JPH0513393A - 洗浄方法 - Google Patents
洗浄方法Info
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- JPH0513393A JPH0513393A JP3244285A JP24428591A JPH0513393A JP H0513393 A JPH0513393 A JP H0513393A JP 3244285 A JP3244285 A JP 3244285A JP 24428591 A JP24428591 A JP 24428591A JP H0513393 A JPH0513393 A JP H0513393A
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- cleaning
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0064—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes
- B08B7/0092—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes by cooling
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板上の汚染物を良好に除去する。
【構成】 液化ガスを洗浄液として洗浄を行う。この時
同時に超音波を照射すれば、より良好に汚染物を除去で
きる。また、液化ガス中によれば超音波照射による半導
体基板のダメージを軽減できる。また、純水洗浄後に液
化ガスによる洗浄を行えば、汚染物とともに純水洗浄後
の残存水分を除去して、清浄な乾燥表面が得られる。
同時に超音波を照射すれば、より良好に汚染物を除去で
きる。また、液化ガス中によれば超音波照射による半導
体基板のダメージを軽減できる。また、純水洗浄後に液
化ガスによる洗浄を行えば、汚染物とともに純水洗浄後
の残存水分を除去して、清浄な乾燥表面が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体基板など被洗
浄物の洗浄方法に関するものである。
浄物の洗浄方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体基板の洗浄は、純水槽ある
いは薬品槽に超音波振動子を付加して純水あるいは薬品
中に超音波を伝搬させ、その槽中に半導体基板を浸漬せ
しめて洗浄を行っている。
いは薬品槽に超音波振動子を付加して純水あるいは薬品
中に超音波を伝搬させ、その槽中に半導体基板を浸漬せ
しめて洗浄を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
洗浄方法では、純水あるいは薬液中で超音波が吸収され
る割合が大きいため、超音波が半導体基板（被洗浄物）
に到達するのが弱くなり、洗浄効果が低い問題点があっ
た。また、洗浄効果を上げるために超音波パワーを強力
にすると、半導体基板にダメージが生じるという問題点
があった。さらに、純水あるいは薬液である有機溶剤
（ＩＰＡ，エチルアルコール等），酸(H2SO4，H2O2，NH
4OH 等），アルカリ溶液等は被洗浄物である半導体基板
との塗れ性が良いために半導体基板上の汚染物が超音波
洗浄で除去された後、液中に浮遊している汚染物が半導
体基板に再び付着する、いわゆる再付着現象を避けるこ
とができなかった。
洗浄方法では、純水あるいは薬液中で超音波が吸収され
る割合が大きいため、超音波が半導体基板（被洗浄物）
に到達するのが弱くなり、洗浄効果が低い問題点があっ
た。また、洗浄効果を上げるために超音波パワーを強力
にすると、半導体基板にダメージが生じるという問題点
があった。さらに、純水あるいは薬液である有機溶剤
（ＩＰＡ，エチルアルコール等），酸(H2SO4，H2O2，NH
4OH 等），アルカリ溶液等は被洗浄物である半導体基板
との塗れ性が良いために半導体基板上の汚染物が超音波
洗浄で除去された後、液中に浮遊している汚染物が半導
体基板に再び付着する、いわゆる再付着現象を避けるこ
とができなかった。
【０００４】この発明は上記の点に鑑みなされたもの
で、上記従来の欠点を除去でき、例えば半導体基板の洗
浄法に適用してダメージを与えることなく半導体基板の
ウルトラクリーン化を図ることができる洗浄方法を提供
することを目的とする。
