CN1042776C - 用以形成抗蚀图形的方法 - Google Patents

用以形成抗蚀图形的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1042776C
CN1042776C CN95108123A CN95108123A CN1042776C CN 1042776 C CN1042776 C CN 1042776C CN 95108123 A CN95108123 A CN 95108123A CN 95108123 A CN95108123 A CN 95108123A CN 1042776 C CN1042776 C CN 1042776C
Authority
CN
China
Prior art keywords
photoresist
key light
resist
resist pattern
etchant resist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN95108123A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1119340A (zh
Inventor
裴相满
白基镐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SK Hynix Inc
Original Assignee
Hyundai Electronics Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1019940016978A external-priority patent/KR0144420B1/ko
Priority claimed from KR1019940016979A external-priority patent/KR0130168B1/ko
Application filed by Hyundai Electronics Industries Co Ltd filed Critical Hyundai Electronics Industries Co Ltd
Publication of CN1119340A publication Critical patent/CN1119340A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1042776C publication Critical patent/CN1042776C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

一种用以形成抗蚀图形的方法，它是通过涂覆具有小厚度的主光致抗蚀图形，并然后在主光致抗蚀图形上涂覆次光致抗蚀图形而制成的。另一方面，抗蚀图形可通过涂覆主光致抗蚀膜，将主光致抗蚀膜曝光以在主光致抗蚀膜上限定曝光区，在主光致抗蚀膜上涂覆次光致抗蚀膜，将次光致抗蚀膜曝光以在次光致抗蚀膜上限定曝光区，和将所得结构显影以形成主和次光致抗蚀图形而制成。该方法获得了光的对比度的改善，由此获得了具有垂直构形的抗蚀图形。

