JPH03230526A - ウェーハ洗浄方法 - Google Patents
ウェーハ洗浄方法Info
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- JPH03230526A JPH03230526A JP2663190A JP2663190A JPH03230526A JP H03230526 A JPH03230526 A JP H03230526A JP 2663190 A JP2663190 A JP 2663190A JP 2663190 A JP2663190 A JP 2663190A JP H03230526 A JPH03230526 A JP H03230526A
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Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 50
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 101100081489 Drosophila melanogaster Obp83a gene Proteins 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000010356 wave oscillation Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要］
半導体装置の製造におけるウェーハ洗浄方法係り、特に
、表面にコンタクトホールまたはトレンチなどの凹部が
形成されたウェーハの洗浄方法に関し、 ウェーハにＯ３Ｆなどのダメージを発生させることなく
凹部内の塵を効果的に除去し得るようにすることを目的
とし、 水または薬液中に０．８〜ＩＭＨｚの範囲内にある周波
数の振動を与え、該水または薬液の中でウェーハの表面
を該振動の波が進行して（る方向に向けて洗浄するよう
に構成する。
、表面にコンタクトホールまたはトレンチなどの凹部が
形成されたウェーハの洗浄方法に関し、 ウェーハにＯ３Ｆなどのダメージを発生させることなく
凹部内の塵を効果的に除去し得るようにすることを目的
とし、 水または薬液中に０．８〜ＩＭＨｚの範囲内にある周波
数の振動を与え、該水または薬液の中でウェーハの表面
を該振動の波が進行して（る方向に向けて洗浄するよう
に構成する。
本発明は、半導体装置の製造におけるウェーハ洗浄方法
係り、特に、表面にコンタクトホールまたはトレンチな
どの凹部が形成されたウェーハの洗浄方法に関する。
係り、特に、表面にコンタクトホールまたはトレンチな
どの凹部が形成されたウェーハの洗浄方法に関する。
半導体装置の高集積化に伴い、ウェーハにはより微細な
コンタクトホールまたはトレンチなどの凹部が形成され
るようになり、そのウェーハの洗浄は、コンタクトホー
ルのコンタクトを良好なものにし、然も全ての凹部に対
し塵を十分に除去するものであることが、半導体装置の
品質を良くするために重要である。
コンタクトホールまたはトレンチなどの凹部が形成され
るようになり、そのウェーハの洗浄は、コンタクトホー
ルのコンタクトを良好なものにし、然も全ての凹部に対
し塵を十分に除去するものであることが、半導体装置の
品質を良くするために重要である。
コンタクトホールのコンタクトを良好なものにするため
には、自然酸化膜を除去することが必須であり、周知の
エクスキャリバー（ＥＸＣＡＬＩＢＩＩＲ） カある。
には、自然酸化膜を除去することが必須であり、周知の
エクスキャリバー（ＥＸＣＡＬＩＢＩＩＲ） カある。
エクスキャリバーは、無水弗化水素ガスにより酸化膜を
除去するものである。
除去するものである。
これに対して、塵を除去するものとして、水または薬液
を用いた浸漬洗浄やノヤヮー洗浄或いは超音波洗浄があ
る。
を用いた浸漬洗浄やノヤヮー洗浄或いは超音波洗浄があ
る。
しかしながら、侵／！洗浄やノヤヮー洗浄は、凹部内の
塵の除去を十分に行うことが困難であり、超音波洗浄は
、気泡の圧縮膨張作用を利用するため、凹部内の塵を十
分に除去し得るがウェーハにＯＳ Ｆ （Ｏｘｉｄａｔ
ｉｏｎ ＳｔａｃｋｉｎｇＦａｕｌＬ）などのダメージ
が発生ずるので、何れもａ切な方法とは言い難い また、超音波ｌ先順に超細するものとして、超音波洗浄
の場合に数］０ＫＩＩｚである周波数を０．８〜１Ｍ１
ｌｚの範囲内に高めたメガソニ、り処理がある。
