JPH08190203A - レジスト パターン形成方法 - Google Patents
レジスト パターン形成方法Info
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- JPH08190203A JPH08190203A JP7178613A JP17861395A JPH08190203A JP H08190203 A JPH08190203 A JP H08190203A JP 7178613 A JP7178613 A JP 7178613A JP 17861395 A JP17861395 A JP 17861395A JP H08190203 A JPH08190203 A JP H08190203A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、半導体素子製造工程に用い
られるレジストパターン形成の際、光のコントラストを
向上させて垂直なプロファイルを有するレジストパター
ンを得ることにある。 【構成】 １次レジストパターンを形成し、その上部に
２次レジストパターンを形成する方法で垂直なプロファ
イルを有するレジストパターンを形成する。また、１次
レジストを形成し、露光工程で１次レジストに露光領域
を形成した後、その上部に２次レジストを形成し露光工
程で２次レジストに露光領域を形成した後、現像工程で
前記１次レジスト及び２次レジストのパターンを同時に
形成する。
られるレジストパターン形成の際、光のコントラストを
向上させて垂直なプロファイルを有するレジストパター
ンを得ることにある。 【構成】 １次レジストパターンを形成し、その上部に
２次レジストパターンを形成する方法で垂直なプロファ
イルを有するレジストパターンを形成する。また、１次
レジストを形成し、露光工程で１次レジストに露光領域
を形成した後、その上部に２次レジストを形成し露光工
程で２次レジストに露光領域を形成した後、現像工程で
前記１次レジスト及び２次レジストのパターンを同時に
形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子製造の際
のレジスト パターン形成方法に関し、特に垂直なプロ
ファイルを有するレジスト パターン形成方法に関す
る。
のレジスト パターン形成方法に関し、特に垂直なプロ
ファイルを有するレジスト パターン形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のＳＬＲ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｌａｙｅ
ｒ Ｒｅｓｉｓｔ）及びＴＬＲ（Ｔｒｉ−ｌｅｖｅｌ
Ｒｅｓｉｓｔ）工程によりレジスト パターンを形成す
る際、レジスト下部にある基板（Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）
又は下部層（Ｕｎｄｅｒ Ｌａｙｅｒ）から反射される
光により、レジスト パターンの側壁にノッチング（ｎ
ｏｔｃｈｉｎｇ）が発生して垂直なプロファイルを得ら
れない問題が発生する。
ｒ Ｒｅｓｉｓｔ）及びＴＬＲ（Ｔｒｉ−ｌｅｖｅｌ
Ｒｅｓｉｓｔ）工程によりレジスト パターンを形成す
る際、レジスト下部にある基板（Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）
又は下部層（Ｕｎｄｅｒ Ｌａｙｅｒ）から反射される
光により、レジスト パターンの側壁にノッチング（ｎ
ｏｔｃｈｉｎｇ）が発生して垂直なプロファイルを得ら
れない問題が発生する。
【０００３】図１は、従来技術の第１実施例によりレジ
ストを露光する工程を示した図面で、基板（３５）又は
下部層上にフォト レジスト（３４）を塗布し、マスク
（３２）を介して光（３１）を前記レジスト（３４）に
露光するとレジスト（３４）を透過した光が基板（３
５）の表面で反射し、さらに、レジスト（３４）の上部
表面で再反射する。その結果、乱反射された光（３６）
により非露光領域のレジストが露光され感光膜パターン
の側壁が一部除去されるノッチング（Ｎｏｔｃｈｉｎ
ｇ）が発生する。
ストを露光する工程を示した図面で、基板（３５）又は
