JPS6355693B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6355693B2 JPS6355693B2 JP6690980A JP6690980A JPS6355693B2 JP S6355693 B2 JPS6355693 B2 JP S6355693B2 JP 6690980 A JP6690980 A JP 6690980A JP 6690980 A JP6690980 A JP 6690980A JP S6355693 B2 JPS6355693 B2 JP S6355693B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- developer
- development
- resin
- photoresist
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ポジテイブ型フオトレジストの現像
液に関する。詳しくは、滴下式連続現像方式に好
適なポジテイブ型フオトレジストの現像液に関す
る。
液に関する。詳しくは、滴下式連続現像方式に好
適なポジテイブ型フオトレジストの現像液に関す
る。
ポジテイブ型フオトレジストは、一般に、ある
種の高分子化合物よりなる感光性物質をある種の
樹脂に溶解して製造してあり、フオトエツチング
のために使用するにあたつては、これを被エツチ
ング体に薄く塗布した後、フオトマスクを使用し
て選択的に露光し、フオトレジスト薄膜中に含ま
れる感光性物質を選択的に感光させてこれに化学
的変質を与え、その後、これに現像液を接触させ
て、前記のフオトレジスト薄膜の感光済みの領域
のみを選択的に溶解除去し、前記のフオトレジス
ト薄膜に、フオトマスクのパターンと同一のパタ
ーンを形成するものである。したがつて、ポジテ
イブ型フオトレジスト現像液は、フオトレジスト
中に含まれる感光性物質を、それが未感光の状態
において溶解しないが、それが感光済みの状態に
おいて溶解する性質を有するとともに、フオトレ
ジストの溶媒たる樹脂もこれを溶解する性質を有
する。そのため、フオトレジスト膜を選択的に露
光した後現像液に接触すると、感光済みの前記感
光物質とフオトレジスト膜の基材をなしている樹
脂とが選択的に溶解し、未感光の前記感光物質と
その存在によつて現像液との接触が妨げられる領
域にある基材たる樹脂とが未溶解で残留し、フオ
トレジスト薄膜に、フオトマスクのパターンと同
一のパターンを形成する。
種の高分子化合物よりなる感光性物質をある種の
樹脂に溶解して製造してあり、フオトエツチング
のために使用するにあたつては、これを被エツチ
ング体に薄く塗布した後、フオトマスクを使用し
て選択的に露光し、フオトレジスト薄膜中に含ま
れる感光性物質を選択的に感光させてこれに化学
的変質を与え、その後、これに現像液を接触させ
て、前記のフオトレジスト薄膜の感光済みの領域
のみを選択的に溶解除去し、前記のフオトレジス
ト薄膜に、フオトマスクのパターンと同一のパタ
ーンを形成するものである。したがつて、ポジテ
イブ型フオトレジスト現像液は、フオトレジスト
中に含まれる感光性物質を、それが未感光の状態
において溶解しないが、それが感光済みの状態に
おいて溶解する性質を有するとともに、フオトレ
ジストの溶媒たる樹脂もこれを溶解する性質を有
する。そのため、フオトレジスト膜を選択的に露
光した後現像液に接触すると、感光済みの前記感
光物質とフオトレジスト膜の基材をなしている樹
脂とが選択的に溶解し、未感光の前記感光物質と
その存在によつて現像液との接触が妨げられる領
域にある基材たる樹脂とが未溶解で残留し、フオ
トレジスト薄膜に、フオトマスクのパターンと同
一のパターンを形成する。
ところが、露光済みのフオトレジスト膜を現像
液に接触させるとき、現像液が新しいと、感光済
みの領域にあるフオトレジスト膜の一部、特にそ
の表面の部分が溶解されずに残留することが経験
的に知られている。又、同時に、同一の現像液を
使用して若干の数量のフオトレジスト膜を現像し
た後は、つまり、現像液が多少古くなると、かゝ
る現像が発生しないことも経験的に知られてい
る。そこで、従来技術にあつては、新しい現像液
を使用する場合、当初数枚のダミーウエーハを現
像し、現像液を多少古くしてから製品ウエーハの
現像を行なつている。しかしこのために、(1)附加
的工程が必要であり、(2)その附加的工程の依拠す
る技術が経験的なものであり、結果的にその取り
扱いが繁煩であり、(3)製品ウエーハの数量の数％
の数量のダミーウエーハを必要とする他、(4)現像
液を滴下してなす連続現像方式に適用しにくい面
を含むという欠点があつた。
液に接触させるとき、現像液が新しいと、感光済
みの領域にあるフオトレジスト膜の一部、特にそ
の表面の部分が溶解されずに残留することが経験
的に知られている。又、同時に、同一の現像液を
使用して若干の数量のフオトレジスト膜を現像し
た後は、つまり、現像液が多少古くなると、かゝ
る現像が発生しないことも経験的に知られてい
る。そこで、従来技術にあつては、新しい現像液
を使用する場合、当初数枚のダミーウエーハを現