Description

用以形成抗蚀图形的方法
本发明涉及一种在半导体器件制造中用以形成抗蚀图形(resist patttern)的方法，特别是，涉及一种用以形成具有垂直构形的抗蚀图形的方法。
在使用常用的单层抗蚀剂和三层抗蚀剂方法形成有抗蚀图形的地方，由于放置在抗蚀图形下或层下的衬底对光的反射作用，会在抗蚀图形的侧壁上出现凹缺，这种凹缺的结果会出现抗蚀图形不具有垂直构形的问题。
图1表示根据一种常用方法对一抗蚀膜进行曝光。如图1中所示，将光致抗蚀膜34涂覆在一衬底上或层35下，当通过掩模32对光致抗蚀膜34进行曝光31时，透射到光致抗蚀膜34上的光被衬底35的表面反射，然后其再被光致抗蚀膜34的上表面反射，结果，由于上述的不规则反射，使光致抗蚀膜34的非暴露部分不期望地被曝光36，这导致了凹缺现象，使光致抗蚀膜图形的侧壁被局部地去掉。
在通过将光致抗蚀膜涂覆在形成有另一种图形的衬底上而形成抗蚀图形并然后通过使用曝光和显影工艺而将光致抗蚀膜构图的地方，由于在图形下的拓扑会出现凹缺，换句话说，光致抗蚀膜图形会在其侧壁上局部地被去掉。
通常，用以获得微型图形的光致抗蚀膜是具有低粘度和高光敏度的抗蚀膜，由于这些特性，就难以使该光致抗蚀膜具有大的厚度，而使用具有小厚度的光致抗蚀膜作为掩模来将金属层构图是不可能的。为了增加光致抗蚀膜的厚度，已经提出了一种涂覆双层抗蚀剂的方法。
图6表示一种常用的涂覆双层抗蚀剂的方法。根据该方法，在硅衬底44上通过将液相光致抗蚀剂材料46由一喷嘴41涂覆到安装在旋涂机主轴45上的衬底44上同时转动硅衬底44而形成主光致抗蚀膜43，如图6中所示，在主光致抗蚀膜43上涂覆次光致抗蚀膜42。
在涂覆次光致抗蚀膜42过程中，主光致抗蚀膜43上表面由包含在用于次光致抗蚀膜42材料中的溶剂所溶解，由此，使在主光致抗蚀膜43和次光致蚀膜42之间的界面变糙，结果，使主和次光致抗蚀膜的厚度的均匀性下降。当光致抗蚀膜厚度较厚时，所得抗蚀图形的分辨率降低，这是由于光致抗蚀膜所不期望的大的厚度导致了对于聚焦深度的限制，而其使得减小的曝光设备的工艺裕度变小了。
因此，本发明的目的就是为了解决图1中所示的采用常用方法所遇到的问题，并且提供一种形成具有垂直构型的抗蚀图形的方法，它是通过吸收来自下衬底表面的反射光来形成薄的主光致抗蚀图形。
本发明的另一目的就是为了解决图6中所示的采用常用方法所遇到的问题，并且提供一种形成具有优良构形的抗蚀图形的方法，它是通过涂覆主光致抗蚀膜，将主光致抗蚀膜曝光，在主光致抗蚀膜上涂覆抗反射层，在抗反射层上涂覆次光致抗蚀膜，将次光致抗蚀膜曝光，和将所得结构显影，以形成主和次抗蚀图形。
根据本发明的一方面，本发明提供一种用以形成抗蚀图形的方法，它包括下列步骤：在一下层上涂覆具有小厚度的主光致抗蚀膜，优选地，所述主致抗蚀膜不大于1000；使用一掩模将主光致抗蚀膜曝光，然后将主光致抗蚀膜显影，由此形成主光致抗蚀图形；在所得结构的整个露出表面上形成中间层；在中间层上涂覆次光致抗蚀膜，使用与主光致抗蚀膜所用相同的掩模将次光致抗蚀膜曝光，然后将次光致抗蚀膜显影，由此形成次光致抗蚀图形；并且蚀刻通过次光致抗蚀图形所露出的一部分中间层，以保护主致抗蚀膜，形成完全与主光致抗蚀图形相重叠的次光致抗蚀图形，使得所得抗蚀图形具有垂直构形。
根据本发明的另一方面，本发明提供一种用以形成抗蚀图形的方法，它包括下列步骤：在下层上涂覆主光致抗蚀膜，使用一掩模将主光致抗蚀膜曝光，由此在主光致抗蚀膜上限定了曝光区；在主光致抗蚀膜上形成具有小的厚度的抗反射层，优选地，抗反射层的厚度为几百到几千埃，而且，抗反射层可由可显示高吸光性并可溶解在显影步骤中所用显影剂所包含的H2O中的材料制成，更优选地，抗反射层的厚度为100到10,000；在抗反射层涂覆次光致抗蚀膜，并使用与主光致抗蚀膜所用相同的掩模将次光致抗蚀膜曝光，由此在次光致抗蚀膜上限定了曝光区；和将所得结构显影，由此去掉了主和次光致抗蚀膜以及抗反射层分别对应于曝光区的各部分，使得所得抗蚀图形具有垂直构形。
本发明的其它目的和各方面将通过参照附图对下列实施例的描述而更加清楚，其中：
图1是一截面图，它表示根据常用方法对抗蚀膜的曝光；
图2至5是截面图，其分别地表示根据本发明的第一实施例在用的形成抗蚀图形的方法中所包含的顺序步骤；
图6是一截面图，它表示一种常用的涂覆双层抗蚀剂的方法；
图7至10是截面图，其分别地表示根据本发明的第二实施例在用以形成抗蚀图形的方法中所包含的顺序步骤；和
