TWI389188B - Substrate processing device - Google Patents

Description

基板處理裝置

本發明是有關使半導體晶圓等的被處理基板浸漬於內槽內的處理液中，藉此來進行該被處理基板的處理之基板處理裝置，特別是有關可取得內槽的寬度方向及深度方向的處理的對稱性之基板處理裝置。

以往有所謂間接照射型超音波洗淨槽，其係具備：儲存純水的外槽、及設於該外槽的內部，儲存純水或藥液等的處理液，使作為被處理基板的半導體晶圓(以下稱為晶圓)浸漬於該處理液中的內槽，且對儲存於外槽的純水照射超音波的超音波發生器會被設於該外槽的底部(例如參照日本實開平7－31182號公報，特開2001－332523號公報等)。在如此的間接照射型超音波洗淨槽中，內槽的底部是由使石英等的超音波透過的材料所形成，被照射於外槽內的純水之超音波會透過內槽的底部來傳播至內槽內的處理液，可藉由傳播於該內槽內的處理液之超音波的振動來使對晶圓之蝕刻處理或洗淨處理等的處理性能提升。

在此，利用圖3及圖4來說明有關構成上述間接照射型超音波洗淨槽的以往基板處理裝置的一例。圖3是由正面來看以往的基板處理裝置時的概略構成圖，圖4是圖3的基板處理裝置的B－B縱剖面圖。

以往的基板處理裝置，如圖3及圖4所示，具備：儲 存純水的外槽60、及設於該外槽60內部的內槽70、及保持晶圓W的保持機構(未圖示)。在外槽60中設有對儲存於該外槽60的純水照射超音波的超音波發生器65。更設置有用以對外槽60內供給純水的純水供給部80。

外槽60是如圖3及圖4所示為大略長方體形狀，由氯乙烯或金屬所構成。在該外槽60的上部安裝有溢出(overflow)槽61，從外槽60溢出的純水可送至溢出槽61。此溢出槽61是經由溢出管62來連接至後述的純水儲存槽85，從外槽60溢出至溢出槽61的純水可回到後述的純水儲存槽85。

內槽70是如圖3及圖4所示設置於外槽60的內部。此內槽70可儲存純水或藥液等的處理液，使晶圓W浸漬於該處理液中，藉此進行該晶圓W的蝕刻處理或洗淨處理等各種的處理。內槽70是由石英等使超音波透過的材料所形成。有關內槽70的底面形狀會在往後敘述。

超音波發生器65是由安裝於外槽60的底面外方的超音波振動板所構成。此超音波振動板是形成部份佔據外槽60的底面之大小的矩形形狀，可藉由未圖示的驅動機構來使振動。一旦超音波振動板振動，則可經由外槽60的底部，對儲存於外槽60內的純水傳播超音波，且經由內槽70的底部來對內槽70內的處理液也傳播超音波。

在內槽70的內部，複數片的晶圓W會藉由未圖示的保持機構來保持。此保持機構可從內槽70自由地取出，可藉由該保持機構來彙整進行對儲存於內槽70的處理液 之複數個晶圓W的浸漬及來自該處理液之晶圓W的取出。

用以對外槽60內供給純水的純水供給部80是具備：對外槽60內吐出純水的吐出構件81、及用以儲存純水的純水儲存槽85、及連接吐出構件81與純水儲存槽85，用以從純水儲存槽85送純水至吐出構件81的純水供給管82。在純水供給管82介設有用以從純水儲存槽85引出純水而搬送至吐出構件81的泵83。在此，如圖4所示，吐出構件81是安裝於外槽60的深度方向(前後方向)的後部，可從外槽60的裡側(圖4的右方)往前側(圖4的左方)吐出純水。

以圖4的箭號來表示藉由該吐出構件81所吐出的純水的流向。

在此，一旦超音波被照射至外槽60內的純水，則會因超音波振動所產生的氣穴現象(Cavitation)在該純水中發生多數的氣泡。該等的氣泡會上昇於純水中而附著於內槽70的底面。附著於內槽70的底面之氣泡會與緊接著上昇而來的氣泡合體，慢慢地變大，如此的氣泡會妨礙超音波的傳播。

因此，如圖4所示使內槽70的底面從裡側(圖4的右方)往前側(圖4的左方)傾斜至上方。藉此，附著於內槽70的底面之氣泡會藉由浮力從內槽70的底面的裡側移動至前側，最後從內槽70的底面脫離。又，由於外槽60內的純水的流動會從內槽70的裡側流至前側，因此可 藉由該純水的流動來促進內槽70的底面之氣泡的移動。如此一來，可使附著於內槽70的底面之氣泡從該底面脫離。