で、上記従来の欠点を除去でき、例えば半導体基板の洗
浄法に適用してダメージを与えることなく半導体基板の
ウルトラクリーン化を図ることができる洗浄方法を提供
することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明では、液化ガス
を洗浄液として被洗浄物の洗浄を行う。また、液化ガス
を洗浄液とし、かつその洗浄液に超音波を伝搬させて、
その洗浄液中で被洗浄物の洗浄を行う。さらには、純水
洗浄後に前記液化ガスによる洗浄を行うようにもする。
を洗浄液として被洗浄物の洗浄を行う。また、液化ガス
を洗浄液とし、かつその洗浄液に超音波を伝搬させて、
その洗浄液中で被洗浄物の洗浄を行う。さらには、純水
洗浄後に前記液化ガスによる洗浄を行うようにもする。
【０００６】
【作用】液化ガスを用いた洗浄法の理論的根拠は複雑に
して明解に説明できるものではないが、液化ガスを洗浄
液として用いると、汚染物が凍結され脆くなり、しかも
収縮することで被洗浄物から良好かつ確実に除去され
る。その際、洗浄液（液化ガス）に超音波を伝搬させ、
超音波振動を加えれば、汚染物をより一層良好に除去可
能となる。また、液化ガスは非常に表面張力が強いの
で、液化ガス中に浮遊している汚染物の再付着現象が避
けられる。また、液化ガスを用いると超音波の波長が短
かくなり、１フォノン当りのエネルギーが小さくなるた
め、超音波による被洗浄物へのダメージが少なくなる。
さらに被洗浄物が液化ガスで冷却されることによっても
超音波によるダメージが少なくなるとも考えられる。ま
た、薬液と純水による洗浄を予め続けて行った後、液化
ガスによる洗浄を行うと、純水洗浄後の残存水分が一瞬
にして氷片となって除去され、シミ状の汚れのない清浄
な乾燥表面が得られる。
して明解に説明できるものではないが、液化ガスを洗浄
液として用いると、汚染物が凍結され脆くなり、しかも
収縮することで被洗浄物から良好かつ確実に除去され
る。その際、洗浄液（液化ガス）に超音波を伝搬させ、
超音波振動を加えれば、汚染物をより一層良好に除去可
能となる。また、液化ガスは非常に表面張力が強いの
で、液化ガス中に浮遊している汚染物の再付着現象が避
けられる。また、液化ガスを用いると超音波の波長が短
かくなり、１フォノン当りのエネルギーが小さくなるた
め、超音波による被洗浄物へのダメージが少なくなる。
さらに被洗浄物が液化ガスで冷却されることによっても
超音波によるダメージが少なくなるとも考えられる。ま
た、薬液と純水による洗浄を予め続けて行った後、液化
ガスによる洗浄を行うと、純水洗浄後の残存水分が一瞬
にして氷片となって除去され、シミ状の汚れのない清浄
な乾燥表面が得られる。
【０００７】
【実施例】以下この発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１はこの発明の第１の実施例を示す断面図であ
る。この図において、３１は断熱材で形成され、液体窒
素３２を満たす槽である。この槽３１の底部には超音波
振動子３３が取付けられており、超音波発振器（電源）
３４と接続されている。槽３１内には隔壁３５が設けら
れており、この隔壁３５上より液体窒素３２が排出側に
オーバーフローするようになっている。オーバーフロー
した液体窒素３２は排出口３６を通じポンプ３７により
加圧され、フィルタ３８を介して循環するようになって
いる。
する。図１はこの発明の第１の実施例を示す断面図であ
る。この図において、３１は断熱材で形成され、液体窒
素３２を満たす槽である。この槽３１の底部には超音波
振動子３３が取付けられており、超音波発振器（電源）
３４と接続されている。槽３１内には隔壁３５が設けら
れており、この隔壁３５上より液体窒素３２が排出側に
オーバーフローするようになっている。オーバーフロー
した液体窒素３２は排出口３６を通じポンプ３７により
加圧され、フィルタ３８を介して循環するようになって
いる。
【０００８】半導体基板３９を洗浄する場合は、該半導
体基板３９を収容したキャリア４０を液体窒素３２中に
浸漬し、かつ超音波を液体窒素３２に伝搬させて超音波
を半導体基板３９に照射する。すると、液体窒素３２に
より基板３９上の汚染物が凍結され脆くなり、しかも収
縮することと、超音波振動により前記汚染物が半導体基
板３９から除去され洗浄が行われる。この時、液体窒素
３２は非常に表面張力が強いので、基板３９から除去さ
れた後も液体窒素３２中に浮遊している汚染物が半導体
