JPH03148109A - 半導体基板現像装置 - Google Patents
半導体基板現像装置Info
- Publication number
- JPH03148109A JPH03148109A JP28622789A JP28622789A JPH03148109A JP H03148109 A JPH03148109 A JP H03148109A JP 28622789 A JP28622789 A JP 28622789A JP 28622789 A JP28622789 A JP 28622789A JP H03148109 A JPH03148109 A JP H03148109A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- wafer
- megasonic
- developer
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract 2
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- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造工程の中のフォトリングラフィ工程
における半導体基板現像装置に関する。
における半導体基板現像装置に関する。
従来、この種の半導体基板現像装置は、純水を流すノズ
ルと、半導体基板を搭載し、回転させるウェハチャック
とで構成されている。通常、半導体基板の現像後のリン
スには、ノズルから純水を噴出して半導体基板の現像面
の洗浄を行っていた。
ルと、半導体基板を搭載し、回転させるウェハチャック
とで構成されている。通常、半導体基板の現像後のリン
スには、ノズルから純水を噴出して半導体基板の現像面
の洗浄を行っていた。
上述した従来の半導体基板現像装置は半導体基板（以下
ウェハとする〉の回転と、ノズルからの純水の流れのみ
で、現像後のリンスを行っていたので、現像後のリンス
が不十分だと、ウェハ上に不純物が残り、その後の工程
でエツチング不良等を起こす可能性があった。そのため
従来のノズルでリンスを十分に行うためには３０秒〜１
分程度といった現像時間約１分に対して大きな時間を必
要とする欠点があった。
ウェハとする〉の回転と、ノズルからの純水の流れのみ
で、現像後のリンスを行っていたので、現像後のリンス
が不十分だと、ウェハ上に不純物が残り、その後の工程
でエツチング不良等を起こす可能性があった。そのため
従来のノズルでリンスを十分に行うためには３０秒〜１
分程度といった現像時間約１分に対して大きな時間を必
要とする欠点があった。
本発明の目的は、かかる問題を解消する半導体基板現像
装置を提供することにある。
装置を提供することにある。
本発明の半導体基板現像装置は、半導体基板の現像面に
純水を滴下して洗浄するノズルと、このノズルに取付け
られるとともに数ＭＨｚの振動を伝えるメガソニック機
構と、このメガソニック機構に振動数に応じた電流を流
す駆動用電源とを備え構成される。
純水を滴下して洗浄するノズルと、このノズルに取付け
られるとともに数ＭＨｚの振動を伝えるメガソニック機
構と、このメガソニック機構に振動数に応じた電流を流
す駆動用電源とを備え構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体基板現像装置の
縦断面図である。この半導体基板現像装置は、同図に示
すように、現像液を滴下する現像液ノズル３と、ウェハ
２を吸着し、ウェハ中心を通り、ウェハ面に垂直な軸を
中心に回転させるウェハチャック１と、このウェハ２に
純水を滴下する４とともに数ＭＨｚの振動を伝えるメガ
ソニック機構を備えるメガソニックノズル５と、その駆
動用電源８とで構成されている。この半導体基板現像装
置の動作を説明すると、まず、現像液パイプ４を通り現
像液ノズル３から現像液を一定量滴下し、現像液がウェ
ハ全面に盛られた状態で一定時間〈約１分間）現像を行
う。次に、現像が終了したらメガソニックノズル５から
純水６を流し、同時にメガソニックノズル駆動用電源８
によりメガソニックノズル５を駆動し、純水にメガソニ
ック振動を与える。また、同時にウェハ２を回転させる
事により、ウェハ全面をリンスする事が可能となる。
縦断面図である。この半導体基板現像装置は、同図に示
すように、現像液を滴下する現像液ノズル３と、ウェハ
２を吸着し、ウェハ中心を通り、ウェハ面に垂直な軸を
中心に回転させるウェハチャック１と、このウェハ２に
純水を滴下する４とともに数ＭＨｚの振動を伝えるメガ
ソニック機構を備えるメガソニックノズル５と、その駆
動用電源８とで構成されている。この半導体基板現像装
置の動作を説明すると、まず、現像液パイプ４を通り現
像液ノズル３から現像液を一定量滴下し、現像液がウェ
ハ全面に盛られた状態で一定時間〈約１分間）現像を行
う。次に、現像が終了したらメガソニックノズル５から
純水６を流し、同時にメガソニックノズル駆動用電源８
によりメガソニックノズル５を駆動し、純水にメガソニ
ック振動を与える。また、同時にウェハ２を回転させる
事により、ウェハ全面をリンスする事が可能となる。
次に、一定時間リンスを行った後、純水６を止めウェハ
２を高速回転する事によりウェハ２の乾燥を行う。
２を高速回転する事によりウェハ２の乾燥を行う。
また、この実施例においては、現像液ノズル３はウェハ
中心に垂直に固定され、メガソニックノズル５はウェハ
中心斜め上方に位置し、先端をウェハ中心に向けて固定
されているが、列の実施例では、現像液ノズル及びメガ
ソニックノズルをウェハ面に対し平行に移動でき、かつ