然而，在圖3及圖4所示的以往基板處理裝置中會有以下的問題。亦即，因為使內槽70的底面從裡側往前側斜斜地傾斜至上方，所以在內槽70的內部無法形成該內槽70的深度方向(圖4的左右方向)之均一的處理液的流動，且各晶圓W與內槽70的底面之間的距離會依該內槽70的深度方向的位置而有所不同，因此有時會依深度方向的位置而發生對晶圓W的處理不均。

若根據揭示於日本特開2001－332523號公報的基板處理裝置，則雖可形成內槽的深度方向之該內槽內部的均一處理液的流動，但外槽內之純水的流動在沿著晶圓的板面之縱剖面不形成左右對稱。因此，對附著於內槽的底面之氣泡而言藉由外槽內的純水流動所作用的力量不會形成左右對稱，來自該底面的氣泡脫離也在沿著晶圓的板面之縱剖面不形成左右對稱，所以有時晶圓的板面左右之處理的情況會產生不均。具體而言，在揭示於日本特開2001－332523號公報的基板處理裝置中，對於該引用文獻2的圖2的內槽底面附著於左側部份的氣泡而言，雖可藉由外槽內的純水流動來使充分的脫離力作用，但對附著於圖2的 右側部份的氣泡而言，藉由純水的流動之脫離力幾乎不作用。

本發明是考量如此的點而研發者，其目的是在於提供一種基板處理裝置，其係於內槽底面的寬度方向及深度方向使來自該底面的氣泡脫離對中心線而言對稱性地進行，藉此有關在內槽內所被處理的被處理基板，可取得該內槽的寬度方向及深度方向之處理的對稱性。

本發明的基板處理裝置，其特徵係具備：外槽，其係儲存液體；超音波發生器，其係設於上述外槽，對儲存於該外槽的液體照射超音波；內槽，其係設於上述外槽的內部，具有使超音波透過的構件，儲存處理液，使被處理基板浸漬於該處理液中；及液體供給部，其係對上述外槽供給液體，又，上述內槽的底面，係於寬度方向及深度方向的兩方向對該內槽的中心線成對稱形，上述液體供給部，係以上述外槽內之液體的流動能夠在寬度方向及深度方向的兩方向對上述內槽的中心線成對稱之方式，對上述外槽內供給液體。

若根據如此的基板處理裝置，則即使因藉由超音波發生器所照射的超音波在外槽內的純水中發生多數的氣泡， 該等的氣泡附著於內槽的底面時，還是會因為內槽的底面在寬度方向及深度方向的兩方向對該內槽的中心線成對稱形，所以來自該底面的氣泡脫離也會左右對稱及前後對稱地進行，該氣泡的脫離可均一地進行。又，液體供給部是以外槽內的純水的流動能夠在寬度方向及深度方向的兩方向對內槽的中心線成對稱之方式，供給純水至外槽內。因此，利用外槽內的純水流動之來自內槽的底面的氣泡脫離的促進力也會在內槽的底面成左右對稱及前後對稱，利用純水的流動之氣泡脫離的促進亦可均一地進行。如此，在內槽的底面的寬度方向及深度方向來自該底面的氣泡脫離可對中心線對稱性地進行，所以有關在內槽內被處理的被處理基板，可取得該內槽的寬度方向及深度方向之處理的對稱性。因此，可抑止被處理基板的板面左右之處理的情況不同，或有關一度被處理的被處理基板，各被處理基板間的處理情況有所差異等之類的問題發生。

在本發明的基板處理裝置中，最好上述內槽的底面，係於沿著被收容於該內槽之應被處理的被處理基板的板面之縱剖面中，中央部為位於比兩端部更低的位置。

此情況，附著於內槽的底面之氣泡會藉由浮力來從該底面的中央部移動至左右兩側，最後從內槽的底面脫離，因此可使來自內槽的底面之氣泡的脫離促進。又，由於內槽的底面是在寬度方向對該內槽的中心線成對稱形，因此來自內槽的底面之氣泡的脫離亦可對被處理基板左右對稱地進行。藉此，有關對被處理基板的處理，可取得左右的 對稱性。

