JPH1126367A - 現像処理方法 - Google Patents
現像処理方法Info
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- JPH1126367A JPH1126367A JP19513797A JP19513797A JPH1126367A JP H1126367 A JPH1126367 A JP H1126367A JP 19513797 A JP19513797 A JP 19513797A JP 19513797 A JP19513797 A JP 19513797A JP H1126367 A JPH1126367 A JP H1126367A
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- developing
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- cleaning
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- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハＷ等の基板の現像処理において，現像
液塗布後の洗浄液による洗浄効果を向上させる。 【解決手段】 現像処理終了後のウェハＷをスピンチャ
ック１５２により回転させながらウェハＷ上に付着した
現像液を洗浄液で洗い流す場合において，洗浄液供給ノ
ズル１８０からウェハＷに吐出させる洗浄液に対し，振
動子１９０によって高周波を与える。ウェハＷ上に付着
した現像液を隅々まで洗浄することが可能となり，同時
に洗浄時間の短縮，洗浄液の低減も図ることができる。
液塗布後の洗浄液による洗浄効果を向上させる。 【解決手段】 現像処理終了後のウェハＷをスピンチャ
ック１５２により回転させながらウェハＷ上に付着した
現像液を洗浄液で洗い流す場合において，洗浄液供給ノ
ズル１８０からウェハＷに吐出させる洗浄液に対し，振
動子１９０によって高周波を与える。ウェハＷ上に付着
した現像液を隅々まで洗浄することが可能となり，同時
に洗浄時間の短縮，洗浄液の低減も図ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，基板に対して現像
処理する現像処理方法に関する。
処理する現像処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造においては，半導
体ウェハ（以下，「ウェハ」と称する。）やＬＣＤ基板
などの基板表面にレジストパターンを形成させるための
フォトリソグラフィ工程が行われている。このフォトリ
ソグラフィ工程は，基板の洗浄，基板の表面へのレジス
ト膜の塗布，パターンの露光，露光後の現像など，種々
の処理工程を含んでいる。
体ウェハ（以下，「ウェハ」と称する。）やＬＣＤ基板
などの基板表面にレジストパターンを形成させるための
フォトリソグラフィ工程が行われている。このフォトリ
ソグラフィ工程は，基板の洗浄，基板の表面へのレジス
ト膜の塗布，パターンの露光，露光後の現像など，種々
の処理工程を含んでいる。
【０００３】これらの処理工程のうち，ウェハの現像に
ついては従来から，次のようにして行われている。まず
ウェハを回転載置台，例えばスピンチャック上に保持さ
せた後，該スピンチャックの回転によってウェハを回転
させながら，ウェハ上に現像液を供給してこれを均一に
拡散させる。次いでスピンチャックの回転を停止して，
ウェハをしばらく静止させる。その後，再びスピンチャ
ックを回転させてウェハ上の現像液を振り切り，ウェハ
が回転している状態のまま，今度は純水などの洗浄液を
ウェハ上に供給し，ウェハ上に残っている現像液を洗い
流している。
ついては従来から，次のようにして行われている。まず
ウェハを回転載置台，例えばスピンチャック上に保持さ
せた後，該スピンチャックの回転によってウェハを回転
させながら，ウェハ上に現像液を供給してこれを均一に
拡散させる。次いでスピンチャックの回転を停止して，
ウェハをしばらく静止させる。その後，再びスピンチャ
ックを回転させてウェハ上の現像液を振り切り，ウェハ
が回転している状態のまま，今度は純水などの洗浄液を
ウェハ上に供給し，ウェハ上に残っている現像液を洗い