图11是一截面图，它表示根据本发明的第三实施例所形成的一种多层抗蚀结构。
图2至5分别地表示根据本发明的第一实施例在用以形成抗蚀图形的方法中所包含的顺序步骤。
根据该方法，在一衬底5上涂覆薄的主光致抗蚀膜7，如图2所示，然后使用一掩模2将主光致抗蚀膜7曝光，由此形成曝光区8。
主光致抗蚀膜7具有不大于1000的小的厚度以获得聚焦深度的改善。因此，即使在使用小的曝光能量时，也可以获得抗蚀图形分辩率的改善。然而，使用具有这种小的厚度的主光致抗蚀膜作为令人满意的蚀刻掩模用于蚀刻放置在主光致抗蚀膜下的下层的步骤是困难的。
因此，使用显影工艺将主光致抗蚀膜7在其对应于曝光区8的部分上局部地去掉，由于形成主光致抗蚀图形7′。如图3中所示，然后在150℃到300℃湿度范围内完成硬烘焙，以固化主光致抗蚀图形7′。在所得结构上，淀积中间层10至小的厚度，如在500至2，000的范围内，采用中间层10为了防止主光致抗蚀图型7′在连续步骤中在涂覆次光致抗蚀膜下被损坏。中间层10是由旋涂玻璃(SOG)或等离子增强氧化物制成，中间层10还可以由抗反射涂覆材料制成，该材料不是任何金属材料，而是一种具有象聚乙烯醇那样的高透明材料。然后在中间层10上涂覆次光致抗蚀膜9，使用在图2步骤中所用掩模2，将次光致抗蚀膜9曝光1。
由于有了这种结构，使由曝光而产生的反射光11的作用被减小，从而获得对比度的改善，换句话说，透射到次光致抗蚀膜9上的光通过衬底10的表面反射，然后再通过次光致抗蚀膜9的表面反射，然后所反射的光被吸收入主光致抗蚀图形7′中，由此减小了次光致抗蚀膜9在其非曝光部分被反射光曝光的问题。
次光致抗蚀膜9的厚度是通过待构成图形的层下的厚度确定的，也就是说，放置在次光致抗蚀膜9下的层。
图4表示在曝光步骤过程中在次光致抗蚀膜9上所限定的曝光区3。
然后将所得结构显影以去掉次光致抗蚀膜9的曝光部分3，由此形成次光致抗蚀图形9′，如图5中所示，此后，将中间层10在其通过次光致抗蚀图形9′所露出部分上进行局部蚀刻，结果，形成具有垂直构形的抗蚀图形。
另一方面，图7至10表示根据本发明的第二实施例在一种用以形成抗蚀图形的方法中所包含的顺序步骤。
根据该方法，在一硅衬底14上涂覆不大于1,000厚度的主光致抗蚀膜13，如图7中所示，然后使用掩模12将主光致抗蚀膜13曝光，由此形成曝光区20。
在所得结构上，形成一定厚度的抗反射层，例如，几百埃至几千埃，以保护主光致抗蚀膜13和曝光区20，如图8中所示。抗反射层15是由聚酰胺或其它抗反射涂覆(ARC)材料制成，其中ARC材料不溶解于主光致抗蚀膜13的材料中所包含的溶剂中，并且显示出高的光吸收性，ARC可溶解在显影剂所包含的H2O中。
然后在抗反射层15上轻轻地涂覆次光致抗蚀膜16，如图9中所示，使用在图7步骤时所用掩模18，将次光致抗蚀膜16进行曝光17，由此限定了曝光区21。
然后将所得结构进行显影以去掉次光致抗蚀膜16的曝光部分21，和分别放置在曝光部分21下的抗反射层15和主光致抗蚀膜13的各部分，结果，形成次光致抗蚀图形12′，非反射层图形15′和主光致抗蚀图形13′。
在形成各图形以后，使用在显影步骤中所用显影剂去掉抗反射层15。
第二实施例的方法包括涂覆具有小的厚度的主光致抗蚀膜，将主光致抗蚀膜曝光，在构成主光致抗蚀膜图形上涂覆次光致抗蚀膜和将次光致抗蚀膜曝光，该方法是以这样的事实为基础的，即薄的抗蚀膜可以为曝光时的聚焦深度提供充足的工艺裕度。因此，该方法可获得抗蚀图形的优良构形而不管抗蚀图形具有的大厚度。
图11表示根据本发明第三实施例所形成的多层抗蚀结构。
如图11中所示，多层抗蚀结构包括顺序地在衬底54上形成的主光致抗蚀膜55，主抗反射膜56，次光致抗蚀膜57，次抗反射膜58和第三光致抗蚀膜59。多层抗蚀膜具有7至8μm的厚度，采用与第二实施例相同的所述方式，使用相同的掩模将光致抗蚀膜曝光，因此，所得抗蚀图形具有垂直构形。
通过上面的描述可以清楚地看到，本发明的第一实施例包括在主光致抗蚀图形上形成中间层和在中间层上涂覆次光致抗蚀膜，主光致抗蚀图形可吸收在将次光致抗蚀膜曝光时不规则的反射光，由此，减少了在次光致抗蚀膜图形上出现的凹缺现象。
再有，本发明的第二实施例包括涂覆双层抗蚀层，也就是涂覆主和次光致抗蚀膜。由于借助双层抗蚀涂层可增加所得抗蚀结构的厚度，因而就可以形成具有优良构形的抗蚀图形。
虽然为图解的目的已公开了本发明的优选实施例，但本技术领域的普通专业人员将会理解，各种变型、添加和替换均是可能的，但其均不会脱离所附权利要求中所公开的发明范围和精神。

