JP2001307994A - 液処理方法及び液処理装置 - Google Patents

液処理方法及び液処理装置

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JP2001307994A
JP2001307994A JP2000125674A JP2000125674A JP2001307994A JP 2001307994 A JP2001307994 A JP 2001307994A JP 2000125674 A JP2000125674 A JP 2000125674A JP 2000125674 A JP2000125674 A JP 2000125674A JP 2001307994 A JP2001307994 A JP 2001307994A
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processing liquid
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Hidekazu Shirakawa
英一 白川
Ken Nishiya
憲 西屋
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Tokyo Electron Ltd
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Tokyo Electron Ltd
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 略水平に保持した基板に対し処理液例えば現
像液の供給を行なう場合において、現像液を撹拌し、均
一性の高い現像処理を行うこと。 【解決手段】 表面に処理液(現像液)が液盛りされた
ウエハWを保持部材4により振動できる状態で保持し、
ここにスピーカ3により第1の共振周波数の音波を発生
させて、ウエハWを第1の共振モードで振動させ、次い
でウエハWに対してスピーカ3により第2の共振周波数
の音波を発生させて、ウエハWを第2の共振モードで振
動させる。ウエハWを所定の共振モードで振動させる
と、ウエハWと現像液との界面が揺れ、これにより現像
液が撹拌され、新旧の現像液が混ざり合うので、現像処
理の均一性が向上する。この際第1の共振モードから第
2の共振モードに変化させると、波の腹の位置と節の位
置とが変化し、さらに効率よく現像液が撹拌される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばレジストが
塗布され、露光処理がされた基板の表面に例えば現像液
よりなる処理液を供給して現像処理を行う液処理装置及
びその方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハ(以下ウエハという)や液
晶ディスプレイのLCD基板の表面上に回路パターンを
形成するためのマスクは以下の工程により形成される。
即ち、先ずウエハ表面にフォトレジスト溶液(以下レジ
ストという)の塗布を行い、光等の照射を行う。前記レ
ジストが例えばネガ形ならば光の当った部分が硬化し、
硬化しない部分即ちレジストの溶けやすい部分を現像液
により溶解して目的とするマスクが形成される。
【0003】従来、上述のような現像工程で用いられる
現像処理装置は、半導体ウエハを吸着保持して回転させ
るスピンチャックとスピンチャック上の半導体ウエハに
現像液を供給する現像液供給ノズルを備えている。例え
ば供給ノズルとしては、ウエハWの直径方向に対応する
長さに亘って多数の吐出孔が配列されたものが用いられ
ており、この供給ノズルをウエハWの中央部にて吐出孔
がウエハWの表面から例えば1mm上方になるように位置
させ、吐出孔から現像液をウエハW表面の直径方向中央
部に供給しつつ、ウエハWを180度回転させることに
より現像処理を行っていた。こうすることで、ウエハW
の直径方向に亘って中央部から現像液が吐出されながら
ウエハW一円に広げられ液盛りを完了でき、同時にウエ
ハW表面全体に現像液の液膜が所定の厚さで形成される
