JP2008160012A - 基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】内槽の底面の幅方向および奥行き方向において当該底面からの気泡の離脱を中心線に対して対称的に行わせることにより、内槽内で処理される被処理基板について、当該内槽の幅方向および奥行き方向における処理の対称性を得ることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、液体を貯留する外槽10と、外槽10に貯留された液体に超音波を照射する超音波発生器15と、外槽10の内部に設けられた内槽20と、外槽10に液体を供給する純水供給部30とを備えている。内槽20の底面が幅方向および奥行き方向の両方向において当該内槽20の中心線に対して対称形となっている。また、純水供給部30は、外槽10内における液体の流れが幅方向および奥行き方向の両方向において内槽20の中心線に対して対称となるよう、外槽10内に液体を供給する。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体ウエハ等の被処理基板を内槽内の処理液中に浸漬させることにより当該被処理基板の処理を行う基板処理装置に関し、とりわけ内槽の幅方向および奥行き方向における処理の対称性を得ることができる基板処理装置に関する。
従来より、純水を貯留する外槽と、この外槽の内部に設けられ、純水や薬液等の処理液を貯留しこの処理液中に被処理基板としての半導体ウエハ(以下、ウエハという)を浸漬させるような内槽とを備え、外槽に貯留された純水に超音波を照射する超音波発生器が当該外槽の底部に設けられたような間接照射型超音波洗浄槽が知られている(例えば、特許文献1、2等参照)。このような間接照射型超音波洗浄槽においては、内槽の底部は石英等の超音波を透過させる材料から形成されており、外槽内の純水に照射された超音波は内槽の底部を透過して内槽内の処理液に伝播し、この内槽内の処理液に伝播された超音波の振動によりウエハに対するエッチング処理や洗浄処理等の処理性能を向上させるようになっている。
上述のような間接照射型超音波洗浄槽を構成する従来の基板処理装置の一例について図3および図4を用いて説明する。図3は、従来の基板処理装置を正面から見たときの概略構成図であり、図4は、図3における基板処理装置のB−B矢視縦断面図である。
従来の基板処理装置は、図3および図4に示すように、純水を貯留する外槽60と、この外槽60の内部に設けられた内槽70と、ウエハWを保持する保持機構(図示せず)とを備えている。外槽60には、当該外槽60に貯留された純水に超音波を照射する超音波発生器65が設けられている。さらに、外槽60内に純水を供給するための純水供給部80が設置されている。
外槽60は、図3および図4に示すように略直方体形状のものであり、塩化ビニルや金属から構成されている。この外槽60の上部にはオーバーフロー槽61が取り付けられており、外槽60からオーバーフローした純水はオーバーフロー槽61に送られるようになっている。このオーバーフロー槽61は、オーバーフロー管62を介して後述する純水貯留槽85に接続されており、外槽60からオーバーフロー槽61にオーバーフローした純水は後述する純水貯留槽85に戻されるようになっている。
内槽70は、図3および図4に示すように外槽60の内部に設けられている。この内槽70は、純水や薬液等の処理液を貯留するようになっており、この処理液中にウエハWを浸漬させることにより当該ウエハWのエッチング処理や洗浄処理等の様々な処理を行うようになっている。内槽70は、石英等の超音波を透過させる材料から形成されている。内槽70の底面の形状については後述する。
超音波発生器65は、外槽60の底面外方に取り付けられた超音波振動板から構成されている。この超音波振動板は外槽60の底面を部分的に占めるような大きさの矩形形状のものとなっており、図示しない駆動機構により振動させられるようになっている。超音波振動板が振動すると、外槽60の底部を介し、外槽60内に貯留された純水に超音波が伝播するとともに、内槽70の底部を介して内槽70内の処理液にも超音波が伝播するようになっている。
内槽70の内部において、複数枚のウエハWが図示しない保持機構により保持されている。この保持機構は内槽70から自在に取り出すことができるようになっており、当該保持機構によって、内槽70に貯留された処理液に対する複数のウエハWの浸漬およびこの処理液からのウエハWの取り出しをまとめて行うことができるようになっている。