Claims (8)

1．一种用以形成抗蚀图形的方法，它包括下列步骤：
在下层上涂覆具有厚度不大于1,000的主光致抗蚀膜；
使用一掩模将主光致抗蚀膜曝光，然后将主光致抗蚀膜显影，由此形成主光致抗蚀图形；
在所得结构的整个露出表面上形成保护主光致抗蚀膜的中间层；
在中间层上涂覆次光致抗蚀膜，使用与主光致抗蚀膜所用相同的掩模将次光致抗蚀膜曝光，然后将次光致抗蚀膜显影，由此形成次光致抗蚀图形；和
蚀刻一部分通过次光致抗蚀图形所露出的中间层，由此形成完全地与主光致抗蚀图形重叠的次光致抗蚀图形，使得所得抗蚀图形具有垂直构形。
2．按照权利要求1的方法，其中中间层是由旋涂玻璃或等离子增强氧化物制成的。
3．按照权利要求1的方法，其中中间层是由一种包含有显示出高透明度的聚乙烯醇的材料制成的。
4．按照权利要求1的方法，其中次光致抗蚀膜具有足够大的厚度，它是由待构形的下层的厚度确定的。
5．按照权利要求1的方法，其中中间层具有500至2000的厚度。
6．按照权利要求1的方法，其进一步包括在主光致抗蚀图形形成以后，在150℃至300℃的温度内将主光致抗蚀图形进行硬烘焙的步骤。
7．一种用以形成抗蚀图形的方法，它包括下列步骤：
在下层上涂覆主光致抗蚀膜，使用掩模将主光致抗蚀膜曝光，由此在主光致抗蚀膜上限定了曝光区；
在主光致抗蚀膜上形成具有几百到几千埃厚度的抗反射层，其中抗反射层是由可显示高吸光性并可溶解在显影步骤中所用显影剂所包含的H2O中的材料制成；
在抗反射层上涂覆次光致抗蚀膜，并使用与主光致抗蚀膜所用相同的掩模将次光致抗蚀膜曝光，由此在次光致抗蚀膜上限定了曝光区；和
将所得结构显影，由此去掉分别地对应于曝光区的主和次光致抗蚀膜以及抗反射层的各部分，使得所得抗蚀图形具有垂直构形。
8．按照权利要求7的方法，其中抗反射层的厚度是在100至1,000范围内。
CN95108123A 1994-07-14 1995-07-14 用以形成抗蚀图形的方法 Expired - Fee Related CN1042776C (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940016978A KR0144420B1 (ko) 1994-07-14 1994-07-14 리소그라피 공정방법
KR9416979 1994-07-14
KR1019940016979A KR0130168B1 (ko) 1994-07-14 1994-07-14 미세 패턴 형성방법
KR94-16978 1994-07-14
KR94-16979 1994-07-14
KR9416978 1994-07-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1119340A CN1119340A (zh) 1996-03-27
CN1042776C true CN1042776C (zh) 1999-03-31

