JPH10229066A - ウェハ処理装置及びその方法、ウェハ搬送ロボット、半導体基体の製造方法並びに半導体製造装置 - Google Patents

ウェハ処理装置及びその方法、ウェハ搬送ロボット、半導体基体の製造方法並びに半導体製造装置

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JPH10229066A
JPH10229066A JP9030887A JP3088797A JPH10229066A JP H10229066 A JPH10229066 A JP H10229066A JP 9030887 A JP9030887 A JP 9030887A JP 3088797 A JP3088797 A JP 3088797A JP H10229066 A JPH10229066 A JP H10229066A
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JP
Japan
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wafer
substrate
processing
porous layer
processing apparatus
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JP9030887A
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Kazutaka Yanagida
一隆 柳田
Kiyobumi Sakaguchi
清文 坂口
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Canon Inc
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】ウェハに施す処理を均一化することができ、ま
た、パーティクルによるウェハの汚染を防止することが
できるウェハ処理装置を提供する。 【解決手段】ホルダ駆動機構３１は、把持部３１ａによ
ってウェハホルダ２１を保持し、ウェハ処理槽１１内で
揺動させる。この際、ウェハ４１の外周部は揺動支援部
材１３の先端部に接触して回転すると共に、ウェハホル
ダ４１内で上下に移動する。したがって、効率的にウェ
ハ４１を揺動させることができ、処理を均一化すること
ができる。また、超音波槽６１より超音波を供給するこ
とにより処理速度を高めることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハ処理装置及
びその方法、ウェハ搬送ロボット、半導体基体の製造方
法並びに半導体製造装置に係り、特に、ウェハを処理液
中に浸漬して処理するウェハ処理装置及びその方法、該
処理に好適なウェハ搬送ロボット、該処理を適用した半
導体基体の製造方法並びに半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ウェハを液中に浸漬して行う処理の代表
例としてウエットエッチングが挙げられる。ウエットエ
ッチングにおける１つの課題は、面内の均一化を図るこ
とにある。従来は、エッチング液を槽内で循環させて新
鮮なエッチング液を反応面に供給することにより面内の
均一性を担保していた。
【０００３】また、ウェハを液中に浸漬して処理する他
の例としてウェハの洗浄処理が挙げられる。特開平８−
２９３４７８号には、ウェハの一部を液中に浸漬し、ウ
ェハを回転させながら超音波を供給することによりウェ
ハの洗浄効率を高めたウェハ洗浄装置が開示されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
８−２９３４７８号に開示されたウェハ洗浄装置は、回
転しているカムをウェハに接触せしめてウェハを回転さ
せるものであって、カム及びその付属機構によるパーテ
ィクルの発生が問題となる。
【０００５】また、このウェハ洗浄装置においては、超
音波の定常波の強度がウェハの中央部と周辺部とで異な
り、さらに、カムが超音波を伝達するための障害になる
ため、超音波がウェハの全面に対して均一に供給されな
い。したがって、均一にウェハを処理することができな
いという問題がある。
【０００６】また、このウェハ洗浄装置においては、超
音波によりカムや槽内の液体が振動し、これによりウェ
ハも振動するため、ウェハとカムとの間に滑りが生じ易
く、ウェハが均一に回転しないという問題がある。
【０００７】また、このウェハ洗浄装置においては、オ
リエンテーション・フラットが存在するウェハを処理す
る場合において、オリエンテーション・フラット部分と
それ以外の部分とで、カムがウェハに対して回転力を伝
達する条件が異なるため、ウェハが均一に回転しないと
いう問題がある。
【０００８】本発明は、上記の問題に鑑みてなされたも
のであり、ウェハに施す処理を均一化することを目的と
する。
【０００９】また、本発明は、パーティクルによるウェ
ハの汚染を防止することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係るウェハ処理
装置は、ウェハを処理液中に浸漬して処理するウェハ処
理装置であって、ウェハの処理槽と、ウェハを直接また
は間接に保持する保持部と、前記保持部を前記処理槽の
上方から支持して前記処理槽内において揺動させる駆動
部とを備えることを特徴とする。
【００１１】前記ウェハ処理装置において、前記駆動部
は、他の装置との間でウェアを搬送するための搬送機構
と兼用されていることが好ましい。
【００１２】前記ウェハ処理装置は、前記処理槽内に超
音波を誘導する超音波誘導手段をさらに備えることが好
ましい。
【００１３】前記ウェハ処理装置は、前記駆動部によっ
てウェハを揺動させる際にウェハの外周部と接触して前
記駆動部による揺動動作を支援する揺動支援部材をさら
に備えることが好ましい。
【００１４】前記ウェハ処理措置において、前記揺動支
援部材がウェハの外周部と接触する部分は、丸みを帯び
ていることが好ましい。
【００１５】前記ウェハ処理装置において、前記揺動支
援部材がウェハの外周部と接触する部分には、ウェハ面
と略平行する方向に溝が形成されていることが好まし
い。
【００１６】前記ウェハ処理装置において、前記溝はＶ
型の形状を有することが好ましい。
【００１７】前記ウェハ処理装置において、前記溝は全
波整流波状の形状を有することが好ましい。
【００１８】前記ウェハ処理装置において、前記処理槽
は、オーバーフロー槽を含む循環機構を有することが好
ましい。
【００１９】前記ウェハ処理装置において、前記駆動部
は、ウェハの外周部が前記揺動支援部材に接触すること
により該ウェハが回転するように、前記保持部を揺動さ
せることが好ましい。
【００２０】前記ウェハ処理装置において、前記超音波
誘導手段は、超音波槽と、超音波源と、前記超音波源の
位置を前記超音波槽内において調整する調整機構とを有
し、前記処理槽は、前記超音波槽に入れられた超音波伝
達媒体を介して超音波を伝達されることが好ましい。
【００２１】前記ウェハ処理装置において、前記駆動部
は、前記保持部を水平方向に駆動する第１駆動部と、前
記保持部を上下方向に駆動する第２駆動部とを有するこ
とが好ましい。
【００２２】前記ウェハ処理装置において、前記保持部
は、前記処理槽の底面に対して略垂直にウェハを保持
し、前記駆動部は、前記処理槽の底面に対して略直交す
る面内においてウェハを揺動させることが好ましい。
