JP2009202111A - 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法 - Google Patents
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- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 182
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 55
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 37
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 26
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000001015 abdomen Anatomy 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
Images
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
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- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
【解決手段】少なくとも、被洗浄物を浸漬して洗浄するための洗浄液を収容する洗浄槽と、該洗浄槽に超音波を伝搬するための伝搬水を収容する超音波伝搬槽と、前記超音波伝搬槽の下部に配置され振動子により超音波を前記伝搬水に重畳する振動板と、洗浄する被洗浄物を前記洗浄槽中に保持する保持治具とを具備し、前記被洗浄物が前記保持治具で保持されて前記洗浄槽内の洗浄液に浸漬され、前記洗浄槽が前記超音波伝搬槽内の伝搬水に浸され、前記振動板により重畳した超音波を伝搬水を介して洗浄槽に伝搬させて前記被洗浄物を超音波洗浄する超音波洗浄装置であって、前記超音波伝搬槽を水平面内で揺動させる伝搬槽揺動機構を具備する超音波洗浄装置。
【選択図】 図1B
Description
図3に従来の一般的な超音波洗浄装置の一例の概略図を示す。
図3に示すように、従来の一般的な超音波洗浄装置101は、被洗浄物104を洗浄するための洗浄液107を収容する洗浄槽102と、該洗浄槽102に超音波を伝搬するための伝搬水108を収容する超音波伝搬槽103と、該超音波伝搬槽103の外壁面に備えられた、例えばセラミック製の圧電素子から成る超音波振動子109により超音波を伝搬水108に重畳する振動板105等を備えるものである。また、被洗浄物104は保持治具106等により洗浄槽102中に保持され、洗浄槽102内の洗浄液に浸漬される。また、洗浄槽102は超音波伝搬槽内の伝搬水108に浸される。
しかし、洗浄液107中の定在波の波形は、洗浄槽102の形状、超音波振動子109の設置位置や周波数、洗浄液107の液種、液温、液深等により決定されるので、上記条件が一定の下では定在波の腹と節の位置も変わらない。従って、定在波の節の位置では洗浄液107がほとんど振動しないので、被洗浄物104の定在波の節の位置にある部分は十分に洗浄が行われない。このため、被洗浄物全体が均一に洗浄ができず洗浄ムラが発生するなどの問題があった。
また、被洗浄物である複数の基板の各主面と、片側端部に超音波振動子が付設された複数の棒部材を略平行に対向配置し、前記基板と前記棒部材とを相対的に平行移動させながら超音波洗浄することによって、基板の全面にわたって十分に汚染物質を除去することができる基板洗浄装置が開示されている(特許文献2参照)。
近年、半導体部品等の被洗浄物の超音波洗浄において、例えばウェーハのパーティクル除去に効果的であり、パーティクル品質を向上させるという点等から1MHzといった高周波の超音波が使用されている。しかし、使用する超音波が高周波になる程、超音波の指向性が強くなり、前記のような洗浄ムラの問題に大きく影響を与えている。
このように、本発明の超音波洗浄装置は、前記超音波伝搬槽を水平面内で揺動させる伝搬槽揺動機構を具備するので、前記超音波伝搬槽を水平面内で揺動させて前記被洗浄物に伝搬される超音波を均一にすることによって、前記被洗浄物の洗浄ムラを抑制することができ、パーティクル除去を効果的に行うことができる。また、1つの洗浄槽で前記被洗浄物を均一に洗浄することができるので、装置のコストを低減することができる。さらに、前記超音波伝搬槽を揺動させるに当たって、前記洗浄槽の洗浄液を全く汚染する恐れはないとの利点もある。