Family

ID=26630489

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN95108123A Expired - Fee Related CN1042776C (zh) 1994-07-14 1995-07-14 用以形成抗蚀图形的方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US5830624A (zh)
JP (1) JP2731516B2 (zh)
CN (1) CN1042776C (zh)
DE (1) DE19525745B4 (zh)
GB (1) GB2291207B (zh)

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5662770A (en) * 1993-04-16 1997-09-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for improving etch uniformity in remote source plasma reactors with powered wafer chucks
GB2291207B (en) * 1994-07-14 1998-03-25 Hyundai Electronics Ind Method for forming resist patterns
US6228279B1 (en) * 1998-09-17 2001-05-08 International Business Machines Corporation High-density plasma, organic anti-reflective coating etch system compatible with sensitive photoresist materials
JP3257593B2 (ja) * 1999-02-05 2002-02-18 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
KR20010004612A (ko) * 1999-06-29 2001-01-15 김영환 포토 마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 미세패턴 형성방법
US6410453B1 (en) 1999-09-02 2002-06-25 Micron Technology, Inc. Method of processing a substrate
US6919157B2 (en) * 2000-06-22 2005-07-19 Toray Industries, Inc. Positive type radiation-sensitive composition and process for producing pattern with the same
US7183037B2 (en) 2000-08-17 2007-02-27 Shipley Company, L.L.C. Antireflective coatings with increased etch rates
US6962770B2 (en) * 2000-09-14 2005-11-08 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing an electroconductive film, and an apparatus including it
US6582890B2 (en) * 2001-03-05 2003-06-24 Sandia Corporation Multiple wavelength photolithography for preparing multilayer microstructures
US6656667B2 (en) * 2001-03-14 2003-12-02 United Microelectronics Corp. Multiple resist layer photolithographic process
US6686132B2 (en) * 2001-04-20 2004-02-03 The Regents Of The University Of California Method and apparatus for enhancing resist sensitivity and resolution by application of an alternating electric field during post-exposure bake
DE10127888A1 (de) * 2001-06-08 2002-12-19 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Bildung von Kontaktregionen von in einem Substrat integrierten Bauelementen
JP3830777B2 (ja) * 2001-06-14 2006-10-11 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
KR100445004B1 (ko) * 2002-08-26 2004-08-21 삼성전자주식회사 모노리틱 잉크 젯 프린트 헤드 및 이의 제조 방법
US20040077173A1 (en) * 2002-10-17 2004-04-22 Swaminathan Sivakumar Using water soluble bottom anti-reflective coating
US8993221B2 (en) * 2012-02-10 2015-03-31 Pixelligent Technologies, Llc Block co-polymer photoresist
DE10309266B3 (de) * 2003-03-04 2005-01-13 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Bilden einer Öffnung einer Licht absorbierenden Schicht auf einer Maske
US7229745B2 (en) * 2004-06-14 2007-06-12 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Lithographic semiconductor manufacturing using a multi-layered process
US7379487B2 (en) * 2005-02-14 2008-05-27 Neumann Information Systems, Inc. Two phase reactor
JP5138916B2 (ja) * 2006-09-28 2013-02-06 東京応化工業株式会社 パターン形成方法
US8236592B2 (en) * 2007-01-12 2012-08-07 Globalfoundries Inc. Method of forming semiconductor device
JP4560066B2 (ja) * 2007-06-11 2010-10-13 株式会社東芝 パターン形成方法
US20100003623A1 (en) * 2008-07-03 2010-01-07 United Microelectronics Corp. Method of patterning multiple photosensitive layers
US8466000B2 (en) 2011-04-14 2013-06-18 United Microelectronics Corp. Backside-illuminated image sensor and fabricating method thereof
US20130010165A1 (en) 2011-07-05 2013-01-10 United Microelectronics Corp. Optical micro structure, method for fabricating the same and applications thereof
US9312292B2 (en) 2011-10-26 2016-04-12 United Microelectronics Corp. Back side illumination image sensor and manufacturing method thereof
CN102354087A (zh) * 2011-11-03 2012-02-15 中国科学院半导体研究所 一种提高光刻胶曝光精度的方法
US8318579B1 (en) 2011-12-01 2012-11-27 United Microelectronics Corp. Method for fabricating semiconductor device
US8815102B2 (en) 2012-03-23 2014-08-26 United Microelectronics Corporation Method for fabricating patterned dichroic film
US9401441B2 (en) 2012-06-14 2016-07-26 United Microelectronics Corporation Back-illuminated image sensor with dishing depression surface
US8779344B2 (en) 2012-07-11 2014-07-15 United Microelectronics Corp. Image sensor including a deep trench isolation (DTI)that does not contact a connecting element physically
US8871596B2 (en) 2012-07-23 2014-10-28 International Business Machines Corporation Method of multiple patterning to form semiconductor devices
US8828779B2 (en) 2012-11-01 2014-09-09 United Microelectronics Corp. Backside illumination (BSI) CMOS image sensor process
US8779484B2 (en) 2012-11-29 2014-07-15 United Microelectronics Corp. Image sensor and process thereof
US9279923B2 (en) 2013-03-26 2016-03-08 United Microelectronics Corporation Color filter layer and method of fabricating the same
US9537040B2 (en) 2013-05-09 2017-01-03 United Microelectronics Corp. Complementary metal-oxide-semiconductor image sensor and manufacturing method thereof
US9129876B2 (en) 2013-05-28 2015-09-08 United Microelectronics Corp. Image sensor and process thereof
US9054106B2 (en) 2013-11-13 2015-06-09 United Microelectronics Corp. Semiconductor structure and method for manufacturing the same
US9841319B2 (en) 2013-11-19 2017-12-12 United Microelectronics Corp. Light detecting device
CN104332393B (zh) * 2014-10-17 2017-01-25 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 一种制备tsv立体集成rdl电镀掩膜的厚胶工艺
US11081424B2 (en) 2019-06-18 2021-08-03 International Business Machines Corporation Micro-fluidic channels having various critical dimensions

