JP7339058B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本願は、基板処理装置に関する。

従来から、複数の基板に対して一括して乾燥処理を施すバッチ式の乾燥ユニットが知られている（例えば、特許文献１）。特許文献１において、乾燥ユニットの乾燥チャンバには、貯留槽と第１吐出ノズルと第２吐出ノズルと排出部と揺動部が設けられている。第１吐出ノズルは貯留槽に対して鉛直上側に配置され、この貯留槽に純水を供給する。第２吐出ノズルは貯留槽に対して鉛直上側に配置され、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の蒸気および乾燥用の高温ガスを選択的に吐出する。排出部は、貯留槽の底部に連通接続した排出管と、その排出管内の流路の開閉を切り替える開閉弁とを有している。

この乾燥ユニットにおいて、まず第１吐出ノズルから純水が貯留槽に吐出される。これにより、貯留槽には純水が貯留される。貯留槽に十分な純水が貯留されると、複数の基板を収納したキャリアを、その純水に浸漬させる。複数の基板は起立姿勢で純水に浸漬される。

次に第２吐出ノズルからＩＰＡの蒸気を吐出する。この蒸気が貯留槽内の純水の液面上で液化し、ＩＰＡの液膜が形成される。次にＩＰＡの蒸気を吐出したまま、開閉弁を開いて処理液を貯留槽から排出する。これにより、貯留槽内においてＩＰＡの液膜が下降し、基板の表面の純水が順次にＩＰＡに置換される。

処理液の排出が終了すると、第２吐出ノズルからＩＰＡの蒸気の吐出を停止し、高温ガスを吐出する。また、揺動部は高温ガスの吐出中にキャリアを揺動する。具体的には、揺動部は基板の表面に平行かつ水平な回動軸のまわりでキャリアを回動させる。この揺動により、キャリアおよび複数の基板に付着したＩＰＡを振り落とすことができ、乾燥を促進することができる。

特許文献１では、蒸発しやすいＩＰＡが純水に置き換えられた状態で、複数の基板に高温ガスが供給されるので、ウォーターマークの発生を回避しやすい。

特開２０１２－１９９３７１号公報

ところで、キャリアは一対の第１側壁と一対の第２側壁とを含む。一対の第１側壁は基板の厚み方向において複数の基板の一組を挟む位置に配置され、一対の第２側壁は、厚み方向に垂直かつ水平な左右方向において複数の基板の一組を挟む位置に配置される。一対の第１側壁および一対の第２側壁は互いに連結され、平面視において複数の基板を囲む。この第１側壁の上面は左右方向に長い長尺形状を有し、第２側壁の上面は厚み方向に長い長尺形状を有する。

さて、特許文献１では、キャリアを揺動するための回動軸が左右方向に平行である。よって、特許文献１では、キャリアの揺動中において、第１側壁の上面に付着した液体（ＩＰＡ）には、その短手方向に沿って力（例えば重力）が作用し、第２側壁の上面に付着した液体には、その長手方向に沿って力（例えば重力）が作用する。このように液体に作用する力が、その液体が付着した上面の長手方向または短手方向に沿っている場合には、その上面から液体を十分に振り落とすことができない場合があった。

そこで、本願は、基板収容器の上面に残留する液体を効果的に振り落とすことができる技術を提供することを目的とする。

基板処理装置の第１の態様は、液体が付着した複数の基板を一括して乾燥させる基板処理装置であって、少なくとも鉛直上側に開口する内部空間を形成し、前記内部空間において前記複数の基板をその厚み方向に沿って並べた状態で格納する基板格納容器を、所定の回動軸のまわりで回動させて、前記基板格納容器を揺動させる揺動部と、前記複数の基板および前記基板格納容器に乾燥用のガスを吐出するガスノズルとを備え、前記回動軸は、鉛直方向に沿うＺ軸と、前記Ｚ軸に垂直であり前記厚み方向に沿うＹ軸と、前記Ｙ軸および前記Ｚ軸に垂直なＸ軸とに対して交差し、前記Ｚ軸に沿って見て、前記回動軸が前記Ｘ軸に対してなす角度は、１０度以上かつ８０度以下である。

基板処理装置の第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理装置であって、前記Ｘ軸において両側に位置する前記基板格納容器の側壁部の内面には、複数の凸部が前記Ｙ軸に沿って並んで形成されており、前記複数の基板の各々は前記複数の凸部の二者の間に挿入されており、前記Ｚ軸に沿って見て、前記回動軸が前記Ｘ軸に対してなす角度は、１０度以上かつ４５度以下である。

基板処理装置の第３の態様は、第１または第２の態様にかかる基板処理装置であって、前記Ｙ軸に沿って見て、前記回動軸が前記Ｘ軸に対してなす角度は、１度以上である。

基板処理装置の第４の態様は、第１から第３のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記揺動部は、前記回動軸のまわりで前記基板格納容器を±６度以上の角度範囲で回動させる。

基板処理装置の第５の態様は、第１から第４のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、処理液を貯留し、前記基板格納容器を前記処理液に浸漬させる貯留槽と、前記貯留槽に前記処理液を供給する液ノズルと、前記貯留槽から前記処理液を排出する排出部とを備え、前記ガスノズルは前記貯留槽よりも上側に設けられ、有機溶剤の蒸気を吐出して、前記貯留槽に貯留された前記処理液の液面に前記有機溶剤の液膜を形成する。

基板処理装置の第６の態様は、第５の態様にかかる基板処理装置であって、前記ガスノズルは水平方向または水平方向よりも上側に向けて前記有機溶剤の蒸気を吐出する。

基板処理装置の第７の態様は、第５または第６の態様にかかる基板処理装置であって、前記ガスノズルが前記有機溶剤の蒸気を供給しつつ前記排出部が前記処理液を前記貯留槽から排出して前記処理液の液面を下降させることで、前記基板格納容器および前記複数の基板の表面に付着した前記処理液を前記有機溶剤に置換し、前記揺動部は、前記処理液の液面が前記基板格納容器の下端に到達した到達時点以後に、前記基板格納容器の揺動を開始する。

基板処理装置の第８の態様は、液体が付着した複数の基板を一括して乾燥させる基板処理装置であって、少なくとも鉛直上側に開口する内部空間を形成し、前記内部空間において前記複数の基板をその厚み方向に沿って並べた状態で格納する基板格納容器を、所定の回動軸のまわりで回動させて、前記基板格納容器を揺動させる揺動部と、前記複数の基板および前記基板格納容器に乾燥用のガスを吐出するガスノズルと、処理液を貯留し、前記基板格納容器を前記処理液に浸漬させる貯留槽と、前記貯留槽に前記処理液を供給する液ノズルと、前記貯留槽から前記処理液を排出する排出部とを備え、前記回動軸は、鉛直方向に沿うＺ軸と、前記Ｚ軸に垂直であり前記厚み方向に沿うＹ軸と、前記Ｙ軸および前記Ｚ軸に垂直なＸ軸とに対して交差し、前記ガスノズルは前記貯留槽よりも上側に設けられ、有機溶剤の蒸気を吐出して、前記貯留槽に貯留された前記処理液の液面に前記有機溶剤の液膜を形成し、前記ガスノズルが前記有機溶剤の蒸気を供給しつつ前記排出部が前記処理液を前記貯留槽から排出して前記処理液の液面を下降させることで、前記基板格納容器および前記複数の基板の表面に付着した前記処理液を前記有機溶剤に置換し、前記揺動部は、前記処理液の液面が前記基板格納容器の下端に到達した到達時点以後に、前記基板格納容器の揺動を開始し、前記ガスノズルは、前記基板格納容器に向けて不活性ガスも吐出し、前記ガスノズルは、前記到達時点から所定期間に亘って前記有機溶剤の蒸気の吐出を維持し、前記所定期間が経過したときに前記有機溶剤の吐出を停止し、前記揺動部は、前記到達時点から前記所定期間が経過するまでの時点において、前記基板格納容器の揺動を開始する。

基板処理装置の第９の態様は、第７の態様にかかる基板処理装置であって、前記ガスノズルは、前記基板格納容器に向けて不活性ガスも吐出し、前記ガスノズルは、前記到達時点以後に前記有機溶剤の蒸気の吐出を停止し、前記揺動部は前記有機溶剤の蒸気の吐出の停止以後に、前記基板格納容器の揺動を開始する。

基板処理装置の第１０の態様は、液体が付着した複数の基板を一括して乾燥させる基板処理装置であって、少なくとも鉛直上側に開口する内部空間を形成し、前記内部空間において前記複数の基板をその厚み方向に沿って並べた状態で格納する基板格納容器を、所定の回動軸のまわりで回動させて、前記基板格納容器を揺動させる揺動部と、前記複数の基板および前記基板格納容器に乾燥用のガスを吐出するガスノズルとを備え、前記回動軸は、鉛直方向に沿うＺ軸と、前記Ｚ軸に垂直であり前記厚み方向に沿うＹ軸と、前記Ｙ軸および前記Ｚ軸に垂直なＸ軸とに対して交差し、前記揺動部は、前記基板格納容器を載置する載置台を含み、前記載置台の上面には、前記複数の基板を前記基板格納容器から持ち上げて支持する突起支持部が設けられている。

基板処理装置の第１の態様によれば、回動軸はＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸のいずれとも交差する。よって、基板格納容器の揺動中において、基板格納容器の側壁部の上端面はＸ軸およびＹ軸の両方に対して傾斜する。したがって、側壁部の上端面の上に液体が残留していた場合に、当該液体を上端面の上から容易に振り落とすことができる。よって、基板格納容器を短時間で乾燥することができる。

しかも、基板格納容器の揺動により、その上端面の上の液体を容易に振り落とすことができる。

基板処理装置の第２の態様によれば、基板格納容器の揺動中において基板に生じる力のＹ軸成分（厚み方向成分）をＸ軸成分よりも大きくできる。これにより、基板格納容器の揺動中において、基板をそのＹ軸方向に容易に変位させることができる。よって、基板格納容器の揺動中において、各基板と凸部との間の隙間を大きくすることができ、当該隙間に残留する液体を容易に落下させることができる。

