KR100230484B1 - 폐실리콘 웨이퍼의 재사용 방법 - Google Patents
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Abstract
산화막 및/또는 금속막이 형성된 실리콘 웨이퍼를 불화수소산 용액으로 부식하는 공정과 상기 불화수소산 용액으로 부식한 실리콘 웨이퍼를 세정하는 공정과 상기 세정한 실리콘 웨이퍼를 수산화나트륨 용액 중에서 초음파 세정하는 공정과 상기 수산화나트륨 용액 중에서 초음파 세정한 실리콘 웨이퍼를 세정하는 공정과 상기 세정한 실리콘 웨이퍼를 질산, 불화수소산 및 초산을 포함하는 혼산 용액으로 에칭하는 공정과 상기 혼산 용액으로 에칭한 실리콘 웨이퍼를 세정 및 건조하는 공정과 상기 세정 및 건조한 실리콘 웨이퍼를 태양 전지의 기판으로 재사용하는 공정을 포함하는 폐실리콘 웨이퍼 재사용 방법을 제공하여 반도체 디바이스 제조 공정에서 대량으로 발생하는 폐실리콘 웨이퍼를 경제적인 비용으로 가공하여 재사용함으로써 태양 전지의 제조 비용을 현저히 절감시킬 수 있으며 고가의 실리콘 웨이퍼의 효율적인 사용을 가능하게 한다..
Description
[산업상 이용 분야]
본 발명은 폐실리콘 웨이퍼의 재사용 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 디바이스 제조 공정에서 발생하는 대량의 폐실리콘 웨이퍼 표면의 산화막 및/또는 금속막 등을 효과적으로 제거하여 태양 전지의 기판으로 재사용하는 방법에 관한 것이다.
[종래 기술]
반도체 디바이스 제조 공정에서 사용되는 실리콘 웨이퍼는 모래 등의 실리콘 함유 물질에서 고순도의 다결정 실리콘을 추출하여 이것을 단결정 실리콘 성장, 절단 등의 복잡한 공정을 거쳐 제조하므로 제조 비용이 상당히 비싸며 반도체 제조공정 외의 다양한 산업에도 적용되고 있으므로 그 자체로도 상당히 상품적인 가치가 크다.
그러나 반도체 디바이스 제조를 위한 여러 단계의 공정, 즉 여러 가지 종류의 절연체, 반도체, 도체 물질의 박막을 형성하는 막형성 공정, 막이 형성된 웨이퍼의 박막을 선택적으로 제거하는 패턴 형성 공정, 웨이퍼의 선택된 지역의 저항성 및 전도도의 변화를 위한 도펀트를 주입하는 도핑 공정, 금속 배선 공정, 보호막 형성 공정 등의 웨이퍼 가공 공정을 행한 후 웨이퍼를 개개의 칩으로 나누고 겉을 싸고 패키지로 연결하는 어셈블리 공정으로 이어지는 여러 단계의 공정 중에서 웨이퍼의 파손, 공정의 변이 및 결함으로 대량의 폐실리콘 웨이퍼가 발생한다.
이와 같이 대량으로 발생하는 폐실리콘 웨이퍼를 폐기한다는 것은 자원 및 에너지 절약적인 측면에서 바람직하지 않으며 폐기 비용 또한 만만치 않다. 따라서 종래에는 에칭(etching), 연마, 세정 등의 여러 가공 단계를 행하여 반도체 디바이스 제조 공정에서 형성한 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 셀레늄(Se), 지르코늄(Zr), 몰리브데늄(Mo), 텅스텐(W), 인(P), 질소(N), 산소(O), 탄소(C)등의 성분으로 이루어진 산화막 및/또는 금속막 등을 제거한 다음 반도체 디바이스 제조 공정으로 재투입하는 방법을 사용하고 있으나 에칭, 연마 등의 공정을 행함으로써 반도체 디바이스 제조 공정에서 유용한 500㎛ 이상의 두께를 가진 실리콘 웨이퍼를 재생산하는데는 한계가 있다.
따라서 300㎛ 내외의 두께를 가지더라도 성능이 우수하며, 일반적으로 400㎛ 내외의 웨이퍼를 사용하기 때문에 500㎛ 이상의 두께를 유지할 필요가 없는 태양전지의 기판으로 상기한 재가공 실리콘 웨이퍼를 사용할 수 있지만, 상기한 에칭, 연마, 세정 등을 포함한 여러 단계의 재가공 공정에서 소요되는 비용이 종래의 태양 전지의 제조 비용보다 훨씬 높으므로 실질적인 효용성은 매우 낮다고 볼 수 있다.