ことになる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところでパターンには
密な部位と疎な部位とが存在するが、上述の現像処理方
法にて種々の実験を行ったところ、密な部位は疎な部位
に比べて現像液による溶解の進行の程度が早く、パター
ンが削られ過ぎてしまうという結果が得られている。
【0005】また半導体ウエハの供給ノズルに亘る中央
付近は、最初に吐出した現像液と最後に吐出した現像液
が重なる部分が出てくるために新旧の現像液が混じり合
い、線幅の均一性が損なわれるおそれもある。さらに半
導体ウエハを回転させながら現像液を吐出させるため
に、現像液の慣性力により現像液の混じり合い方も激し
いところとそうでないところが発生し現像の均一性が悪
化してしまうおそれもある。
【0006】このような問題は、現像液を撹拌し、積極
的に新旧の現像液を混合させることにより解決されると
考えられ、本発明者らは現像液を撹拌する手法について
検討している。
【0007】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、基板表面の処理液を撹拌し、均一な液処理を
行うことのできる液処理装置及びその方法を提供するこ
とを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】このため本発明の液処理
方法は、基板に処理液を供給する工程と、処理液が供給
された基板に所定の周波数の振動を与え、基板表面の処
理液を撹拌する工程と、を含むことを特徴とする。ここ
で前記基板表面の処理液を撹拌する工程は、前記基板表
面の処理液が液流を形成するように基板を振動させるよ
うにしてもよいし、基板を所定の共振モードで振動させ
るようにしてもよい。
【0009】このような方法では、基板自体が振動する
ので、基板表面の処理液が基板との界面から揺れ、効率
よく撹拌される。このため新旧の処理液が混合されるの
で、液処理の均一性を高めることができる。
【0010】また本発明の液処理方法は、基板に処理液
を供給する工程と、処理液が供給された基板に所定の周
波数の振動を与え、この基板を第1の共振モードで振動
させて、当該基板表面の処理液を撹拌する第1の撹拌工
程と、処理液が供給された基板に所定の周波数の振動を
与え、この基板を第2の共振モードで振動させて、当該
基板表面の処理液を撹拌する第2の撹拌工程と、を含む
ことを特徴とし、前記共振モードとしてはクラドニの共
振モードが挙げられる。ここで前記第2の共振モード
は、第1の共振モードと波の腹と節との位置がずれてい
ればよい。
【0011】このような方法では、基板を第1の共振モ
ードと第2の共振モードで振動させており、これらの共
振モードで形成される波の形状が異なるので、モードが
変わるときに基板表面の処理液は大きく揺れ、より効率
よく撹拌される。
【0012】このような液処理方法は、略水平に保持さ
れた基板の表面に処理液を供給するための供給ノズル
と、表面に処理液が供給された基板を振動できる状態で
保持する保持部材と、前記保持部材に保持された基板に
所定の周波数の振動を与えるための振動体と、を備えた
液処理装置により実施される。
【0013】
【発明の実施の形態】図1及び図2は本発明に係る液処
理装置を現像装置に適用した実施の形態を示す概略図で
ある。1は基板であるウエハWの裏面中心部を真空吸着
し、略水平に保持するスピンチャックである。このスピ
ンチャックは駆動部10により回転及び昇降できるよう
に構成されている。
【0014】ウエハWがスピンチャック1に吸着保持さ
れた状態において、ウエハWの側方を囲むようにしてカ
ップ2が設けられており、カップ2は円筒の上部側が上
方内側に傾斜し、上部側開口部が下部側開口部より狭く
なるように形成されている。カップ2の下部側はスピン
チャック1の周囲を囲む円板21と、円板21の周り全
周に亘って凹部を形成し、底面に排液口22が形成され
ている液受け部23とにより構成されている。この液受
け部23とカップ2とによりウエハWの上方レベル及び
下方レベルに跨ってウエハWの側方を囲っている。図中
24は円板21に流れ込んだ現像液等を排出するための
ドレイン管である。
【0015】また円板21のスピンチャック1の外側に