このように、前記保持治具を水平面内で揺動させる保持治具揺動機構を具備することで、前記保持治具も水平面内で揺動させることによって、前記被洗浄物の洗浄ムラをより効果的に抑制することができ、パーティクル除去をより効果的に行うことができる。
このように、前記超音波伝搬槽および保持治具は、互いに水平面内で直交方向に揺動すれば、前記被洗浄物の洗浄ムラをより一層効果的に抑制することができ、パーティクル除去をより一層効果的に行うことができる。
このように、前記超音波伝搬槽を水平面内で揺動させながら被洗浄物を超音波洗浄すれば、前記被洗浄物に伝搬される超音波を均一にして前記被洗浄物の洗浄ムラを抑制することができ、パーティクル除去を効果的に行うことができる。また、1つの洗浄槽で被洗浄物を均一に洗浄することができるので、装置のコストを低減することができる。さらに、前記超音波伝搬槽を揺動させるに当たって、前記洗浄槽の洗浄液を全く汚染する恐れはないとの利点もある。
このように、前記保持治具を水平面内で揺動させることによって、前記被洗浄物の洗浄ムラをより効果的に抑制することができ、パーティクル除去をより効果的に行うことができる。
このように、前記超音波伝搬槽および保持治具は、互いに水平面内で直交方向に揺動すれば、前記被洗浄物の洗浄ムラをより一層効果的に抑制することができ、パーティクル除去をより一層効果的に行うことができる。
近年、半導体部品等の被洗浄物の超音波洗浄において、1MHzといった高周波の超音波洗浄が利用されているが、利用する超音波が高周波になる程、超音波の指向性が強くなり、洗浄槽内における被洗浄物を保持した保持治具や超音波振動子の位置等の影響を受けて洗浄ムラが生じ、被洗浄物のパーティクル品質に影響を与えていた。
このような問題に対し、従来の超音波洗浄装置において、被洗浄物を保持する保持治具を揺動させたり、複数の洗浄槽を設け、該洗浄槽内で保持治具の位置をずらしたり、洗浄中に保持治具を配置する洗浄槽を変えたりして洗浄していたが、被洗浄物の洗浄ムラの抑制やパーティクルの除去効果が不十分であったり、複数の洗浄槽を設ける場合には、装置のコストが増加するという問題があった。その上、保持治具だけを揺動させる場合であると洗浄ムラはある程度改善されるものの、新たに洗浄液自体を汚染させてしまう恐れが生じ、また、洗浄液が波立つことによって洗浄槽から洗浄液がこぼれ出す恐れもある。
図1Aおよび図1Bに示すように、本発明の超音波洗浄装置1には、例えば半導体ウェーハ等のような被洗浄物4を浸漬して洗浄するための洗浄液7を収容する洗浄槽2と、該洗浄槽2に超音波を伝搬するための伝搬水8を収容する超音波伝搬槽3と、前記超音波伝搬槽3の下部に配置され振動子9により超音波を前記伝搬水8に重畳する振動板5と、洗浄する被洗浄物4を前記洗浄槽2中に保持する保持治具6とが設けられている。
前記洗浄槽2には洗浄液7が収容される。ここで、洗浄液7は、例えばSC−1(アンモニア水と過酸化水素水と純水とを混合したもの)等のような薬液を使用することができるし、純水を使用することもできる。また、洗浄液7の液温は例えば5〜90℃とすることができる。前記洗浄液7は、前記洗浄槽2に設けられている洗浄液供給口(不図示)から供給され、洗浄液排出口(不図示)から排出される。
ここで、前記振動子9の固有振動数は、例えば、750KHz〜1.5MHzとすることができる。これらの条件は洗浄目的に従って決定されれば良く、特にこれに限定されないが、1MHz程度の高周波の超音波を利用することで、パーティクルの除去効果を高めることができる。
また、図1Bに示すように、洗浄槽2の底面は斜めの形状にすることもできる。
また、前記超音波伝搬槽3には前記のように洗浄槽2に超音波を伝搬するための伝搬水8が収容される。そして、洗浄槽2は超音波伝搬槽3内の伝搬水8に浸される。
このような、洗浄槽2の外側に超音波伝搬槽3を設け、前記洗浄槽2と前記超音波伝搬槽3との間に伝搬水8を供給する構成は、洗浄槽に直接超音波振動子を設けた構成の超音波洗浄装置で起こる、洗浄液が昇温したときの超音波振動子の耐温性の問題や洗浄液の汚染等に対して有用である。
そして、振動板5により重畳された超音波が伝搬水8を介して洗浄槽2に伝搬されて、洗浄液面や洗浄槽2の壁等を境界とする定在波が形成され、この定在波の腹に当たる洗浄液が大きく振動し、この振動による音圧で、被洗浄物4が洗浄される。