下部層上にフォト レジスト（３４）を塗布し、マスク
（３２）を介して光（３１）を前記レジスト（３４）に
露光するとレジスト（３４）を透過した光が基板（３
５）の表面で反射し、さらに、レジスト（３４）の上部
表面で再反射する。その結果、乱反射された光（３６）
により非露光領域のレジストが露光され感光膜パターン
の側壁が一部除去されるノッチング（Ｎｏｔｃｈｉｎ
ｇ）が発生する。
【０００４】また、基板上にさらに他のパターンが形成
された状態でその上部に感光膜を塗布し、露光及び現像
工程でレジスト パターンを形成する際、下部パターン
により発生するトポロジー（Ｔｏｐｏｌｏｇｙ）に感光
膜パターンの側壁が激しく除去されるノッチングが発生
する。
された状態でその上部に感光膜を塗布し、露光及び現像
工程でレジスト パターンを形成する際、下部パターン
により発生するトポロジー（Ｔｏｐｏｌｏｇｙ）に感光
膜パターンの側壁が激しく除去されるノッチングが発生
する。
【０００５】一方、一般的に微細パターンを得るため用
いるフォト レジストは、粘性度が低い高感応（Ｈｉｇ
ｈ ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）レジストで、肉厚のレジ
ストが得られない欠点がある。このような肉厚の薄いレ
ジストでは金属層（Ｍｅｔａｌ Ｌａｙｅｒ）をパター
ニングするマスクに用いるのには難しさが伴う。従っ
て、レジストの厚さを増加させるためにレジストをダブ
ル コーティング（Ｄｏｕｌｂｅ ｃｏａｔｉｎｇ）す
る方法が現れた。
いるフォト レジストは、粘性度が低い高感応（Ｈｉｇ
ｈ ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）レジストで、肉厚のレジ
ストが得られない欠点がある。このような肉厚の薄いレ
ジストでは金属層（Ｍｅｔａｌ Ｌａｙｅｒ）をパター
ニングするマスクに用いるのには難しさが伴う。従っ
て、レジストの厚さを増加させるためにレジストをダブ
ル コーティング（Ｄｏｕｌｂｅ ｃｏａｔｉｎｇ）す
る方法が現れた。
【０００６】図６は、従来技術の第２実施例によりレジ
ストをシリコン基板上にダブルコーティング（Ｄｏｕｂ
ｌｅ ｃｏａｔｉｎｇ）することを示した断面図で、ス
ピナーの軸（４５）に装着したシリコン基板（４４）を
回転させながらノズル（４１）を介して液状フォト レ
ジスト（４６）を滴下し、前記シリコン基板（４４）の
上部に１次フォト レジスト（４３）を塗布した後、そ
の上部に２次フォトレジスト（４２）を塗布したもので
ある。
ストをシリコン基板上にダブルコーティング（Ｄｏｕｂ
ｌｅ ｃｏａｔｉｎｇ）することを示した断面図で、ス
ピナーの軸（４５）に装着したシリコン基板（４４）を
回転させながらノズル（４１）を介して液状フォト レ
ジスト（４６）を滴下し、前記シリコン基板（４４）の
上部に１次フォト レジスト（４３）を塗布した後、そ
の上部に２次フォトレジスト（４２）を塗布したもので
ある。
【０００７】前記２次フォト レジスト（４２）を塗布
する際、２次フォト レジスト（４２）の中にあるソル
ベントが１次フォト レジスト（４３）上部面を溶解
し、１次フォト レジスト（４３）と２次フォト レジ
スト（４２）の界面の状態が不良になってフォト レジ
ストの厚さユニフォマティが下がるようになり、フォト
レジストの厚さが厚いほどレジストパターンの解像度が
低下するようになる。これは焦点深度 (Depth of Focu
s) が制限され縮小露光装置の工程マージンが低下され
るためである。
する際、２次フォト レジスト（４２）の中にあるソル
ベントが１次フォト レジスト（４３）上部面を溶解
し、１次フォト レジスト（４３）と２次フォト レジ
スト（４２）の界面の状態が不良になってフォト レジ
ストの厚さユニフォマティが下がるようになり、フォト
レジストの厚さが厚いほどレジストパターンの解像度が
低下するようになる。これは焦点深度 (Depth of Focu
s) が制限され縮小露光装置の工程マージンが低下され
るためである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
した従来技術の第１実施例から発生する問題点を解決す