外槽60内に純水を供給するための純水供給部80は、外槽60内に純水を吐出する吐出部材81と、純水を貯留するための純水貯留槽85と、吐出部材81と純水貯留槽85とを接続し、純水貯留槽85から吐出部材81に純水を送るための純水供給管82とを備えている。純水供給管82には、純水貯留槽85から純水を引き抜いて吐出部材81に搬送するためのポンプ83が介設されている。ここで、図4に示すように、吐出部材81は外槽60の奥行き方向(前後方向)における後部に取り付けられており、外槽60の奥側(図4の右方)から手前側(図4の左方)に向かって純水を吐出するようになっている。この吐出部材81により吐出された純水の流れ方向を図4の矢印で示す。
ここで、外槽60内の純水に超音波が照射されると、超音波振動によるキャビテーションによってこの純水中に気泡が多数発生する。これらの気泡は純水中を上昇して内槽70の底面に付着する。内槽70の底面に付着した気泡は、次々と上昇してくる気泡と合体して徐々に大きくなっていくが、このような気泡は超音波の伝播の妨げとなる。
このため、図4に示すように内槽70の底面を奥側(図4の右方)から手前側(図4の左方)に向かって斜め上方に傾斜させている。このことにより、内槽70の底面に付着した気泡は浮力により内槽70の底面の奥側から手前側に移動し、最終的には内槽70の底面から離脱する。さらに、外槽60内における純水の流れが内槽70の奥側から手前側への流れとなっているので、この純水の流れにより内槽70の底面における気泡の移動が促進されることとなる。このようにして、内槽70の底面に付着した気泡を当該底面から離脱させることができる。
実開平7−31182号公報 特開2001−332523号公報
しかしながら、図3および図4に示すような従来の基板処理装置には以下の問題がある。すなわち、内槽70の底面を奥側から手前側に向かって斜め上方に傾斜させているので、内槽70の内部において当該内槽70の奥行き方向(図4の左右方向)における均一な処理液の流れを形成することができず、また各ウエハWと内槽70の底面との間の距離が当該内槽70の奥行き方向の位置によって異なることとなり、このため、奥行き方向における位置によってウエハWに対する処理にばらつきが生じる場合がある。
また、特許文献2に開示されるような基板処理装置によれば、内槽の奥行き方向における当該内槽の内部の均一な処理液の流れを形成することができるが、外槽内における純水の流れはウエハの板面に沿った縦断面において左右対称となっていない。このため、内槽の底面に付着した気泡に対して外槽内の純水の流れにより作用する力が左右対称とならず、当該底面からの気泡の離脱もウエハの板面に沿った縦断面において左右対称とはならないので、ウエハの板面の左右における処理の度合いにばらつきが生じる場合がある。具体的には、引用文献2に開示されるような基板処理装置においては、当該引用文献2の図2の内槽の底面において左側の部分に付着した気泡に対しては、外槽内における純水の流れにより十分な離脱力を作用させることができるが、図2の右側の部分に付着した気泡に対しては純水の流れによる離脱力はほとんど作用しない。
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、内槽の底面の幅方向および奥行き方向において当該底面からの気泡の離脱を中心線に対して対称的に行わせることにより、内槽内で処理される被処理基板について、当該内槽の幅方向および奥行き方向における処理の対称性を得ることができる基板処理装置を提供することを目的とする。
本発明の基板処理装置は、液体を貯留する外槽と、前記外槽に設けられ、当該外槽に貯留された液体に超音波を照射する超音波発生器と、前記外槽の内部に設けられ超音波を透過させる部材を有する内槽であって、処理液を貯留しこの処理液中に被処理基板を浸漬させるような内槽と、前記外槽に液体を供給する液体供給部と、を備え、前記内槽の底面は、幅方向および奥行き方向の両方向において当該内槽の中心線に対して対称形となっており、前記液体供給部は、前記外槽内における液体の流れが幅方向および奥行き方向の両方向において前記内槽の中心線に対して対称となるよう、前記外槽内に液体を供給するようになっていることを特徴とする。