基板処理装置の第３の態様によれば、基板格納容器の上端面の上の液体を容易に振り落とすことができる。

基板処理装置の第４の態様によれば、基板格納容器の上端面の上の液体を容易に振り落とすことができる。

基板処理装置の第５の態様によれば、処理液の液面に有機溶剤の液膜を形成することができる。この処理液の排出中に有機溶剤の液膜が複数の基板およびキャリアに作用して、基板およびキャリアに付着した処理液を有機溶剤に置換できる（液置換処理）。これにより、ウォーターマークを抑制しつつ乾燥処理を行うことができる。

基板処理装置の第６の態様によれば、ガスノズルが有機溶剤の蒸気を水平方向または水平方向よりも鉛直上側に向けて吐出することで、この蒸気はより広がった状態で処理液の液面に接触し、当該液面で液化する。これにより、蒸気をより広い範囲でより均一に処理液の液面に接触させることができる。よって、液面の揺らぎを低減でき、また有機溶剤の液膜の厚みのばらつきを低減することができる。したがって、処理液の排出の際に複数の基板の相互間に作用する表面張力のばらつきを低減できる。

基板処理装置の第７の態様によれば、処理液の液面の下降中に基板格納容器が揺動しないので、基板格納容器の揺動による液面の揺らぎを回避できる。

基板処理装置の第８の態様によれば、液膜による液置換処理後において、有機溶剤の蒸気の供給が維持されつつキャリアの揺動が行われる。よって、キャリアおよび基板に付着した液体を振り落とすことができつつ、有機溶剤の蒸気がキャリアおよび基板に付着して液化する。つまり、液膜による液置換処理の後にも、蒸気による液置換処理を行うことができる。よって、液膜による液置換処理によっても処理液がなおキャリアおよび基板に残留していたとしても、その処理液の少なくとも一部を有機溶剤に置換することができる。

基板処理装置の第９の態様によれば、液膜による液置換処理の終了後に、速やかに不活性ガスによる乾燥処理を行うことができる。また、この乾燥処理中に基板格納容器を揺動させるので、短時間でより適切に乾燥を行うことができる。

基板処理装置の第１０の態様によれば、複数の基板が突起支持部に支持された状態で、基板の側面と基板格納容器の面との間に間隙（空間）が生じる。処理液の排出の際には、処理液はこの間隙を流れることができるので、処理液の残留を抑制できる。

基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。 基板処理装置の構成の一例を概略的に示す平面図である。 基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。 処理液の排出中における基板処理装置の様子の一例を概略的に示す図である。 キャリアの揺動中の基板処理装置の一例を概略的に示す図である。 キャリアの揺動中の基板処理装置の一例を概略的に示す図である。 キャリアの揺動中の基板処理装置の一例を概略的に示す図である。 キャリアの揺動中の基板処理装置の一例を概略的に示す図である。 キャリアの上端面の傾斜を説明するための図である。 比較例にかかるキャリアの上端面の傾斜を説明するための図である。 基板処理装置の構成の他の一例を概略的に示す図である。 基板処理装置の動作の他の一例を示すフローチャートである。 基板処理装置の構成の他の一例を概略的に示す図である。 基板処理装置の構成の他の一例を概略的に示す図である。 突起支持部、キャリアおよび基板の位置関係を説明するための図である。

以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。なお、図面は概略的に示されており、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化がなされ得る。また、図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また各図において、構成要素の位置関係を明確にするため、Ｚ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を適宜付している。以下では、Ｚ軸方向の一方側（ここでは鉛直上側）を＋Ｚ側と呼び、Ｚ軸方向の他方側（ここでは鉛直下側）を－Ｚ側とも呼ぶ。Ｘ軸およびＹ軸も同様である。

また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。

第１の実施の形態．
＜基板処理装置＞
図１は、第１の実施の形態にかかる基板処理装置１０の構成の一例を概略的に示す図であり、図２は、基板処理装置１０の構成の一例を概略的に示す平面図である。この基板処理装置１０は、複数の基板Ｗに対して一括して乾燥処理を行うバッチ式の乾燥処理装置である。

処理対象となる基板Ｗは平板状の形状を有しており、図１の例では、基板Ｗの厚み方向に沿って見て、略円形状を有している。基板Ｗは例えば半導体基板（例えばパワートランジスタ用の半導体基板）である。半導体基板はシリコンの他、ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）またはＳｉＣ（シリコンカーバイド）等の半導体基板も含む。

複数の基板Ｗの直径は例えば数十［ｍｍ］～数百［ｍｍ］程度である。基板Ｗの厚みは例えば数百［μｍ］程度であり、例えば２００［μｍ］～３５０［μｍ］程度である。より具体的な一例として、基板Ｗの直径はＳＥＭＩ（Semiconductor Equipment and Materials International）規格における８インチ（あるいは６インチ）の直径と同程度であり、その厚みは８インチ（あるいは６インチ）の厚みの半分程度である。このように厚みの薄い基板Ｗを採用すれば、より多くの基板Ｗを後述のキャリア（基板格納容器）Ｃに格納することができる。つまり、一度に処理できる基板Ｗの枚数を増大できる。よって基板処理装置１０の処理能力を向上できる。なお基板Ｗは必ずしも半導体基板に限らず、他の任意の基板であってもよい。また上述のサイズは一例であって、これに限定されるものではない。

複数の基板ＷはキャリアＣに格納された状態で基板処理装置１０内に搬送される。このキャリアＣは、少なくとも＋Ｚ側および－Ｚ側に開口する内部空間を有しており、この内部空間内に複数の基板Ｗが格納される。複数の基板ＷはキャリアＣの内部空間において、起立姿勢をとっており、また基板Ｗの法線方向（厚み方向：ここではＹ軸方向）に沿って並んで格納される。起立姿勢とは、基板Ｗの法線方向（厚み方向）が水平方向に沿う姿勢である。キャリアＣに格納される基板Ｗの枚数は特に限定される必要はないものの、例えば数十枚（例えば５０枚）程度である。

基板処理装置１０はチャンバ１と揺動部５とガス供給部６と制御部７とを含んでいる。図１の例では、基板処理装置１０はさらに貯留槽２と処理液供給部３と排出部４とを含んでいる。以下では、各構成を概説した後に詳述する。

チャンバ１は筐体１１と蓋１２とを含んでいる。筐体１１は、＋Ｚ側に開口する箱状の形状を有している。蓋１２は開閉可能に筐体１１の＋Ｚ側の端部に取り付けられている。蓋１２の開閉は制御部７によって制御され、蓋１２が閉じることで、チャンバ１の＋Ｚ側の開口部が閉塞する。

チャンバ１の内部には、貯留槽２が配置されている。貯留槽２は、＋Ｚ側に開口する開口部を有しており、この開口部から貯留槽２の内部に処理液が供給される。貯留槽２は、供給された処理液を貯留する。図１の例では、貯留槽２は筐体１１の底部から離れた状態で固定部材２１を介して筐体１１に固定されている。

複数の基板ＷはキャリアＣに格納された状態で、不図示の搬送機構によってチャンバ１内に搬送される。具体的には、キャリアＣは蓋１２が開いたときの筐体１１の開口部を通過して、貯留槽２の内部に搬入される。

処理液供給部３は貯留槽２に処理液を供給する。これにより、貯留槽２には処理液が貯留される。貯留槽２には、キャリアＣが処理液に浸漬する程度に処理液が貯留される。

ガス供給部６は乾燥用のガスをチャンバ１内に供給する。このガス供給部６は有機溶剤ガス供給部６１を含んでいる。有機溶剤ガス供給部６１はチャンバ１内において、貯留槽２よりも＋Ｚ側の空間（以下、上部空間と呼ぶ）に対して、有機溶剤の蒸気を供給する。この蒸気は上部空間で広がり、その一部が貯留槽２に貯留された処理液の液面で液化して有機溶剤の液膜を形成する。

有機溶剤は例えば処理液よりも表面張力が小さい溶剤である。またここでは基板処理装置１０は基板Ｗを乾燥する乾燥処理を行うので、その乾燥のために処理液よりも蒸発潜熱が小さい有機溶剤が採用される。具体的な一例として、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が採用される。なお、有機溶剤ガス供給部６１はキャリアガスとして不活性ガスを有機溶剤の蒸気とともに供給してもよい。不活性ガスとしては、基板Ｗと化学反応を起こしにくい気体（例えば、ヘリウムおよびアルゴンのような希ガス、または、窒素ガス）を採用できる。

排出部４は貯留槽２内の処理液をチャンバ１の外部へ排出する。具体的には、排出部４は、貯留槽２内の処理液の液面に有機溶剤の液膜が形成された状態で処理液を排出する。これにより、処理液の液面（有機溶剤の液膜）が時間の経過とともに下降する。この液膜が各基板ＷおよびキャリアＣの表面と接触することで、各表面に付着した処理液が、蒸発潜熱の小さい有機溶剤に順次に置換される。

ガス供給部６は高温ガス供給部６２も含んでいる。高温ガス供給部６２は、基板ＷおよびキャリアＣに向けて高温の不活性ガスを供給する。不活性ガスとしては、基板Ｗと化学反応を起こしにくい気体（例えば、ヘリウムおよびアルゴンのような希ガス、または、窒素）を採用できる。高温ガス供給部６２が処理液の排出後に、高温の不活性ガスを基板ＷおよびキャリアＣに供給することにより、基板ＷおよびキャリアＣを乾燥することができる（乾燥処理）。

揺動部５は、貯留槽２内に載置されたキャリアＣを、所定の回動軸Ｑ１のまわりにおいて所定の角度範囲で交互に反対方向に回動させて、キャリアＣを揺動させる。これにより、基板ＷおよびキャリアＣに付着した液体（主として有機溶剤）を振り落とすことができる。揺動部５は少なくとも乾燥処理中において、キャリアＣを揺動させることにより、基板ＷおよびキャリアＣの乾燥を促進する。

＜処理液供給部＞
処理液供給部３は液ノズル３１と供給管３２と開閉弁３３とを含んでいる。液ノズル３１はチャンバ１内の上部空間（貯留槽２よりも＋Ｚ側の空間）に配置されており、例えば筐体１１の内側面に固定される。また液ノズル３１は供給管３２を介して処理液供給源３４に連通接続されている。つまり、供給管３２の一端は液ノズル３１に連通接続され、他端は処理液供給源３４に連通接続される。開閉弁３３は供給管３２の途中に設けられており、供給管３２内の流路の開閉を切り替える。開閉弁３３が開くことにより、処理液が処理液供給源３４から供給管３２の内部を流れ、液ノズル３１から貯留槽２へと吐出される。開閉弁３３が閉じることで、液ノズル３１からの処理液の吐出が終了する。処理液は例えば純水である。