るため下部基板の表面で反射される光を吸収するように
した肉薄の１次フォトレジストパターンを形成すること
により、垂直プロファイルを有するレジストパターン形
成方法を提供することにある。
した従来技術の第１実施例から発生する問題点を解決す
るため下部基板の表面で反射される光を吸収するように
した肉薄の１次フォトレジストパターンを形成すること
により、垂直プロファイルを有するレジストパターン形
成方法を提供することにある。
【０００９】本発明のさらに他の目的は、従来技術の第
２実施例から発生する問題点を解決するため１次フォト
レジストを塗布した後、露光し、その上部に反射防止膜
を塗布した後、２次フォトレジストを塗布し、その後露
光して、現像工程で１次及び２次レジストパターンを形
成するレジストパターン形成方法を提供することにあ
る。
２実施例から発生する問題点を解決するため１次フォト
レジストを塗布した後、露光し、その上部に反射防止膜
を塗布した後、２次フォトレジストを塗布し、その後露
光して、現像工程で１次及び２次レジストパターンを形
成するレジストパターン形成方法を提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記した第１番目の目的
を達成するための本発明は、レジストパターン形成方法
において、基板または下部層上部に１次フォトレジスト
を肉薄に塗布する段階と、マスクを用いた露光工程と現
像工程を実施して１次フォトレジストパターンを形成す
る段階と、全面に亘って中間層を形成する段階と、２次
フォトレジストを塗布した後、前記１次フォトレジスト
を露光する際に用いたマスクと同様のマスクを用いた露
光工程と現像工程で２次フォトレジストパターンを形成
する段階と、露出した中間層をエッチングし、前記１次
フォトレジストパターンと重なる２次フォトレジストパ
ターンで垂直なプロファイルを有するレジストを形成す
る段階を含むことを特徴とする。
を達成するための本発明は、レジストパターン形成方法
において、基板または下部層上部に１次フォトレジスト
を肉薄に塗布する段階と、マスクを用いた露光工程と現
像工程を実施して１次フォトレジストパターンを形成す
る段階と、全面に亘って中間層を形成する段階と、２次
フォトレジストを塗布した後、前記１次フォトレジスト
を露光する際に用いたマスクと同様のマスクを用いた露
光工程と現像工程で２次フォトレジストパターンを形成
する段階と、露出した中間層をエッチングし、前記１次
フォトレジストパターンと重なる２次フォトレジストパ
ターンで垂直なプロファイルを有するレジストを形成す
る段階を含むことを特徴とする。
【００１１】前記した第２番目の目的を達成するための
本発明は、レジストパターン形成方法において、基板ま
たは下部層上部に１次フォトレジストを塗布し、マスク
を用いた露光工程を実施して露光領域を形成する段階
と、全面に亘って非反射層を肉薄に形成する段階と、前
記非反射層上部に２次フォトレジストを塗布し、前記の
マスクと同様なマスクを用いた露光工程を実施して２次
フォトレジストに露光領域を形成する段階と、現像工程
で前記露光領域等と露光領域等の間にある非反射層を除
去し、垂直なプロファイルを有するレジストパターンを
形成する段階を含むことを特徴とする。
本発明は、レジストパターン形成方法において、基板ま
たは下部層上部に１次フォトレジストを塗布し、マスク
を用いた露光工程を実施して露光領域を形成する段階
と、全面に亘って非反射層を肉薄に形成する段階と、前
記非反射層上部に２次フォトレジストを塗布し、前記の
マスクと同様なマスクを用いた露光工程を実施して２次
フォトレジストに露光領域を形成する段階と、現像工程
で前記露光領域等と露光領域等の間にある非反射層を除
去し、垂直なプロファイルを有するレジストパターンを
形成する段階を含むことを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、添付した図を参照して本発
明の実施の形態を詳細に説明する。
明の実施の形態を詳細に説明する。
【００１３】図２乃至図５は、本発明の第１実施例によ
りレジストパターンを形成する段階を示す断面図であ
る。
りレジストパターンを形成する段階を示す断面図であ
る。
