JPH05136045A - 現像方法 - Google Patents
現像方法Info
- Publication number
- JPH05136045A JPH05136045A JP29901091A JP29901091A JPH05136045A JP H05136045 A JPH05136045 A JP H05136045A JP 29901091 A JP29901091 A JP 29901091A JP 29901091 A JP29901091 A JP 29901091A JP H05136045 A JPH05136045 A JP H05136045A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- developing
- development
- semiconductor substrate
- substrate
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 現像時間の短縮および現像残りを解消する現
像方法を提供することである。 【構成】 フォトレジスト２が塗布され露光処理してあ
る半導体基板１を、真空チャック３により固定する。そ
して、モータ６により半導体基板１を回転させ、半導体
基板１の上を現像液により均一に覆った後、モータ６に
よる回転を停止する。次にシャフト４等を介して超音波
振動子７の振動を半導体基板１に伝えて現像を行なう。
像方法を提供することである。 【構成】 フォトレジスト２が塗布され露光処理してあ
る半導体基板１を、真空チャック３により固定する。そ
して、モータ６により半導体基板１を回転させ、半導体
基板１の上を現像液により均一に覆った後、モータ６に
よる回転を停止する。次にシャフト４等を介して超音波
振動子７の振動を半導体基板１に伝えて現像を行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、現像方法に関するもの
である。
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えばフォトリソグラフィーにお
ける現像方法は、例えば、半導体基板等に塗布した現像
対象となるフォトレジストに露光処理を行なったのち、
現像液に基板を所定時間浸漬する方法が一般的である。
ける現像方法は、例えば、半導体基板等に塗布した現像
対象となるフォトレジストに露光処理を行なったのち、
現像液に基板を所定時間浸漬する方法が一般的である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の現像方法では、
現像液と現像対象となるフォトレジストとの反応に費や
す時間が大きかった。
現像液と現像対象となるフォトレジストとの反応に費や
す時間が大きかった。
【０００４】また、現像後の基板上に、所定時間中に反
応しきれなかった現像残りがしばしば生じ、プラズマ処
理などによる現像残り除去作業が必要であった。
応しきれなかった現像残りがしばしば生じ、プラズマ処
理などによる現像残り除去作業が必要であった。
【０００５】本発明の目的は、現像時間の短縮と現像残
りを解消することである。
りを解消することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、現像対象を超音波振動させて現像を行な
うものである。
成するために、現像対象を超音波振動させて現像を行な
うものである。
【０００７】上記現像対象は、例えば、半導体基板に塗
布したレジストである。
布したレジストである。
【０００８】そして、現像対象を浸漬させた現像液を超
音波により振動させながら現像してもよい。
音波により振動させながら現像してもよい。
【０００９】また、上記現像対象は、例えば、半導体基
板に塗布したレジストである。
板に塗布したレジストである。
【００１０】
【実施例】以下、図面に示す一実施例に基づいて具体的
に説明する。
に説明する。
【００１１】図１において、１は半導体基板であり、現
像対象であるフォトレジスト２が塗布されている。３は
真空チャックで、半導体基板１を固定する。４はシャフ
ト、５は現像液ドレン、６はモータ、７は超音波振動子
で、シャフト４等を介して半導体基板１を超音波振動さ
せる。
像対象であるフォトレジスト２が塗布されている。３は
真空チャックで、半導体基板１を固定する。４はシャフ
ト、５は現像液ドレン、６はモータ、７は超音波振動子
で、シャフト４等を介して半導体基板１を超音波振動さ
せる。
【００１２】次に動作を説明する。
【００１３】フォトレジスト２が塗布され露光処理が終
了した半導体基板１を、真空チャック３により固定す
る。次にモータ６により半導体基板１を回転させ、半導
体基板１の上を現像液により均一に覆った後、モータ６
による回転を停止し、シャフト４等を介して超音波振動
子７の振動を半導体基板１に伝えて現像を行なう。
了した半導体基板１を、真空チャック３により固定す
る。次にモータ６により半導体基板１を回転させ、半導
体基板１の上を現像液により均一に覆った後、モータ６
による回転を停止し、シャフト４等を介して超音波振動
子７の振動を半導体基板１に伝えて現像を行なう。
【００１４】これらの現像処理は、プログラムによりコ
ントロ―ルされている。
ントロ―ルされている。
【００１５】上記のように現像対象であるフォトレジス
トに振動を与えることにより、フォトレジストが活性化
された状態になる。よって、フォトレジストの反応時
間、すなわち現像処理時間が短くなる。また、現像残り
の発生もレジストが活性化することにより抑制できる。
トに振動を与えることにより、フォトレジストが活性化
された状態になる。よって、フォトレジストの反応時
間、すなわち現像処理時間が短くなる。また、現像残り
の発生もレジストが活性化することにより抑制できる。
【００１６】上記の実施例では、枚葉処理に本発明の現
像方法を適用したものを示したが、バッジ処理に本発明
の現像方法を用いた例を説明する。
像方法を適用したものを示したが、バッジ処理に本発明
の現像方法を用いた例を説明する。
【００１７】フォトレジストが塗布され露光処理が終了
した基板等を現像液に浸漬し、現像液の収納容器に取り