【００２３】前記ウェハ処理装置において、前記駆動部
は、ウェハが処理液により略均一に処理されるように、
前記処理槽内において前記保持部を揺動させることが好
ましい。
【００２４】前記ウェハ処理装置において、前記保持部
は、複数のウェハを収容可能なウェハホルダを保持可能
であることが好ましい。
【００２５】前記ウェハ処理装置において、前記処理
槽、前記保持部及び前記駆動部のうち少なくとも処理液
と接触する部分は、石英またはプラスチックで構成され
ていることが好ましい。
【００２６】前記ウェハ処理装置において、前記処理
槽、前記保持部及び前記駆動部のうち少なくとも処理液
と接触する部分は、弗素樹脂、塩化ビニール、ポリエチ
レン、ポリプロピレン、ポリブチレンテレフタレート
（ＰＢＴ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥ
Ｋ）のいずれかで構成されていることが好ましい。
【００２７】本発明に係るウェハ搬送装置は、ウェハを
搬送するウェハ搬送装置であって、ウェハを直接または
間接に保持する保持部と、前記保持部を搬送経路に沿っ
て駆動する駆動部とを備え、前記駆動部は、前記搬送経
路の中途において、ウェハの処理槽内にウェハを浸漬し
揺動させることを特徴とする。
【００２８】前記ウェハ搬送装置において、前記駆動部
は、前記保持部を水平方向に駆動する第１駆動部と、前
記保持部を上下方向に駆動する第２駆動部とを有するこ
とが好ましい。
【００２９】前記ウェハ搬送装置において、前記保持部
は、前記処理槽の底面に対して略垂直にウェハを保持
し、前記駆動部は、前記処理槽の底面に対して略直交す
る面内においてウェハを揺動させることが好ましい。
【００３０】前記ウェハ搬送装置において、前記駆動部
は、ウェハが前記処理槽内の処理液により略均一に処理
されるように、前記処理槽内において前記保持部を揺動
させることが好ましい。
【００３１】前記ウェハ搬送装置において、前記駆動部
は、ウェハの外周部が前記処理槽内に形成された突出部
と接触することによりウェハの揺動動作が大きくなるよ
うに、前記処理槽内において前記保持部を揺動させるこ
とが好ましい。
【００３２】前記ウェハ搬送装置において、前記駆動部
は、ウェハの外周部が前記処理槽内に形成された突出部
と接触することによりウェハが回転するように、前記処
理槽内において前記保持部を揺動させることが好まし
い。
【００３３】前記ウェハ搬送装置において、前記保持部
は、複数のウェハを収容可能なウェハホルダを保持可能
であることが好ましい。
【００３４】本発明に係る半導体製造装置は、前記ウェ
ハ搬送装置と、１または複数のウェハ処理装置とを含む
ことを特徴とする。
【００３５】本発明に係るウェハ処理方法は、ウェハを
処理液中に浸漬して処理するウェハ処理方法であって、
ウェハ処理槽の上方からウェハを支持しつつ該ウェハを
処理液中に浸漬し、前記処理槽内において該ウェハを揺
動させることを特徴とする。前記ウェハ処理方法は、前
記ウェハを前記処理槽内において揺動させる一方で、前
記処理液に超音波を誘導することが好ましい。
【００３６】前記ウェハ処理方法は、前記処理槽内にお
いてウェハを揺動させる際に、該ウェハの外周部を前記
処理槽内に形成された突出部と接触させることにより、
該ウェハの揺動動作を大きくすることが好ましい。
【００３７】前記ウェハ処理方法は、前記処理槽内にお
いてウェハを揺動させる際に、該ウェハの外周部を前記
処理槽内に形成された突出部と接触させることにより、
該ウェハを回転させることが好ましい。
【００３８】前記ウェハ処理方法は、ウェハが前記処理
液により略均一に処理されるように、該ウェハを揺動さ
せることが好ましい。
【００３９】前記ウェハ処理方法は、前記処理液として
エッチング液を用いて、前記ウェハをエッチングするた
めに適している。
【００４０】前記ウェハ処理方法は、前記処理液として
エッチング液を用いて、多孔質シリコン層を有するウェ
ハをエッチングするために適している。
【００４１】本発明に係るＳＯＩウェハの製造方法は、
前記ウェハ処理方法を工程の一部に適用してＳＯＩウェ
ハを製造することを特徴とする。
【００４２】本発明に係るウェハ処理方法は、前記ウェ
ハ処理装置を用いてウェハを処理することを特徴とす
る。
【００４３】本発明に係るウェハ処理方法は、前記ウェ
ハ処理装置を用いて、ウェハに形成された特定の層をエ
ッチングすることを特徴とする。
【００４４】本発明に係るＳＯＩウェハの製造方法は、
前記ウェハ処理方法を工程の一部に適用してＳＯＩウェ
ハを製造することを特徴とする。
【００４５】本発明に係るウェハ処理方法は、超音波を
供給しながらウェハを処理するウェハ処理方法であっ
て、ウェハの全体を処理液中に浸漬し該ウェハに作用す
る超音波の強度を変化させながら処理することを特徴と
する。
【００４６】本発明に係るウェハ処理方法は、超音波を
供給しながらウェハを処理するウェハ処理方法であっ
て、ウェハの全体を処理液中に浸漬し該ウェハを運動さ
せながら処理することを特徴とする。
【００４７】本発明に係るウェハ処理方法は、超音波を
供給しながらウェハを処理するウェハ処理方法であっ
て、ウェハの全体を処理液中に浸漬し該ウェハを揺動さ
せながら処理することを特徴とする。
【００４８】本発明に係るウェハ処理方法は、超音波を
供給しながらウェハを処理するウェハ処理方法であっ
て、ウェハの全体を処理液中に浸漬し、超音波の振動面
を横切るように該ウェハを揺動させながら処理すること
を特徴とする。
【００４９】本発明に係るウェハ処理方法は、超音波を
供給しながらウェハを処理するウェハ処理方法であっ
て、ウェハの全体を処理液中に浸漬すると共に超音波の
振動面に対して略垂直に支持し、超音波の振動面を横切
るように該ウェハを揺動させながら処理することを特徴
とする。
【００５０】本発明に係るウェハ処理方法は、超音波を
供給しながらウェハを処理するウェハ処理方法であっ
て、ウェハの全体を処理液中に浸漬すると共に超音波の
振動面に対して略平行に支持し、超音波の振動面を横切
るように該ウェハを揺動させながら処理することを特徴
とする。
【００５１】本発明に係る半導体基体の製造方法は、第
１の基体の表面に形成された多孔質層上に非多孔質層を
形成する工程と、非多孔質層を挟むようにして第１の基
体と別途用意した第２の基体とを貼り合わせる工程と、
貼り合わせてなる基体より第１の基体を除去して第２の
基体上に多孔質層を表出させる除去工程と、多孔質層が
表出した第２の基体をエッチング液中に完全に浸漬した
状態で超音波を供給して多孔質層をエッチングして第２
の基体表面を表出させるエッチング工程とを含み、前記
エッチング工程において、第２の基体に作用する超音波
の強度を変化させることを特徴とする。
【００５２】本発明に係る半導体基体の製造方法は、第
１の基体の表面に形成された多孔質層上に非多孔質層を
形成する工程と、非多孔質層を挟むようにして第１の基
体と別途用意した第２の基体とを貼り合わせる工程と、
貼り合わせてなる基体より第１の基体を除去して第２の
基体上に多孔質層を表出させる除去工程と、多孔質層が
表出した第２の基体をエッチング液中に完全に浸漬した
状態で超音波を供給して多孔質層をエッチングして第２
の基体表面を表出させるエッチング工程とを含み、前記
エッチング工程において、第２の基体を運動させること
を特徴とする。
【００５３】本発明に係る半導体基体の製造方法は、第
１の基体の表面に形成された多孔質層上に非多孔質層を