【００１４】図２は、基板（５）上部に１次フォトレジ
スト（７）を肉薄に塗布し、マスク（２）を介して光
（１）を前記１次フォトレジスト（７）に露光して露光
領域（８）を形成した断面図である。
スト（７）を肉薄に塗布し、マスク（２）を介して光
（１）を前記１次フォトレジスト（７）に露光して露光
領域（８）を形成した断面図である。
【００１５】前記１次フォトレジスト（７）は、DOF (d
epth of focus)を向上させるため１０００オングストロ
ーム以下の肉薄に塗布したもので、露光の際に少ない露
光エナージー源でレジストパターンの解像度を増大させ
ることができる。しかし、前記１次フォトレジスト
（７）の厚さだけでは下部層のエッチング工程で十分に
有効なエッチングマスクとして用いることができない。
epth of focus)を向上させるため１０００オングストロ
ーム以下の肉薄に塗布したもので、露光の際に少ない露
光エナージー源でレジストパターンの解像度を増大させ
ることができる。しかし、前記１次フォトレジスト
（７）の厚さだけでは下部層のエッチング工程で十分に
有効なエッチングマスクとして用いることができない。
【００１６】そこで次に、１次フォトレジスト（７）の
露光領域（８）を現像工程で除去して１次フォトレジス
トパターン（７´）を形成した後、ハードベーク (Hard
Bake)を１５０−３００℃の温度範囲で実施して１次フ
ォトレジストパターン（７´）を硬化させる。また、２
次フォトレジストをコーティングする際、１次フォトレ
ジストパターン（７´）の損傷を防ぐため、肉薄の物質
であるエスオージー (SOG : Spin on glass)又はプラズ
マ・エンハンスメントオキサイド (Plasma enhancement
oxide) でなる中間層（１０）を５００オングストロー
ム−２０００オングストローム厚さに形成し、その上部
に２次フォトレジスト（９）を塗布した後、図２で用い
られたマスクと同様のマスク（２）を介し、光（１）を
２次フォトレジスト（９）で露光させる。図３はこのと
きの状態を示す断面図である。前記中間層（１０）は、
望ましくは透明度が高い物質で金属物質ではないARC (a
nti reflective coationg)物質、例えばポリビニルアル
コール (poly vinile alcoal) が含まれた物質を用いる
ことが良い。
露光領域（８）を現像工程で除去して１次フォトレジス
トパターン（７´）を形成した後、ハードベーク (Hard
Bake)を１５０−３００℃の温度範囲で実施して１次フ
ォトレジストパターン（７´）を硬化させる。また、２
次フォトレジストをコーティングする際、１次フォトレ
ジストパターン（７´）の損傷を防ぐため、肉薄の物質
であるエスオージー (SOG : Spin on glass)又はプラズ
マ・エンハンスメントオキサイド (Plasma enhancement
oxide) でなる中間層（１０）を５００オングストロー
ム−２０００オングストローム厚さに形成し、その上部
に２次フォトレジスト（９）を塗布した後、図２で用い
られたマスクと同様のマスク（２）を介し、光（１）を
２次フォトレジスト（９）で露光させる。図３はこのと
きの状態を示す断面図である。前記中間層（１０）は、
望ましくは透明度が高い物質で金属物質ではないARC (a
nti reflective coationg)物質、例えばポリビニルアル
コール (poly vinile alcoal) が含まれた物質を用いる
ことが良い。
【００１７】この際、露光される光は反射光（１１）の
影響が最少化されコントラストが向上する。即ち、２次
フォトレジスト（９）を透過した光は基板（５）の表面
で反射され、反射された光が２次フォトレジスト（９）
の表面で再反射されて１次フォトレジストパターン（７
´）で吸収されることにより、非露光領域の２次フォト
レジスト（９）が露光される問題点は最少化される。
影響が最少化されコントラストが向上する。即ち、２次
フォトレジスト（９）を透過した光は基板（５）の表面
で反射され、反射された光が２次フォトレジスト（９）
の表面で再反射されて１次フォトレジストパターン（７
´）で吸収されることにより、非露光領域の２次フォト
レジスト（９）が露光される問題点は最少化される。