は、例えばウエハWの裏面側周縁部に所定の周波数の振
動を与えるための複数のスピーカ3が周方向に所定の間
隔を開けて取り付けられている。このスピーカ3は振動
体をなすものであり、このスピーカ3には周波数調整部
31が接続されていて、所定の周波数の音波が発生する
ようになっている。スピーカ3はウエハWに所定の周波
数の音波を放射したときに、ウエハWが所定の共振モー
ドで振動する位置に設置される。
【0016】またスピンチャック1の外側には、後の工
程において、例えばウエハWの裏面側を保持するための
保持部材4が設けられている。この保持部材4はウエハ
裏面側のスピンチャック1により保持される領域の外側
の領域を保持するものであり、前記スピーカ3よりウエ
ハWに所定の音波が放射されたときに、ウエハWが振動
できる状態で当該ウエハWを保持するようになってい
る。この例では保持部材4は例えば図2に示すように、
例えばウエハWの半径程度の長さの2本の棒状体41を
略平行に配列してなり、このような保持部材4ではウエ
ハWをいわば線で支える状態となり、ウエハWとの接触
部が少ないので、ウエハWは振動できる状態で保持され
る。
【0017】また夫々の棒状体41のほぼ中央部は下側
に向けて略垂直に延びる支持部材42により、このスピ
ンチャックの下方側に設けられたガイドレール43に沿
って水平方向に移動自在に構成されている。また前記ガ
イドレール43は昇降機構44により昇降自在に構成さ
れている。これにより前記棒状体41はスピンチャック
1の下方側の待機位置とスピンチャック1の上方側の支
持位置との間で昇降自在に構成され、またスピンチャッ
ク1の外側の支持領域において水平方向に移動し、ウエ
ハWの支持位置を変えられるようになっていて、このた
め振動領域を変えることができる。
【0018】スピンチャック1に吸着保持されたウエハ
Wの上方側には、当該ウエハWに処理液である現像液を
供給するための供給ノズル5が設けられている。この供
給ノズル5は、例えば図3に示すように、現像液が供給
される細長い四角形状のノズル本体51と、その下面に
設けられたノズル部52とを備えており、前記ノズル部
52には例えばウエハWの有効領域(デバイスの形成領
域)の幅と同じかそれ以上の長さに亘って多数の吐出孔
53が配列されている。このような供給ノズル5は移動
機構54により昇降自在、水平方向に移動自在に構成さ
れ、ウエハWに現像液を供給する供給位置と、カップ2
の外側の待機位置との間で移動できるようになってい
る。
【0019】これまで述べてきた駆動部10、スピーカ
3、周波数調整部31、昇降機構44、移動機構54は
夫々図示しない制御部と接続されており、例えば駆動部
10によるスピンチャック1の昇降に応じて移動機構5
4による現像液の供給を行い、また例えば駆動部10に
よるスピンチャック1の昇降と昇降機構44による棒状
体41の昇降との組み合わせによる保持部材4へのウエ
ハWの受け渡しを行い、さらにスピーカ3、周波数調整
部31によるウエハWへの音波の発生を行うように、各
部を連動させたコントロールを可能としている。
【0020】次に本実施の形態における作用について説
明する。先ずスピンチャック1がカップ2の上方まで上
昇し、既に前工程でレジストが塗布され、露光処理され
たウエハWが図示しない搬送アームからスピンチャック
1に受け渡される。そしてウエハWが所定の位置に来る
ようにスピンチャック1が下降する。
【0021】続いて移動機構54により供給ノズル5が
ウエハWへ現像液を供給する位置と対応する位置まで案
内され、続いてその位置から前記供給位置まで下降す
る。このとき供給ノズル5の位置(高さ)はウエハWに
対して現像液の供給を行う高さにセットされるため、吐
出孔53はウエハW表面レベルよりも例えば1mm程度
高い位置に置かれる。
【0022】そして図3(b),図4(a),(b)に示すよう
に、供給ノズル5から現像液Dの吐出を開始しながらス
ピンチャック1を半回転(180度)させることによ
り、ウエハWの表面に例えば1.2mmの高さの液膜を
形成する。この際供給ノズル5の先端は、ウエハ表面上
に供給された現像液Dと接触する位置にあり、供給ノズ
ル5の先端をウエハ上の現像液Dと接触させた状態で供
給ノズル5とウエハWとを相対的に回転させることによ