＜排出部＞
図１の例では、排出部４は排出管４１，４２と開閉弁４３，４４とを含んでいる。排出管４１は、貯留槽２に貯留された処理液を貯留槽２の外部に排出するための配管である。図１の例では、排出管４１の一端は貯留槽２の底部と連通接続されており、他端は筐体１１内において開口している。開閉弁４３は排出管４１の途中に設けられており、排出管４１内の流路の開閉を切り替える。開閉弁４３が開くことにより、貯留槽２の内部の処理液が排出管４１の内部を通って、排出管４１の他端から筐体１１の底部へと流れ出る。開閉弁４３が閉じることにより、貯留槽２からの処理液の排出が終了する。

排出管４２は、筐体１１の底部に溜まった処理液をチャンバ１の外部に排出する。排出管４２の一端は筐体１１の底部に連通接続されており、他端は排出ドレイン４５に連通接続されている。開閉弁４４は排出管４２の途中に設けられており、排出管４２内の流路の開閉を切り替える。開閉弁４４が開くことにより、筐体１１内の処理液が排出管４２の内部を通って排出ドレイン４５へと排出される。開閉弁４４が閉じることにより、筐体１１からの処理液の排出が終了する。

＜有機溶剤ガス供給部＞
有機溶剤ガス供給部６１はガスノズル６０１と供給管６０２ａ，６０２ｂ，６０３と開閉弁６０５と加熱部６０６とを含んでいる。ガスノズル６０１はチャンバ１内の上部空間（貯留槽２よりも＋Ｚ側の空間）に配置されている。図１の例では、ガスノズル６０１として、一対のガスノズル６０１ａ，６０１ｂが配置されている。ガスノズル６０１ａ，６０１ｂは例えばＸ軸方向において互いに離れている。平面視において（つまり、Ｚ軸に沿って見て）、ガスノズル６０１ａは貯留槽２の中心に対して－Ｘ側に配置され、ガスノズル６０１ｂは貯留槽２の中心に対して＋Ｘ側に配置される。図１の例では、ガスノズル６０１ａ，６０１ｂは略同じ高さ位置に配置されている。ガスノズル６０１ａ，６０１ｂは例えばＹ軸方向に沿って延在しており、Ｙ軸方向に沿って並ぶ複数の吐出口を有していてもよい。図１の例では、ガスノズル６０１ａは＋Ｘ側かつ－Ｚ側の斜め方向にガスを吐出し、ガスノズル６０１ｂは－Ｘ側かつ－Ｚ側の斜め方向にガスを吐出する。

ガスノズル６０１ａは供給管６０２ａ，６０３を介して有機溶剤ガス供給源６０４に連通接続される。具体的には、供給管６０２ａの一端はガスノズル６０１ａに連通接続され、供給管６０２ａの他端は供給管６０３の一端に連通接続され、供給管６０３の他端は有機溶剤ガス供給源６０４に連通接続される。有機溶剤ガス供給源６０４は供給管６０３の他端に有機溶剤の蒸気を供給する。ガスノズル６０１ｂは供給管６０２ｂ，６０３を介して有機溶剤ガス供給源６０４に連通接続される。具体的には、供給管６０２ｂの一端はガスノズル６０１ｂに連通接続され、供給管６０２ｂの他端は供給管６０３の一端に連通接続される。

開閉弁６０５は供給管６０３の途中に設けられ、供給管６０３内の流路の開閉を切り替える。加熱部６０６は例えばヒータであり、開閉弁６０５よりも下流側において供給管６０３に設けられている。加熱部６０６は供給管６０３の内部を流れるガスを加熱する。

開閉弁６０５が開くことにより、有機溶剤の蒸気が有機溶剤ガス供給源６０４から供給管６０３，６０２ａ，６０２ｂの内部を流れる。この蒸気は加熱部６０６によって加熱された上で、ガスノズル６０１ａ，６０１ｂから吐出される。

＜高温ガス供給部＞
図１の例では、高温ガス供給部６２はガスノズル６０１から高温の不活性ガスを吐出する。つまり、図１の例では、ガスノズル６０１は有機溶剤ガス供給部６１および高温ガス供給部６２によって兼用される。高温ガス供給部６２は供給管６２３と開閉弁６２５とを含んでいる。

供給管６２３の一端は開閉弁６０５と加熱部６０６との間において、供給管６０３に連通接続され、供給管６２３の他端はガス供給源６２４に連通接続される。ガス供給源６２４は不活性ガスを供給管６２３の他端に供給する。

開閉弁６２５は供給管６２３の途中に設けられ、供給管６２３内の流路の開閉を切り替える。開閉弁６２５が開くことにより、不活性ガスがガス供給源６２４から供給管６２３，６０３，６０２ａ，６０２ｂの内部を流れる。不活性ガスは加熱部６０６によって加熱された上で、ガスノズル６０１ａ，６０１ｂから基板ＷおよびキャリアＣに向けて高温ガスとして吐出される。

＜揺動部＞
揺動部５は、チャンバ１内に載置されたキャリアＣを所定の回動軸Ｑ１のまわりで交互に反対方向に回動させて、キャリアＣを揺動させる。これにより、基板ＷおよびキャリアＣに付着した液体を振り落とす。ここでは、揺動部５の説明する前に、まず、キャリアＣの形状の一例について説明する。

キャリアＣは、例えば、フッ素樹脂によって構成されており、キャリア本体９１と支持脚９２とを含んでいる。キャリア本体９１は、複数の基板Ｗを格納する部材である。キャリア本体９１は＋Ｚ側に開口しており、複数の基板Ｗは＋Ｚ側からキャリア本体９１に挿入される。キャリア本体９１は－Ｚ側にも開口している。ただし、キャリア本体９１は複数の基板Ｗを支持しており、複数の基板Ｗがキャリア本体９１の－Ｚ側の開口部から落下することはない。

支持脚９２はキャリア本体９１の下端から－Ｚ側に延在している。図１の例では、一対の支持脚９２が設けられており、これらはＸ軸方向において間隔を空けて配置されている。支持脚９２はＹ軸方向に沿って延在しており、そのＹ軸方向における長さは例えばキャリア本体９１の長さに略等しい。

キャリア本体９１は前壁部９１１と後壁部９１２と側壁部９１３と側壁部９１４とを有している。前壁部９１１および後壁部９１２はＹ軸方向において互いに対向する。前壁部９１１は＋Ｙ側に位置し、後壁部９１２は－Ｙ側に位置する。図２を参照して、側壁部９１３は前壁部９１１の－Ｘ側の端部と後壁部９１２の－Ｘ側の端部とを連結し、側壁部９１４は前壁部９１１の＋Ｘ側の端部と後壁部９１２の＋Ｘ側の端部とを連結する。前壁部９１１、後壁部９１２、側壁部９１３および側壁部９１４によって囲まれた空間がキャリアＣの内部空間に相当する。

側壁部９１３，９１４の間隔は、－Ｚ側の領域において、－Ｚ側に向かうにつれて狭くなっており、複数の基板Ｗはその－Ｚ側の領域において側壁部９１３，９１４の内周面に当接して、側壁部９１３，９１４によって支持される。

図２に例示するように、側壁部９１３の＋Ｘ側の面（内面）には、複数の凸部９３がＹ軸方向に沿って間隔を空けて並んで形成されている。この凸部９３は＋Ｘ側に突起する。隣り合う２つの凸部９３の間には、１枚の基板Ｗの周縁部が挿入される。側壁部９１４の－Ｘ側の面（内面）には、複数の凸部９４がＹ軸方向に沿って間隔を空けて並んで形成されている。この凸部９４は＋Ｘ側に突起しており、凸部９３とＹ軸方向において対向する位置に設けられている。隣り合う２つの凸部９４の間には、１枚の基板Ｗの周縁部が挿入される。このように基板Ｗの周縁部が凸部９３の間および凸部９４の間に挿入されることにより、基板Ｗが起立姿勢を保つ。

図２に例示するように、キャリアＣの側壁部９１３の＋Ｚ側の面（以下、上端面と呼ぶ）９１３ａはＹ軸方向に沿って延在しており、Ｙ軸方向に長い長尺形状を有している。つまり、上端面９１３ａのＹ軸方向の幅は上端面９１３ａのＸ軸方向の幅よりも長い。上端面９１４ａも同様の形状を有している。

図１の例では、前壁部９１１の上端面９１１ａは、＋Ｚ側に開口する略Ｕ字状の形状を有しており、その両端はそれぞれ上端面９１３ａ，９１４ａの＋Ｙ側の端と連続する。この上端面９１１ａのＵ字状の中央部（底部）はＸ軸方向に沿って延在しており、Ｘ軸方向に長い長尺形状を有している。つまり、上端面９１１ａの当該中央部のＸ軸方向の幅は上端面９１１ａのＹ軸方向の幅よりも長い。後壁部９１２の上端面９１２ａも前壁部９１１の上端面９１１ａと同様に、略Ｕ字状の形状を有しており、その中央部は平面視においてＸ軸方向に長い長尺形状を有している。

このようなキャリアＣが貯留槽２内の処理液に浸漬した後に、排出部４が処理液を排出すると、キャリアＣの上端面９１１ａ～９１４ａには、液体（主として有機溶剤）が残留する。キャリアＣが疎水性を有している場合には、当該液体が比較的盛り上がった状態で残留し、その体積が大きくなる。体積の大きい液体は乾燥しにくいので、乾燥時間が長くなる。よって、キャリアＣの上端面９１１ａ～９１４ａに残留した液体の大部分をキャリアＣから落下させることが望ましい。

揺動部５は、貯留槽２内に載置されたキャリアＣを回動軸Ｑ１のまわりで交互に反対方向に回動させて、キャリアＣを揺動させる。この回動軸Ｑ１はＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸のいずれとも交差するように設定される。つまり、回動軸Ｑ１は、キャリアＣにおいて複数の基板Ｗが並ぶ配列方向（Ｙ軸方向）、鉛直方向（Ｚ軸方向）およびこれらと垂直な水平方向（Ｘ軸方向）のいずれとも交差する。図２の例では、回動軸Ｑ１は平面視において傾斜角θｘｚでＸ軸と交差している。この傾斜角θｘｚは１０度以上かつ８０度以下であり、より好ましくは、１０度以上かつ４５度以下である。ここでは一例として、傾斜角θｘｚは３０度程度である。以下、揺動部５の具体的な構成の一例について述べる。