形成する工程と、非多孔質層を挟むようにして第１の基
体と別途用意した第２の基体とを貼り合わせる工程と、
貼り合わせてなる基体より第１の基体を除去して第２の
基体上に多孔質層を表出させる除去工程と、多孔質層が
表出した第２の基体をエッチング液中に完全に浸漬した
状態で超音波を供給して多孔質層をエッチングして第２
の基体表面を表出させるエッチング工程とを含み、前記
エッチング工程において、第２の基体を揺動させること
を特徴とする。
【００５４】本発明に係る半導体基体の製造方法は、第
１の基体の表面に形成された多孔質層上に非多孔質層を
形成する工程と、非多孔質層を挟むようにして第１の基
体と別途用意した第２の基体とを貼り合わせる工程と、
貼り合わせてなる基体より第１の基体を除去して第２の
基体上に多孔質層を表出させる除去工程と、多孔質層が
表出した第２の基体をエッチング液中に完全に浸漬した
状態で超音波を供給して多孔質層をエッチングして第２
の基体表面を表出させるエッチング工程とを含み、前記
エッチング工程において、超音波の振動面を横切るよう
に第２の基体を揺動させることを特徴とする。
【００５５】本発明に係る半導体基体の製造方法は、第
１の基体の表面に形成された多孔質層上に非多孔質層を
形成する工程と、非多孔質層を挟むようにして第１の基
体と別途用意した第２の基体とを貼り合わせる工程と、
貼り合わせてなる基体より第１の基体を除去して第２の
基体上に多孔質層を表出させる除去工程と、多孔質層が
表出した第２の基体をエッチング液中に完全に浸漬する
と共に超音波の振動面に対して略垂直に支持した状態で
超音波を供給して多孔質層をエッチングして第２の基体
表面を表出させるエッチング工程とを含み、前記エッチ
ング工程において、超音波の振動面を横切るように第２
の基体を揺動させることを特徴とする。
【００５６】本発明に係る半導体基体の製造方法は、第
１の基体の表面に形成された多孔質層上に非多孔質層を
形成する工程と、非多孔質層を挟むようにして第１の基
体と別途用意した第２の基体とを貼り合わせる工程と、
貼り合わせてなる基体より第１の基体を除去して第２の
基体上に多孔質層を表出させる除去工程と、多孔質層が
表出した第２の基体をエッチング液中に完全に浸漬する
と共に超音波の振動面に対して略平行に支持した状態で
超音波を供給して多孔質層をエッチングして第２の基体
表面を表出させるエッチング工程とを含み、前記エッチ
ング工程において、超音波の振動面を横切るように第２
の基体を揺動させることを特徴とする。
【００５７】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の好適な実施の形態を説明する。
【００５８】［第１の実施の形態］図１Ａは、本発明の
好適な実施の形態に係るウェハ処理装置の概略構成を示
す図である。この実施の形態に係るウェハ処理装置は、
エッチング、洗浄、その他の処理液をウェハに作用させ
る処理に幅広く適用可能である。
【００５９】この実施の形態に係るウェハ処理装置１０
０のうち処理液が接触し得る部分は、用途に応じて、石
英、プラスチック等で構成することが好ましい。プラス
チックとしては、例えば、弗素樹脂、塩化ビニール、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、ポリブチレンテレフタレ
ート（ＰＢＴ）またはポリエーテルエーテルケトン（Ｐ
ＥＥＫ）等が好適である。このうち弗素樹脂としては、
例えば、ＰＶＤＦ，ＰＦＡ，ＰＴＦＥ等が好適である。
【００６０】このウェハ処理装置１００は、ウェハ処理
槽１１と、ウェハホルダ２１をウェハ処理槽１１内で揺
動させるためのホルダ駆動機構３１とを有する。また、
ウェハ処理装置１００は、超音波槽６１を有することが
好ましい。
【００６１】ウェハを処理する際には、ウェハ処理槽１
１に処理液を満たす。ウェハ処理槽１１には、４面オー
バーフロー槽１２が設けられており、フィルタを内蔵し
た循環器７１により処理液をウェハ処理槽１１の底部よ
りウェハ処理槽１１内に供給する。ウェハ処理槽１１か
ら溢れた処理液は４面オーバーフロー槽１２に貯留さ
れ、４面オーバーフロー槽１２の底部から循環器７１に
向けて排出される。このウェハ処理装置１００は、ホル
ダ駆動機構３１によりウェハホルダ２１を揺動させなが
ら同時に処理液を攪拌するため、処理液の液面を一定に
維持するために上記の４面オーバーフロー槽１２を含む
循環系が極めて有用である。
【００６２】ウェハホルダ２１は、一般に市販されてい
る製品をそのまま使用することができるが、石英、プラ
スチック等で構成したものが好ましい。プラスチックと
しては、例えば、弗素樹脂、塩化ビニール、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリブチレンテレフタレート（Ｐ
ＢＴ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）
等が好適である。このうち弗素樹脂としては、例えば、
ＰＶＤＦ，ＰＦＡ，ＰＴＦＥ等が好適である。
【００６３】ホルダ駆動機構３１は、ウェハホルダ２１
を把持する一対の把持部３１ａを有し、この一対の把持
部３１ａによりウェハホルダ２１を把持してウェハ処理
槽１１内に浸漬させると共に、ウェハ処理槽１１内にお
いてウェハホルダ２１を揺動させながらウェハ４１に対
して所望の処理を施すことができる。したがって、ホル
ダ駆動機構３１は、一方では、前の工程が終了したウェ
ハ４１が収容されたウェハホルダ２１をウェハ処理槽１
１に搬送する機能や次の工程に搬送する機能を有し、他
方では、ウェハ処理装置１００の一部としての機能を有
する。
【００６４】なお、この実施の形態は、把持部３１ａに
よりウェハホルダ２１を保持することによりウェハ４１
を間接的に保持するものであるが、例えば、把持部３１
を吸着パッド等に置換えることにより、ウェハ４１を直
接的に保持可能な構成にすることもできる。また、ウェ
ハ４１の保持する方向は、ウェハ処理槽１１の底面に垂
直な方向に限られず、例えば、該底面に平行する方向等
であっても良い。
【００６５】ウェハ処理槽１１の底部には、ホルダ駆動
機構３１によりウェハ４１を揺動する際に、ウェハ４１
の揺動の効率を高めるための揺動支援部材１３を備える
ことが好ましい。この揺動支援部材１３は、ウェハホル
ダ２１が移動する際に、ウェハホルダ２１に保持された
ウェハ４１の外周部に接触し、摩擦力によりウェハ４１
を回転させると共にウェハホルダ２１内で上下に移動さ
せる。したがって、この揺動支援部材１３は、処理後の
ウェハの面内均一性を向上させる上で有用である。
【００６６】さらに、この揺動支援部材１３を上下（ｙ
軸方向）及び／又は左右（ｘ軸方向）に移動せしめる駆
動機構を備えることも有効である。この場合、揺動支援
部材１３自体が移動することによりウェハ４１を回転さ
せると共にウェハホルダ２１内で上下に移動させること
ができる。したがって、ホルダ駆動機構３１によりウェ
ハホルダ２１を移動させる範囲を小さくすること、換言
すると、ウェハ処理槽１１を小型化することができる。
【００６７】超音波槽６１内には、超音波源５１が配さ
れ、超音波伝達媒体（例えば、水）で満たされている。
この超音波源５１は、上下及び／または左右に超音波源
５１の位置を調整するための調整機構６２上に固定され
ている。この調整機構６２により超音波源５１とウェハ
処理槽１１との位置関係を調整することにより、ウェハ
処理槽１１、より詳しくはウェハ４１に供給される超音
波を最適化することができる。超音波源５１は、発生す
