JPS59105865A - スプレ−処理装置 - Google Patents
スプレ−処理装置Info
- Publication number
- JPS59105865A JPS59105865A JP21523482A JP21523482A JPS59105865A JP S59105865 A JPS59105865 A JP S59105865A JP 21523482 A JP21523482 A JP 21523482A JP 21523482 A JP21523482 A JP 21523482A JP S59105865 A JPS59105865 A JP S59105865A
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- JP
- Japan
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- substrates
- treated
- processed
- solution
- substrate
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- Spray Control Apparatus (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｔａｌ 発明の技術分野
本発明はスプレーで溶液を注いで被処理基板に洗浄やエ
ツチングなどの処理を行うスプレ一方式の処理装置に関
する。
ツチングなどの処理を行うスプレ一方式の処理装置に関
する。
（ｂ） 従来技術と問題点
半導体集債回路（ＩＣ）など半導体装置を製造する際に
、半導体基板上に素子”を形成するウェハープロセスが
あり、このプロセスでは化学薬品溶液や洗浄液でエツチ
ングや洗浄する処理工程が繰り返えしおこなわれる。
、半導体基板上に素子”を形成するウェハープロセスが
あり、このプロセスでは化学薬品溶液や洗浄液でエツチ
ングや洗浄する処理工程が繰り返えしおこなわれる。
従来、このような溶液処理工程は容器に溜めた溶液に被
処理基板を浸種する方法が主体であったが、最近ではス
プレー（Ｓ ｐｒａｙ）で被処理基板に溶液を注いで処
理するスプレー処理方法が採られてるようになってきた
。
処理基板を浸種する方法が主体であったが、最近ではス
プレー（Ｓ ｐｒａｙ）で被処理基板に溶液を注いで処
理するスプレー処理方法が採られてるようになってきた
。
例えば、半導体基板面にレジスト膜を塗布し露光した後
、現像してレジスト膜パターンを形成し、そのレジスト
膜パターンをマスクにしてエツチングするフォトプロセ
スでは、現像、洗浄、エツチング、洗浄並びに乾燥をス
プレー処理で行うもので、また、このようなフォトプロ
セスに用いるフォトマスクなどもこの半導体基板と同様
に処理することができ、更に半導体装置以外の電子部品
にも適用できる方法である。
、現像してレジスト膜パターンを形成し、そのレジスト
膜パターンをマスクにしてエツチングするフォトプロセ
スでは、現像、洗浄、エツチング、洗浄並びに乾燥をス
プレー処理で行うもので、また、このようなフォトプロ
セスに用いるフォトマスクなどもこの半導体基板と同様
に処理することができ、更に半導体装置以外の電子部品
にも適用できる方法である。
このスプレー処理方法は、従来の浸種処理方法に比べて
絶えず新しい液に接する方法であるから処理によるバラ
ツキ、例えば上記例では現像ムラやエツチングムラが少
なくなる利点があり、しかも使用液量が少なくて済み、
且つ処理時間が早くなるメリットのある方法である。
絶えず新しい液に接する方法であるから処理によるバラ
ツキ、例えば上記例では現像ムラやエツチングムラが少
なくなる利点があり、しかも使用液量が少なくて済み、
且つ処理時間が早くなるメリットのある方法である。
このような処理を行うスプレー処理装置の断面概要図を
第１図に示す。図において、１は被処理基板、２は保持
台、３は中心軸、４はノズル、５は容器で、被処理基板
１には回転する中心軸３によって２００回／分の回転が
与えられ、ノズル４から処理液あるいはガスが注がれて
被処理基板が処理される構造である。
第１図に示す。図において、１は被処理基板、２は保持
台、３は中心軸、４はノズル、５は容器で、被処理基板
１には回転する中心軸３によって２００回／分の回転が
与えられ、ノズル４から処理液あるいはガスが注がれて
被処理基板が処理される構造である。
しかしながら、いくら処理時間が早くても被処理基板を
１個ずつ処理する装置であるから多数個の処理には時間
がかかり、スループットが極めて悪い欠点がある。且つ
、中心軸３によって回転するため中心に位置する被処理
基板の中心部と周囲部とでは注がれた溶液の流れに相違
が生じ、中心部では処理がはやく周囲部では処理が遅く