このような基板処理装置によれば、超音波発生器により照射された超音波により外槽内の液体中に多数の気泡が発生しこれらの気泡が内槽の底面に付着した場合であっても、内槽の底面が幅方向および奥行き方向の両方向において当該内槽の中心線に対して対称形となっているので、この底面からの気泡の離脱も左右対称におよび前後対称に行われるようになり、この気泡の離脱は均一に行われるようになる。さらに、液体供給部は、外槽内における液体の流れが幅方向および奥行き方向の両方向において内槽の中心線に対して対称となるよう、外槽内に液体を供給するようになっている。このため、外槽内の液体の流れによる内槽の底面からの気泡の離脱の促進力も、内槽の底面において左右対称および前後対称となり、液体の流れによる気泡の離脱の促進も均一に行われるようになる。このように、内槽の底面の幅方向および奥行き方向において当該底面からの気泡の離脱が中心線に対して対称的に行われるので、内槽内で処理される被処理基板について、当該内槽の幅方向および奥行き方向における処理の対称性を得ることができる。このため、被処理基板の板面の左右における処理の度合いが異なったり、あるいは一度に処理される複数の被処理基板について各被処理基板間における処理の度合いが異なったりするようなトラブルの発生を抑止することができる。
本発明の基板処理装置においては、前記内槽の底面は、当該内槽に収容された処理されるべき被処理基板の板面に沿った縦断面において中央部が両端部よりも低い位置にあることが好ましい。この場合、内槽の底面に付着した気泡は浮力により当該底面の中央部から左右両側に移動し、最終的には内槽の底面から離脱するので、内槽の底面からの気泡の離脱を促進させることができる。さらに、内槽の底面は、幅方向において当該内槽の中心線に対して対称形となっているので、内槽の底面からの気泡の離脱も被処理基板に対して左右対称に行われるようになる。このことにより、被処理基板に対する処理について左右の対称性を得ることができるようになる。
本発明の基板処理装置においては、前記内槽の底面は、当該内槽に収容された処理されるべき被処理基板の板面に沿った縦断面がV字形状となっていることが好ましい。この場合、内槽の底面は被処理基板の板面に沿った断面において中央部から左右両側に向かって斜め上方に傾斜することとなり、内槽の底面からの気泡の離脱をより一層促進させることができる。
本発明の基板処理装置においては、前記液体供給部は、前記外槽内部において、前記超音波発生器が当該外槽内の液体に超音波を照射する範囲の外側の位置に設置されていることが好ましい。このことにより、超音波発生器により外槽内の液体に照射され内槽の底面を介して処理液中に送られる超音波の伝播が、液体供給部により妨げられることを防止することができ、内槽内の処理液に対して超音波を均一に伝播することができるようになる。
本発明の基板処理装置においては、前記液体供給部は、幅方向または奥行き方向において前記内槽の中心線に対して対称となるような位置に複数設けられており、各液体供給部からの液体の吐出方向が、幅方向または奥行き方向において前記内槽の中心線に対して対称となっていることが好ましい。さらに、前記液体供給部は、幅方向または奥行き方向において前記内槽の中心線に対して対称となるような位置に設けられた一対の筒状部材からなり、各筒状部材には吐出口が設けられており、各筒状部材における当該吐出口の位置は、各筒状部材の吐出口から吐出された液体の吐出方向が幅方向または奥行き方向において前記内槽の中心線に対して対称となるような箇所となっていることが好ましい。
本発明の基板処理装置によれば、内槽の底面の幅方向および奥行き方向において当該底面からの気泡の離脱を中心線に対して対称的に行わせることにより、内槽内で処理される被処理基板について、当該内槽の幅方向および奥行き方向における処理の対称性を得ることができる。
以下、図面を参照して本発明の一の実施の形態について説明する。図1および図2は、本発明による基板処理装置の一の実施の形態を示す図である。
このうち、図1は、本発明の一の実施の形態における基板処理装置を正面から見たときの概略構成図であり、図2は、図1における基板処理装置のA−A矢視縦断面図である。
