KR100931856B1 - 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법 - Google Patents

기판 세정 장치 및 기판 세정 방법 Download PDF

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Abstract

기판이 로드되는 스테이지, 상기 기판으로 세정액을 공급하는 세정액 공급부, 상기 기판에 음파를 전달하면서 상기 기판을 세정하는 진동자 및 상기 진동자의 단부에 구비되어 상기 음파를 발생하는 적어도 두 개 이상의 압전체들을 포함하는 기판 세정 장치가 제공된다.
메가소닉, 반도체, 기판, 웨이퍼, 세정

Description

기판 세정 장치 및 기판 세정 방법{Apparatus for cleaning substrate and Method for cleaning substrate}
본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 음파 에너지를 이용하여 기판을 세정하는 기판 세정 장치 및 세정 방법에 관한 것이다.
반도체 메모리 소자 또는 평판 표시 장치와 같은 전자 장치는 기판을 포함한다. 상기 기판은 실리콘 웨이퍼이거나 또는 글라스 기판이 될 수 있다. 상기 기판상에는 복수의 도전막 패턴들이 형성되며, 또한 서로 다른 복수의 도전막 패턴들 사이를 절연하는 절연막 패턴들이 형성된다. 상기 도전막 패턴들이나 절연막 패턴들은 노광, 현상 및 식각과 같은 일련의 공정들에 의하여 형성된다.
상기한 일련의 공정들에는 불순물 입자를 제거하는 공정이 포함된다. 왜냐하면, 기판 표면에 불순물 입자가 존재하는 경우 오염을 유발하여 상기 패턴 형성시 불량이 발생될 수 있기 때문이다. 기판으로부터 불순물을 제거하는 방법은 화학적인 방법과 물리적인 방법이 있다. 화학적인 방법은 약액을 사용하여 화학적으로 기판 표면을 처리하는 것이다. 물리적인 방법은 물리적인 힘을 가하여 기판상에 흡착된 불순물 입자를 제거하는 것이다.
그런데, 최근 반도체 장치의 집적도가 증가함에 따라서 반도체 메모리 소자에서 미세 패턴의 크기가 1㎛ 이하로 감소하고 있어서, 허용 가능한 불순물의 크기도 점점 작아지고 있다. 따라서, 작은 크기의 불순물 입자는 통상적인 세정 방법으로는 용이하게 제거되지 않는다.
본 발명의 목적은 기판의 세정 효율을 향상시킨 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 세정 장치는 스테이지, 세정액 공급부, 진동자 및 압전체들을 포함한다. 상기 스테이지에는 기판이 로드된다. 상기 세정액 공급부는 상기 기판으로 세정액을 공급한다. 상기 진동자는 상기 기판에 음파를 전달하면서 상기 기판을 세정한다. 상기 압전체들은 상기 진동자의 단부에 구비되어 상기 음파를 발생하며, 상호 이격된 적어도 두 개 이상이 구비된다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 세정 방법은 기판을 스테이지 상부에 로드하는 단계, 상기 기판으로 세정액을 제공하는 단계 및 상기 기판에 적어도 두 개 이상의 서로 다른 소스로부터 음파들을 제공하면서 상기 기판을 세정하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면, 기판에 강한 음파 에너지가 전달되어 기판에 대한 세정 효율이 향상된다.
이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 살펴보기로 한다. 다만 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다양한 형태로 응용되어 변형될 수도 있다. 오히려 아래의 실시예들은 본 발명에 의해 개시된 기술 사상을 보다 명확히 하고 나아가 본 발명이 속하는 분야에서 평균적인 지식을 가진 당업자에게 본 발명의 기술 사상이 충분히 전달될 수 있도록 제공되는 것이다. 따라서 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되는 것으로 해석되어서는 안 될 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 세정 장치의 개략적인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 세정 장치는 세정 용기(1), 스테이지(10), 세정액 공급부(40) 및 진동 유닛(100)을 포함한다. 세정 용기(1)는 바닥에 스테이지(10)가 설치된다. 스테이지(10)에는 공정 대상 기판(20)이 안착된다. 스테이지(10)는 기판(20)을 지지하여 고정하는 척이 될 수 있다. 상기 척은 진공 흡입 방식으로 기판(20)을 고정하거나 또는 전기력을 제공하여 기판(20)을 고정할 수 있다. 스테이지(10)는 모터와 같은 구동 수단에 결합되며, 상기 모터의 동작에 의해 회전한다. 따라서, 스테이지(10) 상부에 안착된 기판(20) 또한 세정을 하는 동안 회전하게 된다.
세정 용기(1)는 상부면이 개방되어 있고, 상기 개방된 영역으로 세정액 공급부(40)가 설치된다. 세정액 공급부(40)는 기판(20)을 향하도록 기판(20)으로부터 일정 간격 이격되게 배치된다. 세정액 공급부(40)는 분사 노즐로 구성될 수 있으며, 기판(20) 표면에 지속적으로 세정액을 공급한다. 위와 같이 지속적인 세정액 공급에 의하여, 공정이 진행되는 동안 기판(20) 표면에는 세정액층(30)이 형성된다.