塵の除去を十分に行うことが困難であり、超音波洗浄は
、気泡の圧縮膨張作用を利用するため、凹部内の塵を十
分に除去し得るがウェーハにＯＳ Ｆ （Ｏｘｉｄａｔ
ｉｏｎ ＳｔａｃｋｉｎｇＦａｕｌＬ）などのダメージ
が発生ずるので、何れもａ切な方法とは言い難い また、超音波ｌ先順に超細するものとして、超音波洗浄
の場合に数］０ＫＩＩｚである周波数を０．８〜１Ｍ１
ｌｚの範囲内に高めたメガソニ、り処理がある。
この処理は、塵を振動波の力Ｕ速度により除去するもの
で上記ダメージを発生さゼない特徴を有している。
で上記ダメージを発生さゼない特徴を有している。
しかしながら従来のメガソニック処理は、槽の底にメガ
ソニック波の発振板を置いたバッチ式で、ウェーハを垂
直にして、ウェーハ面をメガソニック波の進行方向とほ
ぼ平行に配置するものである。
ソニック波の発振板を置いたバッチ式で、ウェーハを垂
直にして、ウェーハ面をメガソニック波の進行方向とほ
ぼ平行に配置するものである。
ウェーハ表面の塵除去には極めて効果的であるが、メガ
ソニック波がその強い指向性（ピ台）により凹部に入っ
て行かないので凹部内の塵に対して殆ど効果がない。
ソニック波がその強い指向性（ピ台）により凹部に入っ
て行かないので凹部内の塵に対して殆ど効果がない。
〔発明が解決しようとする課題］
従って従来の洗浄方法では、凹部内の塵を十分に除去す
ることができず、また、除去し得たとしてもウェーハに
Ｏ３Ｆなどのダメージを発生させる問題がある。
ることができず、また、除去し得たとしてもウェーハに
Ｏ３Ｆなどのダメージを発生させる問題がある。
本発明は、ウェーハにＯ３Ｆなどのダメージを発生させ
ることなく凹部内の塵を効果的に除去し得るウェーハ洗
浄方法の提供を目的とする。
ることなく凹部内の塵を効果的に除去し得るウェーハ洗
浄方法の提供を目的とする。
上記目的は、水または薬液中に０．８〜ＩＭ）Ｉｚの範
囲内にある周波数の振動を与え、該水または薬液の中で
ウェーハの表面を該振動の波が進行してくる方向に向け
て洗浄する本発明のウェーハ洗浄方法によって達成され
る。
囲内にある周波数の振動を与え、該水または薬液の中で
ウェーハの表面を該振動の波が進行してくる方向に向け
て洗浄する本発明のウェーハ洗浄方法によって達成され
る。
［作 用］
上記の周波数はメガソニック波の領域である。
従って、ウェーハに○ＳＦなどのダメージを発生させる
ことがない。
ことがない。
また、そのメガソニック波は、ウェーハ面に対しほぼ垂
直に進行するので、ウェーハに凹部が存在してもその凹
部内に入り込み、凹部内の塵を効果的に除去する。
直に進行するので、ウェーハに凹部が存在してもその凹
部内に入り込み、凹部内の塵を効果的に除去する。
（実施例）
以下本発明の実施例について第１図及び第２図を用いて
説明する。第１図は実施例を説明するための構成図、第
２図は実施例に用いる石英ステージの斜視図、である。
説明する。第１図は実施例を説明するための構成図、第
２図は実施例に用いる石英ステージの斜視図、である。
この実施例は、コンタクトホールのコンタクトをも良好
にするためにエクスキャリバーを組合せた例であり、エ
クスキャリバーが枚葉処理であることがら枚葉処理のシ
ステムにしである。
にするためにエクスキャリバーを組合せた例であり、エ
クスキャリバーが枚葉処理であることがら枚葉処理のシ
ステムにしである。
第１図において、１０はローダ部、２０はエクスキャリ
バ一部、３０は本発明のウェーハ洗浄方法を行うメガソ
ニック波洗浄部、４０はＩＰＡ（イソプロピルアルコー
ル）乾燥部、５０はアンローダ部、であり、ローダ部１
０にあるウェーハＷは、不図示のロボットにより一枚宛
取り出されて、エクスキャリバ一部２０で自然酸化膜が
除去され、メガソニック波洗浄部３０で塵が除去され、
ＪＰＡ乾燥部４０で乾燥されてアンローダ部５０に収納
される。
バ一部、３０は本発明のウェーハ洗浄方法を行うメガソ
ニック波洗浄部、４０はＩＰＡ（イソプロピルアルコー
ル）乾燥部、５０はアンローダ部、であり、ローダ部１
０にあるウェーハＷは、不図示のロボットにより一枚宛
取り出されて、エクスキャリバ一部２０で自然酸化膜が
除去され、メガソニック波洗浄部３０で塵が除去され、
ＪＰＡ乾燥部４０で乾燥されてアンローダ部５０に収納
される。
メガソニック波洗浄部３０は、石英ガラスからなりオー
バーフロー型にして純水の流水を形成する槽３１と、石
英ガラスからなりウェーハＷを載置して槽３１の底面に