本実施の形態の基板処理装置は、被処理基板、具体的には例えば半導体ウエハ(以下、ウエハWという)を処理液中に浸漬させることにより当該ウエハWのエッチング処理や洗浄処理等の様々な処理を行うものである。図1および図2に示すように、本実施の形態の基板処理装置は、液体、具体的には例えば純水を貯留する外槽10と、この外槽10の内部に設けられた内槽20と、ウエハWを保持する保持機構(ウエハボートとも呼ぶ)40とを備えている。外槽10には、当該外槽10に貯留された純水に超音波を照射する超音波発生器15が設けられている。さらに、外槽10に純水を供給するための純水供給部30が設置されている。
以下に、このような基板処理装置の各構成要素について詳述する。なお、以下の記載において、基板処理装置における内槽20の幅方向とは図1の左右方向のことを指し、内槽20の奥行き方向とは図2の左右方向のことを指している。
外槽10は、図1および図2に示すように略直方体形状のものであり、塩化ビニルや金属から構成されている。この外槽10の上部にはオーバーフロー槽11が取り付けられており、外槽10からオーバーフローした純水はオーバーフロー槽11に送られるようになっている。このオーバーフロー槽11は、オーバーフロー管12を介して後述する純水貯留槽35に接続されており、外槽10からオーバーフロー槽11にオーバーフローした純水は純水貯留槽35に戻されるようになっている。
内槽20は、図1および図2に示すように外槽10の内部に設けられている。この内槽20は、純水や薬液等の処理液を貯留するようになっており、この処理液中にウエハWを浸漬させることにより当該ウエハWのエッチング処理や洗浄処理等の様々な処理を行うようになっている。内槽20は、超音波を透過させる材料、具体的には例えば耐薬品性に富んだ石英等から形成される。また、内槽20の底部の厚みは、後述する超音波発生器15からの超音波を透過させることができるよう、内槽20をなす材料の種類および超音波発生器15により発生した超音波の周波数等を考慮して決定される。
この内槽20の底面は、当該内槽20の幅方向に沿った縦断面(図1に示すような断面)がV字形状となっており、一方、内槽20の奥行き方向に沿った縦断面(図2に示すような断面)は水平方向に延びるような直線形状となっている。このように、内槽20の底面は、幅方向および奥行き方向の両方向において当該内槽20の中心線に対して対称形となっている。
超音波発生器15は、外槽10の底面外方に取り付けられた超音波振動板から構成されている。この超音波振動板は外槽10の底面を部分的に占めるような大きさの矩形形状のものとなっており、図示しない駆動機構により振動させられるようになっている。超音波振動板が振動すると、外槽10の底部を介し、外槽10内に貯留された純水に超音波が伝播するとともに、内槽20の底部を介して内槽20内の処理液にも超音波が伝播するようになっている。
ウエハWを保持する保持機構40は、図1および図2に示すように、内槽20の奥行き方向に沿って略水平に延びる4本の棒状部材41と、4本の棒状部材41を片側から片持支持する基部42とを有している。棒状部材41は、一度に処理される複数のウエハW、例えば50枚のウエハWを下方から支持するようになっている。このため、各棒状部材41には、その長手方向に沿って一定間隔を空けて配列された溝(図示せず)が形成されている。ウエハWは、この溝に係合し、各ウエハWの板面が棒状部材の延びる方向と略直交するようにして、すなわち、各ウエハWの板面が上下方向に沿うようにして、保持機構40によって保持されるようになる。
保持機構40の基部42は、図示しない昇降機構に連結されている。この昇降機構によってウエハWを保持した保持機構40を降下させることにより、内槽20に貯留された処理液中にウエハWを浸漬することが可能となる。
外槽10内に純水を供給するための純水供給部30は、外槽10内に純水を吐出する左右一対の吐出部材31と、純水を貯留するための純水貯留槽35と、各吐出部材31と純水貯留槽35とを接続し、純水貯留槽35から各吐出部材31に純水を送る純水供給管32とを備えている。純水供給管32には、純水貯留槽35から純水を引き抜いて各吐出部材31に搬送するためのポンプ33が介設されている。
純水供給部30の左右一対の吐出部材31は、各々細長状の筒状部材から構成されており、各吐出部材31は内槽20の奥行き方向(図2の左右方向)に沿って略水平に延びるよう外槽10内に設置されている。各吐出部材31は、内槽20の幅方向(図1の左右方向)における中心線に対して対称となるような位置に配置されている。また、各吐出部材31は、外槽10の内部において、超音波発生器15が外槽10内の純水に超音波を照射する範囲、すなわち超音波発生器15の真上の領域よりも外側の位置に設置されている(図1参照)。各吐出部材31をなす筒状部材の一方の端部は閉鎖され、他方の端部は純水供給管32と連結されている。