基板３９に再び付着することを回避できる。このように
して洗浄した後、半導体基板３９を液体窒素３２中から
引上げたところ、汚染物（パーティクル）付着は皆無で
あった。また、液体窒素３２を用いることで超音波の波
長が短かくなり、１フォノン当りのエネルギーが小さく
なるので、半導体基板３９に、超音波によるダメージが
生じなかった。このダメージは、液体窒素で基板３９が
冷却されるため発生しなくなるとも考えられる。
体基板３９を収容したキャリア４０を液体窒素３２中に
浸漬し、かつ超音波を液体窒素３２に伝搬させて超音波
を半導体基板３９に照射する。すると、液体窒素３２に
より基板３９上の汚染物が凍結され脆くなり、しかも収
縮することと、超音波振動により前記汚染物が半導体基
板３９から除去され洗浄が行われる。この時、液体窒素
３２は非常に表面張力が強いので、基板３９から除去さ
れた後も液体窒素３２中に浮遊している汚染物が半導体
基板３９に再び付着することを回避できる。このように
して洗浄した後、半導体基板３９を液体窒素３２中から
引上げたところ、汚染物（パーティクル）付着は皆無で
あった。また、液体窒素３２を用いることで超音波の波
長が短かくなり、１フォノン当りのエネルギーが小さく
なるので、半導体基板３９に、超音波によるダメージが
生じなかった。このダメージは、液体窒素で基板３９が
冷却されるため発生しなくなるとも考えられる。
【０００９】なお、超音波をムラなく基板３９に当てる
ため、超音波振動子３３を振動させるようにしてもよ
い。また、液体窒素を用いたが、例えばヘリウム（He）
など他の液化ガスを用いても同様の効果がある。また、
半導体基板以外の他の被洗浄物も同様にして洗浄でき
る。
ため、超音波振動子３３を振動させるようにしてもよ
い。また、液体窒素を用いたが、例えばヘリウム（He）
など他の液化ガスを用いても同様の効果がある。また、
半導体基板以外の他の被洗浄物も同様にして洗浄でき
る。
【００１０】図２は、半導体基板を１枚ないし数枚ずつ
洗浄する第２の実施例を説明するための図である。この
実施例では、液体窒素５４を満たす槽として、第１槽５
１，第２槽５２，第３槽５３の３つを設ける。第２槽５
２は主槽にして半導体基板５５を超音波にて洗浄するも
のである。第１槽５１は、洗浄前のキャリア５６に収容
された半導体基板５５を液体窒素５４に浸漬しておく槽
であり、第２槽５２中の半導体基板５５の洗浄が終了
し、第３槽（回収槽）５３に半導体基板５５が移送され
た後、第１槽５１中の半導体基板５５が第２槽５２に移
送される。第１槽５１には液体窒素５４を注入するため
の注入口５７が設けられており、清浄な液体窒素が注入
される。そして注入された液体窒素５４は各槽の隔壁を
通じて第２槽５２，第３槽５３を更に満たしており、第
３槽５３に設けた排出口５８から排出される。なお、第
１，第２，第３の各槽５１，５２，５３にそれぞれ注入
口，排出口を設けて、各槽独自で液体窒素の注入，排出
を行ってもよい。
洗浄する第２の実施例を説明するための図である。この
実施例では、液体窒素５４を満たす槽として、第１槽５
１，第２槽５２，第３槽５３の３つを設ける。第２槽５
２は主槽にして半導体基板５５を超音波にて洗浄するも
のである。第１槽５１は、洗浄前のキャリア５６に収容
された半導体基板５５を液体窒素５４に浸漬しておく槽
であり、第２槽５２中の半導体基板５５の洗浄が終了
し、第３槽（回収槽）５３に半導体基板５５が移送され
た後、第１槽５１中の半導体基板５５が第２槽５２に移
送される。第１槽５１には液体窒素５４を注入するため
の注入口５７が設けられており、清浄な液体窒素が注入
される。そして注入された液体窒素５４は各槽の隔壁を
通じて第２槽５２，第３槽５３を更に満たしており、第
３槽５３に設けた排出口５８から排出される。なお、第
１，第２，第３の各槽５１，５２，５３にそれぞれ注入
口，排出口を設けて、各槽独自で液体窒素の注入，排出
を行ってもよい。
【００１１】また、第２槽５２にはＸ−Ｙスキャナー５
９が設けられる。このＸ−Ｙスキャナー５９は、２つの
モータ６０ａ，６０ｂと、この各モータ６０ａ，６０ｂ
に連結した２組のギア機構６１ａ，６１ｂとによって、
半導体基板５５を載置したテーブル部を上下方向および
左右方向に移動できる。上下方向の移動は、後述する超
音波振動子と半導体基板５５間の間隔を調整して、超音
波の定在波の影響を無くすために用いられる。一方、左
右方向の移動は、超音波を半導体基板５５の全面に照射