流している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，従来の
ように，単にウェハを回転させながら洗浄液をウェハに
供給したのでは，たとえばレジストパターンの隅に付着
している現像液を完全に洗い流すことができないおそれ
がある。現像液が残留すると，その部分は必要以上に現
像されるので，歩留まりの低下につながる。このような
事態を回避するため，例えば洗浄時間を長くすると，結
果的にスループットが低下してしまい，また必要な洗浄
液の量も増大する。
ように，単にウェハを回転させながら洗浄液をウェハに
供給したのでは，たとえばレジストパターンの隅に付着
している現像液を完全に洗い流すことができないおそれ
がある。現像液が残留すると，その部分は必要以上に現
像されるので，歩留まりの低下につながる。このような
事態を回避するため，例えば洗浄時間を長くすると，結
果的にスループットが低下してしまい，また必要な洗浄
液の量も増大する。
【０００５】本発明は，かかる点に鑑みてなされたもの
であり，ウェハ等の基板に対して現像処理を行うにあた
り，従来よりも洗浄効果が良好で，洗浄時間の短縮，使
用する洗浄液の低減をも実現することができる新しい現
像処理方法を提供して，前記問題の解決を図ることを目
的としている。
であり，ウェハ等の基板に対して現像処理を行うにあた
り，従来よりも洗浄効果が良好で，洗浄時間の短縮，使
用する洗浄液の低減をも実現することができる新しい現
像処理方法を提供して，前記問題の解決を図ることを目
的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は，基板
に対して現像液を供給した後，当該基板に対して洗浄液
を供給する現像処理方法において，現像液が供給された
後，所定時間経過後に基板を回転させて基板上の現像液
を飛散させる工程と，その後基板表面が乾燥する前に回
転する基板に対して洗浄液を供給する工程と，その後供
給する洗浄液に振動を与える工程とを有することを特徴
としている。かかる構成によれば，供給する洗浄液に振
動，たとえば超音波振動を与えることでレジストパター
ンの隅に付着している現像液やその他の不純物であって
も，これを効率よく除去し，洗浄することが可能とな
る。したがって，洗浄時間の短縮，洗浄液の低減をも図
ることができる。
に対して現像液を供給した後，当該基板に対して洗浄液
を供給する現像処理方法において，現像液が供給された
後，所定時間経過後に基板を回転させて基板上の現像液
を飛散させる工程と，その後基板表面が乾燥する前に回
転する基板に対して洗浄液を供給する工程と，その後供
給する洗浄液に振動を与える工程とを有することを特徴
としている。かかる構成によれば，供給する洗浄液に振
動，たとえば超音波振動を与えることでレジストパター
ンの隅に付着している現像液やその他の不純物であって
も，これを効率よく除去し，洗浄することが可能とな
る。したがって，洗浄時間の短縮，洗浄液の低減をも図
ることができる。
【０００７】また，請求項２の発明は，基板に対して現
像液を供給した後，当該基板に対して洗浄液を供給する
現像処理方法において，現像液が供給された後，所定時
間経過後に基板を回転させて基板上の現像液を飛散させ
る工程と，その後基板表面が乾燥する前に回転する基板
に対して洗浄液を供給する工程と，その後基板の回転速
度を下げると共に，基板に供給する洗浄液に振動を与え
る工程とを有することを特徴としている。かかる構成に
よれば，洗浄液に振動を付与する際には，基板の回転速
度を下げるようにしたので，振動を基板上に十分に行き
わたらせることができ，基板上の現像液をさらに効率よ
く除去することが可能である。もちろん，洗浄時間の短
縮，洗浄液の低減も図ることができる。
像液を供給した後，当該基板に対して洗浄液を供給する
現像処理方法において，現像液が供給された後，所定時
間経過後に基板を回転させて基板上の現像液を飛散させ
る工程と，その後基板表面が乾燥する前に回転する基板
に対して洗浄液を供給する工程と，その後基板の回転速
度を下げると共に，基板に供給する洗浄液に振動を与え
る工程とを有することを特徴としている。かかる構成に
よれば，洗浄液に振動を付与する際には，基板の回転速
度を下げるようにしたので，振動を基板上に十分に行き
わたらせることができ，基板上の現像液をさらに効率よ
く除去することが可能である。もちろん，洗浄時間の短