る超音波の周波数や強度を調整する機能を備えることが
好ましく、これにより超音波の供給をさらに最適化でき
る。このように、ウェハ４１に対する超音波の供給を最
適化するための機能を備えることにより、多様な種類の
ウェハに個別に対応可能になる。
【００６８】図１Ｂは、ホルダ駆動機構３１の概略構成
を示す図である。把持部３１ａは、開閉用ロッド３１ｂ
を押し出すことにより開き、開閉用ロッド３１ｂを縮め
ることにより閉じる。ホルダ駆動機構３１は、水平駆動
軸３１ｃを軸としてｘ軸方向に移動し、垂直駆動軸３１
ｄを軸としてｙ軸方向に移動する。
【００６９】図２Ａ〜Ｅは、ウェハの揺動方式を説明す
るための図である。これらの図において、矢印はウェハ
ホルダ２１の移動方向を示す。図２Ａは、ウェハの揺動
動作を開始する直前の状態を示している。ウェハの揺動
動作の開始が指示されると、コンピュータ制御の下、先
ず、図２Ｂに示すように、ホルダ駆動機構３１は把持部
３１ａを下方向に押し下げる。この押し下げの中途でウ
ェハ４１の外周部は揺動支援部材１３に接する。したが
って、ウェハ４１は揺動支援部材１３によって下部を支
えられる。
【００７０】揺動支援部材１３は、ウェハ４１に接触す
る際に僅かではあるがパーティクルを発生させる可能性
がある。そこで、図３に示すように先端部分をＲ加工す
ることにより、滑らかにウェハ４１と接するようにする
ことが好ましい。
【００７１】揺動支援部材１３は、ウェハ４１の揺動を
支援できれば十分であるから、超音波の伝達を阻害しな
いような形状、例えば、薄板状にすることができる。こ
れにより、ウェハ４１に供給される超音波を均一化し、
もってウェハ４１に施す処理を均一化することができ
る。
【００７２】また、このウェハ処理装置１００は、ウェ
ハ４１と揺動支援部材１３との相対的な位置関係、換言
すると、ウェハ４１とウェハ処理槽１１との相対的な位
置関係を変化させながらウェハ４１に対して処理を施す
ため、揺動支援部材１３によって生じ得る僅かな超音波
の不均一性も問題とならない。
【００７３】ウェハホルダ２１の押し下げ量は、ある程
度大きい方が、ウェハ４１と揺動支援部材１３との接触
圧力を大きくすることができるため、揺動支援部材１３
とウェハ４１との滑りをなくして動作不良を防止するこ
とができる。これは、押し下げ量が小さすぎると、ウェ
ハ４１に対する重力が揺動支援部材１３の先端部に作用
する割合よりもウェハホルダ２１に作用する割合が大き
くなるためである。この実施の形態に係る形状の揺動支
援部材１３を用いた場合、押し下げ量は、ウェハ４１が
揺動支援部材１３に接触してから３０ｍｍ程度とするこ
とが好ましい。
【００７４】ウェハホルダ２１の押し下げ動作が終了す
ると、ホルダ駆動機構３１は、コンピュータ制御の下、
図２Ｃに示すように、把持部３１ａを右方向（ｘ軸の正
方向）に移動させる。これにより、ウェハ４１は、時計
回りに回転しながら、ウェハ処理槽１１内において、右
方向（ｘ軸の正方向）に略水平に移動する。把持部３１
ａの移動量は、ウェハホルダ２１の下部の開口部に衝突
しない範囲に設定する必要がある。
【００７５】ウェハホルダ２１の右方向（ｘ軸の正方
向）への動作が終了すると、ホルダ駆動機構３１は、コ
ンピュータ制御の下、図２Ｄに示すように、把持部３１
ａを上方向に移動させる。把持部３１ａの移動量は、ウ
ェハ４１が処理液の液面１４の近傍に至らない範囲にす
ることが好ましい。これは、ウェハ４１が液面１４の近
傍に至ると、ウェハ４１の表面にパーティクルが付着す
る虞があるからである。
【００７６】ウェハのホルダ２１の上方向への動作が終
了すると、ホルダ駆動機構３１は、コンピュータ制御の
下、図２Ｅに示すように、把持部３１ａを左方向（ｘ軸
の負方向）へ移動させ、初期状態（図２Ａ）に戻す。
【００７７】以上の動作（図２Ａ→図２Ｂ→図２Ｃ→図
２Ｄ→図２Ｅ）を繰り返すことにより、ウェハ４１を適
切に揺動させることができ、ウェハ４１に施す処理を均
一化することができる。
【００７８】このウェハ処理装置１００に拠れば、超音
波槽６１を調整することによって超音波の供給が最適化
された領域においてウェハ４１を揺動させるため、ウェ
ハ４１に作用する超音波を最適化することができる。
【００７９】ところで、超音波の定常波は定間隔で腹
（強度が弱い部分）と節（強度が強い部分）とを有する
ことが知られている。したがって、超音波をウェハ処理
槽１１内において均一化することは困難である。
【００８０】しかし、このウェハ処理装置１００は、ホ
ルダ駆動機構３１によりウェハ４１を揺動させるため、
超音波の強度の不均一な分布に拘わらず、ウェハ４１に
対する処理を均一化することができる。なお、ウェハ４
１を移動させる方向は、例えば、水平方向のみ、垂直方
向のみ、斜め方向のみ等の単純なものであっても、ウェ
ハ４１に対する処理の均一化に寄与させることができ
る。また、ウェハ４１をその軸方向（Ｚ軸方向）にも揺
動させることにより、水平面内における超音波の強度部
分によるウェハ間の処理の不均一性等をも是正すること
ができる。
【００８１】このウェハ処理装置１００は、さらに、揺
動支援部材１３を備えているため、ウェハ４１の揺動量
を効率的に高めることができる。なお、揺動支援部材１
３の固定位置はウェハ処理槽１１の底部に限定されず、
ウェハホルダ２１の全ウェハ４１に接触し得る構造であ
れば、例えば、ウェハ処理槽１１の側壁に固定しても良
いし、例えば、ホルダ駆動機構３１に固定しても良い
（この場合は、把持部３１ａとの相対的な位置関係を変
化させる機構を設ける）。
【００８２】さらに、このウェハ処理装置１００に拠れ
ば、ウェハ処理槽１１内に駆動機構が存在しないため、
駆動機構に起因するパーティクルが発生しない。
【００８３】このウェハ処理装置１００は、超音波槽６
１を備えない場合であってもウェハの処理に好適な装置
として機能し得る。すなわち、ホルダ駆動機構３１によ
りウェハホルダ２１をウェハ処理槽１１内において揺動
させる機能を備えていれば、当該機能のみによってもウ
ェハ４１に対する処理を均一化することができ、また、
処理液を攪拌する効果も奏する。また、例えば、ウェハ
４１を処理する際に発生するガス等を効率的にウェハ４
１の表面から除去することもできる。さらに、ホルダ駆
動機構３１をホルダ４１の搬送機構及び揺動機構として
兼用することもできるためウェハの処理を効率化するこ
とができる。
【００８４】図４は揺動支援部材の他の構成例を示す図
であり、（ａ）は全体図、（ｂ）は一部拡大図である。
超音波の強度が強いと、揺動支援部材１３の先端部分と
ウェハ４１との間に滑りを生じ、ウェハ４１を効率的に
揺動させることができなくなることが起こり得る。
【００８５】図４に示す揺動支援部材１３’は、一定間
隔でＶ型の溝１３ａを有する。このようなＶ型の溝１３
ａを設けることにより、ウェハ４１との接触面積を増加
させることができ、また、挟み込むようにようにしてウ
ェハ４１と係合するため、ウェハ４１を揺動させる効率
が高まる。また、ウェハ４１が振動して一時的に離れよ
うとしても、ウェハ４１が正確に上下方向に移動しない
限り、ウェハ４１との摩擦力が損なわれない。
【００８６】揺動支援部材１３’の先端部分の溝は、例
えば、１３ｂのような形状、すなわち全波整流波状の形
状であっても良い。この場合、Ｖ型の溝１３ａのような
頂点を有さないため、ウェハ４１との接触時におけるパ
ーティクルの発生を抑制することができる。
【００８７】［第２の実施の形態］図５Ａは、ウェハ処
