KR950006976B1 - 접촉창 표면세정방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본발명은 반도체소자 제조공정에서, 표면에 금속을 증착시키기 전에 접촉창의 표면을 세정하는 방법에 관한 것으로, 특히 접촉창 식각공정시 RIE(rEACTIVE ION ETCHING)에 의한 표면손상과, 사용가스인 CHF 레디칼에 의한 고중합반응으로 생성되는 표면오염물질을 제거할 수 있는 접촉창 표면세정 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체소자 제조공정에서, 웨이퍼 표면에 금속의 증착하기 전의 공정인 접촉창 식각공정 및 포토레지스트 제거공정을 이행할때에, 웨이퍼 표면이 유기물질 및 미립자에 의해 오염될 수있다.
종래의 상술한 웨이퍼 표면의 오염을 제거하기 위해서는, 접촉창을 식각한후 표면을 세정하고 금속을 증착하는 공정에서, 표면세정을 피라나 세정으로 한다. 즉, 과산화수소 4000cc정도를 세정용기에 넣고, 다음에 황산 6800cc정도를 섞는다. 세정용기의 용액온도가 120 내지 150℃일때, 웨이퍼를 상기 세정용기에 담그어 10분정도 세정을 한다. 상기 피라나 세정이 완료되면, 웨이퍼를 탈이온화물에 담구어 세정을 한다. 그 다음에, 상기 웨이퍼를 100 : 1의 BOE(Buffered Oxide Etchant)용액을 담구어 세정한다. 그후, 상기 웨이퍼를 탈이온화물에 담구어 세정을 한후, 최종적으로 회전건조장치로서 웨이퍼를 건조시킨다.
그러나, 상술한 종래의 접촉창 표면세정방법에 있어서, 비록, 접촉창 식각 및 포토레지스트 제거시 발생되는 유기물질 및 미립자오염물질은 100 : 1 BOE(Buffered Oxide Etchant)세정으로, 제거할 수 있으나, 100 : 1 BOE(Buffered Oxide Etchant)자체도 상당량의 불순물을 가지고 있으므로, 접촉창식각시 RIE(Reactive ion etching)에 의한 고중합반응으로 생성되는 표면 오염물질을 완전하게 제거할 수 없는 결함이 있었다.
따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여, 접촉창 식각 및 포토레지스트 제거시 발생되는 표면손상 및 표면오염물질을 제거하는 것을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본발명은 웨이퍼를 BOE(Buffered Oxide Etchant)용액에 담그는 제1단계와, 상기 웨이퍼를 탈이온화물로 세정하는 제2단계와, 상기 탈이온화물로 세정된 웨이퍼를 암모니아수로 세정하는 제3단계와, 상기 웨이퍼를 다시 탈이온화물로 세정한후 회전건조장치로 건조시키는 제4단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이하, 본 발명의 접촉창 표면세정방법을 한 실시예로 상세히 설명하기로 한다.
반도체소자 제조공정에서 표면에 금속을 증착시키기 위해서는, 먼저, 금속이 증착될 표면을 식각하여, 접촉창을 형성하고, 그후 잔존하는 포토레지스트층을 제거하여, 접촉창 상부에 금속을 증착시킨다. 다음에 증착된 금속을 열처리함으로서 그 공정이 완료된다. 여기서, 표면에 금속을 증착시키기 전에, 표면을 세정해야 한다.
여기서, 본발명에 따른 표면세정공정을 더욱 상세하게 설명하면, 먼저, 웨이퍼를 100 : 1 BOE(Buffered Oxide Etchant)에 담근후, 상기 웨이퍼를 탈이온화물에 담구어 세정을 하고, 다음에 암모니아수로 세정을 한다. 암모니아수에 의한 세정을 하기 위해서는 용액용기에 탈이온화물을 8000cc정도를 넣고, 용액의 온도가 20 내지 200℃가 되도록 가열한다. 가열된 탈이온화물에 암모니아수 2000cc정도를 넣고, 과산화수소수 2000cc정도를 부어서, 테프런막대를 이용하여 혼합용액을 5 내지 10회정도 휘젓어 혼합용액을 교반되도록 한다.
상기 완성된 세정용액에 웨이퍼를 세정시킨다. 이때, 유의해야 할 것은 세정용액은 30분정도가 지나면 자체의 세정효과가 없어지게 되므로, 30분안에 세정을 실시해야 한다. 그후, 세정된 웨이퍼를 탈이온화물에 담구어 세정을 한후 회전건조장치로써 건조시킴으로 본발명의 암모니아수에 의한 접촉창 표면세정공정이 완료된다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본발명에 따른 접촉창 표면세정방법에 따르면, 웨이퍼를 종래의 피라나세정을 하지 않고, 100 : 1 BOE(Buffered Oxide Exchant)에 담근 후 암모니아수에 담구어 세정함으로써, 100 : 1 BOE(Buffered Oxide Etchant) 담금공정에 의해 접촉창 식각 및 포토레지스트를 제거할 때 발생되는 유기물질 및 미립자 오염을 제거할 수 있으며, 암모니아수 세정은 낮은 실리콘 식각율을 가지고 있으므로 접촉창 식각시 RIE(Reactive ion etching)에 의한 표면손상과 사용가스인 CHF 레디칼에 의한 고중합반응으로 발생되는 표면 오염물질을 제거할 수 있는 효과가 있다.
Claims (3)
- 반도체소자 제조공정에서 웨이퍼 표면에 금속을 증착시키기 위해 접촉창을 식각한후, 그 표면을 세정하기 위한 접촉창 표면세정방법에 있어서, 웨이퍼를 BOE(Buffered Oxide Etchant)용액에 담그는 제1단계와, 상기 웨이퍼를 탈이온화물로 세정하는 제2단계와, 상기 탈이온화물로 세정된 웨이퍼를 암모니아수로 세정하는 제3단계와, 상기 웨이퍼를 다시 탈이온화물로 세정한후 회전건조장치로 건조시키는 제4단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉창 표면세정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 암모니아수로 세정하는 제3단계는, 용액용기에 탈이온화물 800cc정도를 넣는 단계와, 상기 탈이온화물의 온도가 20 내지 200℃가 되도록 가열하는 단계와, 상기 용액기에 암모니아수 2000cc정도를 넣은후, 과산화수소 200cc정도를 부어 혼합용액을 교반시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉창 표면세정방법.
- 제1항에 또는 2항에 있어서, 상기 암모니아수로 세정하는 제3단계의 시간은 30분이내인것을 특징으로 하는 접촉창 표면 세정방법.
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