縮，洗浄液の低減も図ることができる。
【０００８】また，請求項３の発明は，この請求項１又
は２に記載の現像処理方法において，洗浄液に与える振
動の周波数を変化させることを特徴としている。かかる
構成によれば，様々な周波数の振動を付与することで，
洗浄効果をより高めることができる。
は２に記載の現像処理方法において，洗浄液に与える振
動の周波数を変化させることを特徴としている。かかる
構成によれば，様々な周波数の振動を付与することで，
洗浄効果をより高めることができる。
【０００９】また，請求項４の発明は，この請求項１又
は２に記載の現像処理方法において，洗浄液に与える振
動の周波数を次第に高くすることを特徴としている。か
かる構成によれば，請求項３に記載された発明と同様
に，洗浄効果の向上を図ることができる。また，最初か
ら高い周波数を与えることはないので，残留している現
像液に高周波が影響し，ウェハに悪影響を及ぼすことを
防止することもできる。
は２に記載の現像処理方法において，洗浄液に与える振
動の周波数を次第に高くすることを特徴としている。か
かる構成によれば，請求項３に記載された発明と同様
に，洗浄効果の向上を図ることができる。また，最初か
ら高い周波数を与えることはないので，残留している現
像液に高周波が影響し，ウェハに悪影響を及ぼすことを
防止することもできる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下，図面を参照しながら，本発
明の好ましい実施の形態について説明する。
明の好ましい実施の形態について説明する。
【００１１】図１は，本実施の形態にかかる現像処理方
法を実施するための装置を組み込んでレジスト処理装置
１００の外観を示している。このレジスト処理装置１０
０の一端には，カセットステーション１０２が配置され
ている。そして，このカセットステーション１０２に
は，ウェハＷを収容する複数のカセット１０４が載置自
在である。カセットステーション１０２におけるカセッ
ト１０４の正面側には，ウェハＷの搬送および位置決め
を行うためのメイン搬送アーム１０６と，メイン搬送ア
ーム１０６へとウェハＷを搬送する搬送機構１０８とが
備えられている。そして，ウェハＷに対して所定の処理
を施す各種の処理装置が，メイン搬送アーム１０６の搬
送路１１２を挟んだ両側に配置されている。
法を実施するための装置を組み込んでレジスト処理装置
１００の外観を示している。このレジスト処理装置１０
０の一端には，カセットステーション１０２が配置され
ている。そして，このカセットステーション１０２に
は，ウェハＷを収容する複数のカセット１０４が載置自
在である。カセットステーション１０２におけるカセッ
ト１０４の正面側には，ウェハＷの搬送および位置決め
を行うためのメイン搬送アーム１０６と，メイン搬送ア
ーム１０６へとウェハＷを搬送する搬送機構１０８とが
備えられている。そして，ウェハＷに対して所定の処理
を施す各種の処理装置が，メイン搬送アーム１０６の搬
送路１１２を挟んだ両側に配置されている。
【００１２】すなわち，カセット１０４より取り出され
たウェハＷを洗浄するためのブラシスクラバ１１４，ウ
ェハＷに対して高圧ジェット洗浄するための水洗洗浄装
置１１６，ウェハＷの表面を疎水化処理するアドヒージ
ョン装置１１８，ウェハＷを所定温度に冷却する冷却処
理装置１２０，回転するウェハＷの表面にレジスト液を
塗布するレジスト塗布装置１２２，１２２，レジスト塗
布後のウェハＷを加熱したり，露光後のウェハＷを加熱
する加熱処理装置１２４，さらに，本実施の形態に特徴
的なプロセスを行う現像処理装置１２６，１２６が配置
されている。
たウェハＷを洗浄するためのブラシスクラバ１１４，ウ
ェハＷに対して高圧ジェット洗浄するための水洗洗浄装
置１１６，ウェハＷの表面を疎水化処理するアドヒージ
ョン装置１１８，ウェハＷを所定温度に冷却する冷却処
理装置１２０，回転するウェハＷの表面にレジスト液を
塗布するレジスト塗布装置１２２，１２２，レジスト塗
布後のウェハＷを加熱したり，露光後のウェハＷを加熱
する加熱処理装置１２４，さらに，本実施の形態に特徴
的なプロセスを行う現像処理装置１２６，１２６が配置
されている。
【００１３】この現像処理装置１２６が，本実施の形態
にかかるプロセスを実施するための装置として構成され
ている。図２は，現像処理装置１２６の断面を，図３は
同じく平面から見た様子を各々示している。この現像処
