポジ型レジス
ト膜１２を形成する。なお、スピンコートはレジスト液
を滴下した後、前記基板全体を回転させながら遠心力で
全面に広げるようにして行なう。

【００３５】次に、プリベークを行なって第１のポジ型
レジスト膜１２中に含まれる有機溶剤を除去する（図１
（ａ））。この後前記露光装置を使用し、目的のパター
ンと反対のパターンが約０．５μｍのパターン幅を有し
て形成されたマスク１３を用い、露光条件を露光量が４
００ｍＪ／ｃｍ² で露光時間が８００ｍｓに設定してｇ
線（露光波長：４３６ｎｍ）を用いた露光を行い、第１
のポジ型レジスト膜１２の破線で示した部分を現像可能
な状態にしておく（図１（ｂ））。次に、例えばＮＭＤ
−３（東京応化工業（株）製）を用いて現像を行い、レ
ジスト残存部分底部の径が約０．４μｍの第１のレジス
トパターン１２ａを形成する（図１（ｃ））。

【００３６】この後、露光量が４００ｍＪ／ｃｍ² で露
光時間が８００ｍｓの全面露光を行い、第１のレジスト
パターン１２ａ全体を現像可能な状態にしておく（図１
（ｄ））。次に、ＳｉＯ₂ 膜１１表面の第１のレジスト
パターン１２ａが形成されていない部分に例えばＰＥＸ
１５を粘度及び量を調整してスピンコートすることによ
り厚さが１．０μｍの第２のポジ型レジスト膜１４を第
１のレジストパターン１２ａを覆わないように形成する
（図１（ｅ））。次に、例えばＮＭＤ−３を用いて現像
を行い、第１のレジストパターン１２ａを除去する。こ
の後、１２０℃で１２０秒間ベークを行って第２のポジ
型レジスト膜１４中に含まれる有機溶剤の除去及びレジ
ストの硬化を行い、レジスト除去部分底部の径が約０．
４μｍのレジストパターン１４ａを形成する（図１
（ｆ））。

【００３７】本実施例に係るレジストパターン１４ａの
形成方法にあっては、ＳｉＯ₂ 膜１１表面に第１のポジ
型レジスト膜１２を形成し、目的のパターンと反対のパ
ターンが形成されたマスク１３を用いて第１のポジ型レ
ジスト膜１２を露光するので、目的のパターン幅が前記
露光装置の解像度限界とほぼ同じ約０．５μｍであって
も、光透過部分の幅が広いマスク１３を用いて露光を行
うことが可能となり、第１のポジ型レジスト膜１２の底
部まで十分感光させることができる。また、現像して第
１のレジストパターン１２ａを形成するので、レジスト
残存部分底部の径が約０．４μｍの第１のレジストパタ
ーン１２ａを形成することができる。次に全面露光を行
うことにより、第２のポジ型レジスト膜１４を形成する
前の段階で第１のレジストパターン１２ａ全体が確実に
現像可能な状態になる。また、ＳｉＯ₂ 膜１１表面の第
１のレジストパターン１２ａが形成されていない部分に
第２のポジ型レジスト膜１４を形成し、その後現像して
第１のレジストパターン１２ａを除去するので、第１の
レジストパターン１２ａの形状と反対形状のレジストパ
ターン１４ａが形成される。従って、このようなレジス
トパターン１４ａを用いることにより前記露光装置の解
像度限界に近く、かつ露光波長よりも微細なパターンを
安定的に形成することができる。

【００３８】また、第１のポジ型レジスト膜１２を露光
する際の露光条件を変化させることによりレジストパタ
ーン１４ａのレジスト除去部分底部の径を約０．４μｍ
〜５．０μｍの範囲であれば任意に設定することができ
る。

【００３９】さらに、第１のレジストパターン１２ａ上
には第２のポジ型レジスト膜１４が形成されておらず、
第２のポジ型レジスト膜１４を露光・現像する必要がな
いため、工程を大幅に簡略化することができる。