理装置１００を組み込んだウェハ処理システムの概略構
成を示す斜視図である。また、図５Ｂは、図５Ａに示す
ウェハ処理システムの一部を示す正面図である。
【００８８】このウェハ処理システムは、例えば、ロー
ダ、ウェハ処理装置（例えば、エッチング装置、洗浄装
置等）、スピンドライヤ、アンローダ等を組み合わせた
ものが好適である。
【００８９】３１’は、ホルダ駆動機構３１と実質的に
同様の機能を有するホルダ駆動機構であり、ウェハホル
ダ２１を把持するための把持部３１ａ’を有し、ウェハ
ホルダ２１を水平方向（各装置の配列方向）に駆動する
手段と、上下方向に駆動する手段とを有する。
【００９０】このウェハ処理システムは、コンピュータ
制御の下、自動的にウェハを処理することができる。し
たがって、人間が介在することにより発生するパーティ
クルの付着を防止することができると共に工程を効率化
することができる。
【００９１】［第３の実施の形態］この実施の形態は、
ウェハの揺動方式の他の例を提供する。図６Ａ〜Ｄは、
この実施の形態におけるウェハの揺動方式を説明するた
めの図である。これらの図において、矢印はウェハホル
ダ２１の移動方向を示す。図６Ａは、ウェハの揺動動作
を開始する直前の状態を示している。ウェハの揺動動作
の開始が指示されると、コンピュータ制御の下、先ず、
図６Ｂに示すように、ホルダ駆動機構３１は把持部３１
ａを右下方向に移動させる。この移動方向は、水平面に
対して約４５度の角度が好適である。ウェハホルダ２１
が右下方向に移動すると、ウェハ４１の外周部は、ウェ
ハホルダ２１の左側壁によって押されながら、揺動支援
部材１３の先端部を支点として時計回り方向に回動す
る。
【００９２】そして、さらにウェハホルダ２１が右下方
向に移動すると、ウェハ４１の重心が揺動支援部材１３
の先端部の右側に移動することにより、ウェハ４１はウ
ェハホルダ２１の右側の側壁に向かって回動し、図６Ｃ
に示す状態になる。
【００９３】さらに、ウェハホルダ２１を右下方向に移
動させた後、次いで、図６Ｄに示すように、ホルダ駆動
機構３１は把持部３１ａを左上方向に移動させる。この
移動方向は、図６Ｂに示す移動方向の逆方向とすること
が好ましい。
【００９４】ウェハホルダ２１が左上方向に移動する
と、ウェハ４１の外周部は、ウェハホルダ２１の右側壁
によって押されながら、揺動支援部材１３を支点として
反時計回りに方向に回動する。そして、図６Ａに示す状
態までウェハホルダ２１を移動させることで１回の動作
が終了する。
【００９５】以上の動作（図６Ａ→図６Ｂ→図６Ｃ→図
６Ｄ）を繰り返すことにより、ウェハ４１を適切に揺動
させることができ、ウェハ４１に施す処理を均一化する
ことができる。
【００９６】［第４の実施の形態］この実施の形態は、
他の構成のウェハ処理装置を提供する。図７は、この実
施の形態に係るウェハ処理装置の概略構成を示す図であ
る。なお、第１の実施の形態に係るウェハ処理装置１０
０の構成と実質的に同一の構成要素には同一の符号を付
し、説明を省略する。
【００９７】この実施の形態に係るウェハ処理装置１０
１は、ウェハ移動機構８０によって、ウェハ処理槽１１
の底面に対して略平行（すなわち、超音波の振動面に対
して略平行）にウェハ４１を保持して、ウェハ処理槽１
１内の処理液（例えば、洗浄液、エッチング液）に完全
に浸漬した状態で揺動させることにより、ウェハ４１に
施す処理を均一化すると共にパーティクルによる汚染を
防止するものである。
【００９８】ウェハ移動機構８０は、アーム８１によっ
てウェハ４１を把持し、ウェハ処理槽１１内においてウ
ェハ４１を揺動させる。この揺動は、超音波の振動面を
横切るような方向（すなわち、上下方向）の他、該振動
面に平行な方向（すなわち、水平方向）が好ましい。
【００９９】このウェハ処理装置１０１においても、ウ
ェハ４１を処理液に完全に浸漬した状態で処理すること
が好ましく、この場合、処理液と気体との界面付近にお
いてウェハ４１にパーティクルが付着することを防止す
ることができる。
【０１００】このウェハ処理装置１０１に拠れば、ウェ
ハ４１をウェハ処理槽１１内で揺動させることにより、
ウェハ４１に施す処理を均一化することができる。
【０１０１】［ウェハ処理装置の適用例］上記の実施の
形態に係るウェハ処理装置１００は、例えば、エッチン
グ装置として好適である。かかるエッチング装置に拠れ
ば、１）均一にウェハをエッチングすることができ、
２）パーティクルによる汚染を軽減することができ、
３）エッチング速度を高めることができる。
【０１０２】さらに、ウェハ処理装置１００は、多孔質
シリコン層を有するウェハをエッチングするエッチング
装置として好適である。K.Sakaguchi et al.,Jpn.Appl.
Phys.Vol.34,part1,No.2B,842-847(1995)において、多
孔質シリコンのエッチングのメカニズムが開示されてい
る。多孔質シリコンは、エッチング液が毛細管現象によ
って多孔質シリコンの微細孔に染み込んで該微細孔の孔
壁をエッチングすることによりエッチングされる。孔壁
が薄くなると、該孔壁は自立できなくなり、最終的には
多孔質層が全面的に崩壊しエッチングが終了する。この
時、エッチングの作用を補助せずに、エッチング液のみ
で孔壁を崩壊させる場合、孔壁をエッチングする速度が
遅く、エッチング時間が長くなる。また、多孔質が崩壊
した領域では、その下層のエッチングが起こるため、多
孔質シリコンウェハの面内及びウェハ間のエッチング速
度のばらつきを可能な限り抑えることが好ましい。
【０１０３】例えば、単結晶シリコン基板に多孔質シリ
コン層を形成し、該多孔質シリコン層の上にエピタキシ
ャル層を成長させ、その上に絶縁膜を形成した第１の基
板と、第２の基板とを、該絶縁膜を挟むようにして張り
合わせた後に、第１の基板の裏面から単結晶シリコン基
板を除去し、さらに多孔質シリコン層をエッチングして
ＳＯＩウェハを製造する方法においては、１０の５乗程
度のエッチング選択比（多孔質シリコン／エピタキシャ
ル層）が得られれば十分である。
【０１０４】しかし、高い選択比のエッチング方法を用
いても、多孔質シリコン層がエッチングにより除去され
た後に表出するＳＯＩ層の表面は、僅かではあるがエッ
チングされる。この程度の不要なエッチングは、ＳＯＩ
層の膜厚の均一性を極端に劣化させるものではないが、
さらに高い選択比や膜厚均一性が望まれるところであ
る。今後、ウェハサイズが拡大する中で、より厳しいＳ
ＯＩ層の膜厚均一性が要求されることが予想されるから
である。
【０１０５】上記のウェハ処理装置１００を多孔質シリ
コンのエッチング装置に適用した場合、ウェハ処理槽内
でウェハを揺動させることにより、ＳＯＩ層の面内のば
らつき、ウェハ間のばらつきを抑えることができ、より
高品位のＳＯＩ基板を製造することができる。
【０１０６】さらに、ウェハの揺動に加えて、超音波を
供給しながらエッチングを行うことにより、多孔質シリ
コン層の崩壊を促進することができ、エッチング時間を
短縮すると共にエッチングの選択比を向上させることが
できる。
【０１０７】以下に、上記の各実施の形態に係るウェハ
処理装置を用いて半導体基体を製造する方法の一例を示
す。
【０１０８】図８は、半導体基体の製造方法を示す工程
図である。概略的に説明すると、この製造方法は、単結
晶シリコン基板に多孔質シリコン層を形成し、該多孔質
シリコン層の上に非多孔質層を形成し、その上に好まし
くは絶縁膜を形成した第１の基板と、別途用意した第２
の基板とを、該絶縁膜を挟むようにして張り合わせた後