종래의 태양 전지의 기판으로 사용되는 실리콘 웨이퍼는 단결정 실리콘 성장시 불량으로 처리되는 실리콘 잉곳(ingot) 부분을 재용융시켜 단결정 실리콘 잉곳으로 성장시키고 절단하여 사용하거나 실리콘 웨이퍼의 두께를 얇게하여 사용함으로써 비용을 절감하였다. 그러나 이러한 방법들의 경우에도 실리콘 웨이퍼의 가격을 낮추는 데에는 한계가 있으며 설비 투자비가 높고 연구 개발에 많은 비용과 인력이 소요되므로 태양 전지의 경제성 확보에 많은 어려움이 있다.
상기와 같은 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 반도체 디바이스 제조 공정에서 발생하는 대량의 폐실리콘 웨이퍼를 경제적인 비용으로 가공하여 태양 전지의 기판으로 재사용함으로써 효과적으로 폐실리콘 웨이퍼를 처리하면서도 태양 전지의 제조 비용을 현저히 절감할 수 있는 방법을 제공하기 위함이다.
제1도는 본 발명의 일 실시예에 따라 실리콘 웨이퍼(wafer) 표면에 존재하는 산화막 및/또는 금속막을 제거하는 과정을 개략적으로 나타낸 공정도.
[과제를 해결하기 위한 수단]
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 산화막 및/또는 금속막이 형성된 실리콘 웨이퍼를 불화수소산 용액으로 부식하는 공정과 상기 불화수소산 용액으로 부식한 실리콘 웨이퍼를 세정하는 공정과 상기 세정한 실리콘 웨이퍼를 수산화나트륨 용액 중에서 초음파 세정하는 공정과 상기 수산화나트륨 용액 중에서 초음파 세정한 실리콘 웨이퍼를 세정하는 공정과 상기 세정한 실리콘 웨이퍼를 질산, 불화수소산 및 초산을 포함하는 혼산 용액으로 에칭하는 공정과 상기 혼산 용액으로 에칭한 실리콘 웨이퍼를 세정 및 건조하는 공정과 상기 세정 및 건조한 실리콘 웨이퍼를 태양 전지의 기판으로 재사용하는 공정을 포함하는 폐실리콘 웨이퍼 재사용 방법을 제공하며, 또한 본 발명은 산화막이 형성된 실리콘 웨이퍼를 불화수소산 용액으로 부식하는 공정과 상기 불화수소산 용액으로 부식한 실리콘 웨이퍼를 세정 및 건조하는 공정과 상기 세정 및 건조한 실리콘 웨이퍼를 태양 전지의 기판으로 재사용하는 공정을 포함하는 폐실리콘 웨이퍼 재사용 방법을 제공하며, 또한 본 발명은 텅스텐막이 형성된 실리콘 웨이퍼를 수산화나트륨 용액 중에서 초음파 세정하는 공정과 상기 수산화나트륨 용액 중에서 초음파 세정한 실리콘 웨이퍼를 세정 및 건조한 실리콘 웨이퍼를 태양 전지의 기판으로 재사용하는 공정을 포함하는 폐실리콘 웨이퍼 재사용 방법을 제공한다.
상기 혼산 용액은 50 내지 75% 순도의 질산 : 10 내지 49% 순도의 불화수소산 : 80 내지 99% 순도의 초산의 혼합 비율이 50 내지 70중량% : 10 내지 20중량% : 20 내지 30중량%인 것이 바람직하며, 상기 혼산 용액의 온도는 30 내지 70℃인 것이 바람직하다.
상기 수산화나트륨 용액의 온도는 30 내지 70℃인 것이 바람직하다.
상기 산화막 및/또는 금속막은 티타늄, 알루미늄, 셀레늄, 지르코늄, 몰리브데늄, 인, 질소, 산소, 탄소로 이루어진 군에서 하나 또는 그 이상을 선택하여 포함하는 것이 바람직하다.
상기 불화수소산 용액으로 부식하는 공정은 실리콘 웨이퍼를 10 내지 49%의 순도를 가진 불화수소산 용액에 담그어 5 내지 30분간 상하 또는 좌우로 움직여서 실시하는 것이 바람직하며, 상기 불화수소산 용액으로 부식한 실리콘 웨이퍼를 세정하는 공정은 5 내지 30분간 물로 세정하는 것이 바람직하다.
상기 수산화나트륨 용액으로 초음파 세정하는 공정은 10 내지 30%의 순도를 가진 수산화나트륨 용액을 사용하여 3 내지 15분간 실시하는 것이 바람직하며 상기 수산화나트륨 용액으로 초음파 세정한 실리콘 웨이퍼를 세정하는 공정은 5 내지 10분간 물로 세정하는 것이 바람직하다.
