JPH03212930A - レジスト現像装置 - Google Patents
レジスト現像装置Info
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- JPH03212930A JPH03212930A JP938490A JP938490A JPH03212930A JP H03212930 A JPH03212930 A JP H03212930A JP 938490 A JP938490 A JP 938490A JP 938490 A JP938490 A JP 938490A JP H03212930 A JPH03212930 A JP H03212930A
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- Japan
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- development
- wafer
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- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
この発明は、半１体製造プロセス技術に関するものであ
る。
る。
第３図は従来のディング方式のレジスト現像装置の断面
図、第４図は従来のノくドル方式のレジスト現像装置の
断面図である０図において、（１）はウニ”、（２）ｄ
ウエノ・チャック、（３）は液槽、［４）Ｕｆｆｌ像液
、（５）はノズルである０ 次に動作について説明する。
図、第４図は従来のノくドル方式のレジスト現像装置の
断面図である０図において、（１）はウニ”、（２）ｄ
ウエノ・チャック、（３）は液槽、［４）Ｕｆｆｌ像液
、（５）はノズルである０ 次に動作について説明する。
（イ）デイツプ方式
第３図に示すごとく、液槽（３）内のウェハチャック（
２）上に手動又は自動的に移動されたウエノ（１）は現
像液（４）中に浸され、静止状態父はモータ等による回
転状態を約１分間程度保ち、レジストを現像する。
２）上に手動又は自動的に移動されたウエノ（１）は現
像液（４）中に浸され、静止状態父はモータ等による回
転状態を約１分間程度保ち、レジストを現像する。
（ロ） バドル１式
第４図に示すごとく、液槽（３）中のウェハチャック（
２）上に手動又は自動的に移動されたウェハ（１）上に
、ノズル（５）より現像液（４）が吐出され、現像液（
４）が盛られ、静止状態又はモータ等による回転状態を
約１分間程度保ち、レジスト現像する。
２）上に手動又は自動的に移動されたウェハ（１）上に
、ノズル（５）より現像液（４）が吐出され、現像液（
４）が盛られ、静止状態又はモータ等による回転状態を
約１分間程度保ち、レジスト現像する。
〔発明が解決しようとする課題］
従来のレジスト現像装置は以上のように構成されている
ので、半１体の集積度が増し、パターンが微細化してく
ると、露光部、未露光部の間隔が狭くなシ現像液の回勺
込みが悪化する。特にウェハを静止させた′１まの現像
法では、この現像が顕著で最悪の場合、未現像部が発生
しパターンが解像不良を起こし、デバイスに決定的な欠
陥を与えかねない。
ので、半１体の集積度が増し、パターンが微細化してく
ると、露光部、未露光部の間隔が狭くなシ現像液の回勺
込みが悪化する。特にウェハを静止させた′１まの現像
法では、この現像が顕著で最悪の場合、未現像部が発生
しパターンが解像不良を起こし、デバイスに決定的な欠
陥を与えかねない。
これを改善する為にモータ等にニジ、ウエノ・をゆつく
ジとステップ回転させたりするなどの措置をとっている
が、今後のサブミクロンデノ（イスに対しては完全では
ない。
ジとステップ回転させたりするなどの措置をとっている
が、今後のサブミクロンデノ（イスに対しては完全では
ない。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、パターンの微細部分にも十分な現像液を常に
供給することを可能にし、現像マージンを向上させる事
を目的とする。
たもので、パターンの微細部分にも十分な現像液を常に
供給することを可能にし、現像マージンを向上させる事
を目的とする。
この発明に係るレジスト現像装置は、現像処理中にウェ
ハ又は現像液等を超音波器で加振させ。
ハ又は現像液等を超音波器で加振させ。
パターンの微細部分にも十分な現像液の回り込みを達成
するとともに、露光部のレジストがアルカリ現像液中に
溶解する反応を促進させるものである０ 〔作用〕 この発明におけるウエノ・又は現像液等の超音波による
加振は、パターンの微細部分への現像液の凹シ込みを促
進し、溶解したレジストと現像液の置換を容易にする。
するとともに、露光部のレジストがアルカリ現像液中に
溶解する反応を促進させるものである０ 〔作用〕 この発明におけるウエノ・又は現像液等の超音波による
加振は、パターンの微細部分への現像液の凹シ込みを促
進し、溶解したレジストと現像液の置換を容易にする。
次にこの発明に係るレジスト現像装置の実施例を図によ
って説明する。
って説明する。
第１図は従来のデイツプ方式のレジスト現像装置に超音
波加振器を取り付けた場合の断面図、第２図は従来のパ
ドル方式のレジスト現像装置に超音波加振器を取シ付け
た場合の断面図である。図において、＋１）〜（５）は
第３図及び第４図の従来例に示し友ものと同等であるの
で説明を省略する。第１図において、液槽（３）の外壁
に取り付けた超音波加振器（６）は、ウェハ（１）現像
中に現像液（４）、ウエノ・（１）等を振動させる。ｉ
友、第２図において、超音波加振器（６）はウェハ（１
）を振動させる。
波加振器を取り付けた場合の断面図、第２図は従来のパ