するために用いられる。
９が設けられる。このＸ−Ｙスキャナー５９は、２つの
モータ６０ａ，６０ｂと、この各モータ６０ａ，６０ｂ
に連結した２組のギア機構６１ａ，６１ｂとによって、
半導体基板５５を載置したテーブル部を上下方向および
左右方向に移動できる。上下方向の移動は、後述する超
音波振動子と半導体基板５５間の間隔を調整して、超音
波の定在波の影響を無くすために用いられる。一方、左
右方向の移動は、超音波を半導体基板５５の全面に照射
するために用いられる。
【００１２】第２槽５２内の上部には超音波振動子６２
が設けられ、超音波発振器６３に接続されている。この
超音波振動子６２の具体的形状を図３に示す。超音波振
動子６２は細長い形状をしており、したがって前記Ｘ−
Ｙスキャナー５９で半導体基板５５を、超音波振動子６
２と直交する左右方向に移動させることにより、半導体
基板５５の全面に超音波を照射することができる。な
お、この実施例では超音波振動子６２と細長い形状とし
たが、円球状の超音波振動子で放射状に超音波を照射す
ることによっても洗浄が行える。また、矩形状の超音波
振動子を左右方向および前後方向にスキャンさせて半導
体基板の全面に超音波を照射することもできる。さらに
超音波振動子は、液体窒素と接する部分を断熱材で被覆
して低温から保護してもよい。
が設けられ、超音波発振器６３に接続されている。この
超音波振動子６２の具体的形状を図３に示す。超音波振
動子６２は細長い形状をしており、したがって前記Ｘ−
Ｙスキャナー５９で半導体基板５５を、超音波振動子６
２と直交する左右方向に移動させることにより、半導体
基板５５の全面に超音波を照射することができる。な
お、この実施例では超音波振動子６２と細長い形状とし
たが、円球状の超音波振動子で放射状に超音波を照射す
ることによっても洗浄が行える。また、矩形状の超音波
振動子を左右方向および前後方向にスキャンさせて半導
体基板の全面に超音波を照射することもできる。さらに
超音波振動子は、液体窒素と接する部分を断熱材で被覆
して低温から保護してもよい。
【００１３】しかしてこの第２の実施例においては、キ
ャリア５６に収容して半導体基板５５を第１槽５１の液
体窒素５４中に浸漬し、そこから半導体基板５５を例え
ば１枚ずつ第２槽５２に送って液体窒素による超音波洗
浄を行い、その後、半導体基板５５を第３槽５３に送っ
てキャリア５６内に収容し、液体窒素５４中から引上げ
る。このような第２の実施例においても、従来の薬品や
純水洗浄より清浄な表面が得られた。従来はパーティク
ルが少なくとも２〜３個存在していたが、本実施例では
皆無であった。
ャリア５６に収容して半導体基板５５を第１槽５１の液
体窒素５４中に浸漬し、そこから半導体基板５５を例え
ば１枚ずつ第２槽５２に送って液体窒素による超音波洗
浄を行い、その後、半導体基板５５を第３槽５３に送っ
てキャリア５６内に収容し、液体窒素５４中から引上げ
る。このような第２の実施例においても、従来の薬品や
純水洗浄より清浄な表面が得られた。従来はパーティク
ルが少なくとも２〜３個存在していたが、本実施例では
皆無であった。
【００１４】次に、この発明の第３の実施例を図４〜図
６を参照して説明する。この第３の実施例は、最初に薬
品（濃硝酸）洗浄を行い、次に純水洗浄を行い、最後に
液体窒素洗浄を行う。液体窒素洗浄部分では、超音波は
使用しない。
６を参照して説明する。この第３の実施例は、最初に薬
品（濃硝酸）洗浄を行い、次に純水洗浄を行い、最後に
液体窒素洗浄を行う。液体窒素洗浄部分では、超音波は
使用しない。
【００１５】まず、図４（ａ）に示すように、薬品槽１
１は濃硝酸槽であり、この薬品槽１１内には濃硝酸１２
が充填されている。また、薬品槽１１内には仕切り板１
３が設けられており、濃硝酸１２はこの仕切り板１３上
をオーバーフローして流れ流出液１４となって排出口１
５ｂから排出される。一方、薬品槽１１の底部の注入口
１５ａを通して新しい濃硝酸が薬品槽１１内に注入さ
れ、薬品槽１１内の濃硝酸１２は循環するようになって
いる。キャリア１６に入れられた半導体基板１７は図４
（ａ）の矢印Ａ1 および図４（ｂ）に示すように、薬品
槽１１内の濃硝酸に浸漬される。
１は濃硝酸槽であり、この薬品槽１１内には濃硝酸１２
が充填されている。また、薬品槽１１内には仕切り板１
３が設けられており、濃硝酸１２はこの仕切り板１３上
をオーバーフローして流れ流出液１４となって排出口１
５ｂから排出される。一方、薬品槽１１の底部の注入口