상기 혼산 용액으로 에칭하는 공정은 1 내지 10분간 상하 또는 좌우로 실리콘 웨이퍼를 움직여서 에칭하는 것이 바람직하며 상기 혼산 용액으로 에칭한 실리콘 웨이퍼를 세정하는 공정은 5 내지 10분간 물로 세정하는 것이 바람직하다.
상기 수산화나트륨 용액과 혼산 용액을 사용하는 공정의 경우 산화막 및/또는 금속막이 존재하지 않는 실리콘 웨이퍼의 결정면 부분을 빠르게 부식시킬 수 있으므로 상기한 적정 온도인 30 내지 70℃를 유지하는 것이 바람직하다. 특히 혼산 용액의 경우 사용 횟수에 따라 실리콘 웨이퍼의 산화막 및/또는 금속막의 부식 속도가 심하게 차이가 나므로 정기적으로 혼산 용액을 첨가 또는 교체하여야 한다.
만일 상기한 산화막 및/또는 금속막이 다층으로 존재할 경우에는 본 발명에 의한 작업을 반복함으로써 완전히 제거할 수 있다. 상기 불화수소산 용액에서의 부식 또는 수산화나트륨 용액에서의 초음파 세정, 혼산 용액에서의 에칭 등을 상기 한 시간보다 길게 실시할 경우 산화막 및/또는 금속막의 제거가 더 효과적이나 생산성을 떨어뜨릴 수 있으므로 적정 시간을 유지후 별도의 에칭 작업을 실시하는 것이 바람직하다.
상기 불화수소산 용액, 수산화나트륨 용액, 혼산 용액에서 처리한 실리콘 웨이퍼를 세정시에는 물을 사용하는 것이 경제적인 면에서 바람직하지만 물과 거의 동일한 세정 효과를 가지는 에탄올 등의 기타 다른 용액을 사용할 수도 있으며 거의 동일한 세정 효과를 가지는 다른 세정 방법을 사용할 수도 있다.
[실시예]
다음은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시한다. 그러나 하기의 실시예들은 본 발명을 보다 쉽게 이해하기 위하여 제공되는 것일 뿐 본 발명이 하기의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
반도체 디바이스 제조 공정 중에서 발생한 티타늄, 알루미늄, 지르코늄, 몰리브데늄, 텡스텐, 질소, 산소 등의 성분으로 이루어진 막이 형성된 실리콘 웨이퍼를 준비하였다. 25% 순도의 불화수소산 용액, 20% 순도의 수산화나트륨 용액, 질산(순도 70%) : 불화수소산(순도 49%) : 초산(순도 99%)을 50중량% : 20중량% : 30중량%의 비율로 혼합한 혼산 용액을 준비하였다. 본 공정 중의 상기 용액들의 온도는 불화수소산 용액의 경우 상온, 수산화나트륨 용액과 혼산 용액의 경우 50℃로 유지하였다. 제1도를 참고로 설명하면 우선 상기의 실리콘 웨이퍼를 물에 담근 다음 건져서 불화수소산 용액에 담근 상태에서 상하 또는 좌우로 움직여주고 10분간 담근 후 흐르는 물로 5분간 세척하였다. 그 다음 수산화나트륨 용액에 담근 상태에서 10분간 초음파 세정을 실시한 후 흐르는 물로 5분간 세척하였다. 혼산 용액에서의 웨이퍼 에칭은 상하 또는 좌우로 움직이면서 4분간 담그어 실시하였다. 혼산 용액에서의 에칭 후 흐르는 물로 5분간 세척후 건조한 후 태양 전지용 기판으로 재사용하였다.
[실시예 2]
반도체 디바이스 제조 공정 중에서 발생한 산화막이 형성된 실리콘 웨이퍼를 준비하였다. 또한 25% 순도의 불화수소산 용액을 준비하였다. 이 불화수소산 용액은 상온으로 유지하였다. 제1도를 참고로 설명하면 우선 상기의 실리콘 웨이퍼를 물에 담근 다음 건져서 불화수소산 용액에 담근 상태에서 상하 또는 좌우로 움직여 주고 10분간 담근 후 흐르는 물로 5분간 세척한 후 초음파 세정 공정 및 혼산 용액중에서의 에칭 공정을 생략하고 곧바로 건조한 후 태양 전지용 기판으로 재사용하였다.
[실시예 3]
반도체 디바이스 제조 공정 중에서 발생한 텡스텐막이 형성된 실리콘 웨이퍼를 준비하였다. 그리고 20% 순도의 수산화나트륨 용액을 준비하였다. 준비한 수산화나트륨 용액의 온도를 50℃로 유지하였다. 제1도를 참고로 설명하면 우선 상기의 실리콘 웨이퍼를 물에 담근 다음 건져서 불화수소산 용액에서의 부식 공정을 생략하고 수산화나트륨 용액에 담근 상태에서 10분간 초음파 세정을 실시한 후 흐르는 물로 5분간 세척하였다. 혼산 용액에서의 웨이퍼 에칭공정을 생략하고 곧바로 건조한 후 태양 전지용 기판으로 재사용하였다.