なってなおバラツキを生れる問題がある。
１個ずつ処理する装置であるから多数個の処理には時間
がかかり、スループットが極めて悪い欠点がある。且つ
、中心軸３によって回転するため中心に位置する被処理
基板の中心部と周囲部とでは注がれた溶液の流れに相違
が生じ、中心部では処理がはやく周囲部では処理が遅く
なってなおバラツキを生れる問題がある。
（Ｃ１発明の目的
本発明はこのような欠点を無くして量産に適したスプレ
ー処理装置を提唱するものである。
ー処理装置を提唱するものである。
＋ｄ＋ 発明の構成
その目的は、容器上部側方に設けたノズルから容器内の
斜め下方に向かって処理液を噴射するスプレー処理装置
であって、複数の被処理基板がノズルに対面するように
傾斜してアーム先端の保持台に保持され、且つ該被処理
基板が個々に保持台上で回転する機能を設けたスプレー
処理装置によって達成することができる。
斜め下方に向かって処理液を噴射するスプレー処理装置
であって、複数の被処理基板がノズルに対面するように
傾斜してアーム先端の保持台に保持され、且つ該被処理
基板が個々に保持台上で回転する機能を設けたスプレー
処理装置によって達成することができる。
（ｅｌ 発明の実施例
以下１図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第２図は本発明にかかるスプレー処理装置の断面概要図
である。
である。
図において第１図と同一部位には同一符号を付している
が、本発明では中心軸３に対してアーム６を直角に取り
つけ、中心軸３を回転してベベルギヤーによりアーム６
に例えば３０回／分あ回転を与える。そうすると、被処
理基板ｌを保持した保持台２が同様に回転する。゛アー
ム６ば例えば４個設けて、４個の被処理基板１を同時に
回転させ、それに相対してノズルを４個設置する。また
、被処理基板１を保持した保持台２は垂直位置より３０
度の傾斜を与えて保持し、回転する。このようにして、
ノズルから溶液を噴射すれば回転する被処理基板面は均
一に溶液と接して平均して処理され、溶液は自然に流下
する。
が、本発明では中心軸３に対してアーム６を直角に取り
つけ、中心軸３を回転してベベルギヤーによりアーム６
に例えば３０回／分あ回転を与える。そうすると、被処
理基板ｌを保持した保持台２が同様に回転する。゛アー
ム６ば例えば４個設けて、４個の被処理基板１を同時に
回転させ、それに相対してノズルを４個設置する。また
、被処理基板１を保持した保持台２は垂直位置より３０
度の傾斜を与えて保持し、回転する。このようにして、
ノズルから溶液を噴射すれば回転する被処理基板面は均
一に溶液と接して平均して処理され、溶液は自然に流下
する。
上記例はアームを固定した実施例であるが、少しアーム
の支持構造を変えて、中心軸をも同時に回転する遊星運
動機能を与えてもよい。第３図はベベルギヤ一部分図で
、７が歯車である。被処理基板１の保持には機械的受け
あるいは真空チー１−ンクの何れでもよいが、真空ヂャ
ツクの場合は中心軸より吸引してベベルギヤ一部分を気
密に保つ必要がある。
の支持構造を変えて、中心軸をも同時に回転する遊星運
動機能を与えてもよい。第３図はベベルギヤ一部分図で
、７が歯車である。被処理基板１の保持には機械的受け
あるいは真空チー１−ンクの何れでもよいが、真空ヂャ
ツクの場合は中心軸より吸引してベベルギヤ一部分を気
密に保つ必要がある。
第２図に示すスプレー処理装置を用い、第４図に示すフ
ォトマスクを処理する例を説明する。第４図において、
ＩＯはガラス基板、１１はクロム膜、１２は既に昨光処
理したポジ型レジスト膜パターンで、１２ａは未露光部
、１２ｂは露光部である。このように露光した基板をス
プレー処理装置に装着して、最初にノズルから現像液を
１分間噴射して現像し、露光部１２ｂを除去する。次い
で同ノズルから水を３０秒間噴射して水洗し、次いでク
ロムのエソチンダ液を１分間噴射して露出部のクロムを
エツチングし、更に水を３０秒間噴射して水洗する。そ
して最後に同じノズルから乾燥空気を３０秒間噴射して
乾燥させる。
ォトマスクを処理する例を説明する。第４図において、
ＩＯはガラス基板、１１はクロム膜、１２は既に昨光処
理したポジ型レジスト膜パターンで、１２ａは未露光部
、１２ｂは露光部である。このように露光した基板をス
プレー処理装置に装着して、最初にノズルから現像液を
１分間噴射して現像し、露光部１２ｂを除去する。次い
で同ノズルから水を３０秒間噴射して水洗し、次いでク
ロムのエソチンダ液を１分間噴射して露出部のクロムを
エツチングし、更に水を３０秒間噴射して水洗する。そ
して最後に同じノズルから乾燥空気を３０秒間噴射して
乾燥させる。
また、上記の中心軸をも同時に回転する遊星運動機能を
与えた場合には被処理基板（フォトマスク）が中心軸を