상기 세정액으로는 기판(20)에 부착된 이물질 제거 및 린스의 목적으로 초순수(deionized water; H2O)를 사용할 수 있다. 초순수 이외에 케미컬(chemical)이 사용될 수 있다. 상기 케미컬로는, 수산화암모늄(NH4OH)과 과산화수소(H2O2)와 초순수(H2O)의 혼합액, 불산(HF)과 초순수(H2O)의 혼합액, 불화암모늄(NH4F)과 불산(HF)과 초순수(H2O)의 혼합액, 인산(H3PO4)과 초순수(H2O)와의 혼합액 등 세정시 조건에 따라 적절한 세정액이 선택될 수 있다. 또는, 상기한 다양한 세정액은 제거하고자 하는 이물질의 종류에 따라 이들 중 어느 하나만을 사용하거나 이들 중 일부를 혼합하거나 또는 순차적으로 사용할 수 있다.
진동 유닛(100)은 진동자(110)와 진동 발생부(120)를 포함한다. 진동 발생부(120)는 음파 에너지에 의한 진동을 발생하며, 진동자(110)는 세정액층(30)에 강력한 초음파 진동을 인가한다. 진동 발생부(120)는 진동자(110)의 단부와 결합된다. 진동 발생부(120)는 전기 에너지를 물리적인 진동 에너지로 변환시키는 압전체를 포함한다.
세정 공정시, 기판(20)은 소정 방향으로 회전하고 진동 유닛(100)은 수평 방향으로 이동하면서 세정액층(30)에 음파에 의한 강한 진동을 전달한다. 세정액층(30)에 가해지는 진동에 의해 캐비테이션(cavitation) 기포가 파열하여 이물질 사이에 틈을 만들고, 그 틈으로 기포들이 침투하여 파열함으로써 완전하게 기판(20)의 표면으로부터 이물질이 분리된다. 만약, 이물질의 크기가 매우 작은 경우에는 초음파(Megasonic)를 이용한 세정이 적합하다. 예컨대, 상기 이물질이 1㎛ 이 하 정도로 매우 작은 경우에는 메가헤르쯔(MHz) 단위의 주파수를 갖는 초음파 세정이 바람직하다.
진동자(110)는 막대 형상을 가지며, 기판(20)에 대해 경사지게 배치된다. 진동자(110)의 하단부는 비스듬하게 절단되어 경사면을 형성하며, 경사면은 기판(20)과 이격하여 나란하게 배치된다. 도 1에 도시되지 않았지만, 진동자(110)는 기판(20)에 대해 수평하거나 수직하게 배치될 수도 있다. 진동자(110)는 초음파 에너지를 효과적으로 전달한다고 알려져 있는 석영(quartz)으로 만들어질 수 있다. 상기 석영은 대부분의 세정액에 대해 사용 가능하다. 다만, 불산을 포함하는 세정액에 대해서는 석영으로 된 진동자(110)가 식각될 염려가 있다. 따라서, 진동자(110)는 석영 이외에 사파이어(sapphire), 탄화규소(silicon carbide), 질화붕소(boron nitride), 탄소 유리 또는 이들의 조합으로 구성될 수 있다.
도 2는 도 1의 진동 발생부에 설치된 두 개의 압전체에 의한 진동 발생 과정을 설명하는 도면이다.
도 2를 참조하면, 진동 발생부(120)는 그 내부에 압전체(150)가 구비된다. 압전체(150)는 압전 현상을 이용하여 진동을 발생한다. 상기 압전 현상은 대상물에 기계적 변형을 가하여 유전 분극을 유발함으로써 기계적 에너지를 전기적 에너지로 변환시키는 현상을 의미한다. 이를 1차 압전 효과라고도 하며, 반대로 대상물에 전기장을 가하여 기계적 변형을 유발함으로써 전기적 에너지를 기계적 에너지로 변환시키는 현상을 역압전 효과 또는 2차 압전 효과라고 한다. 진동 발생부(120)는 상기 역압전 효과를 이용하며, 상기 변환된 기계적 에너지로서 음파를 발생한 후 이를 진동자(110)에 전달한다.
압전체(150)는 상호 이격된 제1 및 제2 압전체(151,152)를 포함한다. 제1 및 제2 압전체(151,152)는 수직 방향에 대해 소정 각도로 경사지게 배치된다. 제1 압전체(151)는 좌측에 배치되며, 외부로부터 전기 에너지를 인가받아 제1 압전체(151)에 대하여 대체로 수직하게 진행하는 음파를 발생한다. 제2 압전체(152)는 우측에 배치되며, 외부로부터 전기 에너지를 인가받아 제2 압전체(152)에 대하여 대체로 수직하게 진행하는 음파를 발생한다. 이하, 제1 압전체(151)에서 발생하는 음파는 제1 음파라 명명하고, 제2 압전체(152)에서 발생하는 음파를 제2 음파라 명명한다.