図１および図２の例では、揺動部５は載置台５１と固定部材５２と回動駆動部５９とを含んでいる。載置台５１は板状の形状を有しており、その厚み方向がＺ軸方向に沿うように、貯留槽２の内部に配置される。載置台５１の＋Ｚ側の主面の上には、キャリアＣが載置される。図２の例では、載置台５１は平面視において略矩形状の形状を有しており、その一辺がＸ軸に沿うように配置されている。

固定部材５２は載置台５１を回動可能にチャンバ１に連結する。図１および図２の例では、固定部材５２は垂直板５３，５４と垂下部５５，５６と軸受５７，５８とを含んでいる。

垂直板５３はＺ軸方向に延在しており、その－Ｚ側の端部は載置台５１の端部（図２の例では－Ｘ側かつ＋Ｙ側の端部）に連結されている。垂直板５３は載置台５１から貯留槽２の内壁に沿って＋Ｚ側に延在しており、その＋Ｚ側の端部は貯留槽２の＋Ｚ側の端部よりも高くに位置する。垂下部５５はＹ軸方向に沿って見て、Ｌ字状の形状を有している。垂下部５５の＋Ｚ側の端部は垂直板５３の＋Ｚ側の端部に連結されており、垂下部５５は貯留槽２の外側を－Ｚ側へと延在する。垂下部５５は軸受５７を介して筐体１１の－Ｘ側の側壁に連結される。軸受５７は回動軸Ｑ１上に配置されており、垂下部５５を回動軸Ｑ１のまわりで回動可能に筐体１１の側壁に固定する。具体的には、垂下部５５には、回動軸Ｑ１に沿って延在するシャフト部（不図示）が設けられており、このシャフト部が軸受５７の内輪に連結され、軸受５７の外輪が筐体１１の側壁に固定される。

垂直板５４はＺ軸方向に延在しており、その－Ｚ側の端部は載置台５１の端部（図２の例では＋Ｘ側かつ－Ｙ側の端部）に連結されている。垂直板５４は載置台５１から貯留槽２の内壁に沿って＋Ｚ側に延在しており、その＋Ｚ側の端部は貯留槽２の＋Ｚ側の端部よりも高くに位置する。垂下部５６はＹ軸方向に沿って見て、Ｌ字状の形状を有している。垂下部５６の＋Ｚ側の端部は垂直板５４の＋Ｚ側の端部に連結されており、垂下部５６は貯留槽２の外側を－Ｚ側へと延在する。垂下部５６は軸受５８を介して筐体１１の＋Ｘ側の側壁に固定される。軸受５８は回動軸Ｑ１上に配置されており、垂下部５６を回動軸Ｑ１のまわりで回動可能に筐体１１の側壁に固定する。具体的には、垂下部５６には、回動軸Ｑ１に沿って延在するシャフト部（不図示）が設けられており、このシャフト部が軸受５８の内輪に連結され、軸受５８の外輪が筐体１１の側壁に固定される。

このような固定部材５２によれば、載置台５１を回動軸Ｑ１のまわりで回動可能にチャンバ１の筐体１１に固定しつつ、その回動軸Ｑ１を基板Ｗの中央（Ｚ軸方向における中央）付近に設定することができる。

回動駆動部５９は、垂下部５５に設けられたシャフト部を回動軸Ｑ１のまわりで所定の角度範囲で交互に回動させる。これにより、載置台５１、固定部材５２およびキャリアＣが一体に揺動する。回動駆動部５９は例えば不図示のエアシリンダおよびリンク部材を有している。リンク部材は例えば棒状の形状を有しており、その一端が垂下部５５のシャフト部に連結されている。リンク部材は回動軸Ｑ１についての径方向に延在しており、その他端がエアシリンダのピストンロッドの先端に連結される。エアシリンダはピストンロッドの先端を回動軸Ｑ１の周方向に沿って進退させる。これにより、リンク部材が所定の角度範囲で回動軸Ｑ１のまわりを交互に揺動し、リンク部材に連結されたシャフト部が当該所定の角度範囲で回動軸Ｑ１のまわりを交互に回動する。したがって、載置台５１、固定部材５２およびキャリアＣが回動軸Ｑ１のまわりで所定の角度範囲で交互に回動する。

なお、回動駆動部５９は必ずしもエアシリンダおよびリンク部材を有している必要はなく、他の駆動機構（例えばモータ）により垂下部５５のシャフト部を回動させてもよい。また、回動駆動部５９は垂下部５６のシャフト部を回動させてもよい。

また、図１および図２の例では、載置台５１の＋Ｚ側の主面の上には、押さえ部材（ストッパー）５１１が突設されている。押さえ部材５１１は、キャリアＣの揺動に伴って生じる、載置台５１上のキャリアＣの移動を制限する。図２の例では、４つの押さえ部材５１１が配置されている。各押さえ部材５１１はキャリアＣの一対の支持脚９２の両端の近傍にそれぞれ配置されている。押さえ部材５１１は載置台５１の＋Ｚ側の主面において支持脚９２と対向する。キャリアＣの揺動中において、押さえ部材５１１がキャリアＣの支持脚９２と当接することにより、キャリアＣの載置台５１に対する移動を制限する。

＜制御部＞
制御部７は基板処理装置１０を統括的に制御する。具体的には、制御部７は蓋１２の開閉制御、開閉弁３３，４３，４４，６０５，６２５の開閉制御、加熱部６０６の加熱制御および回動駆動部５９の回動制御を実行する。また制御部７は不図示の搬送機構も制御してもよい。この搬送機構は、複数の基板Ｗを格納したキャリアＣを外部からチャンバ１内へ搬入したり、あるいは、チャンバ１から外部へ搬出したりする。

この制御部７は電子回路機器であって、例えばデータ処理装置および記憶媒体を有していてもよい。データ処理装置は例えばＣＰＵ（Central Processor Unit）などの演算処理装置であってもよい。記憶媒体は非一時的な記憶媒体（例えばＲＯＭ（Read Only Memory）またはハードディスク）および一時的な記憶媒体（例えばＲＡＭ（Random Access Memory））を有していてもよい。非一時的な記憶媒体には、例えば制御部７が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。処理装置がこのプログラムを実行することにより、制御部７が、プログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御部７が実行する処理の一部または全部がハードウェアによって実行されてもよい。

＜乾燥処理の動作＞
図３は、基板処理装置１０の動作の一例を示すフローチャートである。この一連の手順の実行前において、開閉弁３３，４３，４４，６０５，６２５は閉じている。まずステップＳ１にて、制御部７は開閉弁３３を開いて処理液を貯留槽２に供給する。これにより、貯留槽２に処理液が貯留される。貯留槽２に十分な処理液が貯留されると、ステップＳ２にて、制御部７は搬送機構を制御して複数の基板Ｗを基板処理装置１０内に搬入させる。具体的には、制御部７は蓋１２を開き、その状態で搬送機構にキャリアＣをチャンバ１内に搬入させて載置台５１の＋Ｚ側の主面の上に載置させる。これにより、キャリアＣおよび複数の基板Ｗが処理液に浸漬される。そして、制御部７は搬送機構の一部（ハンド）をチャンバ１から引き抜いた上で、蓋１２を閉じる。なお、基板Ｗが完全に処理液に浸漬される程度の量の処理液が供給されたときに、制御部７は開閉弁３３を閉じる。開閉弁３３が閉じることにより、処理液の供給が終了する。

次にステップＳ３にて、制御部７は、有機溶剤ガス供給部６１に有機溶剤の蒸気をチャンバ１内に供給させるとともに、高温ガス供給部６２に不活性ガスをチャンバ１内に供給させる。具体的には、制御部７は開閉弁６０５，６２５を開き、加熱部６０６に有機溶剤の蒸気および不活性ガスを例えば７０℃以上に加熱させる。これにより、ガスノズル６０１ａ，６０１ｂからチャンバ１の上部空間に有機溶剤の蒸気および不活性ガスが吐出される。図１では、有機溶剤の蒸気および不活性ガスの吐出を破線の矢印で模式的に示している。この有機溶剤の蒸気は上部空間で広がり、その一部が、貯留槽２に貯留された処理液の液面で液化して有機溶剤の液膜Ｌ１を形成する。

次にステップＳ４にて、制御部７は排出部４に貯留槽２内の処理液を排出させる。具体的には、制御部７は開閉弁４３，４４を開く。図４は、ステップＳ４における基板処理装置１０の構成の一例を概略的に示す図である。図４では、処理液の排出を排出管４１，４２付近の破線の矢印で模式的に示している。この処理液の排出によって液膜Ｌ１が時間の経過とともに下降する。液膜Ｌ１が各基板Ｗの表面およびキャリアＣの表面と接触することで、各基板Ｗの表面およびキャリアＣの表面に付着した処理液が有機溶剤に順次に置換される。

ここでは、処理液が貯留槽２から排出されている期間においても、チャンバ１内に有機溶剤の蒸気が供給され続ける。これにより、各基板Ｗに付着した処理液が有機溶剤に置換されることによる液膜Ｌ１の厚みの減少分を補充することできる。したがって、各基板ＷおよびキャリアＣに付着した処理液を有機溶剤に置換する液置換処理がより確実に実行される。処理液が貯留槽２およびチャンバ１から十分に排出されると、制御部７は開閉弁４３，４４を閉じる。

なお、処理液の液面（液膜Ｌ１の液面）が下降してキャリアＣの下端に到達した到達時点において、液膜Ｌ１による液置換処理は実質的に終了する。この到達時点以後に、ステップＳ５にて、制御部７は揺動部５にキャリアＣの揺動を開始させる。揺動部５は所定の角度範囲において回動軸Ｑ１のまわりでキャリアＣを交互に反対方向に回動させることにより、キャリアＣを揺動させる。キャリアＣの揺動角の角度範囲として、例えば±６度以上の範囲を採用できる。なおここでは、キャリアＣが水平姿勢をとるときの揺動角を零に設定している。キャリアＣの水平姿勢とは、例えば、キャリアＣ内の基板Ｗの厚み方向がＹ軸方向に平行な状態をいう。