[비교예 1]
반도체 디바이스 제공 공정 중에서 발생한 티타늄, 알루미늄, 지르코늄, 몰리브데늄, 텡스텐, 질소, 산소 등의 성분으로 이루어진 막이 형성된 실리콘 웨이퍼를 준비하였다. 질산(순도 70%) : 불화수소산(순도 49%) : 초산(순도 99%)을 50중량% : 20중량% : 30중량%의 비율로 혼합한 혼산 용액을 준비하였다. 혼산 용액의 온도는 50℃로 유지하였다. 우선 상기의 실리콘 웨이퍼를 물에 담근 다음 건져서 혼산 용액에서 상하 또는 좌우로 움직이면서 4분간 담그어 에칭을 실시하였다. 혼산 용액에서의 에칭 후 흐르는 물로 5분간 세척하고 건조한 후 자동 연마기에 장착하여 연마를 실시하였다. 연마 후 초순수로 세정하고 건조한 후 태양 전지용 기판으로 재사용하였다.
[비교예 2]
단결정 실리콘 성장된 실리콘 잉곳 부분을 300㎛ 내지 450㎛의 두께로 절단하여 태양 전지용 기판으로 사용하였다.
하기한 표 1에서 상기 실시예와 비교예의 결과를 나타내었다.
상기한 표 1에서 보이는 바와 같이 실시예 1은 비교예 1과 비교예 2에 비하여 비용을 상당히 절감하였음을 알 수 있으며 실리콘 웨이퍼의 두께에 있어서 별 차이가 없음을 알 수 있다.
상기한 바와 같이 반도체 디바이스 제조 공정에서 대량으로 발생하는 폐실리콘 웨이퍼를 경제적인 비용으로 가공하여 태양 전지의 기판으로 재사용함으로써 태양 전지의 제조 비용을 현저히 절감할 수 있으며 고가의 실리콘 웨이퍼를 효율적으로 사용할 수 있다.
Claims (7)
- 산화막 및/또는 금속막이 형성된 실리콘 웨이퍼를 불화수소산 용액으로 부식하는 공정과; 상기 불화수소산 용액으로 부식한 실리콘 웨이퍼를 세정하는 공정과; 상기 세정한 실리콘 웨이퍼를 수산화나트륨 용액 중에서 초음파 세정하는 공정과; 상기 수산화나트륨 용액 중에서 초음파 세정한 실리콘 웨이퍼를 세정하는 공정과; 상기 세정한 실리콘 웨이퍼를 질산, 불화수소산 및 초산을 포함하는 혼산 용액으로 에칭하는 공정과; 상기 혼산 용액으로 에칭한 실리콘 웨이퍼를 세정 및 건조하는 공정과; 상기 세정 및 건조한 실리콘 웨이퍼를 태양 전지의 기판으로 재사용하는 공정을; 포함하는 폐실리콘 웨이퍼 재사용 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 혼산 용액은 50 내지 75% 순도의 질산 : 10 내지 49% 순도의 불화수소산 : 80 내지 99% 순도의 초산의 혼합 비율이 50 내지 70중량% : 10 내지 20중량% : 20 내지 30중량%인 폐실리콘 웨이퍼 재사용 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 혼산 용액의 온도는 30 내지 70℃인 폐실리콘 재사용 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막 및/또는 금속막은 티타늄, 알루미늄, 셀레늄, 지르코늄, 몰리브데늄, 인, 질소, 산소, 탄소로 이루어진 군에서 하나 또는 그 이상을 선택하여 포함하는 것인 폐실리콘 웨이퍼 재사용 방법.
- 산화막이 형성된 실리콘 웨이퍼를 불화수소산 용액으로 부식하는 공정과; 상기 불화수소산 용액으로 부식한 실리콘 웨이퍼를 세정 및 건조하는 공정과; 상기 세정 및 건조한 실리콘 웨이퍼를 태양 전지의 기판으로 재사용하는 공정을; 포함하는 폐실리콘 웨이퍼 재사용 방법.
- 텅스텐막이 형성된 실리콘 웨이퍼를 수산화나트륨 용액 중에서 초음파 세정하는 공정과; 상기 수산화나트륨 용액 중에서 초음파 세정한 실리콘 웨이퍼를 세정 및 건조한 실리콘 웨이퍼를 태양 전지의 기판으로 재사용하는 공정을; 포함하는 폐실리콘 웨이퍼 재사용 방법.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수산화나트륨 용액의 온도는 30 내지 70℃인 폐실리콘 웨이퍼 재사용 방법.
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