図1Bに示すように、伝搬槽揺動機構12は、駆動モーター13および偏芯カム14を有しており、駆動モーター13からの駆動力が偏芯カム14に伝えられ、超音波伝搬槽3を水平面内で揺動させることができるようになっている。
本発明の超音波洗浄装置は、このような伝搬槽揺動機構12を用いて、超音波伝搬槽3を水平面内で揺動させて振動子9および振動板5の位置を被洗浄物4に対して相対的に移動させることで、被洗浄物4の表面に伝搬される超音波を均一にすることができ、前記被洗浄物4の洗浄ムラを抑制することができ、パーティクル除去を効果的に行うことができるものとなっている。また、被洗浄物4に伝搬される超音波は均一になるので、洗浄槽を複数設けて、洗浄時に保持治具6に保持された被洗浄物4を異なる洗浄槽に入れ替える必要もなく、洗浄槽を1つとすることができるので、装置のコストを低減することができるものとなっている。また、洗浄槽内で保持治具を揺動させるためのスペースを設けなくて済む。
ここで、超音波伝搬槽3を揺動させる方向は、水平面内でどのようにしても良く、例えば左右に反復させても良いし、回転運動させても良い。
保持治具揺動機構15は、駆動モーター16およびボールねじ17を有しており、駆動モーター16からの駆動力がボールねじ17に伝えられ、保持治具6を水平面内で揺動させることができるようになっている。
このように、前記保持治具6を水平面内で揺動させる保持治具揺動機構15を具備することで、前記保持治具6も水平面内で揺動させることによって、被洗浄物4の洗浄ムラをより効果的に抑制することができ、パーティクル除去をより効果的に行うことができる。
ここで、保持治具6を揺動させる方向は、水平面内でどのようにしても良く、例えば左右に反復させても良いし、回転運動させても良い。洗浄液7を波立たせないためには、図1Aの向きに対して水平面内で垂直方向、すなわち被洗浄物4の面方向に揺動させたほうが良い。このように揺動させれば、被洗浄物4の表面に当たる洗浄液7がより均一になる利点もある。
このように、前記超音波伝搬槽3および保持治具6は、互いに水平面内で直交方向に揺動すれば、被洗浄物4の洗浄ムラをより一層効果的に抑制することができ、パーティクル除去をより一層効果的に行うことができる。
ここで、超音波伝搬槽3および保持治具6を揺動させる距離は特に限定されないが、例えば、超音波伝搬槽3を揺動させる距離を、振動板5の揺動方向の長さの1/2とすることができる。また、同様に、保持治具6を揺動させる距離を、保持治具の揺動方向の振動板の長さの1/2とすることができる。このようにすれば、被洗浄物の表面に伝搬される超音波をより一層効果的に均一とすることができ、被洗浄物の洗浄ムラをより一層抑制することができる。
本発明の超音波洗浄方法では、図1Aおよび図1Bに示すような超音波洗浄装置1を用い、被洗浄物4を浸漬して洗浄するための洗浄液7を洗浄槽2に収容する。ここで、洗浄液7は、例えばSC−1等のような薬液を使用することができるし、純水を使用することもできる。また、洗浄液7の液温は例えば5〜90℃とすることができる。これらは洗浄目的に応じて選択すれば良い。そして、洗浄槽2に超音波を伝搬するための伝搬水8を超音波伝搬槽3に収容し、前記洗浄槽2を前記超音波伝搬槽3内の伝搬水8に浸す。また、被洗浄物4を保持治具6で保持して前記洗浄槽内2の洗浄液7に浸漬させる。
ここで、前記振動子9の固有振動数は、例えば、750KHz〜1.5MHzとすることができる。これらの条件は特にこれに限定されないが、1MHz程度の高周波の超音波を利用することで、パーティクルの除去効果を高めることができる。
そして、本発明の超音波洗浄方法では、前記超音波伝搬槽3を水平面内で揺動させながら被洗浄物4を超音波洗浄する。
このように、超音波伝搬槽3を水平面内で揺動させながら被洗浄物4を超音波洗浄すれば、前記被洗浄物4に伝搬される超音波を均一にして前記被洗浄物4の洗浄ムラを抑制することができ、パーティクル除去を効果的に行うことができる。また、被洗浄物4に伝搬される超音波は均一になるので、洗浄槽を複数設けて、洗浄時に保持治具6に保持された被洗浄物4を異なる洗浄槽に入れ替える必要もなく、洗浄槽を1つとすることができるので、装置のコストを低減することができる。
ここで、超音波伝搬槽3を揺動させる方向は、水平面内でどのようにしても良く、例えば左右に反復させても良いし、回転運動させても良い。
このように、前記保持治具6も水平面内で揺動させることによって、前記被洗浄物4の洗浄ムラをより効果的に抑制することができ、パーティクル除去をより効果的に行うことができる。