【００４０】また、現像液には従来公報記載のものと相
違し、通常のものを用いることができる。

【００４１】さらに、下地材料としてはＳｉＯ₂ 膜１１
の他Ｓｉ基板、金属膜等であっても差し支えない。

【００４２】なお本実施例では、露光波長が４３６ｎｍ
のｇ線を用いた場合について説明したが、別の実施例で
は、露光波長が３６５ｎｍのｉ線等を用いてもよい。ｉ
線を用いた場合には、パターン幅が０．３μｍ程度のレ
ジストパターン１４ａを形成することができる。

【００４３】また本実施例では、第１のポジ型レジスト
膜１２にＰＥＸ１５を用いた場合について説明したが、
別の実施例では第１のポジ型レジスト膜１２にその他ど
のようなタイプのポジ型レジストを用いても良い。

【００４４】さらに本実施例では、第２のポジ型レジス
ト膜１４にＰＥＸ１５を用いた場合に説明したが、別の
実施例ではその他どのようなタイプのポジ型レジストを
用いても良く、また第２のポジ型レジスト膜１４の代わ
りにネガ型レジスト膜や、目的によっては、通常レジス
トとは言わないが感光性を有さない樹脂膜を用いても良
い。

【００４５】［実施例２］図２（ａ）〜（ｇ）は実施例
２に係るレジストパターンの形成方法を説明するための
各工程を示した模式的断面図である。まず、基板（図示
せず）上に形成された例えばＳｉＯ₂ 膜２１表面に例え
ばＰＥＸ１５（住友化学工業（株）製）をスピンコート
することにより厚さが１．０μｍの第１のポジ型レジス
ト膜２２を形成する。なお、スピンコートはレジスト液
を滴下した後、前記基板全体を回転させながら遠心力で
全面に広げるようにして行なう。

【００４６】次に、プリベークを行なって第１のポジ型
レジスト膜２２中に含まれる有機溶剤を除去する（図２
（ａ））。この後前記露光装置を使用し、目的のパター
ンと反対のパターンが約０．５μｍのパターン幅を有し
て形成された第１のマスク２３を用い、露光条件を露光
量が４００ｍＪ／ｃｍ² で露光時間が８００ｍｓに設定
しｇ線を用いて露光を行い、第１のポジ型レジスト膜２
２の破線で示した部分を現像可能な状態にしておく（図
２（ｂ））。この後、例えばＮＭＤ−３（東京応化工業
（株）製）を用いて現像を行い、レジスト残存部分底部
の径が約０．４μｍの第１のレジストパターン２２ａを
形成する（図２（ｃ））。この後、露光量が４００ｍＪ
／ｃｍ² で露光時間が８００ｍｓのｇ線による全面露光
を行い、第１のレジストパターン２２ａ全体を現像可能
な状態にしておく（図２（ｄ））。

【００４７】次に、ＳｉＯ₂ 膜２１及び第１のレジスト
パターン２２ａ上の全面にＰＥＸ１５をスピンコートす
ることにより第１のレジストパターン２２ａよりも０．
５μｍ程度厚さが厚い第２のポジ型レジスト膜２４を形
成する（図２（ｅ））。この後、プリベークを行なって
第２のポジ型レジスト膜２４中に含まれる有機溶剤を除
去し、この後パターン幅が約０．５μｍの目的のパター
ンが形成された第２のマスク２５を用い、露光条件を露
光量が１５０ｍＪ／ｃｍ² で露光時間が３００ｍｓに設
定しｇ線を用いて露光を行い、第２のポジ型レジスト膜
２４の破線で示した部分を現像可能な状態にしておく
（図２（ｆ））。

【００４８】その後、ＮＭＤ−３を用いて現像を行い、
第２のポジ型レジスト膜２４のうちの露光された部分と
第１のレジストパターン２２ａとを除去する。この後、
１２０℃で１２０秒間ポストベークを行って第２のポジ
型レジスト膜２４を硬化させ、レジスト除去部分底部の
径が約０．４μｍのレジストパターン２４ａを形成する
（図２（ｇ））。