図1および図2に示すように、各吐出部材31には、その長手方向に沿って一定の間隔を空けて配置された多数の吐出口31aが設けられている。図1に示すように、各吐出口31aは、外槽10の底部中央に向かって純水を吐出するような位置に設けられている。このことにより、左右の異なる吐出部材31から吐出された純水は外槽10内において内槽20の幅方向における中心線に対して対称的な流れを形成する。したがって、一方の吐出部材31、具体的には図1における左方の吐出部材31から吐出された純水と、他方の吐出部材31、具体的には図1における右方の吐出部材31から吐出された純水とが、外槽10の中央底部において互いに衝突し、各吐出部材31からの吐出方向に沿った流れが打ち消される。その後、純水は、内槽20の幅方向における中心線に対して対称となるような対流を形成するように、具体的には図1の矢印に示すような方向に流れる。
次に、このような構成からなる基板処理装置の動作について説明する。
まず、内槽20内に薬液あるいは純水等の処理液を貯留する。また、純水供給部30のポンプ33を駆動させることにより純水貯留槽35から外槽10内に純水を供給する。具体的には、純水貯留槽35から搬送される純水は純水供給管32を介して左右一対の吐出部材31に送られ、各吐出部材31にある多数の吐出口31aから外槽10内に純水が吐出される。ここで、図1における左方の吐出部材31から吐出された純水と、右方の吐出部材31から吐出された純水とが、外槽10の中央底部において互いに衝突し、各吐出部材31からの吐出方向に沿った流れが打ち消される。その後、純水の流れは、内槽20の幅方向における中心線に対して対称となるような、外槽10の中央部で上昇し側縁部で下降する対流となる(図1参照)。なお、外槽10からオーバーフローした純水はオーバーフロー槽11で受け止められ、オーバーフロー管12を介して純水貯留槽35に戻される。
次に、内槽20内にウエハWを収容する。具体的には、昇降機構(図示せず)が保持機構40を降下させる。このとき、保持機構40は、所定枚(例えば50枚)のウエハWを保持している。この結果、複数枚のウエハWが、内槽20内に収容されるようになるとともに、内槽20内に貯留された処理水中に浸漬されるようになる。
ウエハWが内槽20内の処理液中に浸漬される間、超音波発生器15により外槽10内の純水に超音波が照射される。超音波発生器15からの超音波の伝播方向は鉛直方向上方(図1および図2における上向き)となっている。超音波発生器15により照射された超音波は内槽20の底部を介して内槽20内の処理液にも伝播する。このため、内槽20内の処理液に浸漬しているウエハWに対する処理効率を向上させることができるようになる。
ここで、外槽10内の純水に超音波が照射されると、超音波振動によるキャビテーションによってこの純水中に気泡が多数発生する。これらの気泡は純水中を上昇して内槽20の底面に付着する。内槽20の底面に付着した気泡は、次々と上昇してくる気泡と合体して徐々に大きくなっていくが、このような気泡は超音波の伝播の妨げとなる。
本実施の形態の基板処理装置においては、内槽20の底面は、幅方向に沿った縦断面(図1に示すような断面)がV字形状となっている。このように、内槽20の底面は図1において中央部から左右両側に向かって傾斜しているので、内槽20の底面に付着した気泡は浮力により図1の中央部から左右両側に移動し、最終的には内槽20の底面から離脱する。この際に、内槽20の底面は、幅方向および奥行き方向の両方向において当該内槽20の中心線に対して対称形となっているので、内槽20の底面からの気泡の離脱も左右対称におよび前後対称に行われるようになる。
また、図1に示すように、外槽10内における純水の流れは、当該外槽10の中央部で上昇し側縁部で下降するような対流となっている。このため、この純水の流れは内槽20の底面近傍において中央部から端部への流れとなり、この純水の流れにより内槽20の底面からの気泡の離脱が促進されることとなる。ここで、前述のように、外槽10内における純水の流れは、幅方向および奥行き方向の両方向において内槽20の中心線に対して対称となっているので、外槽10内の純水の流れによる内槽20の底面からの気泡の離脱の促進力も内槽20の底面において左右対称および前後対称となる。このため、純水の流れによる気泡の離脱の促進も対称的に行われるようになる。