り、当該ノズル5の先端部によりウエハ上の現像液Dが
押し広げられ、ウエハWの表面全体に満遍なく現像液D
が液盛りされることとなる。
【0023】こうしてウエハWに現像液Dの供給を行っ
た後、図4(c)に示すように保持部材4を上昇させると
共に、スピンチャック1の吸着を解いて、ウエハWをス
ピンチャック1から保持部材4に受け渡す。そして図4
(d)に示すようにウエハWを保持部材4によりスピンチ
ャック1の上方側の第1の保持位置で保持した状態で、
スピーカ3から第1の共振周波数の音波を発生し、これ
によりウエハWを第1の共振モードで例えば3秒〜50
秒程度振動させ、現像液Dの撹拌を行う。
【0024】本発明はウエハWを共振させ、これにより
現像液Dを撹拌することを目的とするものであるので、
スピーカ3から発生される共振周波数は例えば50Hz
〜20000Hzの間の周波数であって、ウエハWに共
振を起こさせる周波数であればよい。この際50Hz〜
20000Hzの間の周波数とするのは、現像液とウエ
ハWとの接面において撹拌効果を発揮させるためであ
る。
【0025】またウエハWを所定の共振モードで振動さ
せるとは、ウエハWを振動させることにより、ウエハ表
面の現像液に所定の形状の波を発生させることをいい、
この波の形状は共振周波数によって決定される。ここで
共振モードの一例としてはクラドニの共振モードが挙げ
られ、このクラドニの共振を起こさせる周波数は共振さ
せる基板の形状や大きさにより変化するが、本発明者ら
は実験により例えば6インチサイズのウエハWの場合、
例えば320Hz,750Hz,1500Hz,300
0Hzの周波数の音波で振動させたところ、夫々図6
(a),(b),(c),(d)に示す図形で表されようなクラドニの
共振が起こり、図6中斜線の部分には、図6(e)に示す
ように上下方向の波が発生している部位であり、その他
は振動が発生しない部位であることを知得している。こ
れらの図形はウエハ表面上の現像液の波の形状をCCD
(カメラ等の撮像装置)により確認したものである。
【0026】こうして現像液Dの撹拌を行った後、図5
(a)に示すように保持部材4を下降させてスピンチャッ
ク1にウエハWを受け渡し、さらに図5(b)に示すよう
に保持部材4を下降させてスピンチャック1の下方側に
て水平方向に移動させる。そして図5(c)に示すように
保持部材4を上昇させて、ウエハWをスピンチャック1
から受け取り、ウエハWをスピンチャック1の上方側の
第1の保持位置よりも内側の第2の保持位置で保持した
状態で、図5(d)に示すようにスピーカ3から第2の共
振周波数の音波を発生し、これによりウエハWを第2の
共振モードで例えば3秒〜50秒程度振動させ、現像液
Dの撹拌を行う。
【0027】この後保持部材4を下降させてスピンチャ
ック1にウエハWを受け渡し、次いで例えば洗浄液例え
ば純水をウエハW表面に供給して、現像液Dが洗い流さ
れ、その後スピン乾燥などの工程を経て現像処理が終了
する。
【0028】これまで述べてきたように、本発明に係る
実施の形態では現像液の液盛りを行った後、ウエハWを
所定の共振モードで共振させているので、これにより現
像液がウエハ表面で撹拌され、現像処理の均一性が向上
する。
【0029】つまりウエハWを共振させるとウエハW自
体が揺れるのでウエハWと現像液Dの界面が振動し、さ
らにまた界面の振動により現像液の表面近傍も揺れ、こ
れにより現像液は所定の液流が形成され、既述のように
所定の形状の波が形成される。このように現像液Dには
所定の液流が形成されるので、新しい現像液と古い現像
液とが効率よく撹拌され、現像の進行の程度が揃えられ
て、高い均一性を確保した状態で現像処理を行うことが
できる。これに対し、ウエハW自体ではなく、現像液の
みを揺らした場合には、一般に液体は液の表面近傍のみ
が揺れて、下方側は揺れないため、撹拌効率が悪い。
【0030】また第1の共振モードでウエハWを振動さ
せた後、第2の共振モードでウエハWを振動させた場合
には、共振モードの変化により現像液に発生する波の形
状が変化し、これにより前記現像液の液流の変化の程度
が大きくなる。このため現像液全体がより効率よく撹拌
され、より均一性を高い現像処理を行うことができる。