在本發明的基板處理裝置中，最好上述內槽的底面，係沿著被收容於該內槽之應被處理的被處理基板的板面之縱剖面為形成V字形狀。

此情況，內槽的底面是形成在沿著被處理基板的板面之剖面中，從中央部往左右兩側斜斜地傾斜至上方，可使更為促進來自內槽的底面之氣泡的脫離。

在本發明的基板處理裝置中，最好上述液體供給部，係於上述外槽內部中，上述超音波發生器為設置於對該外槽內的液體照射超音波的範圍的外側的位置。

藉此，可防止藉由超音波發生器來照射於外槽內的純水後經由內槽的底面來送至處理液中之超音波的傳播會被液體供給部所妨礙，進而能夠對內槽內的處理液均一地傳播超音波。

在本發明的基板處理裝置中，最好上述液體供給部，係於寬度方向或深度方向對上述內槽的中心線成對稱之位置設置複數個，來自各液體供給部之液體的吐出方向係於寬度方向或深度方向對上述內槽的中心線成對稱。又，最好上述液體供給部，係由在寬度方向或深度方向對上述內槽的中心線成對稱之位置所設置的一對筒狀構件所構成，在各筒狀構件設有吐出口，各筒狀構件之該吐出口的位置，係形成由各筒狀構件的吐出口所吐出之液體的吐出方向在寬度方向或深度方向對上述內槽的中心線成對稱之處。

以下，參照圖面來說明有關本發明之一實施形態。圖1及圖2是表示本發明的基板處理裝置之一實施形態。

其中，圖1是由正面來看本發明之一實施形態的基板處理裝置的概略構成圖，圖2是圖1的基板處理裝置的A－A縱剖面圖。

本實施形態的基板處理裝置是使被處理基板、具體而言例如半導體晶圓(以下稱為晶圓W)浸漬於處理液中，藉此來進行該晶圓W的蝕刻處理或洗淨處理等的各種處理者。如圖1及圖2所示，本實施形態的基板處理裝置是具備：儲存液體、具體而言例如純水的外槽10、及設於該外槽10的內部之內槽20、及保持晶圓W的保持機構(亦稱為晶圓載舟)40。在外槽10設有對儲存於該外槽10的純水照射超音波的超音波發生器15。更在外槽10設置有用以供給純水的純水供給部30。

以下，詳述有關如此基板處理裝置的各構成要素。另外，在以下的記載中，所謂基板處理裝置的內槽20的寬度方向是指圖1的左右方向，所謂內槽20的深度方向是指圖2的左右方向。

外槽10是如圖1及圖2所示般為大略長方體形狀，由氯乙烯或金屬所構成。在此外槽10的上部安裝有溢出槽11，從外槽10溢出的純水可送至溢出槽11。此溢出槽11是經由溢出管12來連接至後述的純水儲存槽35，從外槽10溢出至溢出槽11的純水可回到純水儲存槽35。

內槽20是如圖1及圖2所示設於外槽10的內部。此內槽20可儲存純水或藥液等的處理液，可藉由使晶圓W浸漬於該處理液中來進行該晶圓W的蝕刻處理或洗淨處理等各種的處理。內槽20是由使超音波透過的材料、具體而言例如富有耐藥品性的石英等所形成。並且，內槽20的底部厚度是以能夠使來自後述超音波發生器15的超音波透過之方式，考量形成內槽20的材料種類及藉由超音波發生器15所發生的超音波的頻率等來作決定，

此內槽20的底面是沿著該內槽20的寬度方向之縱剖面(如圖1所示那樣的剖面)為形成V字形狀，另一方面，沿著內槽20的深度方向之縱剖面(如圖2所示那樣的剖面)是形成延伸於水平方向那樣的直線形狀。如此，內槽20的底面是在寬度方向及深度方向的兩方向對該內槽20的中心線形成對稱形。

超音波發生器15是由安裝於外槽10的底面外方之超音波振動板所構成。此超音波振動板是形成部份佔據外槽10的底面之大小的矩形形狀，可藉由未圖示的驅動機構來使振動。一旦超音波振動板振動，則可經由外槽10的底部，對儲存於外槽10內的純水傳播超音波，且經由內槽20的底部來對內槽20內的處理液也傳播超音波。

保持晶圓W的保持機構40，如圖1及圖2所示，具有：沿著內槽20的深度方向來大略水平延伸的4根棒狀構件41、及從一側來支持4根棒狀構件41的基部42。棒狀構件41可由下方來支持一度被處理的複數個晶圓W、 例如50片的晶圓W。因此，在各棒狀構件41形成有沿著其長度方向取一定間隔來配列的溝(未圖示)。晶圓W可卡合於該溝，使各晶圓W的板面與棒狀構件的延伸方向大略正交，亦即使各晶圓W的板面治著上下方向，而藉由保持機構40來予以保持。