付けた超音波振動子により現像液に振動を与えて現像を
行なう。
した基板等を現像液に浸漬し、現像液の収納容器に取り
付けた超音波振動子により現像液に振動を与えて現像を
行なう。
【００１８】本例でも、上記実施例と同様に、現像処理
時間の短縮および現像残りの発生を抑制できる。
時間の短縮および現像残りの発生を抑制できる。
【００１９】なお、上記実施例では現像対象としてフォ
トレジストを用いたが、現像対象は上記フォトレジスト
に限らず、現像液によって現像処理を行なうものであれ
ばよい。
トレジストを用いたが、現像対象は上記フォトレジスト
に限らず、現像液によって現像処理を行なうものであれ
ばよい。
【００２０】
【発明の効果】本発明では、現像対象を超音波振動させ
て現像を行なうことにより、現像処理時間の短縮および
現像残りの発生を抑制できる。
て現像を行なうことにより、現像処理時間の短縮および
現像残りの発生を抑制できる。
【００２１】また、現像対象を浸漬させた現像液を超音
波により振動させながら現像することによっても、上記
同様に、現像処理時間の短縮および現像残りの発生を抑
制できる。
波により振動させながら現像することによっても、上記
同様に、現像処理時間の短縮および現像残りの発生を抑
制できる。
【００２２】そして、上記それぞれの現像対象を半導体
基板に塗布したレジストとすることにより、半導体装置
の製造時間の短縮およびプラズマ処理などによる現像残
り除去作業を軽減することができる。
基板に塗布したレジストとすることにより、半導体装置
の製造時間の短縮およびプラズマ処理などによる現像残
り除去作業を軽減することができる。
【図１】本発明の現像方法に用いる現像装置を示した断
面図。
面図。
１ 半導体基板 ２ 現像対象 ７ 超音波振動子
Claims (4)
- 【請求項１】 現像対象を超音波振動させて現像を行な
うことを特徴とした現像方法。 - 【請求項２】 請求項１において、上記現像対象は半導
体基板に塗布したレジストであることを特徴とした現像
方法。 - 【請求項３】 現像対象を浸漬させた現像液を超音波振
動させながら現像することを特徴とした現像方法。 - 【請求項４】 請求項３において、上記現像対象は半導
体基板に塗布したレジストであることを特徴とした現像
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29901091A JPH05136045A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | 現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29901091A JPH05136045A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | 現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05136045A true JPH05136045A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=17867065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29901091A Pending JPH05136045A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | 現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05136045A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0769725A3 (en) * | 1995-10-20 | 1997-10-15 | Texas Instruments Inc | Method and apparatus for developing photoresists |
| US6766813B1 (en) * | 2000-08-01 | 2004-07-27 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Apparatus and method for cleaning a wafer |
| US7077911B2 (en) * | 2003-03-03 | 2006-07-18 | Seiko Epson Corporation | MOCVD apparatus and MOCVD method |
| KR20150130111A (ko) * | 2014-05-13 | 2015-11-23 | 광운대학교 산학협력단 | 집적회로 소자의 제조 방법 |
-
1991
- 1991-11-14 JP JP29901091A patent/JPH05136045A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0769725A3 (en) * | 1995-10-20 | 1997-10-15 | Texas Instruments Inc | Method and apparatus for developing photoresists |
| US6766813B1 (en) * | 2000-08-01 | 2004-07-27 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Apparatus and method for cleaning a wafer |
| US7077911B2 (en) * | 2003-03-03 | 2006-07-18 | Seiko Epson Corporation | MOCVD apparatus and MOCVD method |
| KR20150130111A (ko) * | 2014-05-13 | 2015-11-23 | 광운대학교 산학협력단 | 집적회로 소자의 제조 방법 |
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