KR20030096485A - 반도체 현상공정 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 포토 리소그래피 공정이 끝난 웨이퍼 상에 불필요한 포토레지스트 층을 분리 제거하도록 하는 현상공정에 관한 것으로, 웨이퍼를 경사지게 기울여 현상공정을 함으로서 중력에 의해 현상액 및 세정액이 웨이퍼 상에 남아있지 않고 포토레지스트와 함께 다 흘러내리게 되어 찌꺼기가 상기 웨이퍼 상에 남지 않도록 하는 반도체 현상공정 방법을 제공하는데 있다.

Description

반도체 현상공정 방법{Development method of semiconductor}

본 발명은 반도체 현상공정 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 포토 리소그래피(Photolithography)공정이 끝난 웨이퍼 상에 불필요한 포토레지스트(Photoresist) 층을 제거함에 있어서 상기 웨이퍼의 가장자리에 두껍게 남아있는 포토레지스트 층을 효과적으로 제거하는 반도체 현상공정 방법에 관한 것이다.

일반적으로 포토 리소그래피 공정은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키기 위한 공정으로서, 먼저 세척 및 건조를 마친 웨이퍼의 표면에 포토레지스트를 균일하게 도포시키고, 그 위에 소정 레이아웃(layout)으로 형성된 포토마스크상의 특정 패턴에 따라 노광공정을 수행하며, 이렇게 노광된 포토레지스트 층의 불필요한 부위를 현상액으로 제거하고, 잔류하는 현상액을 세정하는 공정을 수행함으로서 요구되는 패턴으로 형성된다.

이러한 포토 리소그래피 공정중 현상공정을 수행하는 종래의 현상장치에 대하여 도 1을 참조하여 상세히 설명한다.

도시된 바와 같이 도 1은 일반적인 반도체 현상방법으로 웨이퍼(15) 상에 현상액(13)과 세정액(14)을 공급하는 공급노즐(10)이 설치되어 있으며, 상기 공급노즐(10)은 웨이퍼(15) 상에 현상액(13) 또는 세정액(14)을 분사 공급하는 스프레이 방식으로 현상액 공급노즐과 세정액 공급노즐이 웨이퍼(15) 상측에 위치된 공급노즐(10)에 설치되어 진공척(17)에 수평으로 흡착된 상태로 고속 회전하는 웨이퍼(15) 상에 현상액(13) 또는 세정액(14)을 공급하도록 되어있다.

따라서, 공급된 현상액에 의해 불필요한 레지스트 층이 분리 제거되고, 이어 공급되는 세정액의 공급으로 분리된 찌꺼기 및 잔류하는 현상액을 세정 제거하게 된다.

그러나, 현상액과 세정액이 상기 웨이퍼 상에 균일한 압력으로 분사되도록 하기 위하여 노즐의 크기를 중앙은 작고 가장자리는 크게 함으로서, 레지스트 층이 더 두껍게 코팅된 가장자리는 현상공정 후에도 레지스트 찌꺼기가 남는 문제점이 있다.

본 발명은 상기와 같은 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로 그 목적은, 상기 웨이퍼의 가장자리에 두껍게 남아있는 레지스트 층을 제거하기 위해 상기 웨이퍼를 경사지게 기울여 현상공정을 함으로서 중력에 의해 현상액 및 세정액이 웨이퍼 상에 남아있지 않고 레지스트와 다 흘러내리게 되어 찌꺼기가 상기 웨이퍼 상에 남지 않는 반도체 현상공정 방법을 제공하는데 있다.

도 1은 일반적인 반도체 현상공정 방법을 나타낸 사시도이고,

도 2는 본 발명에 의한 반도체 현상공정 방법을 나타낸 사시도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

20 : 공급노즐 22 : 분사구

23 : 현상액 24 : 세정액

25 : 웨이퍼 27 : 진공척

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 수단으로서 본 발명의 특징은 반도체 장치 패턴 현상공정의 포토레지스트 제거방법에 있어서, 진공척 상에 올려진 웨이퍼의 일측을 기울여 고속 회전하면서 현상액 및 세정액을 분사하여 포토레지스트를 제거하는 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.

도 2는 본 발명에 의한 반도체 현상공정 방법을 나타낸 사시도로서, 진공척(27) 상에 놓이게 되는 웨이퍼(25)의 일측을 경사지게 기울이고 상기 웨이퍼(25)의 기울어진 측 위로 현상액(23)과 세정액(24)을 공급하도록 형성된 공급노즐(20)이 설치되어 있다.

이렇게 설치된 현상액(23)과 세정액(24) 공급노즐(20)은 상기 웨이퍼(25)의 기울어진 일측에 대하여 관 형상으로 수평하게 설치되고, 상기 공급노즐(20)의 하측 부위 즉, 웨이퍼(25)에 대향하는 측부에는 다수개의 분사구(22)가 상기 웨이퍼(25)의 중앙으로 갈수록 작게 형성되어 있어 공정 수행시 같은 압력으로 다수개의 분사구(22)를 통해 고속 회전하는 웨이퍼(25) 상에 분사 공급하게 된다.

이러한 구성에 의하면, 상기 웨이퍼(25)에 분산된 현상액(23)과 세정액(24)이 상기 웨이퍼(25)의 기울어진 면을 타고 가장자리로 흐름으로서 두껍게 코팅된 가장자리의 포토레지스트 층을 여러 번 현상하여 찌꺼기가 남지 않게 되어 균일한 현상을 할 수 있는 것이다.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 또한 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 기재된 청구범위 내에 있게 된다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 웨이퍼를 기울인 상태에서 회전하면서 현상공정을 함으로 계속해서 새로운 현상액 및 세정액을 공급받을 수 있고, 이로 인하여 포토레지스트 찌꺼기가 남지 않게 되며 상기 웨이퍼 위쪽의 현상액이 아래로 흐르면서 가장자리를 여러 번 현상하기 때문에 웨이퍼 가장자리 쪽을 더 잘 현상할 수 있는 효과가 있다.

Claims (1)

1. 반도체 장치 패턴 현상공정의 포토레지스트 제거방법에 있어서,

   진공척(27) 상에 올려진 웨이퍼(25)의 일측을 기울여 고속 회전하면서 현상액(23) 및 세정액(24)을 분사하여 포토레지스트를 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 현상공정 방법.