像し、現像液を多少古くしてから製品ウエーハの
現像を行なつている。しかしこのために、(1)附加
的工程が必要であり、(2)その附加的工程の依拠す
る技術が経験的なものであり、結果的にその取り
扱いが繁煩であり、(3)製品ウエーハの数量の数％
の数量のダミーウエーハを必要とする他、(4)現像
液を滴下してなす連続現像方式に適用しにくい面
を含むという欠点があつた。
本発明の目的は、この欠点を解消することにあ
り、新しい現像液を使用する場合、ダミーウエー
ハを使用してなす予備的現像を必要とせず、した
がつて、現像液を滴下してなす連続現像方式に好
適なポジテイブ型フオトレジスト現像液を提供す
ることにあり、現像液の成分として、感光済みの
感光性物質と基材たる樹脂とを溶解しうる物質、
すなわち、現像に必須な物質に加えて、少量の基
材たる樹脂そのものを含ませることを要旨とす
る。
り、新しい現像液を使用する場合、ダミーウエー
ハを使用してなす予備的現像を必要とせず、した
がつて、現像液を滴下してなす連続現像方式に好
適なポジテイブ型フオトレジスト現像液を提供す
ることにあり、現像液の成分として、感光済みの
感光性物質と基材たる樹脂とを溶解しうる物質、
すなわち、現像に必須な物質に加えて、少量の基
材たる樹脂そのものを含ませることを要旨とす
る。
以下に、本発明の着想と、その実施例えの具体
化の過程とを説明し、本発明の構成を明らかにす
る。
化の過程とを説明し、本発明の構成を明らかにす
る。
先づ、本発明の発明者は、新しい現像液を使用
する場合、当初数枚のダミーウエーハを現像する
と、上記せる如き欠点、すなわち、感光済みの領
域にあるフオトレジスト膜の一部が溶解されずに
残留する現象が発生しなくなる事実に着目し、こ
の事実から、上記の予備的現像過程において現像
液の成分が変化するものと推定し、感光性物質と
しての０−ナフトキノンジアジドを基材としての
ノボラツク型フエノール樹脂に溶解して製造した
ポジテイブ型フオトレジスト、具体的には例えば
東京応化工業株式会社製OFPR77及びシプレイ社
製AZ1370の薄膜を、テトラメチルアンモニユウ
ムハイドロオクサイドよりなる現像液、具体的に
は例えば東京応化工業株式会社製NMD−を使
用して、前記の予備的現像をなし、その前後にお
ける現像液の化学分析をなしたところ、前記予備
的現像後の現像液１中には0.1〜0.15gr程度の
ノボラツク型フエノール樹脂の存在を確認した。
次に、本発明の発明者は、現像液が新液から現像
回数の増加とともに次第に古液になり、遂には使
用不適に至る過程における単位時間当り現像量、
つまり、現像速度を、上記の実験の場合と同一の
材料を使用して測定したところ、図に示す傾向を
確認した。すなわち、新液ではむしろ遅く、５回
程度の現像を経過する過程において急激に上昇
し、その後飽和し漸減過程を経た約100回程度の
現像に使用の後、急激に減少している。
する場合、当初数枚のダミーウエーハを現像する
と、上記せる如き欠点、すなわち、感光済みの領
域にあるフオトレジスト膜の一部が溶解されずに
残留する現象が発生しなくなる事実に着目し、こ
の事実から、上記の予備的現像過程において現像
液の成分が変化するものと推定し、感光性物質と
しての０−ナフトキノンジアジドを基材としての
ノボラツク型フエノール樹脂に溶解して製造した
ポジテイブ型フオトレジスト、具体的には例えば
東京応化工業株式会社製OFPR77及びシプレイ社
製AZ1370の薄膜を、テトラメチルアンモニユウ
ムハイドロオクサイドよりなる現像液、具体的に
は例えば東京応化工業株式会社製NMD−を使
用して、前記の予備的現像をなし、その前後にお
ける現像液の化学分析をなしたところ、前記予備
的現像後の現像液１中には0.1〜0.15gr程度の
ノボラツク型フエノール樹脂の存在を確認した。
次に、本発明の発明者は、現像液が新液から現像
回数の増加とともに次第に古液になり、遂には使
用不適に至る過程における単位時間当り現像量、
つまり、現像速度を、上記の実験の場合と同一の
材料を使用して測定したところ、図に示す傾向を
確認した。すなわち、新液ではむしろ遅く、５回
程度の現像を経過する過程において急激に上昇
し、その後飽和し漸減過程を経た約100回程度の
現像に使用の後、急激に減少している。
以上の結果にもとづき、本発明の発明者は、テ
トラメチルアンモニユウムハイドロオクサイドよ
りなる現像液にあらかじめ、微量のフエノール樹
脂を混入しておくことが上記の初期不良の発生を
防止するために有効であり、しかも、これは現像
作用に何らの副作用も伴わないものと確信し、テ
トラメチルアンモニユウムハイドロオクサイドに
ノボラツク型フエノール樹脂を混入し、その混入
量を次第に増加して効果確認試験をなしたとこ
ろ、これらの特定の物質の場合、前者１中に後
者0.1〜0.2grが混入すると、上記の初期不良の発
生を防止しうることを確認した。
トラメチルアンモニユウムハイドロオクサイドよ
りなる現像液にあらかじめ、微量のフエノール樹
脂を混入しておくことが上記の初期不良の発生を
防止するために有効であり、しかも、これは現像
作用に何らの副作用も伴わないものと確信し、テ
トラメチルアンモニユウムハイドロオクサイドに