ここで、保持治具6を揺動させる方向は、水平面内でどのようにしても良く、例えば左右に反復させても良いし、回転運動させても良い。洗浄液7を波立たせないためには、図1Aの向きに対して水平面内で垂直方向、すなわち被洗浄物4の面方向に揺動させたほうが良い。このように揺動させれば、被洗浄物4の表面に当たる洗浄液7がより均一になる利点もある。
このように、前記超音波伝搬槽3および保持治具6が、互いに水平面内で直交方向に揺動すれば、前記被洗浄物4の洗浄ムラをより一層効果的に抑制することができ、パーティクル除去をより一層効果的に行うことができる。
ここで、超音波伝搬槽3および保持治具6を揺動させる距離は特に限定されないが、例えば、超音波伝搬槽3を揺動させる距離を、振動板の揺動方向の長さの1/2とすることができる。また、同様に、保持治具6を揺動させる距離を、保持治具の揺動方向の振動板の長さの1/2とすることができる。このようにすれば、被洗浄物の表面に伝搬される超音波をより一層効果的に均一とすることができ、被洗浄物の洗浄ムラをより一層抑制することができる。
図1Aおよび図1Bに示すような本発明の超音波洗浄装置を用いて、鏡面研磨後の直径300mmのシリコンウェーハ3枚を、超音波伝搬槽を揺動させながら、10分間超音波洗浄し、洗浄後のウェーハのパーティクルをウェーハ表面検査装置で測定した。使用した洗浄液はアンモニア、過酸化水素水、水の混合液(SC−1)とし、その混合比を1:1:10とした。また、洗浄液の温度を50℃とした。また、超音波の周波数は1MHzとした。
その結果、パーティクルの個数は、ウェーハ1で301、ウェーハ2で286、ウェーハ3で281となった。また、図4(A)は洗浄後のウェーハの表面のパーティクルの様子を表したものである。
このように、後述する比較例と比べパーティクル除去効果が改善し、ウェーハの洗浄ムラが抑制されていることが確認できた。
実施例1と同様な条件に加え、保持治具を図2のように同時に揺動させながらウェーハを超音波洗浄し、実施例1と同様な方法でパーティクルを測定した。
その結果、パーティクルの個数は、ウェーハ1で196、ウェーハ2で171、ウェーハ3で154となった。また、図4(B)は洗浄後のウェーハの表面のパーティクルの様子を表したものである。
このように、後述する比較例と比べパーティクル除去効果が改善し、ウェーハの洗浄ムラがさらに抑制されていることが確認できた。
図3に示すような従来の超音波洗浄装置を用い、超音波伝搬槽および保持治具を揺動することなく洗浄した以外、実施例1と同様な条件でウェーハを洗浄し、パーティクルと測定した。
その結果、パーティクルの個数は、ウェーハ1で2994、ウェーハ2で2749、ウェーハ3で1545となった。また、図4(C)は洗浄後のウェーハの表面のパーティクルの様子を表したものである。
図4(C)に示すように、超音波の弱い部分に研磨剤に基づくと思われるパーティクルが除去されずに残る結果となった。
4…被洗浄物、5…振動板、6…保持治具、
7…洗浄液、8…伝搬水、9…振動子、10…支持部材、
11…棒部材、12…伝搬槽揺動機構、13、16…駆動モーター、
14…偏芯カム、15…保持治具揺動機構、17…ボールねじ。
Claims (6)
- 少なくとも、被洗浄物を浸漬して洗浄するための洗浄液を収容する洗浄槽と、該洗浄槽に超音波を伝搬するための伝搬水を収容する超音波伝搬槽と、前記超音波伝搬槽の下部に配置され振動子により超音波を前記伝搬水に重畳する振動板と、洗浄する被洗浄物を前記洗浄槽中に保持する保持治具とを具備し、前記被洗浄物が前記保持治具で保持されて前記洗浄槽内の洗浄液に浸漬され、前記洗浄槽が前記超音波伝搬槽内の伝搬水に浸され、前記振動板により重畳した超音波を伝搬水を介して洗浄槽に伝搬させて前記被洗浄物を超音波洗浄する超音波洗浄装置であって、前記超音波伝搬槽を水平面内で揺動させる伝搬槽揺動機構を具備する超音波洗浄装置。
- 前記保持治具を水平面内で揺動させる保持治具揺動機構を具備することを特徴とする請求項1に記載の超音波洗浄装置。
- 前記超音波伝搬槽および保持治具は、互いに水平面内で直交方向に揺動するものであることを特徴とする請求項2に記載の超音波洗浄装置。
- 被洗浄物を浸漬して洗浄するための洗浄液を洗浄槽に収容し、前記洗浄槽に超音波を伝搬するための伝搬水を超音波伝搬槽に収容し、振動子により超音波を前記伝搬水に重畳する振動板を前記超音波伝搬槽の下部に配置し、前記被洗浄物を保持治具で保持して前記洗浄槽内の洗浄液に浸漬し、前記洗浄槽を前記超音波伝搬槽内の伝搬水に浸し、前記振動板により重畳した超音波を伝搬水を介して洗浄槽に伝搬させて前記被洗浄物を洗浄する超音波洗浄方法であって、前記超音波伝搬槽を水平面内で揺動させながら被洗浄物を超音波洗浄することを特徴とする超音波洗浄方法。