【0031】さらにこの際クラドニの共振モードにより
振動させると、現像液に発生する波の形状の変化が大き
くなるので、前記現像液の液流の変化の程度がさらに大
きくなり、これにより現像液D全体をより効率よく撹拌
できて、より高い均一性を確保した状態で現像処理を行
うことができる。
【0032】ここで前記第1の共振モードと第2の共振
モードとは、現像液に発生した波の腹の位置と節との位
置とがずれていればよく、スピーカ3から発生する共振
周波数を変えずに保持部材4によるウエハWの保持位置
を変えて、前記第1の共振モードから第2の共振モード
に変えてもよいし、保持部材4によるウエハWの保持位
置を変えずに、スピーカ3から発生する共振周波数を変
えて前記第1の共振モードから第2の共振モードに変え
てもよいし、上述の実施の形態のようにスピーカ3から
発生する共振周波数と保持部材4によるウエハWの保持
位置との両者を変えるようにしてもよい。
【0033】次に上述の現像装置をユニットに組み込ん
だ塗布・現像装置の一例の概略について図7及び図8を
参照しながら説明する。図7及び図8中、6はウエハカ
セットを搬入出するための搬入出ステ−ジであり、例え
ば25枚収納されたカセットCが例えば自動搬送ロボッ
トにより載置される。搬入出ステ−ジ6に臨む領域には
ウエハWの受け渡しア−ム60がX,Y方向およびθ回
転(鉛直軸回りの回転)自在に設けられている。更にこ
の受け渡しア−ム60の奥側には、例えば搬入出ステ−
ジ6から奥を見て例えば右側には塗布・現像系のユニッ
トU1が、左側、手前側、奥側には加熱・冷却系のユニ
ットU2,U3,U4が夫々配置されていると共に、塗
布・現像系ユニットと加熱・冷却系ユニットとの間でウ
エハWの受け渡しを行うための、例えば昇降自在、左
右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構成
されたウエハ搬送ア−ムMAが設けられている。但し図
8では便宜上ユニットU2及びウエハ搬送ア−ムMAは
描いていない。
【0034】塗布・現像系のユニットにおいては、例え
ば上段に2個の上述の現像装置を備えた供えた現像ユニ
ット61が、下段に2個の塗布ユニット62が設けられ
ている。加熱・冷却系のユニットにおいては、加熱ユニ
ットや冷却ユニット、疎水化処理ユニット等が上下にあ
る。
【0035】塗布・現像系ユニットや加熱・冷却系ユニ
ットを含む上述の部分をクリ−ントラックと呼ぶことに
すると、このクリ−ントラックの奥側にはインタ−フェ
イスユニット63を介して露光装置64が接続されてい
る。インタ−フェイスユニット63は例えば昇降自在、
左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構
成されたウエハ搬送ア−ム65によりクリ−ントラック
と露光装置64との間でウエハWの受け渡しを行うもの
である。この装置のウエハの流れについて説明すると、
先ず外部からウエハWが収納されたウエハカセットCが
前記搬入出ステ−ジ6に搬入され、ウエハ搬送ア−ム6
0によりカセットC内からウエハWが取り出され、既述
の加熱・冷却ユニットU3の棚の一つである受け渡し台
を介してウエハ搬送ア−ムMAに受け渡される。次いで
ユニットU3の一の棚の処理部内にて疎水化処理が行わ
れた後、塗布ユニット62にてレジスト液が塗布され、
レジスト膜が形成される。レジスト膜が塗布されたウエ
ハWは加熱ユニットで加熱された後インタ−フェイスユ
ニット63を介して露光装置64に送られ、ここでパタ
−ンに対応するマスクを介して露光が行われる。
【0036】その後ウエハWは加熱ユニットで加熱され
た後、冷却ユニットで冷却され、続いて現像ユニット6
1に送られて現像処理され、レジストマスクが形成され
る。しかる後ウエハWは搬入出ステ−ジ6上のカセット
C内に戻される。
【0037】以上において上述の実施の形態では、保持
部材4はウエハWを振動できる状態で保持するものであ
れば上述の例に限らず、例えば図9に示すように、棒状
体41を用いた保持部材4の代わりにリング状体45を
用いた保持部材4によりウエハWを保持してウエハWを
振動させるようにしてもよい。このリング状体45は例