理装置１２６の中心部には，駆動モータ１５０が設けら
れている。そして，この駆動モータ１５０によって回転
が可能で，かつ上下動可能に構成されたスピンチャック
１５２が，駆動モータ１５０上部に設けられている。ス
ピンチャック１５２の回転スピードは自在に変えること
ができ，また，スピンチャック１５２の上面には，ウェ
ハＷが水平に吸着保持されるようになっている。
にかかるプロセスを実施するための装置として構成され
ている。図２は，現像処理装置１２６の断面を，図３は
同じく平面から見た様子を各々示している。この現像処
理装置１２６の中心部には，駆動モータ１５０が設けら
れている。そして，この駆動モータ１５０によって回転
が可能で，かつ上下動可能に構成されたスピンチャック
１５２が，駆動モータ１５０上部に設けられている。ス
ピンチャック１５２の回転スピードは自在に変えること
ができ，また，スピンチャック１５２の上面には，ウェ
ハＷが水平に吸着保持されるようになっている。
【００１４】スピンチャック１５２の外側には，当該ス
ピンチャック１５２を囲うようにして，現像液や洗浄液
の飛散を防止するための樹脂又は金属からなる環状のカ
ップ１５４が設けられている。このカップ１５４は，上
部へ行くほど狭くなるよう内側に傾斜が設けられてい
る。またカップ１５４の開口部１５６の直径は，水平に
したウェハＷを，そのままカップ１５４内に下降させて
収納できる程度の大きさに設定されている。
ピンチャック１５２を囲うようにして，現像液や洗浄液
の飛散を防止するための樹脂又は金属からなる環状のカ
ップ１５４が設けられている。このカップ１５４は，上
部へ行くほど狭くなるよう内側に傾斜が設けられてい
る。またカップ１５４の開口部１５６の直径は，水平に
したウェハＷを，そのままカップ１５４内に下降させて
収納できる程度の大きさに設定されている。
【００１５】カップ１５４の底面１５８には，若干の傾
斜が設けられており，底面１５８の最下部には，排液配
管１６０が接続されている。そして，駆動モータ１５０
を挟んだ排液配管１６０の反対側には，カップ１５４内
の雰囲気を排気するための排気配管１６２が接続されて
いる。カップ１５４の底面１５８には，ウェハＷよりも
小さい直径を有する環状壁１６４が立設されている。こ
の環状壁１６４の上端には，スピンチャック１５２に吸
着保持されたウェハＷの裏面に近接する整流板１６６が
配設されている。整流板１６６の周辺部は，外側に向か
って下方に傾斜するように構成されている。
斜が設けられており，底面１５８の最下部には，排液配
管１６０が接続されている。そして，駆動モータ１５０
を挟んだ排液配管１６０の反対側には，カップ１５４内
の雰囲気を排気するための排気配管１６２が接続されて
いる。カップ１５４の底面１５８には，ウェハＷよりも
小さい直径を有する環状壁１６４が立設されている。こ
の環状壁１６４の上端には，スピンチャック１５２に吸
着保持されたウェハＷの裏面に近接する整流板１６６が
配設されている。整流板１６６の周辺部は，外側に向か
って下方に傾斜するように構成されている。
【００１６】カップ１５４の上部側方には，現像液供給
ノズル１７０が配置されており，この現像液供給ノズル
１７０は，現像液供給管１７２を介して現像処理装置１
２６外部にある現像液供給装置１７４と接続されてい
る。
ノズル１７０が配置されており，この現像液供給ノズル
１７０は，現像液供給管１７２を介して現像処理装置１
２６外部にある現像液供給装置１７４と接続されてい
る。
【００１７】現像液供給ノズル１７０は，図３に示すよ
うに，現像処理装置１２６内に設けられた搬送レール１
７６上の把持アーム１７８により把持される。この把持
アーム１７８は，現像液供給ノズル１７０を把持，挟
持，吸着することができる。したがって把持アーム１７
８に把持された現像液供給ノズル１７０は，図３中の往
復矢印で示す方向に往復移動することができる。
うに，現像処理装置１２６内に設けられた搬送レール１
７６上の把持アーム１７８により把持される。この把持
アーム１７８は，現像液供給ノズル１７０を把持，挟
持，吸着することができる。したがって把持アーム１７
８に把持された現像液供給ノズル１７０は，図３中の往
復矢印で示す方向に往復移動することができる。
【００１８】現像液供給ノズル１７０は，図４に示すよ
うに，下面が略半円形状で中空構造となっており，当該
