KR19980067128A - 반도체 현상공정의 공급노즐 - Google Patents

Abstract

포토리소그래피 공정이 끝난 웨이퍼상에 불필요한 PR 층을 분리 제거하도록 현상액과 세정액을 공급하도록 하는 반도체 현상공정의 공급노즐에 관한 것이다.

본 발명은 웨이퍼 상측 소정 위치에 설치되어 상기 웨이퍼 상면에 현상액을 공급하도록 형성된 현상액 공급노즐과, 상기 웨이퍼 상측 소정 위치에 설치되어 상기 웨이퍼 상면에 세정액을 공급하도록 형성된 세정액 공급노즐을 포함하여 구성된 반도체 현상공정의 공급노즐에 있어서, 상기 현상액 공급노즐과, 상기 세정액 공급노즐의 분사구가 다수개 분사구를 갖는 것을 특징으로 한다.

따라서, 본 발명에 의하면 현상액 공급노즐과 세정액 공급노즐을 웨이퍼 상면에 대하여 근접 설치할 수 있을 뿐 아니라 이러한 상태에서 저압으로도 균일하게 현상액 및 세정액을 공급할 수 있음에 따라 균일한 공정을 수행하게 되며, 또 공정시간을 단축하게 되는 효과가 있다.

Description

반도체 현상공정의 공급노즐

본 발명은 반도체 현상공정의 공급노즐에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 포토리소그래피(photolithography) 공정이 끝난 웨이퍼상에 불필요한 PR(Photoresist) 층을 분리 제거하도록 현상액과 세정액을 공급하도록 하는 반도체 현상공정의 공급노즐에 관한 것이다.

일반적으로 포토리소그래피 공정은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키기 위한 공정으로서, 먼저 세척 및 건조를 마친 웨이퍼의 표면에 PR을 균일하게 도포시키고, 그 위에 소정 레이아웃으로 형성된 포토마스크상의 특정 패턴에 따라 노광공정을 수행하며, 이렇게 노광된 PR층의 불필요한 부위를 현상액으로 제거하고, 잔류하는 현상액을 세정하는 공정을 수행함으로써 요구되는 패턴으로 형성된다.

이러한 포토리소그래피 공정중 현상공정을 수행하는 종래의 현상장치에 대하여 도1을 참조하여 상세히 설명한다.

통상 현상장치(10)는 웨이퍼(12)상에 현상액과 세정액을 공급하는 공급노즐(14, 16)이 설치되어 있으며, 이들 공급노즐(14, 16)은 웨이퍼(12)상에 현상액 또는 세정액을 분사 공급하는 스프레이 방식과, 푸들(puddle) 방식의 두 가지 방식을 사용하고 있다.

여기서, 도1에 도시된 바와 같이 스프레이 방식의 현상액 공급노즐(14)과 세정액 공급노즐(16)은 웨이퍼(12) 상측에 위치된 지지대(18)에 설치되어 척(20)에 흡착된 상태로 고속 회전하는 웨이퍼(12)상에 현상액 또는 세정액을 공급하도록 되어 있다.

상술한 현상액 공급노즐(14)은 지지대(18)상에 소정 간격을 두고 두 개가 설치되어 있고, 세정액 공급노즐(16)은 현상액 공급노즐(14)의 일측으로 이격된 위치에 하나가 부가 설치되어 있다.

이러한 구성의 동작 관계를 설명하면, PR 층이 도포된 웨이퍼(12)가 다른 이송수단에 의해 척(20) 상면에 놓이게 되면, 척(20)은 웨이퍼(12)를 흡착한 상태로 고속 회전을 하게 된다.

이러한 상태에서 지지대(18)에 설치된 현상액 공급노즐(14)은 웨이퍼(12) 상면에 현상액을 분사 공급하게 되고, 이어 소정 시간이 경과하게 되면 현상액 공급노즐(14)은 공급을 중단하게 되고, 동시에 세정액 공급노즐(16)을 통해 세정액이 분사 공급된다.

따라서, 공급된 현상액에 의해 불필요한 PR 층이 분리 제거되고, 이어 공급되는 세정액의 공급으로 분리된 찌꺼기 및 잔류하는 현상액을 세정 제거하게 된다.