제1 음파와 제2 음파는 각각 독자적으로 진행한 후, 소정의 위치에서 만나게 된다. 상기 소정 위치에서 제1 및 제2 음파는 상호간에 합성되어 새로운 음파를 형성한다. 이하, 상기 새로운 음파를 제3 음파라 명명한다. 제3 음파의 세기(c)는 제1 음파의 세기(a)와 제2 음파의 세기(b)의 벡터 합에 해당한다.
이와 같이, 압전체(150)가 복수로 구비되는 경우, 단수인 경우에 비하여 더 큰 세기를 갖는 음파가 제공될 수 있어서 불순물 제거가 용이하다. 특히, 최근 반도체 장치의 집적도가 증가함에 따라서 반도체 메모리 소자에서 미세 패턴의 크기가 감소하고 있어서, 허용 가능한 불순물의 크기도 점점 작아지고 있다. 따라서, 작은 크기의 불순물 입자를 제거하기 위하여 점점 더 높은 주파수를 갖는 음파가 필요하다. 예컨대, 1㎛ 이하 크기의 미세 패턴하에서 작은 크기의 미세 입자를 제거하기 위해서는 3MHz 이상의 주파수를 갖는 초음파가 필요하다.
그런데, 고주파의 초음파를 발생하면 진폭이 감소하여 음파 에너지의 파워가 약화되어 불순물 입자의 제거가 어려워질 수 있다. 그러나, 본 실시예와 같이 복수개의 압전체(150)를 적용함으로써 음파 에너지의 파워를 증가시키면, 미세한 크기의 불순물 입자도 고주파를 이용하여 용이하게 제거될 수 있다.
제3 음파는 발생 후 곧바로 기판(20) 또는 세정액층(30)에 제공될 수 있도록, 제1 및 제2 음파는 적정 위치에서 합성됨이 바람직하다. 예컨대, 제1 및 제2 음파가 합성되는 위치를 "합성 위치(P)"라고 명명한다면, 상기 합성 위치(P)는 진동자(110)의 표면인 것이 좋다. 상기 합성 위치(P)가 제1 및 제2 음파는 진동자(110)의 표면에 해당하는 경우, 진동자(110)의 길이로부터 제1 및 제2 음파가 합성될 때까지 이동하는 거리가 계산될 수 있다. 상기 이동 거리를 이용하여, 제1 및 제2 음파가 상기 합성 위치(P)에서 보강 간섭되도록 제1 및 제2 압전체(151,152)의 배치가 조절될 수 있다. 상기 보강 간섭이 발생되는 경우, 제3 음파는 최대의 음파 에너지를 갖도록 합성되어 기판(20)이 보다 효율적으로 세정될 수 있다.
도 3a 및 도 3b는 도 1의 진동 발생부에 설치된 두 개의 압전체가 서로 대칭으로 배치된 구조의 실시예들을 설명하는 도면들이다.
도 3a를 참조하면, 제1 압전체(151)는 수직 방향의 중심선(점선 표시)에 대해 좌측으로 제1 각도(θ1)만큼 경사지게 배치된다. 제2 압전체(152)는 수직 방향의 중심선에 대해 우측으로 제1 각도(θ1)만큼 경사지게 배치된다. 제1 및 제2 압전체(151,152)는 모두 동일한 두께(t)를 갖는다.
압전체(150)의 두께와 압전체(150)에서 발생하는 음파의 주파수는 상호 관련되며, 상기 두께가 증가될수록 상기 주파수는 감소된다. 따라서, 제1 및 제2 압전 체(151,152)가 동일한 두께를 갖는 경우, 각 압전체는 동일한 주파수를 갖는 음파를 발생한다.
제1 압전체(151)에서 발생한 제1 음파와 제2 압전체(152)에서 발생한 제2 음파는 상기 중심선상에서 합성된다. 제1 및 제2 압전체(151,152)가 중심선에 대해 대칭이기 때문에, 제1 및 제2 음파는 상기 중심 위치(P)까지 동일한 제1 거리(d1)를 이동한 후 합성된다. 한편, 일반적인 파동의 속도(v), 파장(λ) 및 주파수(f)간에는 다음과 같은 관계식이 성립한다.
속도(v) = 파장(λ)×주파수(f) ----(식 1)
제1 및 제2 음파는 고체 매질인 진동자(110)에서 동일한 속도를 가지며, 또한 동일한 주파수를 갖기 때문에 상기 식 1로부터 제1 및 제2 음파는 동일한 파장을 갖게 된다. 따라서, 동일한 파장을 갖는 제1 및 제2 음파가 동일한 제1 거리(d1)를 이동한 후, 상호간에 합성되므로 합성파인 제3 음파는 보강 간섭으로 형성될 수 있다.