このようにして、ウエハWが内槽20内の処理液中に浸漬されるとともに、当該処理液に超音波が伝播されることにより、ウエハWに対するエッチング処理や洗浄処理等の様々な処理が行われる。その後、昇降機構(図示せず)が保持機構40を上昇させることにより、ウエハWが内槽20から取り出される。このようにして、ウエハWに対する一連の処理が終了する。
以上のように本実施の形態の基板処理装置によれば、超音波発生器15により照射された超音波により外槽10内の純水中に多数の気泡が発生しこれらの気泡が内槽20の底面に付着した場合であっても、内槽20の底面が幅方向および奥行き方向の両方向において当該内槽20の中心線に対して対称形となっているので、この底面からの気泡の離脱も左右対称におよび前後対称に行われるようになり、この気泡の離脱は均一に行われるようになる。さらに、純水供給部30の各吐出部材31は、外槽10内における純水の流れが幅方向および奥行き方向の両方向において内槽20の中心線に対して対称となるよう、外槽10内に純水を供給するようになっている。このため、外槽10内の純水の流れによる内槽20の底面からの気泡の離脱の促進力も、内槽20の底面において左右対称および前後対称となり、純水の流れによる気泡の離脱の促進も均一に行われるようになる。このように、内槽20の底面の幅方向および奥行き方向において当該底面からの気泡の離脱が中心線に対して対称的に行われるので、内槽20内で処理される複数のウエハWについて、当該内槽20の幅方向および奥行き方向における処理の対称性を得ることができる。このため、ウエハWの板面の左右における処理の度合いが異なったり、あるいは一度に処理される複数のウエハWについて各ウエハW間における処理の度合いが異なったりするようなトラブルの発生を抑止することができる。
とりわけ、内槽20の底面は、当該内槽20に収容されたウエハWの板面に沿った縦断面がV字形状となっているので、この内槽20の底面は図1に示すようにウエハWの板面に沿った断面において中央部から左右両側に向かって斜め上方に傾斜することとなる。このため、内槽20の底面に付着した気泡は浮力により当該底面の中央部から左右両側に移動し、最終的には内槽20の底面から離脱する。このように、内槽20の底面をV字形状とすることにより、内槽20の底面からの気泡の離脱を促進させることができる。さらに、内槽20の底面は、幅方向において当該内槽20の中心線に対して対称形となっているので、内槽20の底面からの気泡の離脱もウエハWに対して左右対称に行われるようになる。このことにより、ウエハWに対する処理について左右の対称性を得ることができるようになる。
また、左右一対の吐出部材31は、外槽10内部において、超音波発生器15が当該外槽10内の純水に超音波を照射する範囲の外側の位置に設置されている。このため、超音波発生器15により外槽10内の純水に照射され内槽20の底面を介して処理液中に送られる超音波の伝播が、各吐出部材31により妨げられることを防止することができ、内槽20内の処理液に対して超音波を均一に伝播することができるようになる。
なお、本実施の形態による基板処理装置は、上記の態様に限定されるものではなく、様々の変更を加えることができる。例えば、内槽20の底面は、当該内槽20に収容された処理されるべきウエハWの板面に沿った縦断面がV字形状に限定されることはなく、このウエハWの板面に沿った断面において左右対称でありしかも中央部が両端部よりも低い位置にあるような他の形状となっていてもよい。この場合でも、内槽20の底面に付着した気泡は浮力により当該底面の中央部から左右両側に移動し、最終的には内槽20の底面から離脱する。そして、内槽20の底面が、幅方向において当該内槽20の中心線に対して対称形となっているので、内槽20の底面からの気泡の離脱もウエハWに対して左右対称に行われるようになる。このことにより、ウエハWに対する処理について左右の対称性を得ることができるようになる。