えばウエハ裏面側のスピンチャック1により保持される
領域の外側の領域を保持するものであり、このように保
持部分がリング状であってもウエハWをいわば線で支え
る状態となるので、ウエハWは振動できる状態で保持さ
れる。
【0038】リング状体71は図示しない昇降機構によ
り昇降自在に構成された水平な支持アーム46により、
支持部材47を介してスピンチャック1の下方側の待機
位置とスピンチャック1の上方側の支持位置との間で昇
降自在に構成されている。この例では、保持部材4によ
るウエハWの保持位置は変化しないので、スピーカ3か
ら発生する共振周波数を変えることにより前記第1の共
振モードから第2の共振モードに変化させる。
【0039】なおこの例の保持部材4及び図2に示す保
持部材4は、スピンチャック1と相対的に昇降されれば
よく、スピンチャック1の昇降により前記待機位置と支
持位置との間で昇降するように構成してもよい。
【0040】またウエハWを振動させる振動体は、上述
のスピーカ3に限らず、例えばウエハW表面の現像液に
自走の液流動を起こすようにウエハWに振動を与えるよ
うな振動ふるい等を用いてもよい。この振動ふるいは、
例えば振動ふるいの表面にウエハWを載置して振動を与
えると、現像液に渦巻き状の液流が発生するようなもの
である。この場合にはウエハWは複数の周波数が混合し
た状態で振動しているが、この例においても自走の液流
により、現像液Dは新しい現像液と古い現像液とが効率
よく撹拌され、現像の進行の程度が揃えられて、高い均
一性を確保した状態で現像処理を行うことができる。
【0041】さらに上述の例では、例えばスピーカや振
動ふるい等の振動体は、図10に振動ふるいを例にして
示すように、現像液の供給を行う現像処理部70から、
振動ふるい71よりなる振動体を備えた振動部72と
へ、ウエハWを専用の補助アーム73で搬送するように
構成してもよい。前記補助アーム73は、進退自在、昇
降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されており、現像
処理部70はスピーカ3が設けられていない他は上述の
図1に示す構成と同様であって、同符号が付してある。
【0042】また例えば図11に示すように、例えば圧
電振動子等の振動体8をスピンチャック2のチャック軸
に接触させるように設け、ウエハWをスピンチャック2
に保持させた状態で、スピンチャック2に振動体8によ
り振動を与え、これによりウエハWを振動させるように
してもよい。この例においてもウエハW自体が振動する
ので、現像液Dは新しい現像液と古い現像液とが効率よ
く撹拌され、現像の進行の程度が揃えられて、高い均一
性を確保した状態で現像処理を行うことができる。
【0043】この際振動体8の周波数を変えることによ
り、ウエハWの振動状態が変化するので、このように周
波数を変えてウエハWを振動させることによって、より
効率よく現像液が撹拌される。また振動体8をスピンチ
ャック2のチャック軸に例えば垂直な方向に移動可能に
設けるようにしてもよく、この場合には振動体の位置を
変えることにより、ウエハWの振動状態を変化させるこ
とできる。
【0044】またウエハWをスピンチャック2により保
持した状態で、スピンチャック2のモータのゲインを変
えて、モータにハンチングを起こさせ、これによりウエ
ハWを振動させ、現像液Dを撹拌するようにしてもよい
し、この際モータのゲインを変えてウエハWの振動状態
を変えるようにしてもよい。
【0045】さらにまた本発明の液処理装置は、現像処
理に限らずレジストの塗布処理にも適用することがで
き、基板と供給ノズルとを相対的に回転させながら処理
液の液膜を形成するタイプの液処理装置にも適用でき
る。さらに振動体としては、スピーカや振動ふるい、圧
電振動子の他、電歪振動子などを用いることができる。
【0046】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、基板を振
動させることにより、基板表面の処理液を撹拌している
ので、基板面内における液処理の進行の程度が揃えら
れ、均一性の高い液処理が行える。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る液処理装置の実施の形態を表す断