図５から図８は、キャリアＣの揺動の様子の一例を概略的に示す図である。図５および図６は、＋Ｙ側からＹ軸方向に沿って見た基板処理装置１０の概略構成の一例を示しており、図７および図８は、－Ｘ側からＸ軸方向に沿って見た基板処理装置１０の概略構成の一例を示している。図５および図７では、キャリアＣは水平状態から一方側に揺動（回動）しており、図６および図８では、キャリアＣは水平状態から他方側に揺動（回動）している。キャリアＣの揺動中には、図５から図８から理解できるように、上端面９１１ａ～９１４ａはＸ軸方向およびＹ軸方向の両方に対して傾斜する。なおここでは、上端面９１１ａ，９１２ａでは、その傾斜部よりも中央部において液体が残留しやすいので、以下では、上端面９１１ａ，９１２ａの傾斜として、その中央部の傾斜を述べる。上端面９１１ａ～９１４ａの傾斜については後に詳述する。

このキャリアＣの揺動により、基板ＷおよびキャリアＣの表面に付着した液体が振り落とされる。当該液体は主として有機溶剤であるものの、その一部に処理液を含んでいる場合がある。

図３の例では、液膜Ｌ１による液置換処理が実質的に終了した到達時点以後のステップＳ５においても、有機溶剤の蒸気が供給され続けている。よって、このステップＳ５においても、当該蒸気が基板ＷおよびキャリアＣの表面に付着して液化する。つまり、基板ＷおよびキャリアＣの表面に付着した処理液の有機溶剤への置換は継続される。

ステップＳ５の開始から所定期間が経過したときに、ステップＳ６にて、制御部７は有機溶剤ガス供給部６１に有機溶剤の蒸気の供給を停止させる。具体的には、制御部７は開閉弁６０５を閉じる。これにより、有機溶剤の蒸気による液置換処理が終了する。

開閉弁６０５の閉鎖により、ガスノズル６０１ａ，６０１ｂからは不活性ガスのみが供給される。不活性ガスは基板ＷおよびキャリアＣに向かって流れ、基板ＷおよびキャリアＣを乾燥させる（乾燥処理）。制御部７は加熱部６０６に不活性ガスの温度をステップＳ４よりも高い温度に昇温させるとよい。例えば加熱部６０６は不活性ガスを１００℃から２００℃の範囲に加熱する。これにより、不活性ガスによる基板ＷおよびキャリアＣの乾燥を促進できる。

基板ＷおよびキャリアＣが十分に乾燥すると、ステップＳ７にて、制御部７は高温ガス供給部６２に不活性ガスの供給を停止させる。具体的には、制御部７は開閉弁６２５を閉じ、加熱部６０６の加熱動作を停止させる。次にステップＳ８にて、制御部７は揺動部５にキャリアＣの揺動を停止させる。具体的には、制御部７は回動駆動部５９に動作を停止させる。次にステップＳ９にて、基板Ｗを搬出する。より具体的には、制御部７が蓋１２を開いた上で、搬送機構がキャリアＣを基板処理装置１０の外部へと搬出する。

以上のように、本基板処理装置１０では、複数の基板Ｗに付着した処理液を蒸発潜熱の低い有機溶剤に置換させてから、基板Ｗを乾燥させている。よって、ウォーターマークが発生する可能性を低減できる。

しかも、本基板処理装置１０においては、キャリアＣを回動させるための回動軸Ｑ１はＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸のいずれにも交差している。例えば回動軸Ｑ１は平面視において、１０度以上かつ８０度以下の傾斜角θｘｚでＸ軸と交差している。よって、図５から図８から理解できるように、キャリアＣの揺動中において、上端面９１１ａ～９１４ａはＸ軸およびＹ軸の両方に対して傾斜する。

図９は、揺動中のキャリアＣの上端面９１１ａ～９１４ａの傾斜を説明するための図である。図９の例では、キャリアＣが水平姿勢をとるときの上端面９１１ａ～９１４ａが模式的に実線の平面で示されている。ここでは、キャリアＣが水平姿勢をとるときに、揺動角φは零をとるものとする。図９の例では、揺動角φが所定値であるときの上端面９１１ａ～９１４ａが模式的に二点鎖線の平面で示されている。図９の例では、揺動角φを、上端面９１１ａ～９１４ａがＸ軸に対してなす揺動角φｘと、上端面９１１ａ～９１４ａがＹ軸に対してなす揺動角φｙとで表現している。また、図９の例では、上端面９１１ａ～９１４ａの傾斜変化の図示を容易にすべく、回動軸Ｑ１を上端面９１１ａ～９１４ａ上に示している。

ここで、比較例として、キャリアＣを揺動させるための回動軸（回動軸Ｑ２）がＸ軸方向に平行である場合についても考慮する。図１０は、比較例にかかる揺動中のキャリアＣの上端面９１１ａ～９１４ａの傾斜を説明するための図である。図１０の例でも、揺動角φが零度であるときの上端面９１１ａ～９１４ａが模式的に実線の平面で示されており、揺動角φが所定値であるときの上端面９１１ａ～９１４ａが模式的に二点鎖線の平面で示されている。また、図１０の例でも、上端面９１１ａ～９１４ａの傾斜変化の図示を容易にすべく、回動軸Ｑ２を上端面９１１ａ～９１４ａ上に示している。

比較例によれば、回動軸Ｑ２のまわりでのキャリアＣの揺動中において、上端面９１１ａ～９１４ａはＹ軸に対して揺動角φ（＝揺動角φｙ）をなして傾斜する。一方で、この揺動中において上端面９１１ａ～９１４ａがＸ軸に対してなす揺動角φｘは理想的には常に零度である。よって、上端面９１１ａ～９１４ａの上に残留する液体には、上端面９１１ａ～９１４ａに平行かつ回動軸Ｑ２（Ｘ軸）に垂直な方向に力（例えば重力）Ｆ２が作用する。したがって、力Ｆ２は側壁部９１３，９１４の上端面９１３ａ，９１４ａの上の液体に対してその長手方向に作用し、前壁部９１１および後壁部９１２の上端面９１１ａ，９１２ａの上の液体に対してその短手方向に作用する。

さて、キャリアＣが疎水性を有している場合、液体はその表面張力により各上端面９１１ａ～９１４ａの上で盛り上がった状態で残留する。また、液体は各上端面９１１ａ～９１４ａの主として長手方向に分散的して残留する。つまり、各上端面９１１ａ～９１４ａには、比較的厚みのある液滴が長手方向に分散して残留し得る。

キャリアＣの揺動中には、上端面９１３ａ，９１４ａの上の液滴はその長手方向に力Ｆ２を受けるので、当該液滴はその長手方向に変形および移動する。なお揺動角φが小さい場合には、液滴の移動は小さい。この液滴の変形および若干の移動により、液滴はその隣の液滴と合流して大きな一塊の液滴となる。このような体積の大きな液滴は上端面９１３ａ，９１４ａから落下しやすい。

一方で、上端面９１１ａ，９１２ａの上の液滴はその短手方向に力Ｆ２を受けるので、当該液滴はその短手方向に変形および移動する。しかるに、短手方向には他の液滴があまり存在しないので、他の液滴と合流せずに上端面９１１ａ，９１２ａ（特にその中央部）の上に残留し続け得る。つまり、上端面９１３ａ，９１４ａの中央部上の液滴は短手方向に沿って揺れ動くものの、上端面９１１ａ，９１２ａから落下しにくい。

以上のように、揺動部５が、Ｘ軸に平行な回動軸Ｑ２のまわりでキャリアＣを回動させると、キャリアＣの上端面９１３ａ，９１４ａから液滴を振り落とすことが困難となる場合がある。

なお、キャリアＣは必ずしも疎水性を有している必要はない。この場合でも、キャリアＣの上端面９１１ａ～９１４ａの上の液滴が落下しにくい場合がある。例えば上述のように、上端面９１３ａ，９１４ａの上の液滴は長手方向に力Ｆ２を受けるので、当該液滴は上端面９１３ａ，９１４ａの上を長手方向に往復移動し、上端面９１３ａ，９１４ａから容易に落下しない場合もあり得る。つまり、回動軸Ｑ２のまわりでキャリアＣを揺動させると、キャリアＣの上端面９１３ａ，９１４ａから液滴を振り落とすことが困難となる場合もあり得る。

これに対して、本実施の形態では、揺動部５は、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸のいずれとも交差する回動軸Ｑ１のまわりでキャリアＣを回動させる。図１および図２の例では、回動軸Ｑ１はＺ軸に略垂直であり、Ｘ軸およびＹ軸とそれぞれ鋭角で交差する。この場合、キャリアＣの上端面９１１ａ～９１４ａは揺動中において、それぞれＸ軸およびＹ軸に対して揺動角φｘ，φｙをなして傾斜する（図９参照）。よって、上端面９１１ａ～９１４ａの上の液滴には、上端面９１１ａ～９１４ａに平行、かつ、Ｘ軸およびＹ軸と鋭角で交差する斜め方向（つまり回動軸Ｑ１に垂直な方向）に力（例えば重力）Ｆ１が作用する。

これによれば、上端面９１１ａ～９１４ａの上の液滴は、その長手方向および短手方向に交差する斜め方向に変形および移動する。つまり、上端面９１１ａ，９１２ａの上の液滴は短手方向のみならず長手方向にも変形および移動するので、比較例に比べて、その長手方向で隣り合う液滴と合流しやすく、液滴を上端面９１１ａ，９１２ａから容易に振り落とすことができる。

また、上端面９１３ａ，９１４ａの上の液滴も斜め方向に変形および移動するので、長手方向に平行な液滴の往復移動は生じない。この観点では、液滴を上端面９１３ａ，９１４ａから容易に振り落とすことができる。

より具体的には、平面視における回動軸Ｑ１の傾斜角θｘｚが１０度以上８０度以下であれば、効果的に液滴を上端面９１１ａ～９１４ａから振り落とすことができる。

以上のように、本基板処理装置１０によれば、キャリアＣの上端面９１１ａ～９１４ａの上に付着した液滴を容易に振り落とすことができるので、キャリアＣを短時間でより適切に乾燥することができる。

また、上述の例では、揺動角φの範囲として±６度以上の範囲を採用している。言い換えれば、揺動角φの角度範囲の下限値は－６度以下であり、当該角度範囲の上限値は６度以上である。これによれば、キャリアＣの上端面９１１ａ～９１４ａの上の液滴をより効果的に振り落とすことができる。