１５ａを通して新しい濃硝酸が薬品槽１１内に注入さ
れ、薬品槽１１内の濃硝酸１２は循環するようになって
いる。キャリア１６に入れられた半導体基板１７は図４
（ａ）の矢印Ａ1 および図４（ｂ）に示すように、薬品
槽１１内の濃硝酸に浸漬される。
【００１６】次に、前記半導体基板１７とキャリア１６
は図４（ｂ）の矢印Ａ2 で示すように薬品槽１１から引
き上げられ、図５（ａ）の矢印Ａ3 で示すように純水槽
１８中に入れられる。この図５（ａ）の純水槽１８内に
は、純水１８ａが充填される。その純水１８ａは、純水
槽１８の底部の注入口１８ｂから注入され、純水槽１８
内に設けた仕切り板１８ｃの上部からオーバフローして
排水１８ｄとして排出口１８ｅより排出されるようにな
っており、純水１８ａは純水槽１８内を循環するように
なっている。この純水槽１８内の純水１８ａにキャリア
１６とともに半導体基板１７を図５（ｂ）に示すように
浸漬することにより純水槽１８内で半導体基板１７に付
着した薬品を洗浄する。
は図４（ｂ）の矢印Ａ2 で示すように薬品槽１１から引
き上げられ、図５（ａ）の矢印Ａ3 で示すように純水槽
１８中に入れられる。この図５（ａ）の純水槽１８内に
は、純水１８ａが充填される。その純水１８ａは、純水
槽１８の底部の注入口１８ｂから注入され、純水槽１８
内に設けた仕切り板１８ｃの上部からオーバフローして
排水１８ｄとして排出口１８ｅより排出されるようにな
っており、純水１８ａは純水槽１８内を循環するように
なっている。この純水槽１８内の純水１８ａにキャリア
１６とともに半導体基板１７を図５（ｂ）に示すように
浸漬することにより純水槽１８内で半導体基板１７に付
着した薬品を洗浄する。
【００１７】純水１８ａで洗浄された半導体基板１７は
図５（ｂ）の矢印Ａ4 で示すように純水槽１８から引き
上げられ、次に、図６（ａ）の矢印Ａ5 で示すように液
体窒素槽１９に入れられる。液体窒素槽１９は断熱槽１
９ｆにより内部の液体窒素１９ａと外部とを熱的に分離
している。かつ純水槽１８や薬品槽１１と同様に、液体
窒素１９ａは注入口１９ｂから注入され、仕切り板１９
ｃの上部からオーバーフローして排出液１９ｄとして排
出口１９ｅから排出されて循環している。このような液
体窒素槽１９内の液体窒素１９ａ中に、図６（ａ）の矢
印Ａ5 および図６（ｂ）に示すように半導体基板１７を
浸漬する。
図５（ｂ）の矢印Ａ4 で示すように純水槽１８から引き
上げられ、次に、図６（ａ）の矢印Ａ5 で示すように液
体窒素槽１９に入れられる。液体窒素槽１９は断熱槽１
９ｆにより内部の液体窒素１９ａと外部とを熱的に分離
している。かつ純水槽１８や薬品槽１１と同様に、液体
窒素１９ａは注入口１９ｂから注入され、仕切り板１９
ｃの上部からオーバーフローして排出液１９ｄとして排
出口１９ｅから排出されて循環している。このような液
体窒素槽１９内の液体窒素１９ａ中に、図６（ａ）の矢
印Ａ5 および図６（ｂ）に示すように半導体基板１７を
浸漬する。
【００１８】図７（ａ）は、液体窒素槽１９内の液体窒
素１９ａ中に浸漬された１枚の半導体基板１７の一部の
拡大断面図である。この図７（ａ）に示すように、半導
体基板１７の表面には、純水槽１８の浸漬時に水分２１
およびパーティクル２２が付着している。この水分２１
とパーティクル２２が付着した半導体基板１７を図６
（ｂ）に示すように液体窒素槽１９内の液体窒素１９ａ
中に浸漬することにより、この液体窒素１９ａにより、
図７（ｂ）に示すように水分２１は氷片２３となり、そ
の時の膨張作用により、パーティクル２２とともに半導
体基板１７ａより剥離し、半導体基板１７の表面は清浄
な状態で乾燥する。しかる後、図６（ｃ）に示すように
半導体基板１７を液体窒素槽１９から引上げることによ
り、全工程を終了する。
素１９ａ中に浸漬された１枚の半導体基板１７の一部の
拡大断面図である。この図７（ａ）に示すように、半導
体基板１７の表面には、純水槽１８の浸漬時に水分２１
およびパーティクル２２が付着している。この水分２１
とパーティクル２２が付着した半導体基板１７を図６
（ｂ）に示すように液体窒素槽１９内の液体窒素１９ａ
中に浸漬することにより、この液体窒素１９ａにより、
図７（ｂ）に示すように水分２１は氷片２３となり、そ
の時の膨張作用により、パーティクル２２とともに半導
体基板１７ａより剥離し、半導体基板１７の表面は清浄
な状態で乾燥する。しかる後、図６（ｃ）に示すように
半導体基板１７を液体窒素槽１９から引上げることによ