に、第１の基板の裏面から単結晶シリコン基板を除去
し、さらに多孔質シリコン層をエッチングして半導体基
板を製造するものである。
【０１０９】以下、図８を参照しながら半導体基体の具
体的な製造方法を説明する。
【０１１０】先ず、第１の基板を形成するための単結晶
Ｓｉ基板５０１を用意して、その主表面上に多孔質Ｓｉ
層５０２を形成する（図８（ａ）参照）。次いで、多孔
質Ｓｉ層５０２の上に少なくとも一層の非多孔質層５０
３を形成する（図８（ｂ）参照）。非多孔質層５０３と
しては、例えば、単結晶Ｓｉ層、多結晶Ｓｉ層、非晶質
Ｓｉ層、金属膜層、化合物半導体層、超伝導体層等が好
適である。また、非多孔質層５０３には、ＭＯＳＦＥＴ
等の素子を形成しても良い。
【０１１１】非多孔質層５０３の上には、ＳｉＯ2層５
０４を形成し、これを第１の基板とすることが好ましい
（図８（ｃ）参照）。このＳｉＯ2層５０４は、後続の
工程で第１の基板と第２の基板５０５とを貼り合わせた
際に、その貼り合わせの界面の界面準位を活性層から離
すことができるという意味でも有用である。
【０１１２】次いで、ＳｉＯ2層５０４を挟むようにし
て、第１の基板と第２の基板５０５とを室温で密着させ
る（図８（ｄ）参照）。その後、陽極接合処理、加圧処
理、あるいは必要に応じて熱処理を施すこと、あるいは
これらの処理を組合わせることにより、貼り合わせを強
固なものにしても良い。
【０１１３】非多孔質層５０３として、単結晶Ｓｉ層を
形成した場合には、該単結晶Ｓｉ層の表面に熱酸化等の
方法によってＳｉＯ2層５０３を形成した後に第２の基
板５０５と貼り合わせることが好ましい。
【０１１４】第２の基板５０５としては、Ｓｉ基板、Ｓ
ｉ基板上にＳｉＯ2層を形成した基板、石英等の光透過
性の基板、サファイヤ等が好適である。しかし、第２の
基板５０５は、貼り合わせに供される面が十分に平坦で
あれば十分であり、他の種類の基板であっても良い。
【０１１５】なお、図８（ｄ）は、ＳｉＯ2層５０４を
介して第１の基板と第２の基板とを貼り合わせた状態を
示しているが、このＳｉＯ2層５０４は、非多孔質層５
０３または第２の基板がＳｉでない場合には設けなくて
も良い。
【０１１６】また、貼り合わせの際には、第１の基板と
第２の基板との間に絶縁性の薄板を挟んでも良い。
【０１１７】次いで、多孔質Ｓｉ層５０３を境にして、
第１の基板を第２の基板より除去する（図８（ｅ）参
照）。除去の方法としては、研削、研磨或いはエッチン
グ等による第１の方法（第１の基板を廃棄）と、多孔質
層５０３を境にして第１の基板と第２の基板とを分離す
る第２の方法とがある。第２の方法の場合、分離された
第１の基板に残留した多孔質Ｓｉを除去し、必要に応じ
てその表面を平坦化することにより再利用することがで
きる。
【０１１８】次いで、多孔質Ｓｉ層５０２を選択的にエ
ッチングして除去する（図８（ｆ）参照）。このエッチ
ングには、上記のウェハ処理装置１００または１０１が
好適である。このウェハ処理装置は、ウェハ（この場
合、図８（ｅ）に示すウェハ）をエッチング液に完全に
浸漬した状態で揺動させながら、超音波を供給するた
め、パーティクルによるウェハの汚染が少なく、エッチ
ング処理が均一化される。さらに、このウェハ処理装置
に拠れば、エッチング時間が短縮され、非多孔質層５０
３と多孔質層５０４とのエッチング選択比が高くなる。
エッチング時間が短縮されるのは、超音波によりエッチ
ングが促進されるからであり、エッチング選択比が高く
なるのは、超音波によるエッチングの促進は、非多孔質
層５０３よりも多孔質層５０４に対して顕著に起こるか
らであると考えられる。
【０１１９】非多孔質層５０３が単結晶Ｓｉである場合
は、Ｓｉの通常のエッチング液の他、以下のエッチング
液が好適である。
【０１２０】（ａ）弗酸 （ｂ）弗酸にアルコールおよび過酸化水素水の少なくと
も一方を添加した混合液 （ｃ）バッファード弗酸 （ｄ）バッファード弗酸にアルコールおよび過酸化水素
水の少なくとも一方を添加した混合液 （ｅ）弗酸・硝酸・酢酸の混合液 これらのエッチング液により、多孔質層５０２を選択的
にエッチングし、その下層である非多孔質層５０３（単
結晶Ｓｉ）を残すことができる。このようなエッチング
液による選択的なエッチングが容易なのは、多孔質Ｓｉ
は、膨大な表面積を有するため、非多孔質Ｓｉ層に対し
てエッチングの進行が極めて速いためである。
【０１２１】図８（ｅ）は、上記の製造方法により得ら
れる半導体基板を模式的に示している。この製造方法に
拠れば、第２の基板５０５の表面の全域に亘って、非多
孔質層５０３（例えば、単結晶Ｓｉ層）が平坦かつ均一
に形成される。
【０１２２】例えば、第２の基板５０５として絶縁性の
基板を採用すると、上記製造方法によって得られる半導
体基板は、絶縁された電子素子の形成に極めて有用であ
る。
【０１２３】
【発明の効果】本発明に拠れば、ウェハに施す処理を均
一化することができ、また、パーティクルによるウェハ
の汚染を防止することができる。
【０１２４】
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】本発明の好適な実施の形態に係るウェハ処理
装置の概略構成を示す図である。
【図１Ｂ】ホルダ駆動機構の概略構成を示す図である。
【図２Ａ】ウェハの揺動方式を説明するための図であ
る。
【図２Ｂ】ウェハの揺動方式を説明するための図であ
る。
【図２Ｃ】ウェハの揺動方式を説明するための図であ
る。
【図２Ｄ】ウェハの揺動方式を説明するための図であ
る。
【図２Ｅ】ウェハの揺動方式を説明するための図であ
る。
【図３】揺動支援部材の構成例を示す図である。
【図４】揺動支援部材の他の構成例を示す図である。
【図５Ａ】ウェハ処理装置を組み込んだウェハ処理シス
テムの概略構成を示す斜視図である。
【図５Ｂ】ウェハ処理装置を組み込んだウェハ処理シス
テムの概略構成を示す正面図である。
【図６Ａ】ウェハ揺動方式の他の例を説明するための図
である。
【図６Ｂ】ウェハ揺動方式の他の例を説明するための図
である。
【図６Ｃ】ウェハ揺動方式の他の例を説明するための図
である。
【図６Ｄ】ウェハ揺動方式の他の例を説明するための図
である。
【図７】本発明の他の実施の形態に係るウェハ処理装置
の概略構成を示す図である。
【図８】半導体基体の製造方法を示す工程図である。
【符号の説明】
１１ ウェハ処理槽 １２ ４面オーバーフロー槽 １３，１３’ 揺動支援部材 １３ａ，１３ｂ 溝 １４ 液面 ２１ ウェハホルダ ３１，３１’ ホルダ駆動機構 ３１ａ，３１ａ’ 把持部 ３１ｂ 開閉用ロッド ３１ｃ 水平駆動軸 ３１ｄ 垂直駆動軸 ４１ ウェハ ５１ 超音波源 ６１ 超音波槽 ６２ 調整機構 ７１ 循環器 ８０ ウェハ移動機構 ８１ アーム １００，１０１ ウェハ処理装置 ５０１ 単結晶Ｓｉ基板 ５０２ 多孔質Ｓｉ層 ５０３ 非多孔質層 ５０４ ＳｉＯ2層 ５０５ 第２の基板

Claims (48)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウェハを処理液中に浸漬して処理するウ
    ェハ処理装置であって、 ウェハの処理槽と、 ウェハを直接または間接に保持する保持部と、 前記保持部を前記処理槽の上方から支持して前記処理槽
    内において揺動させる駆動部と、 を備えることを特徴とするウェハ処理装置。
  2. 【請求項２】 前記駆動部は、他の装置との間でウェア
    を搬送するための搬送機構と兼用されていることを特徴
    とする請求項１に記載のウェハ処理装置。