あるいは、内槽20の底面の更に他の態様としては、略水平面からなるものが用いられてもよい。この場合でも、純水供給部30の各吐出部材31から吐出された純水の流れが内槽20の底面近傍において中央部から端部への流れとなっているので、この純水の流れにより内槽20の底面からの気泡の離脱が行われることとなる。ここで、外槽10内における純水の流れは、幅方向および奥行き方向の両方向において内槽20の中心線に対して対称となっているので、外槽10内の純水の流れによる内槽20の底面からの気泡の離脱の促進力も内槽20の底面において左右対称および前後対称となる。このため、純水の流れによる気泡の離脱の促進も対称的に行われるようになる。
また、純水供給部30の各吐出部材31としては、図1および図2に示すような一対の筒状部材からなるものに限定されることはなく、外槽10内における純水の流れが幅方向および奥行き方向の両方において内槽20の中心線に対して対称となるよう外槽10内に純水を供給することができるものであれば他の機構を用いることができる。
また、外槽10に貯留された純水に超音波を照射する超音波発生器15としては、超音波振動板からなるものに限定されることはなく、他の種類のものを用いることもできる。
本発明の一の実施の形態における基板処理装置を正面から見たときの概略構成図である。 図1における基板処理装置のA−A矢視縦断面図である。 従来の基板処理装置を正面から見たときの概略構成図である。 図3における基板処理装置のB−B矢視縦断面図である。
符号の説明
10 外槽
11 オーバーフロー槽
12 オーバーフロー管
15 超音波発生器
20 内槽
30 純水供給部
31 吐出部材
31a 吐出口
32 純水供給管
33 ポンプ
35 純水貯留槽
40 保持機構
41 棒状部材
42 基部
60 外槽
61 オーバーフロー槽
62 オーバーフロー管
65 超音波発生器
70 内槽
80 純水供給部
81 吐出部材
82 純水供給管
83 ポンプ
85 純水貯留槽

Claims (6)

  1. 液体を貯留する外槽と、
    前記外槽に設けられ、当該外槽に貯留された液体に超音波を照射する超音波発生器と、
    前記外槽の内部に設けられ超音波を透過させる部材を有する内槽であって、処理液を貯留しこの処理液中に被処理基板を浸漬させるような内槽と、
    前記外槽に液体を供給する液体供給部と、
    を備え、
    前記内槽の底面は、幅方向および奥行き方向の両方向において当該内槽の中心線に対して対称形となっており、
    前記液体供給部は、前記外槽内における液体の流れが幅方向および奥行き方向の両方向において前記内槽の中心線に対して対称となるよう、前記外槽内に液体を供給するようになっていることを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記内槽の底面は、当該内槽に収容された処理されるべき被処理基板の板面に沿った縦断面において中央部が両端部よりも低い位置にあることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
  3. 前記内槽の底面は、当該内槽に収容された処理されるべき被処理基板の板面に沿った縦断面がV字形状となっていることを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。
  4. 前記液体供給部は、前記外槽内部において、前記超音波発生器が当該外槽内の液体に超音波を照射する範囲の外側の位置に設置されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  5. 前記液体供給部は、幅方向または奥行き方向において前記内槽の中心線に対して対称となるような位置に複数設けられており、各液体供給部からの液体の吐出方向が、幅方向または奥行き方向において前記内槽の中心線に対して対称となっていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  6. 前記液体供給部は、幅方向または奥行き方向において前記内槽の中心線に対して対称となるような位置に設けられた一対の筒状部材からなり、各筒状部材には吐出口が設けられており、各筒状部材における当該吐出口の位置は、各筒状部材の吐出口から吐出された液体の吐出方向が幅方向または奥行き方向において前記内槽の中心線に対して対称となるような箇所となっていることを特徴とする請求項5記載の基板処理装置。
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