り、全工程を終了する。
【００１９】なお、この第３の実施例において、液体窒
素槽１９の液体窒素１９ａを槽外のポンプとフィルタを
介して循環させ、半導体基板より分離した水分（氷状
態）や微粒子汚染物をフィルタで回収するようにする
と、なお良い。また、第３の実施例では液体窒素槽１９
に半導体基板１７を浸漬したが、液体窒素槽１９に代え
て液体窒素をスプレーして半導体基板１７上に吹きつけ
るようにしてもよい。さらに第３の実施例および前記第
２の実施例においても、液体窒素の外、ヘリウムなどの
液化ガスを用いることができる。さらに、半導体基板以
外の他の被洗浄物を洗浄することもできる。
素槽１９の液体窒素１９ａを槽外のポンプとフィルタを
介して循環させ、半導体基板より分離した水分（氷状
態）や微粒子汚染物をフィルタで回収するようにする
と、なお良い。また、第３の実施例では液体窒素槽１９
に半導体基板１７を浸漬したが、液体窒素槽１９に代え
て液体窒素をスプレーして半導体基板１７上に吹きつけ
るようにしてもよい。さらに第３の実施例および前記第
２の実施例においても、液体窒素の外、ヘリウムなどの
液化ガスを用いることができる。さらに、半導体基板以
外の他の被洗浄物を洗浄することもできる。
【００２０】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、この発明に
よれば、液化ガスを洗浄液をしたので、被洗浄物上の汚
染物を良好かつ確実に除去でき、この時同時に超音波照
射を加えればより良好に汚染物を除去でき、例えば半導
体基板のウルトラクリーン化を図ることができる。ま
た、液化ガスを用いると、該ガスにより被洗浄物が冷却
されることと、液化ガス中では超音波の波長が短かくな
り、１フォノン当りのエネルギーが小さくなるために、
超音波照射による被洗浄物へのダメージを少なくするこ
とができる。さらに純水洗浄後に液化ガスによる洗浄を
行えば、純水洗浄後の残存水分を良好に除去してシミ状
の汚れのない清浄な乾燥表面を得ることができる。
よれば、液化ガスを洗浄液をしたので、被洗浄物上の汚
染物を良好かつ確実に除去でき、この時同時に超音波照
射を加えればより良好に汚染物を除去でき、例えば半導
体基板のウルトラクリーン化を図ることができる。ま
た、液化ガスを用いると、該ガスにより被洗浄物が冷却
されることと、液化ガス中では超音波の波長が短かくな
り、１フォノン当りのエネルギーが小さくなるために、
超音波照射による被洗浄物へのダメージを少なくするこ
とができる。さらに純水洗浄後に液化ガスによる洗浄を
行えば、純水洗浄後の残存水分を良好に除去してシミ状
の汚れのない清浄な乾燥表面を得ることができる。
【図１】この発明の第１の実施例を示す構成図である。
【図２】この発明の第２の実施例を示す構成図である。
【図３】第２の実施例における超音波振動子の一具体的
形状を示す斜視図である。
形状を示す斜視図である。
【図４】この発明の第３の実施例の一部を示す断面図で
ある。
ある。
【図５】この発明の第３の実施例の一部を示す断面図で
ある。
ある。
【図６】この発明の第３の実施例の一部を示す断面図で
ある。
ある。
【図７】この発明の第３の実施例による付着物除去状況
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１６ 半導体基板
１８ 純水槽
１８ａ 純水
１９ 液体窒素槽
１９ａ 液体窒素
３１ 槽
３２ 液体窒素
３３ 超音波振動子
３９ 半導体基板
５１ 第１槽
５２ 第２槽
５３ 第３槽
５４ 液体窒素
５５ 半導体基板
５６ 超音波振動子
Claims (3)
- 【請求項１】 液化ガスを洗浄液として被洗浄物の洗浄
を行うようにした洗浄方法。 - 【請求項２】 液化ガスを洗浄液とし、かつその洗浄液
に超音波を伝搬させて、その洗浄液中で被洗浄物の洗浄
を行うようにした洗浄方法。 - 【請求項３】 純水洗浄後に液化ガスによる洗浄を行う
ようにした洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24428591A JP3249551B2 (ja) | 1990-08-31 | 1991-08-30 | 洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-228359 | 1990-08-31 | ||
| JP22835990 | 1990-08-31 | ||