【００４９】本実施例に係るレジストパターン２４ａの
形成方法にあっては、ＳｉＯ₂ 膜２１表面に第１のポジ
型レジスト膜２２を形成し、目的のパターンと反対のパ
ターンが形成された第１のマスク２３を用いて第１のポ
ジ型レジスト膜２２を露光するので、目的のパターン幅
が前記露光装置の解像度限界とほぼ同じ約０．５μｍで
あっても、光透過部分の幅が広い第１のマスク２３を用
いて露光を行うことが可能になり、第１のポジ型レジス
ト膜２２の底部まで十分感光させることができる。ま
た、現像して第１のレジストパターン２２ａを形成する
ので、レジスト残存部分底部の径が約０．４μｍの第１
のレジストパターン２２ａを形成することができる。次
に全面露光を行うことにより、第２のポジ型レジスト膜
２４を形成する前の段階で第１のレジストパターン２２
ａ全体が確実・容易に現像可能な状態になる。また、Ｓ
ｉＯ₂ 膜２１表面及び第１のレジストパターン２２ａ上
の全面に第２のポジ型レジスト膜２４を形成し、第１の
レジストパターン２２ａ上に形成された第２のポジ型レ
ジスト膜２４を除去できるように露光するので、露光条
件を選択して露光を行うことにより第１のレジストパタ
ーン２２ａ上の第２のポジ型レジスト膜２４のみがテー
パ形状に感光して現像可能な状態になる。また、現像し
て第２のポジ型レジスト膜２４のうちの除去可能部分と
第１のレジストパターン２２ａとを除去するので、第１
のレジストパターン２２ａの形状と略反対形状のレジス
トパターン２４ａが形成される。従って、このようなレ
ジストパターン２４ａを用いることにより前記露光装置
の解像度限界に近く、かつ露光波長よりも微細なパター
ンを安定的に形成することができる。

【００５０】また、第１のポジ型レジスト膜２２を露光
する際の露光条件を変化させることによりレジストパタ
ーン２４ａのレジスト除去部分底部の径を約０．４μｍ
〜５．０μｍの範囲であれば任意に設定することができ
る。

【００５１】さらに、現像液には従来公報記載のものと
相違し、通常のものを用いることができる。

【００５２】なお本実施例では、第２のポジ型レジスト
膜２４にＰＥＸ１５を用いた場合について説明したが、
別の実施例ではその他どのようなレジストを用いても良
く、ポジ型であって第１のポジ型レジスト膜と同じもの
を用いる場合は、現像液の選択が容易となる。また第２
のレジスト膜２４の代わりにネガ型レジスト膜を用いる
場合には、第１のポジ型レジスト膜２２を露光するマス
クと前記ネガ型レジスト膜を露光するマスクとを同一の
ものとし、マスク製造工程を簡略化することができる。

【００５３】

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係るレジス
トパターンの形成方法（１）においては、目的のパター
ンと反対のパターンが形成されたマスクを用いて第１の
ポジ型レジスト膜を露光するので、目的のパターンが露
光装置の解像度限界に近い微細なパターン幅を有してい
ても、光透過部分の幅が広い前記マスクを用いて露光を
行うことにより前記第１のポジ型レジスト膜の底部まで
十分感光させ、レジスト残存部分底部の径が微細な第１
のレジストパターンを形成することができる。さらに全
面露光を行うことにより、前記第１のレジストパターン
全体を現像可能な状態にしておき、前記材料表面の前記
第１のレジストパターンが形成されていない部分に第２
のレジスト膜を形成し、その後現像して前記第１のレジ
ストパターンを除去するので、前記露光装置の解像度限
界に近い微細なパターンであっても安定的に形成するこ
とができる。