【００１８】前記２次フォトレジスト（９）の厚さは、
２次フォトレジスト（９）の下部に形成されるパターニ
ングしようとする下部層の厚さにより決定される。
２次フォトレジスト（９）の下部に形成されるパターニ
ングしようとする下部層の厚さにより決定される。
【００１９】図４は、前記の露光工程で２次フォトレジ
スト（９）に露光領域（３）が形成されたことを示す断
面図である。
スト（９）に露光領域（３）が形成されたことを示す断
面図である。
【００２０】図５は、現像工程で前記２次フォトレジス
ト（９）の露光領域（３）を除去して２次フォトレジス
トパターン（９´）を形成し、露出した中間層（１０）
をエッチングして垂直なプロファイルを有するレジスト
パターンを形成した断面図である。
ト（９）の露光領域（３）を除去して２次フォトレジス
トパターン（９´）を形成し、露出した中間層（１０）
をエッチングして垂直なプロファイルを有するレジスト
パターンを形成した断面図である。
【００２１】図７乃至図１０は、本発明の第２実施例に
よりレジストパターンを形成する段階を示した断面図で
ある。
よりレジストパターンを形成する段階を示した断面図で
ある。
【００２２】図７は、シリコン基板（１４）上部に１次
フォトレジスト（１３）を１０００オングストローム以
下の厚さに塗布し、マスク（１２）を介し光（１１）を
前記１次フォトレジスト（１３）に露光して露光領域
（２０）を形成した状態を示す断面図である。
フォトレジスト（１３）を１０００オングストローム以
下の厚さに塗布し、マスク（１２）を介し光（１１）を
前記１次フォトレジスト（１３）に露光して露光領域
（２０）を形成した状態を示す断面図である。
【００２３】図８は、前記１次フォトレジスト（１３）
と前記露光領域（２０）を保護するため、非反射層 (an
ti reflective layer)（１５）を数百乃至数千オングス
トロームの厚さに形成した断面図である。前記非反射層
（１５）はレジストに含まれたソルベントに溶解せず、
光の吸収が強いポリイミド (polyimide)又はARC (Anti
Reflective Coating) 物質で形成する。前記ARC 物質は
現像液 (developer)のＨ2 Ｏにより溶解される性質を有
している。
と前記露光領域（２０）を保護するため、非反射層 (an
ti reflective layer)（１５）を数百乃至数千オングス
トロームの厚さに形成した断面図である。前記非反射層
（１５）はレジストに含まれたソルベントに溶解せず、
光の吸収が強いポリイミド (polyimide)又はARC (Anti
Reflective Coating) 物質で形成する。前記ARC 物質は
現像液 (developer)のＨ2 Ｏにより溶解される性質を有
している。
【００２４】図９は、前記非反射層（１５）上部に肉薄
の２次フォトレジスト（１６）を塗布し、図７で用いた
マスクと同様のマスク（１８）を介して光（１７）を前
記２次フォトレジスト（１６）へ露光して露光領域（２
１）を形成した状態の断面図である。
の２次フォトレジスト（１６）を塗布し、図７で用いた
マスクと同様のマスク（１８）を介して光（１７）を前
記２次フォトレジスト（１６）へ露光して露光領域（２
１）を形成した状態の断面図である。
【００２５】図１０は、前記２次フォトレジスト（１
６）の露光領域（２１）とその下部の非反射層（１５）
及び１次フォトレジスト（１３）の露光領域（２０）を
現像工程で除去し、２次フォトレジストパターン（１６
´）、非反射層パターン（１５´）と１次フォトレジス
トパターン（１３´）を形成した断面図である。
６）の露光領域（２１）とその下部の非反射層（１５）
及び１次フォトレジスト（１３）の露光領域（２０）を
現像工程で除去し、２次フォトレジストパターン（１６
´）、非反射層パターン（１５´）と１次フォトレジス
トパターン（１３´）を形成した断面図である。
【００２６】前記非反射層（１５）は前記現像工程の現
像液で除去される。
像液で除去される。
【００２７】前記した本発明の第２実施例によると肉薄
レジストで露光の際、十分なDOF 工程マージンを有する
点を利用して１次フォトレジストを塗布し、露光工程を