配置される石英ステージ３２と、前記純水中で石英ステ
ージ３２の上方に配置されてメガソニック波を下方に向
けて出す発振Ｆｉ３３とを有する。そのメガソニック波
の周波数は例えば０．８ＭＨｚである。
バーフロー型にして純水の流水を形成する槽３１と、石
英ガラスからなりウェーハＷを載置して槽３１の底面に
配置される石英ステージ３２と、前記純水中で石英ステ
ージ３２の上方に配置されてメガソニック波を下方に向
けて出す発振Ｆｉ３３とを有する。そのメガソニック波
の周波数は例えば０．８ＭＨｚである。
石英ステージ３２は、第２図に示され、上面円形の浅い
窪みにウェーハＷが上向きに載置され、ウェーハＷの載
置・取り出しが容易なように前記窪みを横方向に過って
突き抜ける深い窪みを設けである。そして端部がロボ、
ドアームロ１の先端に固定されている。
窪みにウェーハＷが上向きに載置され、ウェーハＷの載
置・取り出しが容易なように前記窪みを横方向に過って
突き抜ける深い窪みを設けである。そして端部がロボ、
ドアームロ１の先端に固定されている。
石英ステージ３２を支持するロボットは、エクスキャリ
バーを済ませたウェーハＷをエクスキャリバ一部２０と
メガソニック波洗浄部３０との間で先行のロボットから
石英ステージ３２に受は取り、そのウェーハＷを発振板
３３の下に位置さセで洗浄させ、メガソニック波洗浄部
３０とＩＰＡ乾燥部４０との間で後続のロボットにウェ
ーハＷを渡す、と言った動作をして、メガソニック波洗
浄部３０に月するつ工−ハＷの搬入搬出を安定に行う。
バーを済ませたウェーハＷをエクスキャリバ一部２０と
メガソニック波洗浄部３０との間で先行のロボットから
石英ステージ３２に受は取り、そのウェーハＷを発振板
３３の下に位置さセで洗浄させ、メガソニック波洗浄部
３０とＩＰＡ乾燥部４０との間で後続のロボットにウェ
ーハＷを渡す、と言った動作をして、メガソニック波洗
浄部３０に月するつ工−ハＷの搬入搬出を安定に行う。
メガソニック波洗浄部３０での洗浄は、メガソニック波
がウェーハＷの面に対しほぼ垂直に進行するので、ウェ
ーハＷにコンタクトホールまたはトレンチなどの凹部が
あってもその凹部内に入り込み、エクスキャリバーによ
り発生した塵をも含めて凹部内の塵を効果的に除去する
。除去された塵は、純水の前記オーバーフローにより槽
３１の外へ排出される。言うまでもなくこの洗浄では、
超音波洗浄の際に発生するようなＯ３Ｆなどのダメージ
を発生させることがない。
がウェーハＷの面に対しほぼ垂直に進行するので、ウェ
ーハＷにコンタクトホールまたはトレンチなどの凹部が
あってもその凹部内に入り込み、エクスキャリバーによ
り発生した塵をも含めて凹部内の塵を効果的に除去する
。除去された塵は、純水の前記オーバーフローにより槽
３１の外へ排出される。言うまでもなくこの洗浄では、
超音波洗浄の際に発生するようなＯ３Ｆなどのダメージ
を発生させることがない。
そして、ＩＰＡ乾燥部４０では、メガソニック波洗浄部
３０でウェーハＷに付着した純水をＩＰＡに置換して乾
燥するので、凹部を含めて表面にじみを残すことなくウ
ェーハＷをクリーンに乾燥させる。
３０でウェーハＷに付着した純水をＩＰＡに置換して乾
燥するので、凹部を含めて表面にじみを残すことなくウ
ェーハＷをクリーンに乾燥させる。
本発明者は、口径ｌμｌ深さ１μｍ程度のコンタクトホ
ールと、輻１μＩ深さ３μｍ程度のトレンチとを有する
ウェーハＷに対して、洗浄に上記実施例を採用したとこ
ろ、その凹部内が通常の光学８１ｉ微鏡で塵を全く検出
できない程度にクリーンであり、またコンタクトホール
のコンタクトが十分に良好である結果を得た。
ールと、輻１μＩ深さ３μｍ程度のトレンチとを有する
ウェーハＷに対して、洗浄に上記実施例を採用したとこ
ろ、その凹部内が通常の光学８１ｉ微鏡で塵を全く検出
できない程度にクリーンであり、またコンタクトホール
のコンタクトが十分に良好である結果を得た。
なお上記実施例では、メガソニック波洗浄部３０におけ
るメガソニック波の媒体に純水を用いたが、その媒体は
純水に限定されるものではなく他の薬液例えば５Ｃ−１
（＋１１１，０１１＋ｌｈＯ□＋１ｌｚＯ混合液）など
であっても良い。
るメガソニック波の媒体に純水を用いたが、その媒体は
純水に限定されるものではなく他の薬液例えば５Ｃ−１
（＋１１１，０１１＋ｌｈＯ□＋１ｌｚＯ混合液）など
であっても良い。
また上記実施例はエクスキャリバーに合わせて枚葉処理
のノステムにしであるが、本発明のウェーハ洗浄方法を