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4567132A (en) * 1984-03-16 1986-01-28 International Business Machines Corporation Multi-level resist image reversal lithography process
US4612275A (en) * 1985-04-26 1986-09-16 International Business Machines Corporation Multilayer resists with improved sensitivity and reduced proximity effect

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3482977A (en) * 1966-02-11 1969-12-09 Sylvania Electric Prod Method of forming adherent masks on oxide coated semiconductor bodies
US3518084A (en) * 1967-01-09 1970-06-30 Ibm Method for etching an opening in an insulating layer without forming pinholes therein
US3506441A (en) * 1967-06-02 1970-04-14 Rca Corp Double photoresist processing
JPS5421089B2 (zh) * 1973-05-29 1979-07-27
US3849136A (en) * 1973-07-31 1974-11-19 Ibm Masking of deposited thin films by use of a masking layer photoresist composite
US3982943A (en) * 1974-03-05 1976-09-28 Ibm Corporation Lift-off method of fabricating thin films and a structure utilizable as a lift-off mask
US4022927A (en) * 1975-06-30 1977-05-10 International Business Machines Corporation Methods for forming thick self-supporting masks
US4123272A (en) * 1977-05-17 1978-10-31 E. I. Du Pont De Nemours And Company Double-negative positive-working photohardenable elements
US4859573A (en) * 1984-08-13 1989-08-22 Ncr Corporation Multiple photoresist layer process using selective hardening
JPS63170917A (ja) * 1987-01-09 1988-07-14 Nec Corp 微細パタ−ンの形成方法
JPH01129417A (ja) * 1987-11-16 1989-05-22 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体素子における微細パターンの形成方法
US4885262A (en) * 1989-03-08 1989-12-05 Intel Corporation Chemical modification of spin-on glass for improved performance in IC fabrication
US5117276A (en) * 1989-08-14 1992-05-26 Fairchild Camera And Instrument Corp. High performance interconnect system for an integrated circuit
US5143820A (en) * 1989-10-31 1992-09-01 International Business Machines Corporation Method for fabricating high circuit density, self-aligned metal linens to contact windows
US5229257A (en) * 1990-04-30 1993-07-20 International Business Machines Corporation Process for forming multi-level coplanar conductor/insulator films employing photosensitive polymide polymer compositions
US5275913A (en) * 1990-05-08 1994-01-04 Industrial Technology Research Institute Method for preparing resist patterns utilizing solvent development with subsequent resist pattern transfer, via a photo-hardening liquid adhesive, to a receiver substrate and oxygen reactive ion etching
US5304453A (en) * 1991-07-11 1994-04-19 Industrial Technology Research Institute Method for preparing resist patterns through image layer transfer to a receiver substrate, via a photo-hardening organic liquid adhesive, with subsequent oxygen reactive ion etching
DE4231312C2 (de) * 1992-09-18 1996-10-02 Siemens Ag Antireflexschicht und Verfahren zur lithografischen Strukturierung einer Schicht
DE4440230C2 (de) * 1993-11-10 1999-03-18 Hyundai Electronics Ind Verfahren zur Bildung feiner Strukturen eines Halbleiterbauelements
KR0119377B1 (ko) * 1993-12-10 1997-09-30 김주용 반도체장치 제조방법
DE4400315C1 (de) * 1994-01-07 1995-01-12 Kernforschungsz Karlsruhe Verfahren zum stufenweisen Aufbau von Mikrostrukturkörpern und damit hergestellter Mikrostrukturkörper
GB2291207B (en) * 1994-07-14 1998-03-25 Hyundai Electronics Ind Method for forming resist patterns