保持機構40的基部42是被連結至未圖示的昇降機構。藉由該昇降機構來使保持晶圓W的保持機構40降下，藉此可在儲存於內槽20的處理液中浸漬晶圓W。

用以供給純水至外槽10內的純水供給部30是具備：對外槽10內吐出純水的左右一對的吐出構件31、及用以儲存純水的純水儲存槽35、及連接各吐出構件31與純水儲存槽35，從純水儲存槽35來將純水送至各吐出構件31的純水供給管32。在純水供給管32中介設有用以從純水儲存槽35來引出純水而搬送至各吐出構件31的泵33。

純水供給部30的左右一對的吐出構件31是分別由細長狀的筒狀構件所構成，各吐出構件31是以能夠沿著內槽20的深度方向(圖2的左右方向)來大略水平延伸的方式設置於外槽10內。各吐出構件31是被配置於對內槽20的寬度方向(圖1的左右方向)的中心線形成對稱的位置。並且，各吐出構件31是在外槽10的內部，設置於超音波發生器15對外槽10內的純水照射超音波的範圍、亦即比超音波發生器15的正上領域更靠外側的位置(參照圖1)。成為各吐出構件31的筒狀構件的一方端部是被閉鎖，另一方的端部是與純水供給管32連結。

如圖1及圖2所示，在各吐出構件31設有治著其長度方向取一定的間隔所配置的多數個吐出口31a。如圖1所示，各吐出口31a是設置於往外槽10的底部中央吐出純水的位置。藉此，從左右相異的吐出構件31吐出的純水是在外槽10內對內槽20的寬度方向的中心線形成對稱的流。因此，從一方的吐出構件31，具體而言是圖1左方的吐出構件31所吐出的純水、與從另一方的吐出構件31，具體而言是圖1右方的吐出構件31所吐出的純水會在外槽10的中央底部互相衝突，沿著來自各吐出構件31的吐出方向的流動會被打消。然後，純水是以能夠形成對內槽20的寬度方向的中心線成對稱那樣的對流之方式，具體而言流動於圖1的箭號所示的方向。

其次，說明有關如此構成的基板處理裝置的動作。

首先，在內槽20內儲存藥液或純水等的處理液。並且，藉由使純水供給部30的泵33驅動來從純水儲存槽35供給純水至外槽10內。具體而言，從純水儲存槽35搬送的純水是經由純水供給管32來送至左右一對的吐出構件31，從位於各吐出構件31的多數個吐出口31a來對外槽10內吐出純水。在此，從圖1左方的吐出構件31吐出的純水與從右方的吐出構件31吐出的純水會在外槽10的中央底部互相衝突，沿著來自各吐出構件31的吐出方向的流動會被打消。然後，純水的流動是形成對內槽20的寬度方向的中心線成對稱那樣，在外槽10的中央部上昇在側緣部下降的對流(參照圖1)。另外，從外槽10溢出的 純水會止於溢出槽11，經由溢出管12來回到純水儲存槽35。

其次，在內槽20內收容晶圓W。具體而言，昇降機構(未圖示)會使保持機構40降下。此時，保持機構40是在於保持所定片(例如50片)的晶圓W。其結果，複數片的晶圓W可被收容於內槽20內，且被浸漬於內槽20內所儲存的處理水中。

在晶圓W被浸漬於內槽20內的處理液中的期間，藉由超音波發生器15來對外槽10內的純水照射超音波。來自超音波發生器15之超音波的傳播方向是形成鉛直方向上方(在圖1及圖2向上)。藉由超音波發生器15所照射的超音波亦經由內槽20的底部來傳播至內槽20內的處理液。因此，可使對浸漬於內槽20內的處理液之晶圓W的處理效率提升。

在此，一旦超音波被照射於外槽10內的純水，則會藉由超音波振動所產生的氣穴現象在該純水中發生多數氣泡。該等的氣泡會上昇於純水中而附著於內槽20的底面。附著於內槽20的底面之氣泡會與緊接著上昇而來的氣泡合體慢慢地變大，但如此的氣泡會妨礙超音波的傳播。