面図である。
【図2】前記液処理装置に用いられる保持部材の一例を
示す平面図である。
【図3】前記液処理装置の供給ノズルを示す底面図と斜
視図である。
【図4】前記液処理装置で実施される液処理方法を示す
工程図である。
【図5】前記液処理装置で実施される液処理方法を示す
工程図である。
【図6】クラニドの共振モードによりウエハ上に形成さ
れる波のパターンを説明するための平面図である。
【図7】前記液処理装置を組み込んだ塗布・現像装置の
一例を示す平面図である。
【図8】前記液処理装置を組み込んだ塗布・現像装置の
一例を示す斜視図である。
【図9】本発明に係る液処理装置に用いられる保持部材
のさらに他の例について示す斜視図である。
【図10】本発明に係る液処理装置のさらに他の例につ
いて示す断面図である。
【図11】本発明に係る液処理装置のさらに他の例につ
いて示す断面図である。
【符号の説明】
W ウエハ 1 スピンチャック 2 カップ 3 スピーカ 31 周波数調整部 4 保持部材 41 棒状体 45 リング状体 5 供給ノズル

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板に処理液を供給する工程と、 処理液が供給された基板に所定の周波数の振動を与え、
    基板表面の処理液を撹拌する工程と、を含むことを特徴
    とする液処理方法。
  2. 【請求項2】 前記基板表面の処理液を撹拌する工程
    は、前記基板表面の処理液が液流を形成するように基板
    を振動させることを特徴とする請求項1記載の液処理方
    法。
  3. 【請求項3】 基板に処理液を供給する工程と、 処理液が供給された基板に所定の周波数の振動を与え、
    この基板を所定の共振モードで振動させて、基板表面の
    処理液を撹拌する工程と、を含むことを特徴とする液処
    理方法。
  4. 【請求項4】 基板に処理液を供給する工程と、 処理液が供給された基板に所定の周波数の振動を与え、
    この基板を第1の共振モードで振動させて、当該基板表
    面の処理液を撹拌する第1の撹拌工程と、 処理液が供給された基板に所定の周波数の振動を与え、
    この基板を第2の共振モードで振動させて、当該基板表
    面の処理液を撹拌する第2の撹拌工程と、を含むことを
    特徴とする液処理方法。
  5. 【請求項5】 前記共振モードはクラドニの共振モード
    であることを特徴とする請求項3又は4記載の液処理方
    法。
  6. 【請求項6】 前記第2の共振モードは、基板に与えら
    れる周波数が第1の共振モードとは異なることを特徴と
    する請求項4又は5記載の液処理方法。
  7. 【請求項7】 前記第1の撹拌工程と第2の撹拌工程と
    を交互に繰り返して行うことを特徴とする請求項4,5
    又は6記載の液処理方法。
  8. 【請求項8】 前記処理液は現像液であることを特徴と
    する請求項1,2,3,4,5,6又は7記載の液処理
    方法。
  9. 【請求項9】 略水平に保持された基板の表面に処理液
    を供給するための供給ノズルと、 表面に処理液が供給された基板を振動できる状態で保持
    する保持部材と、 前記保持部材に保持された基板に所定の周波数の振動を
    与えるための振動体と、を備え、 前記振動体により基板に振動を与え、基板表面の処理液
    を撹拌することを特徴とする液処理装置。
  10. 【請求項10】 前記振動体はスピーカであり、このス
    ピーカから所定の周波数の音波を基板に与えることによ
    り、基板を所定の共振モードで振動させ、これにより基
    板表面の処理液を撹拌することを特徴とする請求項9記
    載の液処理装置。
  11. 【請求項11】 前記振動体は振動ふるいであり、この
    振動ふるいに基板を載置して所定の振動を基板に与える
    ことにより、基板表面の処理液に液流を発生させ、これ
    により処理液を撹拌することを特徴とする請求項9記載
    の液処理装置。
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