ノボラツク型フエノール樹脂を混入し、その混入
量を次第に増加して効果確認試験をなしたとこ
ろ、これらの特定の物質の場合、前者１中に後
者0.1〜0.2grが混入すると、上記の初期不良の発
生を防止しうることを確認した。
以上の事実にもとづき、本発明の発明者は、感
光物質と樹脂よりなる基材とを混合してなるポジ
テイブ型フオトレジストの薄膜を露光させた後、
これを現像するために使用する現像液において、
感光済みの前記感光性物質と前記樹脂よりなる基
材との双方を溶解しうる溶剤に加えて、少量の前
記樹脂と同一の物質を含有させれば、前記の初期
不良の発生しないポジテイブ型フオトレジスト現
像液を提供しうるものと結論した。
光物質と樹脂よりなる基材とを混合してなるポジ
テイブ型フオトレジストの薄膜を露光させた後、
これを現像するために使用する現像液において、
感光済みの前記感光性物質と前記樹脂よりなる基
材との双方を溶解しうる溶剤に加えて、少量の前
記樹脂と同一の物質を含有させれば、前記の初期
不良の発生しないポジテイブ型フオトレジスト現
像液を提供しうるものと結論した。
本発明により、前記の初期不良の発生は防止さ
れ、ダミーウエーハを使用してなす予備的現像と
いう附加的工程を必要とせず、製品ウエーハ数量
の数％に及ぶダミーウエーハを必要としないとい
う効果を期待することができる。更に本発明によ
れば現像液を滴下してなす連続現像方式が容易に
可能となる事は特筆すべき効果である。
れ、ダミーウエーハを使用してなす予備的現像と
いう附加的工程を必要とせず、製品ウエーハ数量
の数％に及ぶダミーウエーハを必要としないとい
う効果を期待することができる。更に本発明によ
れば現像液を滴下してなす連続現像方式が容易に
可能となる事は特筆すべき効果である。
図は、感光済みポジテイブ型フオトレジストの
現像速度と現像回数の関係を示すグラフである。
現像速度と現像回数の関係を示すグラフである。
Claims (1)
- １ 感光性物質と樹脂よりなる基材とを混合して
なるポジテイブ型フオトレジストを現像するため
の現像液において、感光済みの前記感光性物質と
前記樹脂よりなる基材とを溶解しうる物質に加え
て前記基材をなす樹脂と同一の物質を含有するこ
とを特徴とする、ポジテイブ型フオトレジストの
現像液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6690980A JPS56162746A (en) | 1980-05-20 | 1980-05-20 | Developer for positive type photoresist |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6690980A JPS56162746A (en) | 1980-05-20 | 1980-05-20 | Developer for positive type photoresist |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56162746A JPS56162746A (en) | 1981-12-14 |
| JPS6355693B2 true JPS6355693B2 (ja) | 1988-11-04 |
Family
ID=13329555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6690980A Granted JPS56162746A (en) | 1980-05-20 | 1980-05-20 | Developer for positive type photoresist |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56162746A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH027413A (ja) * | 1988-06-25 | 1990-01-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | コンタクトホール形成法 |
| US5069996A (en) * | 1989-07-24 | 1991-12-03 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Process for developing selected positive photoresists |
| JPH1184679A (ja) * | 1997-09-08 | 1999-03-26 | Nagase & Co Ltd | 感光性樹脂の連続現像方法及び現像開始剤 |
-
1980
- 1980-05-20 JP JP6690980A patent/JPS56162746A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56162746A (en) | 1981-12-14 |
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