＜回動軸Ｑ１の傾斜角θｘｚ＞
さて、各基板Ｗの周縁部は、キャリアＣの内部において、側壁部９１３の凸部９３の間および側壁部９１４の凸部９４の間に挿入されている（図２参照）。よって、各基板Ｗの－Ｘ側の周縁部はＹ軸方向において凸部９３によって挟まれており、各基板Ｗの＋Ｘ側の周縁部は凸部９４によって挟まれている。基板Ｗの周縁部と凸部９３，９４の各々との間の隙間が狭いと、当該隙間に液体が残留する可能性が大きくなる。

キャリアＣの揺動中において、基板ＷがキャリアＣの内部でＹ軸方向に沿って簡単に移動すれば、基板Ｗと凸部９３，９４の各々との間の隙間を大きくすることができる。例えば図７の状態において、基板Ｗが－Ｙ側に変位すれば、基板Ｗとその＋Ｙ側の凸部９３との間の隙間が大きくなる。同様に、基板Ｗとその＋Ｙ側の凸部９４との間の隙間も大きくなる。また、例えば図８の状態において、基板Ｗが＋Ｙ側に変位すれば、基板Ｗとその－Ｙ側の凸部９３の間の隙間、および、基板Ｗとその－Ｙ側の凸部９４との間の隙間が大きくなる。このように、キャリアＣの揺動中には、基板Ｗとその両隣の凸部９３との間の隙間を交互に大きくすることができ、同様に、基板Ｗと凸部９４との間の隙間も交互に大きくすることができる。よって、当該隙間の液体を効果的に落下させることができる。これにより、より短時間でより適切に乾燥処理を行うことができる。

基板ＷがＹ軸方向に沿って変位するには、キャリアＣの揺動中おいて基板Ｗに作用する力のＹ軸成分が大きいことが望ましい。そこで、平面視において回動軸Ｑ１がＸ軸に対してなす傾斜角θｘｚ（図２参照）を４５度以下に設定することが望ましい。つまり、傾斜角θｘｚを１０度以上４５度以下に設定することが望ましい。これによれば、キャリアＣの揺動中において各基板Ｗに作用する力（例えば重力）のＹ軸成分はそのＸ軸成分よりも大きくなる。よって、キャリアＣの揺動中において、基板ＷをＹ軸方向において容易に変位させることができる。

＜回動軸Ｑ１の傾斜方向＞
図１１は、基板処理装置１０の他の一例を概略的に示す図である。図１１の例では、Ｙ軸に沿って見て、回動軸Ｑ１はＸ軸およびＺ軸と交差している。Ｙ軸に沿って見て回動軸Ｑ１がＸ軸に対してなす傾斜角θｘｙは、例えば１度以上である。

これによっても、揺動部５が回動軸Ｑ１にまわりでキャリアＣを回動させると、キャリアＣの上端面９１１ａ～９１４ａはＸ軸およびＹ軸の両方に対して傾斜する。よって、上端面９１１ａ～９１４ａの上の液滴に生じる力Ｆ１は、長手方向成分および短手方向成分の両方を含む。したがって、キャリアＣの揺動により、液滴を上端面９１１ａ～９１４ａから容易に振り落とすことができる。

この場合、Ｚ軸に沿って見て、回動軸Ｑ１はＸ軸に平行であってもよいし、あるいは、Ｘ軸と交差してもよい。この場合、平面視において回動軸Ｑ１がＸ軸に対してなす傾斜角θｘｚは上述と同様であってもよい。

＜キャリアの揺動開始タイミング＞
上述の例では、揺動部５は処理液の液面（液膜Ｌ１の液面）がキャリアＣの下端に到達した到達時点以後に、キャリアＣの揺動を開始する。言い換えれば、到達時点よりも前においては、キャリアＣおよび基板Ｗは静止している。よって、液膜Ｌ１による液置換処理中において、キャリアＣの揺動に起因した液膜Ｌ１の揺らぎを回避することができる。これによれば、液膜Ｌ１の厚みのばらつき等を抑制することができ、液置換処理を複数の基板ＷおよびキャリアＣに対して均等に行うことができる。

＜処理液排出後の液置換処理＞
上述の例では、有機溶剤ガス供給部６１は、貯留槽２内の処理液の液面（液膜Ｌ１の液面）がキャリアＣの下端に到達した到達時点から所定期間に亘って、有機溶剤の蒸気の供給を維持している（ステップＳ４～Ｓ６参照）。つまり、貯留槽２内の処理液の液膜Ｌ１による基板ＷおよびキャリアＣに対する液置換処理が終了した後にも、有機溶剤の蒸気の供給が維持される。

また、上述の例では、この所定期間内の所定の時点、つまり、到達時点から所定期間が経過するまでの時点において、揺動部５がキャリアＣの揺動を開始する（ステップＳ５）。したがって、基板ＷおよびキャリアＣの表面に処理液が残留していたとしても、その処理液を振り落とすことができる。また、所定期間において有機溶剤の蒸気が供給されるので、この蒸気は基板ＷおよびキャリアＣの表面で液化し、基板ＷおよびキャリアＣの表面に付着する。言い換えれば、この所定期間においても、処理液を有機溶剤に置換する液置換処理が当該所定期間でも行われる。

以上のように、液膜Ｌ１による液置換処理の後でも、有機溶剤の蒸気による液置換処理が行われる。よって、たとえ液膜Ｌ１による液置換処理後に処理液が基板ＷおよびキャリアＣに残留していたとしても、その処理液の少なくとも一部を有機溶剤に置換することができる。これによれば、基板ＷおよびキャリアＣにおけるウォーターマークの発生をさらに抑制することができる。

＜処理液排出後の処理＞
その一方で、液膜Ｌ１による液置換処理（ステップＳ４）によって、基板ＷおよびキャリアＣの表面の処理液を十分に有機溶剤に置換できる場合もある。この場合、有機溶剤ガス供給部６１は、液膜Ｌ１による液置換処理（ステップＳ４）の後に速やかに有機溶剤の蒸気の供給を停止し、揺動部５はその供給の停止以後に速やかにキャリアＣの揺動を開始してもよい。図１２は、基板処理装置１０の当該動作の一例を示すフローチャートである。ステップＳ１１～Ｓ１４はそれぞれステップＳ１～Ｓ４と同一である。

処理液の液面（液膜Ｌ１の液面）がキャリアＣの下端に到達した到達時点以後に、ステップＳ１５にて、制御部７は有機溶剤ガス供給部６１に有機溶剤の蒸気の供給を停止させる。例えば、制御部７は、処理液の液面がキャリアＣの下端に到達した到達時点と、開閉弁４３，４４を閉じる時点との間の時点において、有機溶剤の蒸気の供給を停止させる。

次に、ステップＳ１６にて、制御部７は揺動部５にキャリアＣの揺動を開始させる。次に制御部７はステップＳ１７～Ｓ１９を実行する。ステップＳ１７～Ｓ１９はそれぞれステップＳ７～Ｓ９と同一である。

これによれば、液膜Ｌ１による液置換処理の終了後に速やかに、高温の不活性ガスによる乾燥処理を行うことができる。よって、基板処理装置１０の処理時間を短縮することができる。つまり、基板処理装置１０のスループットを向上できる。

第２の実施の形態．
図１３は、第２の実施の形態にかかる基板処理装置１０Ａの構成の一例を概略的に示す図である。基板処理装置１０Ａは、ガス供給部６の構成を除いて、基板処理装置１０と同様の構成を有している。

図１３に例示するように、ガス供給部６の有機溶剤ガス供給部６１および高温ガス供給部６２は、互いに異なるガスノズル６０１，６２１からそれぞれ有機溶剤の蒸気および不活性ガスを供給する。これにより、ガスノズル６０１からの有機溶剤の蒸気の吐出方向を、ガスノズル６２１からの不活性ガスの吐出方向と独立して設定することができる。

例えばガスノズル６０１ａ，６０１ｂは水平方向に沿って有機溶剤の蒸気を吐出する。つまり、ガスノズル６０１ａ，６０１ｂからの有機溶剤の蒸気の吐出方向は水平方向（例えばＸ軸方向）である。具体的には、ガスノズル６０１ａはガスノズル６０１ｂへ向かってＸ軸方向に沿って蒸気を吐出し、ガスノズル６０１ｂはガスノズル６０１ａへ向かってＸ軸方向に沿って蒸気を吐出する。なお、この吐出方向は、ガスノズル６０１に形成された吐出孔の形状に応じて定まり得る。吐出孔は、ガスノズル６０１の内部と吐出口とを連通する孔であり、例えば、吐出口付近の当該吐出孔の延在方向（つまり吐出口の開口軸）が蒸気の吐出方向であると定義することができる。

図１３の例では、ガスノズル６２１は貯留槽２よりも＋Ｚ側の上部空間に配置されている。また図１３の例では、ガスノズル６２１として、一対のガスノズル６２１ａ，６２１ｂが配置されている。ガスノズル６２１ａ，６２１ｂは例えばＸ軸方向において互いに離れている。具体的には、ガスノズル６２１ａは貯留槽２の中心に対して－Ｘ側に配置されており、ガスノズル６２１ｂは貯留槽２の中心に対して＋Ｘ側に配置されている。ガスノズル６２１ａ，６２１ｂは互いに略等しい高さ位置に配置されている。ガスノズル６２１ａ，６２１ｂは例えばＹ軸方向に沿って延在しており、Ｙ軸方向に沿って並ぶ複数の吐出口を有していてもよい。図１３の例では、ガスノズル６２１ａ，６２１ｂは基板Ｗに向けて不活性ガスを吐出する。具体的には、ガスノズル６２１ａは＋Ｘ側かつ－Ｚ側の斜め方向に不活性ガスを吐出し、ガスノズル６２１ｂは－Ｘ側かつ－Ｚ側の斜め方向に不活性ガスを吐出する。