下面には多数の現像液吐出口（図示せず）が形成されて
いる。したがって，現像液供給装置１７４から供給され
る現像液は，現像液供給管１７２から現像液供給ノズル
１７０へと導かれ，現像液供給ノズル１７０に設けられ
た多数の現像液吐出口からウェハＷに吐出される。
うに，下面が略半円形状で中空構造となっており，当該
下面には多数の現像液吐出口（図示せず）が形成されて
いる。したがって，現像液供給装置１７４から供給され
る現像液は，現像液供給管１７２から現像液供給ノズル
１７０へと導かれ，現像液供給ノズル１７０に設けられ
た多数の現像液吐出口からウェハＷに吐出される。
【００１９】さらに，図２，図３，図４に示すように，
スピンチャック１５２を挟んで現像液供給ノズル１７０
の反対側には，洗浄液ヘッダ１８２が設けられており，
洗浄液ヘッダ１８２の下面には，洗浄液供給ノズル１８
０，１８０が設けられている。この洗浄液ヘッダ１８２
は，洗浄液供給管１８４を介して現像処理装置１２６外
部の洗浄液供給装置１８６に接続されている。
スピンチャック１５２を挟んで現像液供給ノズル１７０
の反対側には，洗浄液ヘッダ１８２が設けられており，
洗浄液ヘッダ１８２の下面には，洗浄液供給ノズル１８
０，１８０が設けられている。この洗浄液ヘッダ１８２
は，洗浄液供給管１８４を介して現像処理装置１２６外
部の洗浄液供給装置１８６に接続されている。
【００２０】この洗浄液ヘッダ１８２も前出の把持アー
ム１７８に把持される。したがって，洗浄液供給ノズル
１８０は，現像液供給ノズル１７０と同様に，ウェハＷ
に対して図４の矢印に示す方向に往復移動することがで
きる。
ム１７８に把持される。したがって，洗浄液供給ノズル
１８０は，現像液供給ノズル１７０と同様に，ウェハＷ
に対して図４の矢印に示す方向に往復移動することがで
きる。
【００２１】さらに，図５に示すように，洗浄液供給管
１８４には，ポンプ１８８が介装されている。そして，
洗浄液供給ノズル１８０，１８０内には，たとえば１Ｍ
Ｈｚの高周波を洗浄液に与えることができる振動子１９
０が設けられている。この振動子１９０は，発振器１９
４からの信号により振動するようになっている。
１８４には，ポンプ１８８が介装されている。そして，
洗浄液供給ノズル１８０，１８０内には，たとえば１Ｍ
Ｈｚの高周波を洗浄液に与えることができる振動子１９
０が設けられている。この振動子１９０は，発振器１９
４からの信号により振動するようになっている。
【００２２】なお，図２に示したように，ウェハＷの裏
面側におけるスピンチャック１５２の外側には，ウェハ
Ｗの裏面を洗浄するための洗浄水噴射ノズル１９６，１
９６が設けられている。これら洗浄水噴射ノズル１９
６，１９６は，洗浄水供給管１９８を介して洗浄水源２
００に接続されている。また，駆動モータ１５０，洗浄
水源２００，洗浄液供給装置１８６は，各々制御部２０
２により制御される。
面側におけるスピンチャック１５２の外側には，ウェハ
Ｗの裏面を洗浄するための洗浄水噴射ノズル１９６，１
９６が設けられている。これら洗浄水噴射ノズル１９
６，１９６は，洗浄水供給管１９８を介して洗浄水源２
００に接続されている。また，駆動モータ１５０，洗浄
水源２００，洗浄液供給装置１８６は，各々制御部２０
２により制御される。
【００２３】現像処理装置１２６は以上のように構成さ
れており，パターンの露光が終わった後のウェハＷは，
メイン搬送アーム１０６によって現像処理装置１２６へ
と搬送され，この現像処理装置１２６において，所定の
現像処理がなされる。すなわち，現像液の塗布，現像液
の振り切り，ウェハＷの洗浄，洗浄液の振り切りがなさ
れるのである。そして，ウェハＷの洗浄の際には，図６
のように，回転するウェハＷの中心上方に洗浄液供給ノ
ズル１８０が移動して，洗浄液供給装置１８６からの洗
浄液がウェハＷ上に吐出されるのである。
れており，パターンの露光が終わった後のウェハＷは，
メイン搬送アーム１０６によって現像処理装置１２６へ
と搬送され，この現像処理装置１２６において，所定の
現像処理がなされる。すなわち，現像液の塗布，現像液
の振り切り，ウェハＷの洗浄，洗浄液の振り切りがなさ
れるのである。そして，ウェハＷの洗浄の際には，図６
のように，回転するウェハＷの中心上方に洗浄液供給ノ
ズル１８０が移動して，洗浄液供給装置１８６からの洗
浄液がウェハＷ上に吐出されるのである。
【００２４】次に本実施の形態にかかるプロセスについ