実施し、その上部に２次レジストを塗布して露光工程を
実施する工程方法を利用し、肉厚のレジストパターンを
形成しながらもプロファイルが良好になることが分か
る。
レジストで露光の際、十分なDOF 工程マージンを有する
点を利用して１次フォトレジストを塗布し、露光工程を
実施し、その上部に２次レジストを塗布して露光工程を
実施する工程方法を利用し、肉厚のレジストパターンを
形成しながらもプロファイルが良好になることが分か
る。
【００２８】図１１は、本発明の第３実施例により多層
レジストを形成したものを示す断面図で、基板（５４）
上部に１次フォトレジスト（５５）、１次非反射膜（５
６）、２次フォトレジスト（５７）、２次非反射膜（５
８）、３次フォトレジスト（５９）を順次積層したもの
である。そのため、多層レジストの厚さを７〜８μｍ程
度に形成することができる。参考までに、本発明の第２
実施例の如くそれぞれのフォトレジストを塗布した後、
同様なマスクを用いて露光工程を実施すると、垂直なプ
ロファイルを有するレジストパターンを形成することが
できる。
レジストを形成したものを示す断面図で、基板（５４）
上部に１次フォトレジスト（５５）、１次非反射膜（５
６）、２次フォトレジスト（５７）、２次非反射膜（５
８）、３次フォトレジスト（５９）を順次積層したもの
である。そのため、多層レジストの厚さを７〜８μｍ程
度に形成することができる。参考までに、本発明の第２
実施例の如くそれぞれのフォトレジストを塗布した後、
同様なマスクを用いて露光工程を実施すると、垂直なプ
ロファイルを有するレジストパターンを形成することが
できる。
【００２９】
【発明の効果】前記の如く、本発明によると１次フォト
レジストパターンが既に形成された状態で中間層を形成
し、その上部に２次フォトレジストを塗布した後、露光
工程を実施する。この２次フォトレジストの露光工程の
際に、下部の１次フォトレジストパターンから乱反射さ
れる光を吸収して２次フォトレジストパターンでノッチ
ングの発生を最少化できる。それのため、垂直なプロフ
ァイルを有するレジストパターンを形成することができ
る。
レジストパターンが既に形成された状態で中間層を形成
し、その上部に２次フォトレジストを塗布した後、露光
工程を実施する。この２次フォトレジストの露光工程の
際に、下部の１次フォトレジストパターンから乱反射さ
れる光を吸収して２次フォトレジストパターンでノッチ
ングの発生を最少化できる。それのため、垂直なプロフ
ァイルを有するレジストパターンを形成することができ
る。
【００３０】また、本発明によると１次フォトレジスト
と２次フォトレジストをダブルコーティングし、ダブル
露光して肉厚のレジストで垂直なプロファイルを有する
レジストパターンを形成することができる。
と２次フォトレジストをダブルコーティングし、ダブル
露光して肉厚のレジストで垂直なプロファイルを有する
レジストパターンを形成することができる。
【図１】従来技術の第１実施例によりレジストパターン
を形成する際、光が基板の表面から乱反射が生じること
を示した断面図。
を形成する際、光が基板の表面から乱反射が生じること
を示した断面図。
【図２】本発明の第１実施例によりレジストパターンを
形成する段階を示した断面図。
形成する段階を示した断面図。
【図３】本発明の第１実施例によりレジストパターンを
形成する段階を示した断面図。
形成する段階を示した断面図。
【図４】本発明の第１実施例によりレジストパターンを
形成する段階を示した断面図。
形成する段階を示した断面図。
【図５】本発明の第１実施例によりレジストパターンを
形成する段階を示した断面図。
形成する段階を示した断面図。
【図６】従来技術の第２実施例によりレジストをタブル
コーティング (Double coating) することを示した断面
図。
コーティング (Double coating) することを示した断面
図。
【図７】本発明の第２実施例によるレジストパターンを
形成する段階を示した断面図。
形成する段階を示した断面図。
【図８】本発明の第２実施例によるレジストパターンを
形成する段階を示した断面図。
形成する段階を示した断面図。
【図９】本発明の第２実施例によるレジストパターンを
形成する段階を示した断面図。
形成する段階を示した断面図。