図１３の例では、高温ガス供給部６２はガスノズル６２１ａ，６２１ｂと供給管６２２ａ，６２２ｂ，６２３と開閉弁６２５と加熱部６２６とを含んでいる。ガスノズル６２１ａは供給管６２２ａ，６２３を介してガス供給源６２４に連通接続される。具体的には、供給管６２２ａの一端はガスノズル６２１ａに連通接続され、供給管６２２ａの他端は供給管６２３の一端に連通接続され、供給管６２３の他端はガス供給源６２４に連通接続される。ガス供給源６２４は供給管６２３の他端に不活性ガスを供給する。ガスノズル６２１ｂは供給管６２２ｂ，６２３を介してガス供給源６２４に連通接続される。具体的には、供給管６２２ｂの一端はガスノズル６２１ｂに連通接続され、供給管６２２ｂの他端は供給管６２３の一端に連通接続される。

開閉弁６２５は供給管６２３の途中に設けられ、供給管６２３内の流路の開閉を切り替える。加熱部６２６は例えばヒータであり、供給管６２３に設けられている。加熱部６２６は供給管６２３の内部を流れる不活性ガスを、例えば１００℃から２００℃の範囲に加熱する。

開閉弁６２５が開くことにより、不活性ガスがガス供給源６２４から供給管６２３，６０２ａ，６０２ｂの内部を流れる。この蒸気は加熱部６２６によって加熱された上で、ガスノズル６２１ａ，６２１ｂから吐出される。ガスノズル６２１ａ，６２１ｂは基板ＷおよびキャリアＣに向けて高温の不活性ガスを供給する。よって、不活性ガスが基板ＷおよびキャリアＣを流れやすく、基板ＷおよびキャリアＣを効果的に乾燥させることができる。

一方で、ガスノズル６０１は上述のように、有機溶剤の蒸気を水平方向に沿って吐出する。よって、第１の実施の形態に比して、ガスノズル６０１から吐出された有機溶剤の蒸気は貯留槽２の上部空間で広がりやすく、貯留槽２に貯留された処理液の液面に対して、より広い範囲でより均一に接触する。したがって、貯留槽２に貯留された処理液の液面に揺らぎが生じにくく、また液膜Ｌ１の厚みのばらつきを低減することができる。

つまり、第１の実施の形態では、有機溶剤の蒸気が貯留槽２の処理液の液面の例えば中央付近に集中して供給され得る（図１参照）ので、処理液の液面に揺らぎが生じたり、また液膜Ｌ１の厚みにばらつきが生じ得る。これに対して、第２の実施の形態では、ガスノズル６０１は有機溶剤を水平方向に沿って吐出してるので、処理液の液面の揺らぎを抑制し、液膜Ｌ１の厚みのばらつきを低減できる。これにより、この処理液の排出の際に基板Ｗと液膜Ｌ１との間で生じる表面張力の、複数の基板Ｗ間のばらつきを低減することができる。

例えばある基板Ｗの－Ｙ側の主面と液膜Ｌ１との間に生じる表面張力が、当該基板Ｗの＋Ｙ側の主面と液膜Ｌ１との間に生じる表面張力よりも大きい場合について考慮する。もしも、これらの表面張力の差が大きい場合には、処理液の排出中に当該基板Ｗが－Ｙ側に倒れ得る。このような倒れは、基板Ｗの自重が軽いほど、また、基板Ｗが薄いほど生じやすい。また基板Ｗが薄いほど、衝突による破損が生じやすいので、薄い基板Ｗがその隣の基板Ｗと衝突すると破損することもあり得る。しかるに本基板処理装置１０では上述のように表面張力の差（ばらつき）を低減できるので、基板Ｗが倒れにくい。ひいては、基板Ｗが破損する可能性を低減できる。

また基板Ｗが薄い場合、表面張力の差に起因して基板Ｗが撓んで、その隣の基板Ｗと密着することもあり得る。このように基板Ｗが密着すると、その密着部分で処理液が有機溶剤に置換されにくく、乾燥が困難となる。しかるに本基板処理装置１０では、表面張力の差を低減できるので、そのような不具合も生じにくい。

なお、ガスノズル６０１ａ，６０１ｂからの有機溶剤の蒸気の吐出方向は、必ずしも水平方向に沿っている必要はない。例えばガスノズル６０１ａ，６０１ｂは水平方向よりも＋Ｚ側に向けて有機溶剤の蒸気を吐出してもよい。つまり、吐出方向は水平方向よりも＋Ｚ側に向く方向であってもよい。これによっても、ガスノズル６０１ａ，６０１ｂから吐出された有機溶剤の蒸気は上部空間で広がりやすく、処理液の液面に対してより広い範囲でより均一に接触する。よって、液膜Ｌ１と基板Ｗとの間の表面張力のばらつきを低減できる。

また図１３の例では、ガスノズル６０１ａ，６０１ｂはそれぞれガスノズル６２１ａ，６２１ｂに対して＋Ｚ側に配置されている。よって、ガスノズル６０１ａ，６０１ｂは貯留槽２からより離れた位置で蒸気を吐出できる。これによれば、蒸気は貯留槽２内の処理液の液面に接触するまでにより広い範囲で広がりやすい。よって、処理液の液面の揺らぎを効果的に低減でき、また液膜Ｌ１の厚みのばらつきをより効果的に低減できる。一方で、ガスノズル６２１ａ，６２１ｂはより基板ＷおよびキャリアＣに近い位置で高温の不活性ガスを吐出できる。したがって、より高い圧力かつより高い温度で高温ガスを基板ＷおよびキャリアＣに接触させることができる。これにより、基板ＷおよびキャリアＣをより効果的に乾燥できる。

第３の実施の形態．
図１４は、第３の実施の形態にかかる基板処理装置１０Ｂの構成の一例を概略的に示す図である。基板処理装置１０Ｂは、揺動部５の構成を除いて、基板処理装置１０と同様の構成を有している。

基板処理装置１０Ｂにおいては、揺動部５は突起支持部５１２をさらに含んでいる。図１５は、突起支持部５１２、キャリアＣおよび基板Ｗの位置関係を説明するための図である。図１５は、一つの基板Ｗを通る位置でのＺＸ断面を示している。図１４および図１５を参照して、突起支持部５１２は載置台５１の＋Ｚ側の主面から＋Ｚ側に突出している。突起支持部５１２は例えば石英または樹脂等によって形成され得る。この突起支持部５１２は、キャリアＣが載置台５１の上に載置された状態で、キャリアＣの－Ｚ側の開口部９ｂとＺ軸方向において対向する領域内に配置される。突起支持部５１２の先端（＋Ｚ側の端部）はキャリアＣの－Ｚ側の開口部９ｂにおいて複数の基板Ｗの側面に当接し、複数の基板ＷをキャリアＣに対して浮かした状態で支持する。つまり、複数の基板Ｗが突起支持部５１２に支持された状態においては、基板Ｗは側壁部９１３の内周面９１３ｂおよび側壁部９１４の内周面９１４ｂから離れており、キャリアＣはもはや複数の基板ＷをＺ軸方向において支持していない。ただし、基板Ｗの起立姿勢を維持できるように、この状態でも各凸部９３は２つの基板Ｗの間に位置しており、各凸部９４も２つの基板Ｗの間に位置している。このような支持は、突起支持部５１２のＺ軸方向における高さを調整することで実現できる。

図１４および図１５の例では、突起支持部５１２として一対の突起支持部５１２ａ，５１２ｂが設けられている。突起支持部５１２ａ，５１２ｂは、基板ＷのＸ軸方向における中心を挟む位置に配置されている。突起支持部５１２ａは当該中心に対して－Ｘ側に配置され、突起支持部５１２ｂは当該中心に対して＋Ｘ側に配置される。よって、突起支持部５１２ａの先端は基板Ｗの中心よりも－Ｘ側にずれた位置で複数の基板Ｗの側面に当接し、突起支持部５１２ｂの先端は基板Ｗの中心よりも＋Ｘ側にずれた位置で複数の基板Ｗの側面に当接する。これにより、突起支持部５１２ａ，５１２ｂは基板ＷのＸ軸方向およびＺ軸方向における位置を固定することができる。突起支持部５１２ａ，５１２ｂは、突起支持部５１２ａおよび基板Ｗの接触位置と、突起支持部５１２ｂおよび基板Ｗの接触位置との間の距離が数十［ｍｍ］程度（例えば４０［ｍｍ］）となる位置に配置される。

また突起支持部５１２ａは側壁部９１３，９１４のいずれともＸ軸方向において離れており、突起支持部５１２ｂは側壁部９１３，９１４のいずれともＸ軸方向において離れている。つまり、突起支持部５１２ａと側壁部９１３との間には間隙が形成されており、突起支持部５１２ｂと側壁部９１４との間にも間隙が形成されている。

この基板処理装置１０Ｂにおいて、基板Ｗの側面と内周面９１３ｂとの間の空間はＺＸ平面においてキャリアＣの＋Ｚ側の開口部９ａに連通しつつ、－Ｚ側の開口部９ｂにも連通している。言い換えれば、当該空間は開口部９ａ，９ｂを繋げる。同様に、基板Ｗの側面と内周面９１４ｂとの間の空間も開口部９ａ，９ｂを繋げる。

基板処理装置１０Ｂの動作は第１の実施の形態と同様であり、その具体的なフローチャートは図３または図１２と同一である。ただしステップＳ２またはステップＳ１２において、キャリアＣが貯留槽２の内部へと＋Ｚ側から搬入されると、キャリアＣが載置台５１の＋Ｚ側の主面の上に載置される前に、突起支持部５１２の先端が複数の基板Ｗの側面に当接する。キャリアＣは引き続き－Ｚ側へと移動する一方で、複数の基板Ｗは突起支持部５１２に支持されるので－Ｚ側には移動しない。よって、複数の基板ＷはキャリアＣに対して浮いた状態で支持される。

この状態では、基板Ｗの側面と側壁部９１３，９１４の内周面９１３ｂ，９１４ｂとの間の空間がＺＸ平面においてキャリアＣの開口部９ａ，９ｂを繋げる（図１５参照）。よって、ステップＳ４またはステップＳ１４における処理液の排出中において、基板Ｗの側面と側壁部９１３，９１４の内周面９１３ｂ，９１４ｂとの間の空間内の処理液は－Ｚ側に流れやすく、開口部９ｂを介して貯留槽２の底部から外部へと搬出されやすい。言い換えれば、基板Ｗの側面と側壁部９１３，９１４の内周面９１３ｂ，９１４ｂの各々との間の空間において処理液の残留が生じにくい。したがって、その後の不活性ガスによる乾燥時間を短縮することができる。発明者は、基板処理装置１０Ｂを採用することにより乾燥時間を約２／３にできることを確認した。