て図７のタイミングチャートに基づいて詳述する。
て図７のタイミングチャートに基づいて詳述する。
【００２５】図７は，現像液の供給，ウェハＷの回転，
洗浄液の供給，そして振動の供給をタイミングチャート
で表した図である。まず，スピンチャック１５２上にウ
ェハＷが載置されると，現像液供給ノズル１７０が所定
の位置まで移動し，現像液供給装置１７４からの現像液
がウェハＷ上に吐出される。この時ウェハＷは，比較的
低速で少なくとも１／２回転する。これによって，ウェ
ハＷ上に現像液が均一に塗布される。次いで，現像液の
供給とウェハＷの回転とをｔ3で同時に停止させる。ウ
ェハＷの回転の停止時間は，たとえば約１分程度であ
る。その後，ｔ4で再度ウェハＷを高速回転させ，ウェ
ハＷ上の現像液を振りきる。
洗浄液の供給，そして振動の供給をタイミングチャート
で表した図である。まず，スピンチャック１５２上にウ
ェハＷが載置されると，現像液供給ノズル１７０が所定
の位置まで移動し，現像液供給装置１７４からの現像液
がウェハＷ上に吐出される。この時ウェハＷは，比較的
低速で少なくとも１／２回転する。これによって，ウェ
ハＷ上に現像液が均一に塗布される。次いで，現像液の
供給とウェハＷの回転とをｔ3で同時に停止させる。ウ
ェハＷの回転の停止時間は，たとえば約１分程度であ
る。その後，ｔ4で再度ウェハＷを高速回転させ，ウェ
ハＷ上の現像液を振りきる。
【００２６】次いで，ｔ5においてウェハＷの回転を持
続させたまま，ウェハＷが乾燥する前に洗浄液供給ノズ
ル１８０から洗浄液をウェハＷに供給する。洗浄液の供
給時間は，後述するｔ7まで，たとえば１０〜２０秒程
度に設定する。
続させたまま，ウェハＷが乾燥する前に洗浄液供給ノズ
ル１８０から洗浄液をウェハＷに供給する。洗浄液の供
給時間は，後述するｔ7まで，たとえば１０〜２０秒程
度に設定する。
【００２７】次いで，ｔ5からたとえば約５秒程度時間
が経過した後，ｔ6で，発振器１９４を作動させて，洗
浄液供給ノズル１８０内の振動子１９０を通じて，洗浄
液に高周波を与える。その後のｔ7で，洗浄液および振
動の供給を同時に終了する。
が経過した後，ｔ6で，発振器１９４を作動させて，洗
浄液供給ノズル１８０内の振動子１９０を通じて，洗浄
液に高周波を与える。その後のｔ7で，洗浄液および振
動の供給を同時に終了する。
【００２８】以上のように，本実施形態によれば，ウェ
ハＷに供給する洗浄液に高周波を与えることで，たとえ
ばレジストパターンの隅に付着しているような現像液で
あっても，これを効率よく除去することが可能となる。
したがって，従来より，洗浄時間を短縮させることがで
き，それに伴って必要な洗浄液の量を低減させることが
できる。
ハＷに供給する洗浄液に高周波を与えることで，たとえ
ばレジストパターンの隅に付着しているような現像液で
あっても，これを効率よく除去することが可能となる。
したがって，従来より，洗浄時間を短縮させることがで
き，それに伴って必要な洗浄液の量を低減させることが
できる。
【００２９】以上，本発明の実施の形態の一例を説明し
たが，本発明はこの例に限定されるものではなく，種々
の態様を採りうるものである。すなわち，上述した実施
の形態では洗浄液に単に振動を与える場合について説明
してきたが，その場合，例えばウェハＷの回転スピード
を下げながら，ｔ6において洗浄液に振動を与えてもよ
い。そうすることにより，ウェハＷの供給されている洗
浄液に対し，振動を十分に行き渡らせることができ，洗
浄効果がいっそう高まる。
たが，本発明はこの例に限定されるものではなく，種々
の態様を採りうるものである。すなわち，上述した実施
の形態では洗浄液に単に振動を与える場合について説明
してきたが，その場合，例えばウェハＷの回転スピード
を下げながら，ｔ6において洗浄液に振動を与えてもよ
い。そうすることにより，ウェハＷの供給されている洗
浄液に対し，振動を十分に行き渡らせることができ，洗
浄効果がいっそう高まる。
【００３０】また図８に示すように，洗浄液に与える振
動の周波数を次第に高くするようにしてもよい。この場
合，図９のように周波数を段階的に高くするようにして
もよい。さらにまた図１０のように，周波数を漸次上げ
下げするように振動を与えてもよい。このように，洗浄
液に付与する振動の周波数を変化させることで，より効
率よくウェハなどの基板を洗浄させることができ，たと
えレジストパターンに付着した現像液なども効果的に除