中心にして回転するからノズルを現像液用、水洗浄水用
、エン・チンダ液用など別々に設けて容器５の側面上方
に多数設置しても良い。
与えた場合には被処理基板（フォトマスク）が中心軸を
中心にして回転するからノズルを現像液用、水洗浄水用
、エン・チンダ液用など別々に設けて容器５の側面上方
に多数設置しても良い。
Ｔｆｌ 発明の効果
以上の実施例から判るように、本発明は被処理基板を多
数個同時に処理できるスプレー処理装置で、しかも処理
ムラも一層少なくなって、半導体装置など電子部品の高
品質化と低コスト化に極めて寄与するものである。
数個同時に処理できるスプレー処理装置で、しかも処理
ムラも一層少なくなって、半導体装置など電子部品の高
品質化と低コスト化に極めて寄与するものである。
第１図は従来のスプレー処理装置の断面構造図。
第２図は本発明にかるスプレー処理装置の断面構造図、
第３図はベベルギヤ一部分図、第４図は被処理基板例と
してのフォトマスク断面図である。 図中、１は被処理基板、２は保持台、３は中心軸、４は
ノズル、５は容器、６はアーム、７はベベルギヤーの歯
車、１０はガラス基板を示している。 第 １ 図 第２図 第３１！Ｗ 、８４図 ＋７ｂ
第３図はベベルギヤ一部分図、第４図は被処理基板例と
してのフォトマスク断面図である。 図中、１は被処理基板、２は保持台、３は中心軸、４は
ノズル、５は容器、６はアーム、７はベベルギヤーの歯
車、１０はガラス基板を示している。 第 １ 図 第２図 第３１！Ｗ 、８４図 ＋７ｂ
Claims (1)
- 容器上部側方に設けたノズルから容器内の斜め下方に向
かって処理液を噴射するスプレー処理装置であって、複
数の被処理基板がノズルに対面するように傾斜してアー
ム先端の保持台に保持され、且つ該被処理基板が個々に
保持台上で回転する、機能を設けたことを特徴とするス
プレー処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21523482A JPS59105865A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | スプレ−処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21523482A JPS59105865A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | スプレ−処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59105865A true JPS59105865A (ja) | 1984-06-19 |
| JPS6241792B2 JPS6241792B2 (ja) | 1987-09-04 |
Family
ID=16668930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21523482A Granted JPS59105865A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | スプレ−処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59105865A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102289120B1 (ko) * | 2021-04-20 | 2021-08-12 | 주식회사 세미안 | 전자현미경용 이온 스퍼터 및 이온 스퍼터용 시료 회전장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5540756U (ja) * | 1978-09-11 | 1980-03-15 |
-
1982
- 1982-12-07 JP JP21523482A patent/JPS59105865A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5540756U (ja) * | 1978-09-11 | 1980-03-15 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102289120B1 (ko) * | 2021-04-20 | 2021-08-12 | 주식회사 세미안 | 전자현미경용 이온 스퍼터 및 이온 스퍼터용 시료 회전장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6241792B2 (ja) | 1987-09-04 |
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