  3. 【請求項３】 前記処理槽内に超音波を誘導する超音波
    誘導手段をさらに備えることを特徴とする請求項１また
    は請求項２に記載のウェハ処理装置。
  4. 【請求項４】 前記駆動部によってウェハを揺動させる
    際にウェハの外周部と接触して前記駆動部による揺動動
    作を支援する揺動支援部材をさらに備えることを特徴と
    する請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のウェ
    ハ処理装置。
  5. 【請求項５】 前記揺動支援部材がウェハの外周部と接
    触する部分は、丸みを帯びていることを特徴とする請求
    項４に記載のウェハ処理装置。
  6. 【請求項６】 前記揺動支援部材がウェハの外周部と接
    触する部分には、ウェハ面と略平行する方向に溝が形成
    されていることを特徴とする請求項４に記載のウェハ処
    理装置。
  7. 【請求項７】 前記溝はＶ型の形状を有することを特徴
    とする請求項６に記載のウェハ処理装置。
  8. 【請求項８】 前記溝は全波整流波状の形状を有するこ
    とを特徴とする請求項６に記載のウェハ処理装置。
  9. 【請求項９】 前記処理槽は、オーバーフロー槽を含む
    循環機構を有することを特徴とする請求項１に記載のウ
    ェハ処理装置。
  10. 【請求項１０】 前記駆動部は、ウェハの外周部が前記
    揺動支援部材に接触することにより該ウェハが回転する
    ように、前記保持部を揺動させることを特徴とする請求
    項４に記載のウェハ処理装置。
  11. 【請求項１１】 前記超音波誘導手段は、超音波槽と、
    超音波源と、前記超音波源の位置を前記超音波槽内にお
    いて調整する調整機構とを有し、前記処理槽は、前記超
    音波槽に入れられた超音波伝達媒体を介して超音波を伝
    達されることを特徴とする請求項３に記載のウェハ処理
    装置。
  12. 【請求項１２】 前記駆動部は、前記保持部を水平方向
    に駆動する第１駆動部と、前記保持部を上下方向に駆動
    する第２駆動部とを有することを特徴とする請求項１に
    記載のウェハ処理装置。
  13. 【請求項１３】 前記保持部は、前記処理槽の底面に対
    して略垂直にウェハを保持し、前記駆動部は、前記処理
    槽の底面に対して略直交する面内においてウェハを揺動
    させることを特徴とする請求項１に記載のウェハ処理装
    置。
  14. 【請求項１４】 前記駆動部は、ウェハが処理液により
    略均一に処理されるように、前記処理槽内において前記
    保持部を揺動させることを特徴とする請求項１に記載の
    ウェハ処理装置。
  15. 【請求項１５】 前記保持部は、複数のウェハを収容可
    能なウェハホルダを保持可能であることを特徴とする請
    求項１に記載のウェハ処理装置。
  16. 【請求項１６】 前記処理槽、前記保持部及び前記駆動
    部のうち少なくとも処理液と接触する部分は、石英また
    はプラスチックで構成されていることを特徴とする請求
    項１に記載のウェハ処理装置。
  17. 【請求項１７】 前記処理槽、前記保持部及び前記駆動
    部のうち少なくとも処理液と接触する部分は、弗素樹
    脂、塩化ビニール、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
    リブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）またはポリエーテ
    ルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）のいずれかで構成されて
    いることを特徴とする請求項１に記載のウェハ処理装
    置。
  18. 【請求項１８】 ウェハを搬送するウェハ搬送装置であ
    って、 ウェハを直接または間接に保持する保持部と、 前記保持部を搬送経路に沿って駆動する駆動部と、 を備え、前記駆動部は、前記搬送経路の中途において、
    ウェハの処理槽内にウェハを浸漬し揺動させることを特
    徴とするウェハ搬送装置。
  19. 【請求項１９】 前記駆動部は、前記保持部を水平方向
    に駆動する第１駆動部と、前記保持部を上下方向に駆動
    する第２駆動部とを有することを特徴とする請求項１８
    に記載のウェハ搬送装置。
  20. 【請求項２０】 前記保持部は、前記処理槽の底面に対
    して略垂直にウェハを保持し、前記駆動部は、前記処理
    槽の底面に対して略直交する面内においてウェハを揺動
    させることを特徴とする請求項１８に記載のウェハ搬送
    装置。
  21. 【請求項２１】 前記駆動部は、ウェハが前記処理槽内
    の処理液により略均一に処理されるように、前記処理槽
    内において前記保持部を揺動させることを特徴とする請
    求項１８に記載のウェハ搬送装置。
  22. 【請求項２２】 前記駆動部は、ウェハの外周部が前記
    処理槽内に形成された突出部と接触することによりウェ
    ハの揺動動作が大きくなるように、前記処理槽内におい
    て前記保持部を揺動させることを特徴とする請求項１８
    に記載のウェハ装置。
  23. 【請求項２３】 前記駆動部は、ウェハの外周部が前記
    処理槽内に形成された突出部と接触することによりウェ
    ハが回転するように、前記処理槽内において前記保持部
    を揺動させることを特徴とする請求項１８に記載のウェ
    ハ装置。
  24. 【請求項２４】 前記保持部は、複数のウェハを収容可
    能なウェハホルダを保持可能であることを特徴とする請
    求項１８に記載のウェハ搬送装置。
  25. 【請求項２５】 請求項１８乃至請求項２４のいずれか
    １項に記載のウェハ搬送装置と、１または複数のウェハ
    処理装置とを含むことを特徴とする半導体製造装置。
  26. 【請求項２６】 ウェハを処理液中に浸漬して処理する
    ウェハ処理方法であって、ウェハ処理槽の上方からウェ
    ハを支持しつつ該ウェハを処理液中に浸漬し、前記処理
    槽内において該ウェハを揺動させることを特徴とするウ
    ェハ処理方法。
  27. 【請求項２７】 前記ウェハを前記処理槽内において揺
    動させる一方で、前記処理液に超音波を誘導することを
    特徴とする請求項２６に記載のウェハ処理方法。
  28. 【請求項２８】 前記処理槽内においてウェハを揺動さ
    せる際に、該ウェハの外周部を前記処理槽内に形成され
    た突出部と接触させることにより、該ウェハの揺動動作
    を大きくすることを特徴とする請求項２６または請求項
    ２７に記載のウェハ処理方法。
  29. 【請求項２９】 前記処理槽内においてウェハを揺動さ
    せる際に、該ウェハの外周部を前記処理槽内に形成され
    た突出部と接触させることにより、該ウェハを回転させ
    ることを特徴とする請求項２６または請求項２７に記載
    のウェハ処理方法。
  30. 【請求項３０】 ウェハが前記処理液により略均一に処
    理されるように、該ウェハを揺動させることを特徴とす
    る請求項２６乃至請求項２９のいずれか１項に記載のウ
    ェハ処理方法。
  31. 【請求項３１】 前記処理液としてエッチング液を用い