| JP24428591A JP3249551B2 (ja) | 1990-08-31 | 1991-08-30 | 洗浄方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001027706A Division JP3357037B2 (ja) | 1990-08-31 | 2001-02-05 | 半導体基板の洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513393A true JPH0513393A (ja) | 1993-01-22 |
| JP3249551B2 JP3249551B2 (ja) | 2002-01-21 |
Family
ID=26528202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24428591A Expired - Fee Related JP3249551B2 (ja) | 1990-08-31 | 1991-08-30 | 洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3249551B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003505881A (ja) * | 1999-07-21 | 2003-02-12 | ステアーグ ミクロテヒ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 基板を処理するための装置 |
| US6532976B1 (en) * | 1995-07-10 | 2003-03-18 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor wafer cleaning apparatus |
| US8043557B2 (en) * | 2007-08-15 | 2011-10-25 | American Air Liquide, Inc. | Methods and systems for sanitizing or sterilizing a medical device using ultrasonic energy and liquid nitrogen |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP24428591A patent/JP3249551B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6532976B1 (en) * | 1995-07-10 | 2003-03-18 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor wafer cleaning apparatus |
| US6637443B2 (en) | 1995-07-10 | 2003-10-28 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor wafer cleaning apparatus and method |
| JP2003505881A (ja) * | 1999-07-21 | 2003-02-12 | ステアーグ ミクロテヒ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 基板を処理するための装置 |
| JP4651252B2 (ja) * | 1999-07-21 | 2011-03-16 | アイメック | 基板を処理するための装置 |
| US8043557B2 (en) * | 2007-08-15 | 2011-10-25 | American Air Liquide, Inc. | Methods and systems for sanitizing or sterilizing a medical device using ultrasonic energy and liquid nitrogen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3249551B2 (ja) | 2002-01-21 |
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