- 前記保持治具を水平面内で揺動させることを特徴とする請求項4に記載の超音波洗浄方法。
- 前記超音波伝搬槽および保持治具を、互いに水平面内で直交方向に揺動させることを特徴とする請求項5に記載の超音波洗浄方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008047686A JP4934079B2 (ja) | 2008-02-28 | 2008-02-28 | 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法 |
PCT/JP2009/000248 WO2009107319A1 (ja) | 2008-02-28 | 2009-01-23 | 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法 |
KR1020107019029A KR101571685B1 (ko) | 2008-02-28 | 2009-01-23 | 초음파 세정 장치 및 초음파 세정 방법 |
CN2009801069270A CN101959620B (zh) | 2008-02-28 | 2009-01-23 | 超声波清洗装置及超声波清洗方法 |
DE112009000361.3T DE112009000361B4 (de) | 2008-02-28 | 2009-01-23 | Ultraschall-Reinigungsvorrichtung und Ultraschall-Reinigungsverfahren |
US12/864,255 US8083856B2 (en) | 2008-02-28 | 2009-01-23 | Ultrasonic cleaning apparatus and ultrasonic cleaning method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008047686A JP4934079B2 (ja) | 2008-02-28 | 2008-02-28 | 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009202111A true JP2009202111A (ja) | 2009-09-10 |
JP4934079B2 JP4934079B2 (ja) | 2012-05-16 |
Family
ID=41015726
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008047686A Active JP4934079B2 (ja) | 2008-02-28 | 2008-02-28 | 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8083856B2 (ja) |
JP (1) | JP4934079B2 (ja) |
KR (1) | KR101571685B1 (ja) |
CN (1) | CN101959620B (ja) |
DE (1) | DE112009000361B4 (ja) |
WO (1) | WO2009107319A1 (ja) |
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DE112009000361B4 (de) | 2017-12-14 |
KR101571685B1 (ko) | 2015-11-25 |
DE112009000361T5 (de) | 2011-03-31 |
CN101959620B (zh) | 2012-11-14 |
CN101959620A (zh) | 2011-01-26 |
US20100294305A1 (en) | 2010-11-25 |
US8083856B2 (en) | 2011-12-27 |
WO2009107319A1 (ja) | 2009-09-03 |
KR20100137431A (ko) | 2010-12-30 |
JP4934079B2 (ja) | 2012-05-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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