그러나, 현상액 공급노즐과 세정액 공급노즐의 크기 및 설치 위치에 의해 웨이퍼 중심 부위에 위치하지 못하게 됨에 따라 현상액 및 세정액을 균일하게 공급하지 못하여 공정 불량의 문제가 있다.

또한, 충분한 양의 현상액과 세정액을 공급하기 위해서는 현상액 공급노즐과 세정액 공급노즐의 높이와 분사 압력을 높여야 함으로 공정 시간이 연장되는 문제점이 있었다.

본 발명의 목적은, 현상액 및 세정액을 공급함에 있어 낮은 위치와 압력에서도 충분한 양의 현상액과 세정액을 공급하도록 하여 균일한 공정을 수행하도록 하고, 공정시간을 단축하도록 하는 반도체 현상장치의 공급노즐을 제공함에 있다.

도1은 종래의 반도체 현상공정의 공급노즐을 개략적으로 나타낸 사시도이다.

도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 현상공정의 공급노즐을 개략적으로 나타낸 사시도이다.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

10, 22: 현상장치 12: 웨이퍼

14, 24: 현상액 공급노즐 16, 28: 세정액 공급노즐

18: 지지대 20: 척

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 웨이퍼 상측 소정 위치에 설치되어 상기 웨이퍼 상면에 현상액을 공급하도록 형성된 현상액 공급노즐과, 상기 웨이퍼 상측 소정 위치에 설치되어 상기 웨이퍼 상면에 세정액을 공급하도록 형성된 세정액 공급노즐을 포함하여 구성된 반도체 현상공정의 공급노즐에 있어서, 상기 현상액 공급노즐과, 상기 세정액 공급노즐의 분사구가 다수개 분사구를 갖는 것을 특징으로 한다.

이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도2를 참조하여 설명하면, 척(20) 상면에 놓이게 되는 웨이퍼(12) 상측으로 현상액과 세정액을 공급하도록 형성된 현상액 공급노즐(24)과 세정액 공급노즐(28)이 각각 설치되어 있다.

이렇게 설치된 현상액 공급노즐(24)과 세정액 공급노즐(28)은 웨이퍼(12) 상면에 대하여 관 형상으로 수평하게 설치되고, 이 현상액 공급노즐(24)과 세정액 공급노즐(28)의 하측 부위 즉, 웨이퍼(12)에 대향하는 측부에는 다수개의 분사구(26, 30)가 형성되어 있어 공정 수행시 다수개의 분사구(26, 30)를 통해 고속 회전하는 웨이퍼(12)상에 분사 공급하게 된다.

이러한 구성에 이하면, 현상액 공급노즐(24)과 세정액 공급노즐(28)의 형상이 웨이퍼(12) 상면의 직경 방향에 대하여 수평하게 설치되어 있고, 또 상술한 길이 방향 하측으로 다수개의 분사구(26, 30)를 형성하고 있음에 따라 고속 회전하는 웨이퍼(12) 상면에 대하여 근접 설치하여 저압으로 균일하게 현상액 및 세정액을 공급하게 된다.

따라서, 본 발명에 의하면 현상액 공급노즐과 세정액 공급노즐을 웨이퍼 상면에 대하여 근접 설치할 수 있을 뿐 아니라 이러한 상태에서 저압으로도 균일하게 현상액 및 세정액을 공급할 수 있음에 따라 균일한 공정을 수행하게 되며, 또 공정시간을 단축하게 되는 효과가 있다.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (1)

1. 웨이퍼 상측 소정 위치에 설치되어 상기 웨이퍼 상면에 현상액을 공급하도록 형성된 현상액 공급노즐과, 상기 웨이퍼 상측 소정 위치에 설치되어 상기 웨이퍼 상면에 세정액을 공급하도록 형성된 세정액 공급노즐을 포함하여 구성된 반도체 현상공정의 공급노즐에 있어서, 상기 현상액 공급노즐과, 상기 세정액 공급노즐의 분사구가 다수개 분사구를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 현상공정의 공급노즐.