＜突起支持部の形状＞
図１４および図１５の例では、突起支持部５１２は＋Ｚ側に向かうにしたがって先細となる先細形状を有している。これよれば、突起支持部５１２と基板Ｗの側面との接触面積を小さくすることができるので、この接触箇所における処理液の残留量も低減できる。この観点によれば、突起支持部５１２はＺＸ平面において点接触で基板Ｗと接触することが望ましい。また突起支持部５１２はＹ軸方向に沿って一様に延在しているとよい。これによれば、全ての基板Ｗの側面との接触面積を低減できる。

以下では、突起支持部５１２ａの先端部を形成する－Ｘ側の面および＋Ｘ側の面をそれぞれ先端面５１３，５１４と呼び、突起支持部５１２ｂの先端部を形成する－Ｘ側の面および＋Ｘ側の面をそれぞれ先端面５１５，５１６と呼ぶ。先端面５１３，５１４は例えば平面であって、その＋Ｚ側の端部において互いに連結されており、突起支持部５１２ａの先細形状を形成する。先端面５１５，５１６は例えば平面であって、その＋Ｚ側の端部において互いに連結されており、突起支持部５１２ｂの先細形状を形成する。

図１５の例では、基板Ｗの中心よりも－Ｘ側に位置する突起支持部５１２ａにおいて、－Ｘ側の先端面５１３は＋Ｘ側の先端面５１４よりもＺ軸方向に沿っている。逆に言えば、突起支持部５１２ａにおいて先端面５１４の傾斜は先端面５１３の傾斜よりも緩やかである。

一方で、基板Ｗの中心に対して＋Ｘ側に位置する突起支持部５１２ｂにおいては、＋Ｘ側の先端面５１６が－Ｘ側の先端面５１５よりもＺ軸方向に沿っている。逆に言えば、突起支持部５１２ｂにおいて先端面５１５の傾斜は先端面５１６の傾斜よりも緩やかである。

より具体的には、一対の突起支持部５１２の先端はＺＸ平面においてカッター刃と同様の形状を有しており、その頂点がＸ軸方向において両端に位置している。つまり、－Ｘ側の突起支持部５１２ａは、その頂点が－Ｘ側にずれたカッター刃形状を有しており、＋Ｘ側の突起支持部５１２ｂはその頂点が＋Ｘ側にずれたカッター刃形状を有している。

側壁部９１３の内周面９１３ｂと基板Ｗの側面との間の空間を通って流れる処理液は開口部９ｂにおいて突起支持部５１２ａへ向かって流れる。そして当該処理液は突起支持部５１２ａの先端面５１３に当る。この突起支持部５１２ａの先端面５１３はＺ軸方向に沿っているので、処理液は先端面５１３に沿って－Ｚ側に流れやすい。したがって、当該処理液を排出しやすく、処理液の残留を低減できる。

同様に、側壁部９１４の内周面９１４ｂと基板Ｗとの間の空間を通って流れる処理液は開口部９ｂにおいて突起支持部５１２ｂへ向かって流れる。この処理液は突起支持部５１２ｂの先端面５１６に当る。この突起支持部５１２ｂの先端面５１６はＺ軸方向に沿っているので、処理液は先端面５１６に沿って－Ｚ側へと流れやすい。したがって、当該処理液を排出しやすく、処理液の残留を抑制できる。

以上、実施の形態が説明されたが、この基板処理装置１０はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。本実施の形態は、その開示の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。

例えば上述の例では、揺動部５は載置台５１を揺動させることにより、キャリアＣを揺動させた。しかるに、キャリアＣが貯留槽２の底面の上に載置される場合、つまり、載置台５１および固定部材５２が設けられない場合には、貯留槽２を回動軸Ｑ１のまわりで揺動させてもよい。言い換えれば、貯留槽２の底部が載置台５１として機能してもよい。この場合、貯留槽２を回動軸Ｑ１のまわりで回動可能にチャンバ１に固定する固定部材が設けられればよい。

２ 貯留槽
３ 処理液供給部
４ 排出部
５ 揺動部
１０，１０Ａ 基板処理装置
３１ 液ノズル
５１ 載置台
９３，９４ 凸部
５１２，５１２ａ，５１２ｂ 突起支持部
６０１，６０１ａ，６０１ｂ，６２１，６２１ａ，６２１ｂ ガスノズル
９１３，９１４ 側壁部
Ｃ 基板格納容器（キャリア）
Ｗ 基板

Claims (10)

1. 液体が付着した複数の基板を一括して乾燥させる基板処理装置であって、
   少なくとも鉛直上側に開口する内部空間を形成し、前記内部空間において前記複数の基板をその厚み方向に沿って並べた状態で格納する基板格納容器を、所定の回動軸のまわりで回動させて、前記基板格納容器を揺動させる揺動部と、
   前記複数の基板および前記基板格納容器に乾燥用のガスを吐出するガスノズルと
   を備え、
   前記回動軸は、鉛直方向に沿うＺ軸と、前記Ｚ軸に垂直であり前記厚み方向に沿うＹ軸と、前記Ｙ軸および前記Ｚ軸に垂直なＸ軸とに対して交差し、
   前記Ｚ軸に沿って見て、前記回動軸が前記Ｘ軸に対してなす角度は、１０度以上かつ８０度以下である、基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記Ｘ軸において両側に位置する前記基板格納容器の側壁部の内面には、複数の凸部が前記Ｙ軸に沿って並んで形成されており、
   前記複数の基板の各々は前記複数の凸部の二者の間に挿入されており、
   前記Ｚ軸に沿って見て、前記回動軸が前記Ｘ軸に対してなす角度は、１０度以上かつ４５度以下である、基板処理装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記Ｙ軸に沿って見て、前記回動軸が前記Ｘ軸に対してなす角度は、１度以上である、基板処理装置。
4. 請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
   前記揺動部は、前記回動軸のまわりで前記基板格納容器を±６度以上の角度範囲で回動させる、基板処理装置。
5. 請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
   処理液を貯留し、前記基板格納容器を前記処理液に浸漬させる貯留槽と、
   前記貯留槽に前記処理液を供給する液ノズルと、
   前記貯留槽から前記処理液を排出する排出部と
   を備え、
   前記ガスノズルは前記貯留槽よりも上側に設けられ、有機溶剤の蒸気を吐出して、前記貯留槽に貯留された前記処理液の液面に前記有機溶剤の液膜を形成する、基板処理装置。
6. 請求項５に記載の基板処理装置であって、
   前記ガスノズルは水平方向または水平方向よりも上側に向けて前記有機溶剤の蒸気を吐出する、基板処理装置。
7. 請求項５または請求項６に記載の基板処理装置であって、
   前記ガスノズルが前記有機溶剤の蒸気を供給しつつ前記排出部が前記処理液を前記貯留槽から排出して前記処理液の液面を下降させることで、前記基板格納容器および前記複数の基板の表面に付着した前記処理液を前記有機溶剤に置換し、
   前記揺動部は、前記処理液の液面が前記基板格納容器の下端に到達した到達時点以後に、前記基板格納容器の揺動を開始する、基板処理装置。
8. 液体が付着した複数の基板を一括して乾燥させる基板処理装置であって、
   少なくとも鉛直上側に開口する内部空間を形成し、前記内部空間において前記複数の基板をその厚み方向に沿って並べた状態で格納する基板格納容器を、所定の回動軸のまわりで回動させて、前記基板格納容器を揺動させる揺動部と、
   前記複数の基板および前記基板格納容器に乾燥用のガスを吐出するガスノズルと、
   処理液を貯留し、前記基板格納容器を前記処理液に浸漬させる貯留槽と、
   前記貯留槽に前記処理液を供給する液ノズルと、
   前記貯留槽から前記処理液を排出する排出部と
   を備え、
   前記回動軸は、鉛直方向に沿うＺ軸と、前記Ｚ軸に垂直であり前記厚み方向に沿うＹ軸と、前記Ｙ軸および前記Ｚ軸に垂直なＸ軸とに対して交差し、
   前記ガスノズルは前記貯留槽よりも上側に設けられ、有機溶剤の蒸気を吐出して、前記貯留槽に貯留された前記処理液の液面に前記有機溶剤の液膜を形成し、
   前記ガスノズルが前記有機溶剤の蒸気を供給しつつ前記排出部が前記処理液を前記貯留槽から排出して前記処理液の液面を下降させることで、前記基板格納容器および前記複数の基板の表面に付着した前記処理液を前記有機溶剤に置換し、
   前記揺動部は、前記処理液の液面が前記基板格納容器の下端に到達した到達時点以後に、前記基板格納容器の揺動を開始し、
   前記ガスノズルは、前記基板格納容器に向けて不活性ガスも吐出し、
   前記ガスノズルは、前記到達時点から所定期間に亘って前記有機溶剤の蒸気の吐出を維持し、前記所定期間が経過したときに前記有機溶剤の吐出を停止し、
   前記揺動部は、前記到達時点から前記所定期間が経過するまでの時点において、前記基板格納容器の揺動を開始する、基板処理装置。
9. 請求項７に記載の基板処理装置であって、
   前記ガスノズルは、前記基板格納容器に向けて不活性ガスも吐出し、
   前記ガスノズルは、前記到達時点以後に前記有機溶剤の蒸気の吐出を停止し、
   前記揺動部は前記有機溶剤の蒸気の吐出の停止以後に、前記基板格納容器の揺動を開始する、基板処理装置。
10. 液体が付着した複数の基板を一括して乾燥させる基板処理装置であって、
    少なくとも鉛直上側に開口する内部空間を形成し、前記内部空間において前記複数の基板をその厚み方向に沿って並べた状態で格納する基板格納容器を、所定の回動軸のまわりで回動させて、前記基板格納容器を揺動させる揺動部と、
    前記複数の基板および前記基板格納容器に乾燥用のガスを吐出するガスノズルと
    を備え、
    前記回動軸は、鉛直方向に沿うＺ軸と、前記Ｚ軸に垂直であり前記厚み方向に沿うＹ軸と、前記Ｙ軸および前記Ｚ軸に垂直なＸ軸とに対して交差し、
    前記揺動部は、前記基板格納容器を載置する載置台を含み、
    前記載置台の上面には、前記複数の基板を前記基板格納容器から持ち上げて支持する突起支持部が設けられている、基板処理装置。

Images