在本實施形態的基板處理裝置中，內槽20的底面是沿著寬度方向的縱剖面(如圖1所示那樣的剖面)會形成V字形狀。如此，內槽20的底面在圖1中是從中央部往左右兩側傾斜，因此附著於內槽20的底面之氣泡會藉由浮力從圖1的中央部移動至左右兩側，最後從內槽20的 底面脫離。此時，內槽20的底面是在寬度方向及深度方向的兩方向對該內槽20的中心線成對稱形，因此來自內槽20的底面之氣泡的脫離也會左右對稱及前後對稱進行。

又，如圖1所示，外槽10內的純水的流動是形成在該外槽10的中央部上昇在側緣部下降的對流。因此，此純水的流動是在內槽20的底面附近從中央部往端部流動，藉由此純水的流動，來自內槽20的底面之氣泡的脫離會被促進。在此，如前述，外槽10內的純水的流動是在寬度方向及深度方向的兩方向對內槽20的中心線形成對稱，因此利用外槽10內的純水流動之來自內槽20的底面的氣泡脫離的促進力也會在內槽20的底面形成左右對稱及前後對稱。因此，利用純水的流動之氣泡脫離的促進也會對稱地進行。

如此，晶圓W會被浸漬於內槽20內的處理液中，且超音波會被傳播於該處理液，藉此進行對晶圓W的蝕刻處理或洗淨處理等各種的處理。然後，昇降機構(未圖示)會使保持機構40上昇，藉此從內槽20取出晶圓W。如此一來，完成對晶圓W的一連串的處理。

如以上，若根據本實施形態的基板處理裝置，則即使因藉由超音波發生器15所照射的超音波在外槽10內的純水中發生多數的氣泡，該等的氣泡附著於內槽20的底面，還是會因為內槽20的底面在寬度方向及深度方向的兩方向對該內槽20的中心線成對稱形，所以來自該底面的 氣泡脫離也會左右對稱及前後對稱地進行，該氣泡的脫離可均一地進行。又，純水供給部30的各吐出構件31是以外槽10內的純水的流動能夠在寬度方向及深度方向的兩方向對內槽20的中心線成對稱之方式，供給純水至外槽10內。因此，利用外槽10內的純水流動之來自內槽20的底面的氣泡脫離的促進力也會在內槽20的底面成左右對稱及前後對稱，利用純水的流動之氣泡脫離的促進亦可均一地進行。如此，在內槽20的底面的寬度方向及深度方向來自該底面的氣泡脫離可對中心線對稱性地進行，所以有關在內槽20內被處理的複數個晶圓W，可取得該內槽20的寬度方向及深度方向之處理的對稱性。因此，可抑止晶圓W的板面左右之處理的情況不同，或有關一度被處理的複數個晶圓W，各晶圓W間的處理情況有所差異等之類的問題發生。

特別是內槽20的底面是治著收容於該內槽20的晶圓W的板面之縱剖面形成V字形狀，因此該內槽20的底面是如圖1所示在沿著晶圓W的板面之剖面形成從中央部往左右兩側斜斜地傾斜至上方。因此，附著於內槽20的底面之氣泡會藉由浮力從該底面的中央部移動至左右兩側，最後從內槽20的底面脫離。藉由如此將內槽20的底面成為V字形狀，可使來自內槽20的底面之氣泡的脫離促進。又，由於內槽20的底面是在寬度方向對該內槽20的中心線成對稱形，因此來自內槽20的底面之氣泡的脫離亦可對晶圓W左右對稱地進行。藉此，有關對晶圓W的 處理可取得左右的對稱性。

並且，左右一對的吐出構件31是在外槽10內部，設置於超音波發生器15對該外槽10內的純水照射超音波的範圍的外側的位置。因此，可防止藉由超音波發生器15來照射於外槽10內的純水後經由內槽20的底面來送至處理液中之超音波的傳播會被各吐出構件31所妨礙，進而能夠對內槽20內的處理液均一地傳播超音波。

另外，本實施形態的基板處理裝置並非限於上述形態，亦可加上各種的變更。例如，內槽20的底面並非限於治著被收容於該內槽20之應被處理的晶圓W的板面之縱剖面為V字形狀，亦可形成沿著該晶圓W的板面之剖面為左右對稱且中央部為位於比兩端部更低的位置之其他的形狀。此情況，附著於內槽20的底面之氣泡是藉由浮力來從該底面的中央部移動至左右兩側，最後從內槽20的底面脫離。又，由於內槽20的底面會形成在寬度方向對該內槽20的中心線成對稱形，因此來自內槽20的底面之氣泡的脫離亦可對晶圓W左右對稱地進行。藉此，有關對晶圓W的處理可取得左右的對稱性。