去することができる。また，振動を与えながらブラシス
クラブを併用してもよい。
動の周波数を次第に高くするようにしてもよい。この場
合，図９のように周波数を段階的に高くするようにして
もよい。さらにまた図１０のように，周波数を漸次上げ
下げするように振動を与えてもよい。このように，洗浄
液に付与する振動の周波数を変化させることで，より効
率よくウェハなどの基板を洗浄させることができ，たと
えレジストパターンに付着した現像液なども効果的に除
去することができる。また，振動を与えながらブラシス
クラブを併用してもよい。
【００３１】以上の実施形態は基板がウェハＷの例であ
ったが，本発明はこれに限らず，ＬＣＤ基板に対しても
適用することができる。
ったが，本発明はこれに限らず，ＬＣＤ基板に対しても
適用することができる。
【００３２】
【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば，現像処
理において，基板に供給する洗浄液に振動を与えるよう
にしたので，基板上に残留した現像液やその他の不純
物，パーティクルを洗浄することができ，また洗浄時間
の短縮，洗浄液の低減を図ることができる。請求項２に
記載の発明によれば，振動を与える際に，基板の回転速
度を下げるようにしたので，基板上の洗浄液にその振動
が良く伝わり，基板上の現像液をさらによく洗浄するこ
とができる。請求項３に記載の発明によれば，洗浄液に
与える振動の周波数を変化させるので，より一層現像液
の洗浄効果を向上させることができる。請求項４に記載
の発明によれば，現像液の洗浄効果の向上が図れると共
に，万が一残留した現像液に高周波が影響し，基板に悪
影響を及ぼすことを防止することができる。
理において，基板に供給する洗浄液に振動を与えるよう
にしたので，基板上に残留した現像液やその他の不純
物，パーティクルを洗浄することができ，また洗浄時間
の短縮，洗浄液の低減を図ることができる。請求項２に
記載の発明によれば，振動を与える際に，基板の回転速
度を下げるようにしたので，基板上の洗浄液にその振動
が良く伝わり，基板上の現像液をさらによく洗浄するこ
とができる。請求項３に記載の発明によれば，洗浄液に
与える振動の周波数を変化させるので，より一層現像液
の洗浄効果を向上させることができる。請求項４に記載
の発明によれば，現像液の洗浄効果の向上が図れると共
に，万が一残留した現像液に高周波が影響し，基板に悪
影響を及ぼすことを防止することができる。
【図１】実施の形態にかかるプロセスを実施するための
現像処理装置を有するレジスト処理装置の全体構成を示
す斜視図である。
現像処理装置を有するレジスト処理装置の全体構成を示
す斜視図である。
【図２】実施の形態にかかるプロセスを実施する現像処
理装置の断面図である。
理装置の断面図である。
【図３】図２の現像処理装置を平面から見た説明図であ
る。
る。
【図４】図２の現像処理装置における洗浄液供給ノズル
の斜視図である。
の斜視図である。
【図５】図２の現像処理装置における洗浄液供給ノズル
の構成の説明図である。
の構成の説明図である。
【図６】図２の現像処理装置を用いて実施の形態にかか
るプロセスを実施している状態を示す説明図である。
るプロセスを実施している状態を示す説明図である。
【図７】実施の形態にかかるプロセスのタイミングチャ
ートを示す説明図である。
ートを示す説明図である。
【図８】他の実施の形態のプロセスにおいて，洗浄液に
与える振動の周波数を次第に高くしていく様子を示すグ
ラフである。
与える振動の周波数を次第に高くしていく様子を示すグ
ラフである。
【図９】他の実施の形態のプロセスにおいて，洗浄液に
与える振動の周波数を段階的に高くしていく様子を示す
グラフである。
与える振動の周波数を段階的に高くしていく様子を示す
グラフである。
【図１０】他の実施の形態において，洗浄液に与える振
動の周波数を漸次上げ下げする様子を示すグラフであ
る。
動の周波数を漸次上げ下げする様子を示すグラフであ
る。
１００ レジスト処理装置 １２６ 現像処理装置 １５２ スピンチャック １５４ カップ １７０ 現像液供給ノズル １８０ 洗浄液供給ノズル １９０ 振動子 １９４ 発振器 Ｗ ウェハ
Claims (4)
- 【請求項１】 基板に対して現像液を供給した後，当該
基板に対して洗浄液を供給する現像処理方法において，