도 3b를 참조하면, 제1 및 제2 압전체(151,152)는 수직 방향의 중심선(점선 표시)에 대해 각각 좌우측으로 제2 각도(θ2)만큼 경사지게 배치된다. 제2 각도(θ2)는 제1 각도(θ1)보다 크다. 위와 같이, 제1 및 제2 압전체(151,152)의 경사 각도가 크다는 점을 제외하면 본 실시예는 도 3a의 실시예와 동일하다. 즉, 제1 및 제2 압전체(151,152)는 동일한 두께를 가지며, 동일한 주파수를 갖는 제1 및 제2 음파를 각각 발생한다.
상기 제1 및 제2 음파는 각각 제1 및 제2 압전체(151,152)로부터 수직하게 소정 거리(d2)만큼 진행하여 합성 위치(P)에서 합성된다. 상기 합성 위치(P)에서는 보강 간섭에 의하여 제3 음파가 형성된다. 제2 각도(θ2)가 제1 각도(θ1)에 비하여 크기 때문에, 제1 및 제2 음파가 합성 위치(P)에 도달하기까지 이동하는 제2 거리(d2)는 상기 제1 거리(d1)보다 크다.
도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 압전체(151,152)가 경사지는 각도에 따라 합성 위치(P)까지 제1 및 제2 음파가 이동하는 거리가 달라진다. 상기 제1 및 제2 음파의 이동 거리는 실질적으로 진동자(110)의 길이에 대응된다. 따라서, 제1 및 제2 압전체(151,152)의 경사 각도는 진동자(110)의 길이에 대응되게 조절된다. 예컨대, 진동자(110)의 길이가 길어질수록 제1 및 제2 압전체(151,152)는 수직 방향 중심선에 대해서 보다 큰 각도를 가지고 경사지는 것이 바람직하다. 이와 같이, 제1 및 제2 압전체(151,152)의 경사 각도는 진동자(110)의 길이에 따라 0도에서 90도 사이의 임의의 값을 가질 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 도 1의 진동 발생부에 설치된 두 개의 압전체가 서로 비대칭으로 배치된 구조의 실시예들을 설명하는 도면들이다.
도 4a를 참조하면, 제1 압전체(151)는 제1 두께(t1)를 갖고 수직 방향의 중심선(점선 표시)에 대해 좌측으로 제1 각도(θ1)만큼 경사지게 배치된다. 제2 압전체(152)는 제2 두께(t2)를 갖고 상기 중심선에 대해 우측으로 제2 각도(θ2)만큼 경사지게 배치된다. 여기서, 제1 두께(t1)는 제2 두께(t2)보다 작고, 제1 각도(θ1)는 제2 각도(θ2)보다 작다.
제1 및 제2 압전체(151,152)는 각각 제1 및 제2 음파를 발생하며, 상기 제1 및 제2 음파는 상기 중심선상의 합성 위치(P)에서 합성되어 제3 음파를 발생한다. 상기 제1 음파는 상기 합성 위치(P)에 도달하기까지 제1 거리(d1)를 이동하고, 상기 제2 음파는 상기 합성 위치(P)에 도달하기까지 제2 거리(d2)를 이동한다. 여기서, 제2 각도(θ2)가 제1 각도(θ1)보다 크기 때문에 제2 거리(d2)는 제1 거리(d1)보다 길다.
앞서 살핀 바와 같이, 압전체의 두께가 증가될수록 해당 압전체에서 발생하음파의 주파수는 감소된다. 따라서, 제1 음파는 제2 음파에 비하여 주파수가 높다. 한편, 제1 및 제2 음파는 모두 음파로서 동일한 속도를 가지므로, 상기 식 1에 의하면 제1 음파는 제2 음파에 비하여 파장이 짧아진다. 즉, 짧은 파장을 갖는 제1 음파는 상대적으로 짧은 제1 거리(d1)만큼 이동하고, 긴 파장을 갖는 제2 음파는 상대적으로 긴 제2 거리(d2)만큼 이동한다. 그 결과, 합성 위치(P)에 도달하기까지 제1 거리(d1)에 포함된 제1 음파의 파장수와 제2 거리(d2)에 포함된 제2 음파의 파장수가 동일하게 조절될 수 있고, 제1 및 제2 음파가 보강 간섭된 제3 음파가 형성된다.
제1 및 제2 압전체(151,152)의 두께를 동일하게 설정하는 경우에도, 제조 공정상의 오차로 제1 및 제2 압전체(151,152)의 두께가 미세하게 달라질 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 음파의 주파수가 달라질 수 있으며, 이러한 경우에도 제1 및 제2 압전체(151,152)가 설치되는 위치를 조절함으로써 보강 간섭으로 최대의 세기를 갖는 제3 음파를 생성할 수 있다.