【図１０】本発明の第２実施例によるレジストパターン
を形成する段階を示した断面図。
を形成する段階を示した断面図。
【図１１】本発明の第３実施例により基板上部に多層レ
ジストを塗布した断面図。
ジストを塗布した断面図。
１，１７，３１…光、２，１２，１８，３２…マスク、
３，８，２０，２１…露光領域、５，１４，４４…基
板、７，１３，４３，５５…１次フォトレジスト、９，
１６，４２，５７…２次フォトレジスト、１０…中間
層、１５…非反射膜、４１…ノズル、４５…スピナー
軸、５９…３次フォトレジスト。
３，８，２０，２１…露光領域、５，１４，４４…基
板、７，１３，４３，５５…１次フォトレジスト、９，
１６，４２，５７…２次フォトレジスト、１０…中間
層、１５…非反射膜、４１…ノズル、４５…スピナー
軸、５９…３次フォトレジスト。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/40 ５２１ Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (10)
- 【請求項１】 レジスト パターン形成方法において、 基板または下部層上部に１次フォト レジストを肉薄で
塗布する段階と、 マスクを用いた露光工程と現像工程を実施して１次フォ
ト レジスト パターンを形成する段階と、 全面に中間層を形成する段階と、 ２次フォト レジストを塗布した後、前記１次フォト
レジストを露光する際に用いたマスクと同様のマスクを
用いた露光工程と現像工程で２次フォト レジスト パ
ターンを形成する段階と、 露出した中間層をエッチングし、前記１次フォトジスト
パターンと重なる２次フォト レジスト パターンで
垂直なプロファイルを有するレジストを形成する段階を
含むレジスト パターン形成方法。 - 【請求項２】前記中間層はエス オー ジー（ＳＯＧ：
Ｓｐｉｎ ｏｎ ｇｌａｓｓ）、またはプラズマエンハ
ンスメント オキサイド（Ｐｌａｓｍａ ｅｎｈｎａｃ
ｅｍｅｎｔ ｏｘｉｄｅ）であることを特徴とする請求
項１記載のレジスト パターン形成方法。 - 【請求項３】前記中間層は、透明度が高いポリ ビニル
アルコールが含まれた物質であることを特徴とする請
求項１記載のレジスト パターン形成方法。 - 【請求項４】前記１次フォト レジストの厚さは、１０
００オングストローム以内の厚さで塗布することを特徴
とする請求項１記載のレジスト パターン形成方法。 - 【請求項５】前記２次フォト レジストの厚さは、パタ
ーンしようとする層の厚さを考慮して十分に肉厚に形成
することを特徴とする請求項１記載のレジスト パター
ン形成方法。 - 【請求項６】前記中間層の厚さは、５００オングストロ
ーム−２０００オングストロームにすることを特徴とす
る請求項１記載のレジスト パターン形成方法。 - 【請求項７】前記１次フォト レジスト パターンを形
成した後、１５０−３００℃の温度範囲でハード ベー
クを実施することを含むことを特徴とする請求項１記載
のレジスト パターン形成方法。 - 【請求項８】レジスト パターン形成方法において、 基板または下部層上部に１次フォト レジストを塗布
し、マスクを用いた露光工程を実施して露光領域を形成
する段階と、 全面に非反射層を肉薄で形成する段階と、 前記非反射層上部に２次フォト レジストを塗布し、前
記のマスクと同様のマスクを用いた露光工程を実施して
２次フォト レジストに露光領域を形成する段階と、 現像工程で前記露光領域等と露光領域等の間にある非反
射層を除去し、垂直なプロファイルを有するレジスト
パターンを形成する段階を含むことを特徴とするレジス
ト パターン形成方法。 - 【請求項９】前記非反射層は、１００−１０００オング
ストロームの厚さにすることを特徴とする請求項８記載
のレジスト パターン形成方法。 - 【請求項１０】前記非反射層は光の吸収が良好であり、
現像液（ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ）のＨ2 Ｏにより溶解され
る性質を有する物質であること特徴とするレジストパタ
ーン形成方法。
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