現像液が供給された後，所定時間経過後に基板を回転さ
せて基板上の現像液を飛散させる工程と，その後基板表
面が乾燥する前に回転する基板に対して洗浄液を供給す
る工程と，その後供給する洗浄液に振動を与える工程と
を有することを特徴とする，現像処理方法。 - 【請求項２】 基板に対して現像液を供給した後，当該
基板に対して洗浄液を供給する現像処理方法において，
現像液が供給された後，所定時間経過後に基板を回転さ
せて基板上の現像液を飛散させる工程と，その後基板表
面が乾燥する前に回転する基板に対して洗浄液を供給す
る工程と，その後基板の回転速度を下げると共に，基板
に供給する洗浄液に振動を与える工程とを有することを
特徴とする，現像処理方法。 - 【請求項３】 洗浄液に与える振動の周波数を，変化さ
せることを特徴とする，請求項１又は２に記載の現像処
理方法。 - 【請求項４】 洗浄液に与える振動の周波数を，次第に
高くすることを特徴とする，請求項１又は２に記載の現
像処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19513797A JP3706228B2 (ja) | 1997-07-03 | 1997-07-03 | 現像処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19513797A JP3706228B2 (ja) | 1997-07-03 | 1997-07-03 | 現像処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1126367A true JPH1126367A (ja) | 1999-01-29 |
| JP3706228B2 JP3706228B2 (ja) | 2005-10-12 |
Family
ID=16336081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19513797A Expired - Fee Related JP3706228B2 (ja) | 1997-07-03 | 1997-07-03 | 現像処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3706228B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7306002B2 (en) * | 2003-01-04 | 2007-12-11 | Yong Bae Kim | System and method for wet cleaning a semiconductor wafer |
| CN112965347A (zh) * | 2020-11-12 | 2021-06-15 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 晶圆显影装置、方法和晶圆 |
-
1997
- 1997-07-03 JP JP19513797A patent/JP3706228B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7306002B2 (en) * | 2003-01-04 | 2007-12-11 | Yong Bae Kim | System and method for wet cleaning a semiconductor wafer |
| CN112965347A (zh) * | 2020-11-12 | 2021-06-15 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 晶圆显影装置、方法和晶圆 |
| CN112965347B (zh) * | 2020-11-12 | 2023-11-03 | 重庆康佳光电科技有限公司 | 晶圆显影装置、方法和晶圆 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3706228B2 (ja) | 2005-10-12 |
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| A977 | Report on retrieval |
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