도 4b를 참조하면, 제1 및 제2 음파가 합성되는 합성 위치(P)는 수직 방향의 중심선(점선 표시)으로부터 좌측으로 벗어나게 위치할 수 있다. 이 경우, 제1 및 제2 음파의 이동 거리간 차이(d2-d1)는 크게 증가된다. 이와 같은 경우, 도 4b에 도시된 바와 같이, 제1 음파에 비하여 보다 긴 경로를 진행하는 제2 음파의 파장이 길어지도록 제1 압전체(151)에 비하여 제2 압전체(152)의 두께가 두껍게 조절된다.
이러한 실시예는 도 1과 같이 진동자(110)가 기판(20)에 대해 경사지게 배치된 경우에 적용될 수 있다. 이 경우, 진동자(110)의 양 단부에서 제1 및 제2 음파가 발생되는 일 단부는 수평면에 대해 경사지고 제1 및 제2 음파가 합성되어 제공되는 다른 단부는 수평면과 나란하여 상기 양 단부의 형상이 비대칭이기 때문에, 제1 및 제2 음파가 이동하는 거리가 서로 달라지게 된다.
상기 거리 차가 충분히 큰 큰 경우에는, 도 4b와 같이, 제1 및 제2 음파가 보강 간섭되도록 제1 및 제2 압전체(151,152)의 두께나 경사 각도가 상이하게 배치됨이 바람직하다. 다만, 상기 거리 차가 크지 않은 경우나 또는 진동자(110)가 기판(20)에 대해 수직하게 배열된 경우에는 도 3a 또는 도 3b와 같은 구조가 우선적으로 적용될 수 있다.
도 5는 도 1의 진동 발생부에 세 개의 압전체가 설치된 실시예를 설명하는 도면이다.
도 5를 참조하면, 압전체(150)는 서로 다른 제1 압전체(151), 제2 압전체(152) 및 제3 압전체(153)를 포함한다. 제1 내지 제3 압전체(151,152,153)로부터 각각 제1 내지 제3 음파가 발생된다. 제1 내지 제3 압전체(151,152,153)는 모두 동일한 두께를 가지며, 상기 제1 내지 제3 음파는 동일한 주파수를 갖는다. 제1 및 제2 압전체(151,152)는 제3 압전체(153)에 대해서 서로 대칭이 되게 배치되어, 제1 내지 제3 음파(151,152,153)는 동일한 거리를 이동한 후 합성된다. 따라서, 제1 내지 제3 음파(151,152,153)는 보강 간섭되어 강한 세기를 갖는 합성파가 제공될 수 있고, 이로써 기판(20)이 효율적으로 세정될 수 있다.
3개의 압전체(150)들을 사용하는 경우에도, 제1 내지 제3 압전체(151,152,153)를 비대칭으로 배치하거나 또는 각 두께가 상이하게 되도록 조절할 수 있다. 또한, 보다 강한 세정을 위해 필요하다면 4개 이상의 압전체가 사용될 수도 있다.
도 6a 및 도 6b는 도 1의 진동 발생부에 설치된 압전체 및 전극의 적층 구조의 실시예들을 설명하는 도면들이다.
도 6a를 참조하면, 압전체(150), 제1 및 제2 전극(130,140)이 구비된다. 압전체(150)는 제1 및 제2 압전체(151,152)를 포함하며, 이에 대응되게 제1 및 제2 전극(130,140)은 2개씩 구비된다. 제1 압전체(151)는 좌측의 제1 전극(131)과 좌측의 제2 전극(141) 사이에 개재된다. 제2 압전체(152)는 우측의 제1 전극(132)과 우측의 제2 전극(142) 사이에 개재된다. 제1 및 제2 전극(130,140)은 각각 음극 및 양극으로 작용하며, 이를 통하여 외부로부터 전기 에너지가 제공된다. 상기 전기 에너지는 제1 및 제2 전극(130,140) 사이의 압전체(150)에 인가된다. 압전체(150)는 압전 효과에 의해 상기 전기 에너지로부터 음파 에너지를 발생한다. 본 실시예에서, 서로 다른 음파를 발생하는 제1 및 제2 압전체(151,152)에 대응되게 제1 및제2 전극(130,140) 각각이 복수로 구비된다. 이 경우, 제1 및 제2 압전체(151,152) 의 물성에 부합되도록 좌측의 전극들(131,141)과 우측의 전극들(132,142)에 서로 다른 전기 에너지가 제공될 수 있다.
도 6b를 참조하면, 압전체(150), 제1 및 제2 전극(130,140)이 구비된다. 압전체(150)는 제1 및 제2 압전체(151,152)를 포함하며, 제1 및 제2 전극(130,140)은 제1 및 제2 압전체(151,152)에 대해서 공통으로 사용된다. 이 경우, 제1 및 제2 압전체(151,152)에는 동일한 전기 에너지가 인가된다. 본 실시예에 따른 구조는 제1 및 제2 압전체(151,152)가 거의 수평 상태를 유지하는 경우에 보다 용이하게 적용될 수 있다.