    て、前記ウェハをエッチングすることを特徴とする請求
    項２６乃至請求項３０のいずれか１項に記載のウェハ処
    理方法。
  32. 【請求項３２】 前記処理液としてエッチング液を用い
    て、多孔質シリコン層を有するウェハをエッチングする
    ことを特徴とする請求項２６乃至請求項３０のいずれか
    １項に記載のウェハ処理方法。
  33. 【請求項３３】 請求項３２に記載のウェハ処理方法を
    工程の一部に適用して半導体基体を製造することを特徴
    とする半導体基体の製造方法。
  34. 【請求項３４】 請求項１乃至請求項１７のいずれか１
    項に記載のウェハ処理装置を用いてウェハを処理するこ
    とを特徴とするウェハ処理方法。
  35. 【請求項３５】 請求項１乃至請求項１７のいずれか１
    項に記載のウェハ処理装置を用いて、ウェハに形成され
    た特定の層をエッチングすることを特徴とするウェハ処
    理方法。
  36. 【請求項３６】 請求項３５に記載のウェハ処理方法を
    工程の一部に適用して半導体基体を製造することを特徴
    とする半導体基体の製造方法。
  37. 【請求項３７】 超音波を供給しながらウェハを処理す
    るウェハ処理方法であって、 ウェハの全体を処理液中に浸漬し該ウェハに作用する超
    音波の強度を変化させながら処理することを特徴とする
    ウェハ処理方法。
  38. 【請求項３８】 超音波を供給しながらウェハを処理す
    るウェハ処理方法であって、 ウェハの全体を処理液中に浸漬し該ウェハを運動させな
    がら処理することを特徴とするウェハ処理方法。
  39. 【請求項３９】 超音波を供給しながらウェハを処理す
    るウェハ処理方法であって、 ウェハの全体を処理液中に浸漬し該ウェハを揺動させな
    がら処理することを特徴とするウェハ処理方法。
  40. 【請求項４０】 超音波を供給しながらウェハを処理す
    るウェハ処理方法であって、 ウェハの全体を処理液中に浸漬し、超音波の振動面を横
    切るように該ウェハを揺動させながら処理することを特
    徴とするウェハ処理方法。
  41. 【請求項４１】 超音波を供給しながらウェハを処理す
    るウェハ処理方法であって、 ウェハの全体を処理液中に浸漬すると共に超音波の振動
    面に対して略垂直に支持し、超音波の振動面を横切るよ
    うに該ウェハを揺動させながら処理することを特徴とす
    るウェハ処理方法。
  42. 【請求項４２】 超音波を供給しながらウェハを処理す
    るウェハ処理方法であって、 ウェハの全体を処理液中に浸漬すると共に超音波の振動
    面に対して略平行に支持し、超音波の振動面を横切るよ
    うに該ウェハを揺動させながら処理することを特徴とす
    るウェハ処理方法。
  43. 【請求項４３】 半導体基体の製造方法であって、 第１の基体の表面に形成された多孔質層上に非多孔質層
    を形成する工程と、 非多孔質層を挟むようにして第１の基体と別途用意した
    第２の基体とを貼り合わせる工程と、 貼り合わせてなる基体より第１の基体を除去して第２の
    基体上に多孔質層を表出させる除去工程と、 多孔質層が表出した第２の基体をエッチング液中に完全
    に浸漬した状態で超音波を供給して多孔質層をエッチン
    グして第２の基体表面を表出させるエッチング工程と、 を含み、前記エッチング工程において、第２の基体に作
    用する超音波の強度を変化させることを特徴とする半導
    体基体の製造方法。
  44. 【請求項４４】 半導体基体の製造方法であって、 第１の基体の表面に形成された多孔質層上に非多孔質層
    を形成する工程と、 非多孔質層を挟むようにして第１の基体と別途用意した
    第２の基体とを貼り合わせる工程と、 貼り合わせてなる基体より第１の基体を除去して第２の
    基体上に多孔質層を表出させる除去工程と、 多孔質層が表出した第２の基体をエッチング液中に完全
    に浸漬した状態で超音波を供給して多孔質層をエッチン
    グして第２の基体表面を表出させるエッチング工程と、 を含み、前記エッチング工程において、第２の基体を運
    動させることを特徴とする半導体基体の製造方法。
  45. 【請求項４５】 半導体基体の製造方法であって、 第１の基体の表面に形成された多孔質層上に非多孔質層
    を形成する工程と、 非多孔質層を挟むようにして第１の基体と別途用意した
    第２の基体とを貼り合わせる工程と、 貼り合わせてなる基体より第１の基体を除去して第２の
    基体上に多孔質層を表出させる除去工程と、 多孔質層が表出した第２の基体をエッチング液中に完全
    に浸漬した状態で超音波を供給して多孔質層をエッチン
    グして第２の基体表面を表出させるエッチング工程と、 を含み、前記エッチング工程において、第２の基体を揺
    動させることを特徴とする半導体基体の製造方法。
  46. 【請求項４６】 半導体基体の製造方法であって、 第１の基体の表面に形成された多孔質層上に非多孔質層
    を形成する工程と、 非多孔質層を挟むようにして第１の基体と別途用意した
    第２の基体とを貼り合わせる工程と、 貼り合わせてなる基体より第１の基体を除去して第２の
    基体上に多孔質層を表出させる除去工程と、 多孔質層が表出した第２の基体をエッチング液中に完全
    に浸漬した状態で超音波を供給して多孔質層をエッチン
    グして第２の基体表面を表出させるエッチング工程と、 を含み、前記エッチング工程において、超音波の振動面
    を横切るように第２の基体を揺動させることを特徴とす
    る半導体基体の製造方法。
  47. 【請求項４７】 半導体基体の製造方法であって、 第１の基体の表面に形成された多孔質層上に非多孔質層
    を形成する工程と、 非多孔質層を挟むようにして第１の基体と別途用意した
    第２の基体とを貼り合わせる工程と、 貼り合わせてなる基体より第１の基体を除去して第２の
    基体上に多孔質層を表出させる除去工程と、 多孔質層が表出した第２の基体をエッチング液中に完全
    に浸漬すると共に超音波の振動面に対して略垂直に支持
    した状態で超音波を供給して多孔質層をエッチングして
    第２の基体表面を表出させるエッチング工程と、 を含み、前記エッチング工程において、超音波の振動面
    を横切るように第２の基体を揺動させることを特徴とす
    る半導体基体の製造方法。
  48. 【請求項４８】 半導体基体の製造方法であって、 第１の基体の表面に形成された多孔質層上に非多孔質層
    を形成する工程と、 非多孔質層を挟むようにして第１の基体と別途用意した
    第２の基体とを貼り合わせる工程と、 貼り合わせてなる基体より第１の基体を除去して第２の
    基体上に多孔質層を表出させる除去工程と、 多孔質層が表出した第２の基体をエッチング液中に完全
    に浸漬すると共に超音波の振動面に対して略平行に支持
    した状態で超音波を供給して多孔質層をエッチングして
    第２の基体表面を表出させるエッチング工程と、 を含み、前記エッチング工程において、超音波の振動面
    を横切るように第２の基体を揺動させることを特徴とす
    る半導体基体の製造方法。
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