【００５４】また、前記第１のポジ型レジスト膜を露光
する際の露光条件を変化させることにより、前記レジス
トパターンのレジスト除去部分底部の径を任意に設定す
ることができる。

【００５５】さらに、前記第１のレジストパターン上に
前記第２のレジスト膜が形成されておらず、該第２のレ
ジスト膜を露光・現像する必要がないため、工程を大幅
に簡略化することができる。また、前記第１のポジ型レ
ジスト膜および前記第２のレジスト膜にはどのようなタ
イプのレジストでも用いることができる。

【００５６】また、現像液には従来公報記載のものと相
違し、通常のものを用いることができる。

【００５７】また、本発明に係るレジストパターンの形
成方法（２）においては、上記（１）の方法における場
合と同様に前記露光装置の解像度限界に近く、かつ露光
波長よりも微細なパターンを安定的に形成することがで
きる。

【００５８】また、第２のレジスト膜にはポジ型、ネガ
型のいずれのレジストを用いても良く、ポジ型であって
第１のポジ型レジスト膜と同じものを用いる場合は、現
像液の選択が容易となり、またネガ型のものを用いる場
合には、前記第１のポジ型レジスト膜を露光するマスク
と前記第２のレジスト膜を露光するマスクとを同一のも
のとし、マスク製造工程を簡略化することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｆ）は本発明に係るレジストパター
ンの形成方法の実施例１を各工程順に示した模式的断面
図である。

【図２】（ａ）〜（ｇ）は実施例２に係るレジストパタ
ーンの形成方法を各工程順に示した模式的断面図であ
る。

【図３】（ａ）〜（ｃ）は従来の一般的なレジストパタ
ーンの形成方法を各工程順に示した模式的断面図であ
る。

【図４】光透過部分の幅が広いマスクを用いた場合の、
光の強度分布を示したグラフである。

【図５】光透過部分の幅がマスクを用いた場合に形成さ
れるレジストパターンを示したものである。

【図６】光透過部分の幅が狭いマスクを用いた場合の、
光の強度分布を示したグラフである。

【図７】光透過部分の幅が狭いマスクを用いた場合に形
成されるレジストパターンを示したものである。

【図８】（ａ）〜（ｆ）は従来の別のレジストパターン
の形成方法を各工程順に示した模式的断面図である。

【符号の説明】

１１、２１ ＳｉＯ₂ 膜（レジストパターンを形成する
材料） １２、２２ 第１のポジ型レジスト膜 １２ａ、２２ａ 第１のレジストパターン １３ マスク １４、２４ 第２のポジ型レジスト膜 １４ａ、２４ａ レジストパターン ２３ 第１のマスク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−136233（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−53060（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−29186（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−2274（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/26 511 H05K 3/06

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レジストパターンを形成する材料表面に
   第１のポジ型レジスト膜を形成し、目的のパターンと反
   対のパターンが形成されたマスクを用いて前記第１のポ
   ジ型レジスト膜を露光し、現像して第１のレジストパタ
   ーンを形成し、全面露光を行った後、前記材料表面の前
   記第１のレジストパターンが形成されていない部分に第
   ２のレジスト膜を形成し、その後現像して前記第１のレ
   ジストパターンを除去することを特徴とするレジストパ
   ターンの形成方法。
2. 【請求項２】 レジストパターンを形成する材料表面に
   第１のポジ型レジスト膜を形成し、目的のパターンと反
   対のパターンが形成されたマスクを用いて前記第１のポ
   ジ型レジスト膜を露光し、現像して第１のレジストパタ
   ーンを形成し、全面露光を行った後、前記材料表面およ
   び前記第１のレジストパターン上の全面に第２のレジス
   ト膜を形成し、前記第１のレジストパターン上に形成さ
   れた前記第２のレジスト膜を除去できるように露光し、
   その後現像して前記第２のレジスト膜のうちの除去可能
   部分と前記第１のレジストパターンとを除去することを
   特徴とするレジストパターンの形成方法。