이상으로 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 대하여 설명하였으며, 이하에서는 상기 장치에 적용되는 작용 원리를 응용한 기판 처리 방법에 대하여 간략하게 설명한다. 상기 기판 처리 방법은 도 1에 도시된 장치를 이용한다는 전제하에서 설명한다. 따라서, 장치와 관련한 참조 번호는 도 1의 참조 번호를 사용한다. 다만, 상기 기판 처리 방법은 도 1에 도시된 장치에 한정되지 않으며, 상기 장치와 상이한 구조를 갖는 장치로서 구현될 수도 있다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하는 순서도이다.
도 7을 참조하면, 첫번째 단계(S10)에서 세정 대상 기판(20)이 세정 용기(1)로 이송된 후 스테이지(10)에 로드된다. 두번째 단계(S20)에서 세정액 공급부(40)에서 기판(20)으로 세정액을 공급한다. 세번째 단계(S30)에서 음파 또는 초음파를 제공하여 기판(20)을 세정한다. 상기 음파는 적어도 2 이상의 소스로부터 발생된 2 이상의 음파가 합성된 것이다. 또한, 상기 합성된 음파는 상기 적어도 2 이상의 음 파가 보강 간섭되어 충분한 에너지를 갖고 기판(20)으로부터 미세한 이물질까지 제거할 수 있다.
상기 음파의 소스는 압전체들이며, 상기한 보강 간섭이 발생되도록 상기 압전체들의 구조나 배치가 조절될 수 있다. 예컨대, 상기 압전체들이 동일한 형상을 갖는 경우, 상기 음파들은 동일한 거리를 이동하여 상호간에 보강 간섭될 수 있다. 또는 상기 압전체들이 상이한 두께를 갖는 경우, 상기 음파들은 서로 다른 거리를 이동하여 상호간에 보강 간섭될 수 있다.
이상에서 살핀 바와 같이, 상기 실시예들에 따르면 기판으로부터 불순물들이 효과적으로 제거되어 세정 효율이 향상될 수 있다. 다만, 상기 실시예들은 예시적인 관점에서 설명된 것일 뿐으로, 해당 기술 분야의 통상의 지식을 갖는 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 세정 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1의 진동 발생부에 설치된 두 개의 압전체에 의한 진동 발생 과정을 설명하는 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 도 1의 진동 발생부에 설치된 두 개의 압전체가 서로 대칭으로 배치된 구조의 실시예들을 설명하는 도면들이다.
도 4a 및 도 4b는 도 1의 진동 발생부에 설치된 두 개의 압전체가 서로 비대칭으로 배치된 구조의 실시예들을 설명하는 도면들이다.
도 5는 도 1의 진동 발생부에 세 개의 압전체가 설치된 실시예를 설명하는 도면이다.
도 6a 및 도 6b는 도 1의 진동 발생부에 설치된 압전체 및 전극의 적층 구조의 실시예들을 설명하는 도면들이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하는 순서도이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
1 : 세정 용기 10 : 스테이지
20 : 기판 30 : 세정액층
40 : 세정액 공급부 110 : 진동자
120 : 진동 발생부

Claims (30)

  1. 기판이 로드되는 스테이지;
    상기 기판으로 세정액을 공급하는 세정액 공급부;
    상기 기판에 음파를 전달하면서 상기 기판을 세정하는 진동자; 및
    상기 진동자의 단부에 구비되어 상기 음파를 발생하며, 상호 이격된 적어도 두 개 이상의 압전체들을 포함하되,
    상기 음파는 상기 압전체들로부터 각각 발생되며, 상기 각 발생된 음파는 상기 기판에 인접하는 상기 진동자의 표면에서 상호간에 보강 간섭되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 압전체들을 사이에 두고 서로 마주보는 전극들; 및
    상기 압전체들 및 상기 전극들이 설치되며, 상기 진동자의 단부에 결합되는 진동 발생부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 압전체들은 상호 이격된 제1 및 제2 압전체를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제1 압전체를 사이에 두고 서로 마주보는 제1 전극들;
    상기 제2 압전체를 사이에 두고 서로 마주보는 제2 전극들; 및
    상기 제1 압전체들, 상기 제2 압전체들, 상기 제1 및 제2 전극들이 설치되며, 상기 진동자의 단부에 결합되는 진동 발생부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 압전체는 동일한 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  7. 기판이 로드되는 스테이지;
    상기 기판으로 세정액을 공급하는 세정액 공급부;
    상기 기판에 음파를 전달하면서 상기 기판을 세정하는 진동자;
    상기 진동자의 단부에 구비되어 상기 음파를 발생하며, 동일한 형상을 갖고 서로 이격되는 제1 및 제2 압전체를 포함하되,