ウェハ面に垂直に保持する機構とし、現（ｉ液滴下時は
、現像液ノズルが、リンス時はメガソニックノズルをウ
ェハ中心に位置させることも出来る。この場合にはリン
ス液がウェハ中心に垂直に当たるため、ウェハ全面をよ
り均一にリンスすることが可能となる。ここで、メガソ
ニックノズル５は、同図には示さないが、通常のノズル
に振動を伝達するコーンが取付けられており、このコー
ンには磁歪振動子が取付けられている。また、この磁歪
振動子に電流を供給する駆動電源８は、振動数数Ｍ Ｈ
ｚの電流を発生する装置である。
中心に垂直に固定され、メガソニックノズル５はウェハ
中心斜め上方に位置し、先端をウェハ中心に向けて固定
されているが、列の実施例では、現像液ノズル及びメガ
ソニックノズルをウェハ面に対し平行に移動でき、かつ
ウェハ面に垂直に保持する機構とし、現（ｉ液滴下時は
、現像液ノズルが、リンス時はメガソニックノズルをウ
ェハ中心に位置させることも出来る。この場合にはリン
ス液がウェハ中心に垂直に当たるため、ウェハ全面をよ
り均一にリンスすることが可能となる。ここで、メガソ
ニックノズル５は、同図には示さないが、通常のノズル
に振動を伝達するコーンが取付けられており、このコー
ンには磁歪振動子が取付けられている。また、この磁歪
振動子に電流を供給する駆動電源８は、振動数数Ｍ Ｈ
ｚの電流を発生する装置である。
以上説明したように本発明の半導体基板現像装置は、現
像後の純水リンスを行う際に、メガソニックノズルを使
用する事により、従来の純水によるリンスに比ベリンス
効果を上げることが可能になり、リンス不良に起因する
エツチング不良等の発生を防ぎ、また、リンス効果が上
がった分リンス時間を短縮することが出来る効果がある
。
像後の純水リンスを行う際に、メガソニックノズルを使
用する事により、従来の純水によるリンスに比ベリンス
効果を上げることが可能になり、リンス不良に起因する
エツチング不良等の発生を防ぎ、また、リンス効果が上
がった分リンス時間を短縮することが出来る効果がある
。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体基板現像装置の
縦断面図である。 ］・・・ウェハチャック、２・・・ウェハ、３・・・現
像液ノズル、４・・・現像液パイプ、５・・・メガソニ
ックノズル、６・・・純水、７・・・純水パイプ、８・
・・駆動用型〜５− 源。 ６一 第 １ 図
縦断面図である。 ］・・・ウェハチャック、２・・・ウェハ、３・・・現
像液ノズル、４・・・現像液パイプ、５・・・メガソニ
ックノズル、６・・・純水、７・・・純水パイプ、８・
・・駆動用型〜５− 源。 ６一 第 １ 図
Claims (1)
- 半導体基板の現像面に純水を滴下して洗浄するノズル
と、このノズルに取付けられるとともに数ＭＨ＿ｚの振
動を伝えるメガソニック機構と、このメガソニック機構
に振動数に応じた電流を流す駆動用電源とを備えること
を特徴とする半導体基板現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28622789A JPH03148109A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体基板現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28622789A JPH03148109A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体基板現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03148109A true JPH03148109A (ja) | 1991-06-24 |
Family
ID=17701613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28622789A Pending JPH03148109A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体基板現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03148109A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6241587B1 (en) * | 1998-02-13 | 2001-06-05 | Vlsi Technology, Inc. | System for dislodging by-product agglomerations from a polishing pad of a chemical mechanical polishing machine |
-
1989
- 1989-11-02 JP JP28622789A patent/JPH03148109A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6241587B1 (en) * | 1998-02-13 | 2001-06-05 | Vlsi Technology, Inc. | System for dislodging by-product agglomerations from a polishing pad of a chemical mechanical polishing machine |
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