ドル方式のレジスト現像装置に超音波加振器を取シ付け
た場合の断面図である。図において、＋１）〜（５）は
第３図及び第４図の従来例に示し友ものと同等であるの
で説明を省略する。第１図において、液槽（３）の外壁
に取り付けた超音波加振器（６）は、ウェハ（１）現像
中に現像液（４）、ウエノ・（１）等を振動させる。ｉ
友、第２図において、超音波加振器（６）はウェハ（１
）を振動させる。
次に動作について説明する。上記のように現像液（４）
やウェハ（１）全振動させると、現像液（４）がかくは
んされ、現像が進行するにつれて生ずる現像液（４）の
＠度の不均一が解消されるとともに、力学的圧力波がパ
ターンの微細部分への現像液（４）の回り込みを促す。
やウェハ（１）全振動させると、現像液（４）がかくは
んされ、現像が進行するにつれて生ずる現像液（４）の
＠度の不均一が解消されるとともに、力学的圧力波がパ
ターンの微細部分への現像液（４）の回り込みを促す。
なお、上記実施例では現像時のみ加振する例を示したが
、現像後の水洗時に用いても、水洗の効果を上げること
ができる。
、現像後の水洗時に用いても、水洗の効果を上げること
ができる。
以上のようにこの発明によれば超音波加振器の動作によ
り、パターン微細部での現像不良を防止し、現像の均一
性を改善する。また、現像反応の促進による処理時間の
短縮、プロセスマージンの向上等の効果がある。
り、パターン微細部での現像不良を防止し、現像の均一
性を改善する。また、現像反応の促進による処理時間の
短縮、プロセスマージンの向上等の効果がある。
第１図及び第２図はこの発明に係る超音波を用いたレジ
スト現像装置の実施例を示す断面図で。 第１図はデイツプ方式の現像装置、第２図はパドル方式
の現像装置を示す図である。第３図は従来のデイツプ方
式のレジスト現像装置の断面図、第４図は従来のパドル
方式のレジスト現像装置を示す断面図である。 図に２いて、ｒｌｌｒｉウエノ１．＋２１はウエノ）チ
ャック、＋３１ ｒｉ液槽、（４）は現像液、（５）は
ノズル、（６）は超音波加振器である０ なお１図中、同一符号は同一 又は相当部分を示す。
スト現像装置の実施例を示す断面図で。 第１図はデイツプ方式の現像装置、第２図はパドル方式
の現像装置を示す図である。第３図は従来のデイツプ方
式のレジスト現像装置の断面図、第４図は従来のパドル
方式のレジスト現像装置を示す断面図である。 図に２いて、ｒｌｌｒｉウエノ１．＋２１はウエノ）チ
ャック、＋３１ ｒｉ液槽、（４）は現像液、（５）は
ノズル、（６）は超音波加振器である０ なお１図中、同一符号は同一 又は相当部分を示す。
Claims (1)
- レジスト現像装置において、現像処理中に、ウェハ又は
現像液等を超音波により加振させる事により、レジスト
が現像液中に溶解する反応を促進させることを特徴とす
るレジスト現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP938490A JPH03212930A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | レジスト現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP938490A JPH03212930A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | レジスト現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03212930A true JPH03212930A (ja) | 1991-09-18 |
Family
ID=11718956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP938490A Pending JPH03212930A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | レジスト現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03212930A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0769725A3 (en) * | 1995-10-20 | 1997-10-15 | Texas Instruments Inc | Method and apparatus for developing photoresists |
| KR100758810B1 (ko) * | 2006-07-04 | 2007-09-13 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 현상 장치 및 이를 이용한 감광막 현상 방법 |
-
1990
- 1990-01-17 JP JP938490A patent/JPH03212930A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0769725A3 (en) * | 1995-10-20 | 1997-10-15 | Texas Instruments Inc | Method and apparatus for developing photoresists |
| KR100758810B1 (ko) * | 2006-07-04 | 2007-09-13 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 현상 장치 및 이를 이용한 감광막 현상 방법 |
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