    상기 진동자는 막대 형상을 가지며, 상기 제1 및 제2 압전체는 상기 진동자의 길이 방향에 나란하며 상기 진동자의 중심을 지나가는 가상선에 대해 대칭이 되게 배치된 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 진동자의 길이가 길수록 상기 제1 및 제2 압전체와 상기 가상선이 이루 는 각도가 큰 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  9. 제 4항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 압전체는 서로 다른 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  10. 기판이 로드되는 스테이지;
    상기 기판으로 세정액을 공급하는 세정액 공급부;
    상기 기판에 음파를 전달하면서 상기 기판을 세정하는 진동자;
    상기 진동자의 단부에 구비되어 상기 음파를 발생하며, 서로 다른 두께를 갖고 이격되는 제1 및 제2 압전체를 포함하되,
    상기 진동자는 막대 형상을 가지며, 상기 제1 및 제2 압전체는 상기 진동자의 길이 방향에 나란하며 상기 진동자의 중심을 지나가는 가상선에 대해 상호 비대칭이 되게 배치된 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 기판을 스테이지 상부에 로드하는 단계;
    상기 기판으로 세정액을 제공하는 단계; 및
    상기 기판에 적어도 두 개 이상의 서로 다른 소스로부터 음파들을 제공하면서 상기 기판을 세정하는 단계를 포함하되,
    상기 음파들은 상호 이격된 적어도 두 개 이상의 압전체들 각각으로부터 발생되고, 상기 압전체들에 결합되는 진동자에 의해 상기 기판에 전달되며, 상기 기판에 인접하는 상기 진동자의 표면에서 상호간에 보강 간섭되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  14. 기판을 스테이지 상부에 로드하는 단계;
    상기 기판으로 세정액을 제공하는 단계; 및
    상기 기판에 적어도 두 개 이상의 서로 다른 소스로부터 음파들을 제공하면서 상기 기판을 세정하는 단계를 포함하되,
    상기 음파들은 동일한 형상을 가지며, 상호 이격된 적어도 두 개 이상의 압전체들 각각으로부터 발생되고, 상기 압전체들에 결합되는 진동자에 의해 상기 기판에 전달되며, 상기 진동자의 표면까지 동일한 거리를 이동하여 상호간에 간섭되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  15. 기판을 스테이지 상부에 로드하는 단계;
    상기 기판으로 세정액을 제공하는 단계; 및
    상기 기판에 적어도 두 개 이상의 서로 다른 소스로부터 음파들을 제공하면서 상기 기판을 세정하는 단계를 포함하되,
    상기 음파들은 서로 상이한 두께를 가지며, 상호 이격된 적어도 두 개 이상의 압전체들 각각으로부터 발생되고, 상기 압전체들에 결합되는 진동자에 의해 상기 기판에 전달되며, 상기 진동자의 표면까지 서로 다른 거리를 이동하여 상호간에 간섭되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  16. 기판을 세정하는 진동유닛에 있어서,
    상기 기판에 음파를 전달하면서 상기 기판을 세정하는 진동자;
    상기 진동자의 단부에 구비되어 제1음파를 발생시키는 제1압전체;
    상기 진동자의 단부에 구비되어 제2음파를 발생시키는 제2압전체를 구비하되,
    상기 제1압전체는 상기 진동자의 길이방향의 중심을 지나는 가상선을 기준으로 상기 가상선의 일측에 위치하고, 상기 제2압전체는 상기 가상선의 타측에 위치하되,
    상기 제1압전체는 상기 가상선과 제1각도로 배치되며, 상기 제2압전체는 상기 가상선과 제2각도로 배치되며,
    상기 제 1 각도와 상기 제 2 각도는 0°보다 크고 90°보다 작은 각을 갖는 것을 특징으로 하는 진동유닛.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 각도와 상기 제 2 각도는 동일한 것을 특징으로 하는 진동 유닛.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 각도와 상기 제 2 각도는 서로 상이한 것을 특징으로 하는 진동 유닛.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 압전체와 상기 제 2 압전체는 서로 동일한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 진동유닛.
  20. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 압전체와 상기 제 2 압전체는 서로 상이한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 진동유닛.
  21. 제 16 항 내지 제 20항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 제 1 음파와 상기 제 2 음파는 상기 진동자의 하단부에서 상호간에 보강 간섭되는 것을 특징으로 하는 진동유닛.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 진동유닛은
    상기 제 1 압전체를 사이에 두고 서로 마주하여 배치되는 한 쌍의 제 1 전극; 및
    상기 제 2 압전체를 사이에 두고 서로 마주하여 배치되는 한 쌍의 제 2 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 진동 유닛.
