JPS63173327A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造装置に関し、特にウェーハ表
面にレジス１−パターン形成のための半導体装置の製造
装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の半導体装置の製造装置は、第２図に示す
ように、回転軸２に固定されるチャック１の上面にウェ
ーハ３を載置し、第１のノズル４からホトレジスト溶液
（又は現像液）をウェーハ３上に滴下しながらチャック
１を定速で回転し、ホトレジス１〜溶液（又は現像液）
を所定の厚さに塗布（又は盛上げ）てぃた。

この際、ホトレジスト溶液（又は現像液）がウェーハ３
を伝わったり又は周囲に設けたカップ７から跳返ってチ
ャック１の上面が汚され、更に、ウェーハを取除いた後
ノズル４中に停滞していたレジスト溶液（又は現像液）
がチャック１上に落下し汚される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した従来の半導体装置の製造装置は、レジスト溶液
（又は現像液）でチャック上面が汚れるので、その汚れ
が次のウェーハ裏面に付着して次工程に持込れ、次工程
の障害となり又は真空系装置への悪影響を発生させると
いう問題があり、現像処理後にウェーハ洗浄を行わねば
ならないという欠点がある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の半導体装置の製造装置は、回転軸に固定され上
面にウェーハを載置するチャックと、ウェーハ表面にレ
ジストパターンを形成するための主液を前記ウェーハに
滴下する第１のノズルと、前記ウェーハ除去後前記チャ
ック上面に洗浄液を噴射する第２のノズルと、前記洗浄
液を乾燥する気体を噴射する第３のノズルとを含んで構
成される。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例の断面図である。

第１図において、１は回転軸２に固定されその上面にウ
ェーハ３が載置されるチャック、４はレジストパターン
形成の主液（ホＩ・レジスト溶液又は現像液）をウェー
ハ３上に滴下する第１のノズル、５はウェーハ３を除去
後にチャック１上に洗浄液を噴射する第２のノズル、６
は洗浄液を乾燥するための乾燥した空気又は窒素ガスの
気体をチャック１に噴射する第３のノズル、７はカップ
である。

第１図の実施例は第２図の従来の半導体装置の製造装置
にノズル５，６を追加したもので、ノズル５．６を除く
動作は前述した従来の場合と同様であり説明を省略する
。

ホトレジスト溶液の塗布工程、又は現像工程が終了して
ウェーハ３を取外した後、ノズル５から洗浄液を噴射し
てチャック１の上面を洗浄し、その後ノズル６から乾燥
した気体を噴射して乾燥させる。

ノズル５，６は図示しないが配管によりそれぞれ洗浄液
供給タンク、ガスボンベに接続されている。もちろん、
供給及び噴射量制御のための機器も備えている。

なお、実施例ではノズル５，６をカップ７の側面に別個
に設けたが、チャック上面に効果的に当てることが出来
る位置であれば位置の制限はない。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明の半導体装置の製造装置は、
ウェーハの裏面汚れを完全に防止できるので、次工程に
汚れを持込むことがなくなり、例えば、真空系のドライ
エツチング装置やイオン注入装置等の稼動率を５〜６％
向」二できるという効果がある。又、現像工程終了後に
裏面の汚れを落すためのウェーハの洗浄工程を省略でき
るので工数及び工期の短縮ができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来の半
導体装置の製造装置の一例の断面図である。 １・・・チャック、２・・・回転軸、３・・・ウェーハ
、４．５．６・・・ノズル、７・・・カップ。 フ Ｊ４ヤッ７．２′回力傅油、３ウエーハ２４．５．乙　
ノスパル、７カツ７゜ 第１図 箭Ｚ図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）回転軸に固定され上面にウェーハを載置するチャ
   ックと、ウェーハ表面にレジストパターンを形成するた
   めの主液を前記ウェーハに滴下する第１のノズルと、前
   記ウェーハ除去後前記チャック上面に洗浄液を噴射する
   第２のノズルと、前記洗浄液を乾燥する気体を噴射する
   第３のノズルとを含むことを特徴とする半導体装置の製
   造装置。
2. （２）主液はホトレジスト溶液である特許請求の範囲第
   １項記載の半導体装置の製造装置。
3. （３）主液は現像液である特許請求の範囲第１項記載の
   半導体装置の製造装置。