行うメガソニック波洗浄は枚葉処理に限定されるもので
はない。
のノステムにしであるが、本発明のウェーハ洗浄方法を
行うメガソニック波洗浄は枚葉処理に限定されるもので
はない。
［発明の効果］
以上説明したように本発明の構成によれば、半導体装置
の製造におけるウェーハ洗浄方法、特に、表面にコンタ
クトホールまたはトレンチなどの四部が形成されたウェ
ーハの洗浄方法に関し、ウェーハにＯ３Ｆなどのダメー
ジを発生させることなく凹部内の塵を効果的に除去し得
るようになり、半導体装置の品質向上に寄与するところ
が大である。
の製造におけるウェーハ洗浄方法、特に、表面にコンタ
クトホールまたはトレンチなどの四部が形成されたウェ
ーハの洗浄方法に関し、ウェーハにＯ３Ｆなどのダメー
ジを発生させることなく凹部内の塵を効果的に除去し得
るようになり、半導体装置の品質向上に寄与するところ
が大である。
第１図は実施例を説明するだめの構成図、第２図は実施
例に用いる石英ステージの斜視図、である。 図において、 １０はローダ部、 ２０はエクスキャリバ一部、 ３０はメガソニック波洗浄部、 ３１は槽、 ３２は石英ステージ、 ３３は発振板、 ４０はＩＰＡ乾燥部、 ５０はアンローダ部、 Ｗはウェーハ、 である。
例に用いる石英ステージの斜視図、である。 図において、 １０はローダ部、 ２０はエクスキャリバ一部、 ３０はメガソニック波洗浄部、 ３１は槽、 ３２は石英ステージ、 ３３は発振板、 ４０はＩＰＡ乾燥部、 ５０はアンローダ部、 Ｗはウェーハ、 である。
Claims (1)
- 水または薬液中に０．８〜１ＭＨｚの範囲内にある周波
数の振動を与え、該水または薬液の中でウェーハの表面
を該振動の波が進行してくる方向に向けて洗浄すること
を特徴とするウェーハ洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2663190A JPH03230526A (ja) | 1990-02-06 | 1990-02-06 | ウェーハ洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2663190A JPH03230526A (ja) | 1990-02-06 | 1990-02-06 | ウェーハ洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03230526A true JPH03230526A (ja) | 1991-10-14 |
Family
ID=12198799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2663190A Pending JPH03230526A (ja) | 1990-02-06 | 1990-02-06 | ウェーハ洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03230526A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004172437A (ja) * | 2002-11-21 | 2004-06-17 | Mitsubishi Electric Corp | 薬液処理装置および薬液処理方法ならびにそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
| CN117711991A (zh) * | 2024-02-05 | 2024-03-15 | 苏州智程半导体科技股份有限公司 | 一种晶圆槽式清洗设备 |
-
1990
- 1990-02-06 JP JP2663190A patent/JPH03230526A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004172437A (ja) * | 2002-11-21 | 2004-06-17 | Mitsubishi Electric Corp | 薬液処理装置および薬液処理方法ならびにそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
| CN117711991A (zh) * | 2024-02-05 | 2024-03-15 | 苏州智程半导体科技股份有限公司 | 一种晶圆槽式清洗设备 |
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