  23. 기판을 지지하고, 회전하는 스테이지;
    상기 스테이지의 상부에 위치하며, 상기 기판으로 세정액을 공급하는 세정액 공급부; 및
    상기 기판의 상면에 형성된 세정액층으로 음파 진동을 인가하는 진동유닛을 포함하되,
    상기 진동유닛은
    그 중심을 지나가는 가상선을 기준으로, 상기 가상선의 일측에 위치하고, 제 1 음파를 발생하는 제 1 압전체; 및
    상기 가상선의 타측에 위치하고, 제 2 음파를 발생하는 제 2 압전체를 포함하되,
    상기 제 1 압전체는 상기 가상선과 제 1 각도로 배치되고, 상기 제 2 압전체는 상기 가상선과 제 2 각도로 배치되며,
    상기 제 1 각도 및 상기 제 2 각도는 0°보다 크고 90°보다 작은 값을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 제 1 각도와 상기 제 2 각도는 서로 상이한 값을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  25. 제 23 항에 있어서,
    상기 제 1 압전체와 상기 제 2 압전체는 동일한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  26. 제 23 항에 있어서,
    상기 제 1 압전체와 상기 제 2 압전체는 상이한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  27. 제 23 항 내지 제 26 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 진동유닛은
    인접하는 상기 기판으로 상기 제 1 음파와 상기 제 2 음파를 전달하는 진동자를 포함하며,
    상기 진동자의 상단부에는 상기 제 1 압전체와 상기 제 2 압전체가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 진동유닛은
    상기 제 1 압전체와 상기 제 2 압전체 사이에 위치하고, 제 3 음파를 발생하는 제 3 압전체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 제 3 압전체는 상기 가상선의 선상을 수직하게 가로지르며 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  30. 제 27 항에 있어서,
    상기 진동자는 막대형상을 가지고 상기 기판과 경사지게 배치되며, 그 하단부는 비스듬하게 절단되어 경사면을 형성하고, 상기 경사면은 상기 기판과 이격하여 나란하게 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5492574B2 (ja) * 2010-01-08 2014-05-14 東京エレクトロン株式会社 基板のクリーニング方法及び基板のクリーニング装置
WO2011152573A1 (en) * 2010-05-31 2011-12-08 Korea Institute Of Machinery & Materials Ultrasonic precision cleaning apparatus
US9662686B2 (en) * 2010-09-24 2017-05-30 Lam Research Ag Ultrasonic cleaning method and apparatus
US8458842B2 (en) * 2011-05-10 2013-06-11 Nanya Technology Corp. Post-CMP wafer cleaning apparatus
CN103776477A (zh) * 2014-01-24 2014-05-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种摇摆式传感器组件
CN104326533A (zh) * 2014-11-28 2015-02-04 山东林安热能科技有限公司 一种旁流水处理器
KR101662287B1 (ko) * 2014-12-04 2016-10-14 주식회사 듀라소닉 초음파 세정장치
CN106391557A (zh) * 2015-07-28 2017-02-15 中国科学院微电子研究所 一种用于半导体基片兆声波清洗装置
CN105607311B (zh) 2016-01-04 2020-06-02 京东方科技集团股份有限公司 起角装置及其使用方法
KR20190086859A (ko) * 2018-01-15 2019-07-24 삼성전자주식회사 기판 지지 기구 및 이를 포함하는 기판 세정 장치
CN108539050B (zh) * 2018-03-12 2020-07-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性面板的分离方法
KR102081706B1 (ko) * 2018-07-18 2020-02-27 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060122741A (ko) * 2005-05-26 2006-11-30 혼다덴시 가부시키가이샤 초음파 세정장치

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58109177A (ja) * 1981-12-23 1983-06-29 九州日立マクセル株式会社 超音波洗浄器
US4961424A (en) * 1987-08-05 1990-10-09 Olympus Optical Co., Ltd. Ultrasonic treatment device
JPH08117711A (ja) 1994-10-21 1996-05-14 Mk Seiko Co Ltd 洗浄装置
JP2000216126A (ja) * 1999-01-22 2000-08-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄方法およびその装置
GB2388741B (en) * 2002-05-17 2004-06-30 Morgan Crucible Co Transducer assembly
JP2004356590A (ja) 2003-05-30 2004-12-16 Honda Electronic Co Ltd 超音波基板洗浄装置
JP2007510283A (ja) * 2003-10-31 2007-04-19 株式会社荏原製作所 処理液塗布装置及び処理液塗布方法
US6963257B2 (en) * 2004-03-19 2005-11-08 Nokia Corporation Coupled BAW resonator based duplexers
WO2005120355A1 (ja) * 2004-06-07 2005-12-22 Olympus Corporation 静電容量型超音波トランスデューサ
JP4519541B2 (ja) 2004-06-24 2010-08-04 株式会社東芝 超音波洗浄装置
JP2007209928A (ja) 2006-02-10 2007-08-23 Honda Electronic Co Ltd 超音波洗浄用振動子
JP2007029937A (ja) 2005-07-25 2007-02-08 Kazumasa Onishi 超音波洗浄装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060122741A (ko) * 2005-05-26 2006-11-30 혼다덴시 가부시키가이샤 초음파 세정장치

Also Published As

Publication number Publication date
TWI377609B (en) 2012-11-21
JP2009055024A (ja) 2009-03-12
US20090050173A1 (en) 2009-02-26
US8015986B2 (en) 2011-09-13
KR20090020944A (ko) 2009-02-27
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CN101373705A (zh) 2009-02-25

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