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4567132A (en) * 1984-03-16 1986-01-28 International Business Machines Corporation Multi-level resist image reversal lithography process
US4612275A (en) * 1985-04-26 1986-09-16 International Business Machines Corporation Multilayer resists with improved sensitivity and reduced proximity effect

Also Published As

Publication number Publication date
CN1119340A (zh) 1996-03-27
GB2291207A (en) 1996-01-17
GB2291207B (en) 1998-03-25
JPH08190203A (ja) 1996-07-23
JP2731516B2 (ja) 1998-03-25
US5989788A (en) 1999-11-23
DE19525745A1 (de) 1996-01-18
US5830624A (en) 1998-11-03
DE19525745B4 (de) 2006-04-13
GB9514185D0 (en) 1995-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1042776C (zh) 用以形成抗蚀图形的方法
EP0773477B1 (en) Process for producing a phase shift photomask
US5541037A (en) Anti-reflective material and patterning method
JP2846761B2 (ja) 伝導層パターン形成方法
US5370969A (en) Trilayer lithographic process
CN1066829C (zh) 形成图形的方法
US20060051956A1 (en) Imageable bottom anti-reflective coating for high resolution lithography
KR20100085003A (ko) 마스크 블랭크 및 그 제조방법
US8007979B2 (en) Acrylic polymer-containing gap fill material forming composition for lithography
US6610616B2 (en) Method for forming micro-pattern of semiconductor device
KR0119377B1 (ko) 반도체장치 제조방법
US7169716B2 (en) Photosensitive lacquer for providing a coating on a semiconductor substrate or a mask
JPH05234965A (ja) コンタクトホールの形成方法
CN1197285A (zh) 抗反射膜材料以及利用所述材料制造半导体器件的方法
US6815367B2 (en) Elimination of resist footing on tera hardmask
Ong et al. A two‐layer photoresist process for patterning high‐reflectivity substrates
KR100274149B1 (ko) 금속막 패턴닝 방법
JPH02156244A (ja) パターン形成方法
JP2875123B2 (ja) レジストパターン形成方法
KR960009098B1 (ko) 반도체 소자의 배선형성방법
KR19990057381A (ko) 반도체 소자의 미세패턴 제조방법
KR0144420B1 (ko) 리소그라피 공정방법
JPS61241745A (ja) ネガ型フオトレジスト組成物及びレジストパタ−ン形成方法
KR100323443B1 (ko) 반도체소자의제조방법
CN1427452A (zh) 图案化光阻的形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 19990331

Termination date: 20130714