或，就內槽20的底面的另外其他的形態而言，亦可使用大略水平面者。此情況，從純水供給部30的各吐出構件31吐出之純水的流動會在內槽20的底面附近從中央部流至端部，因此可藉由該純水的流動來進行來自內槽20的底面之氣泡的脫離。在此，外槽10內之純水的流動是在寬度方向及深度方向的兩方向對內槽20的中心線成對 稱，因此利用外槽10內的純水流動之來自內槽20的底面的氣泡脫離的促進力也會在內槽20的底面成左右對稱及前後對稱。因此，利用純水的流動之氣泡脫離的促進也會對稱性地被進行。

此外，純水供給部30的各吐出構件31，並非限於圖1及圖2所示那樣由一對的筒狀構件所構成者，亦可使用其他的機構，只要是以外槽10內的純水的流動可在寬度方向及深度方向的雙方對內槽20的中心線成對稱之方式供給純水至外槽10內即可。

另外，對儲存於外槽10的純水照射超音波的超音波發生器15，並非限於由超音波振動板所構成者，亦可使用其他的種類。

10‧‧‧外槽

11‧‧‧溢出槽

12‧‧‧溢出管

15‧‧‧超音波發生器

20‧‧‧內槽

30‧‧‧純水供給部

31‧‧‧吐出構件

31a‧‧‧吐出口

32‧‧‧純水供給管

33‧‧‧泵

35‧‧‧純水儲存槽

40‧‧‧保持機構

41‧‧‧棒狀構件

42‧‧‧基部

60‧‧‧外槽

61‧‧‧溢出槽

62‧‧‧溢出管

65‧‧‧超音波發生器

70‧‧‧內槽

80‧‧‧純水供給部

81‧‧‧吐出構件

82‧‧‧純水供給管

83‧‧‧泵

85‧‧‧純水儲存槽

圖1是由正面來看本發明之一實施形態的基板處理裝置的概略構成圖。

圖2是圖1的基板處理裝置的A－A縱剖面圖。

圖3是由正面來看以往的基板處理裝置時的概略構成圖。

圖4是圖3的基板處理裝置的B－B縱剖面圖。

10‧‧‧外槽

11‧‧‧溢出槽

12‧‧‧溢出管

15‧‧‧超音波發生器

20‧‧‧內槽

30‧‧‧純水供給部

31‧‧‧吐出構件

31a‧‧‧吐出口

32‧‧‧純水供給管

33‧‧‧泵

35‧‧‧純水儲存槽

40‧‧‧保持機構

41‧‧‧棒狀構件

42‧‧‧基部

W‧‧‧保持晶圓

Claims (6)

1. 一種基板處理裝置，其特徵係具備：外槽，其係儲存液體；超音波發生器，其係設於上述外槽，對儲存於該外槽的液體照射超音波；內槽，其係設於上述外槽的內部，具有使超音波透過的構件，儲存處理液，使被處理基板浸漬於該處理液中；及液體供給部，其係對上述外槽供給液體，又，上述內槽的底面，係於寬度方向及深度方向的兩方向對該內槽的中心線成對稱形，上述液體供給部，係以上述外槽內與上述內槽之間之液體的流動能夠在寬度方向及深度方向的兩方向對上述內槽的中心線成對稱之方式，對上述外槽內供給液體。
2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述內槽的底面，係於沿著被收容於該內槽之應被處理的被處理基板的板面之縱剖面中，中央部為位於比兩端部更低的位置。
3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，上述內槽的底面，係沿著被收容於該內槽之應被處理的被處理基板的板面之縱剖面為形成V字形狀。
4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上 述液體供給部，係於上述外槽內部中，上述超音波發生器為設置於對該外槽內的液體照射超音波的範圍的外側的位置。
5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述液體供給部，係於寬度方向或深度方向對上述內槽的中心線成對稱之位置設置複數個，來自各液體供給部之液體的吐出方向係於寬度方向或深度方向對上述內槽的中心線成對稱。
6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，上述液體供給部，係由在寬度方向或深度方向對上述內槽的中心線成對稱之位置所設置的一對筒狀構件所構成，在各筒狀構件設有吐出口，各筒狀構件之該吐出口的位置，係形成由各筒狀構件的吐出口所吐出之液體的吐出方向在寬度方向或深度方向對上述內槽的中心線成對稱之處。