JPS59195654A - ホトマスクの洗浄方法および洗浄装置 - Google Patents
ホトマスクの洗浄方法および洗浄装置Info
- Publication number
- JPS59195654A JPS59195654A JP58070503A JP7050383A JPS59195654A JP S59195654 A JPS59195654 A JP S59195654A JP 58070503 A JP58070503 A JP 58070503A JP 7050383 A JP7050383 A JP 7050383A JP S59195654 A JPS59195654 A JP S59195654A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- tank
- cleaning
- ammonia
- vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ＩＣ，ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の半導体素子製造
に用いる光露乎用マスクの洗浄方法及びそれに用（・る
洗浄装置に係るものである。
に用いる光露乎用マスクの洗浄方法及びそれに用（・る
洗浄装置に係るものである。
半導体素子製造工程に於て経済性を最も大きく支配して
いるものは、光露光工程であり、従来、光露光用マスク
への欠陥発生及び光露光工程での半導体基板からマスク
への異物付着に対する対策が種々検討されて（・る。と
くに密着式無光方式から投影式露光方式や縮小投影式露
光方式への露光技術の変更は、半導体基板からマスクへ
の異物転写がなくなり顕著に製造コストを減少した。し
かしながら、光露光方式は遠紫外、紫外線をマスクに照
射するため、マスクの透明基板の一主表面上に形成され
て（・る遮光用の所要パターンの導電層もしくは半導体
層への静電荷蓄積により、マスクの使用前後に浮遊塵埃
が表裏面に吸着される。この吸着された塵埃は、従来の
マスク洗浄機において、中性洗剤、純水、ジェットスク
ラブ等で片面もしくは両面（表裏面）を洗浄しているが
、従来装置では転写パターンチップの５１ｓ未満に塵埃
が出な−・ことを保証することも不可能であった。更に
、縮小投影露光装置では、３μ以上の欠陥を１１０１と
し、且つ洗浄液の乾燥時のシミ、ヨゴレ等を発生するこ
とのないレチクルマスク洗浄機が要望されており、この
種の要望に応じ、且つ作業性の良好なマスク洗浄技術は
未知であった。
いるものは、光露光工程であり、従来、光露光用マスク
への欠陥発生及び光露光工程での半導体基板からマスク
への異物付着に対する対策が種々検討されて（・る。と
くに密着式無光方式から投影式露光方式や縮小投影式露
光方式への露光技術の変更は、半導体基板からマスクへ
の異物転写がなくなり顕著に製造コストを減少した。し
かしながら、光露光方式は遠紫外、紫外線をマスクに照
射するため、マスクの透明基板の一主表面上に形成され
て（・る遮光用の所要パターンの導電層もしくは半導体
層への静電荷蓄積により、マスクの使用前後に浮遊塵埃
が表裏面に吸着される。この吸着された塵埃は、従来の
マスク洗浄機において、中性洗剤、純水、ジェットスク
ラブ等で片面もしくは両面（表裏面）を洗浄しているが
、従来装置では転写パターンチップの５１ｓ未満に塵埃
が出な−・ことを保証することも不可能であった。更に
、縮小投影露光装置では、３μ以上の欠陥を１１０１と
し、且つ洗浄液の乾燥時のシミ、ヨゴレ等を発生するこ
とのないレチクルマスク洗浄機が要望されており、この
種の要望に応じ、且つ作業性の良好なマスク洗浄技術は
未知であった。
本発明の目的は、縮小投影露光装置に用いるＶチクルマ
スクの３μ以上の付着物を完全に除去できるレチクルマ
スク洗浄方法とその洗浄装置を提供することにある。
スクの３μ以上の付着物を完全に除去できるレチクルマ
スク洗浄方法とその洗浄装置を提供することにある。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
図は本発明の実施例を表わした図であり、本実施例のマ
スク洗浄方法および装置は次の通りである。すなわち、
マスク洗浄装置は電解液槽１００ 。
スク洗浄方法および装置は次の通りである。すなわち、
マスク洗浄装置は電解液槽１００ 。
シャワ一槽２００．蒸気槽３００の３つの洗浄槽より成
るものである。まず、電解槽１００は、二重槽の構造を
持ち、ポンプ１によりアンモニア水２が内槽に供給され
る。供給されたアンモニア水２は内槽３よりあふれ出て
外槽４へ溜まる。外槽４へはポンプ１の吸引側が接続さ
れており、ポンプ１を通して、再び内槽３にアンモニア
水２が供給される。尚、電解液２の清浄度維持のため電
解液２の循環ラインには、フィルタｘ６カ取す付１ｔで
ある。
るものである。まず、電解槽１００は、二重槽の構造を
持ち、ポンプ１によりアンモニア水２が内槽に供給され
る。供給されたアンモニア水２は内槽３よりあふれ出て
外槽４へ溜まる。外槽４へはポンプ１の吸引側が接続さ
れており、ポンプ１を通して、再び内槽３にアンモニア
水２が供給される。尚、電解液２の清浄度維持のため電
解液２の循環ラインには、フィルタｘ６カ取す付１ｔで
ある。
一方シャワ一槽２００は、ホトマスク１０を出し入れす
るだけのスリットを設けた密閉槽５の中に、図に表すよ
うに、ホトマスク１０に対して両側の上、中、下段にシ
ャワーノズル６が取り付けられている。密閉槽５の底に
はドレンを設け、その下にイソプロピルアルコール９を
溜めるタンク７が取り付けられている。そのタンク７よ
り、ポンプ８によってイソプロピルアルコール９は加圧
され、シャワーノズル６に達する。イソプロピルアルコ
ール９のシャワーにより、ホトマスク１０は洗浄される
。このように、イソプロピルアルコール９はポンプ８に
より循環され、又その循環ラインにはイソプロピルアル
コール清浄度維持のため、フィルタ１１が取り付けられ
ている。
るだけのスリットを設けた密閉槽５の中に、図に表すよ
うに、ホトマスク１０に対して両側の上、中、下段にシ
ャワーノズル６が取り付けられている。密閉槽５の底に
はドレンを設け、その下にイソプロピルアルコール９を
溜めるタンク７が取り付けられている。そのタンク７よ
り、ポンプ８によってイソプロピルアルコール９は加圧
され、シャワーノズル６に達する。イソプロピルアルコ
ール９のシャワーにより、ホトマスク１０は洗浄される
。このように、イソプロピルアルコール９はポンプ８に
より循環され、又その循環ラインにはイソプロピルアル
コール清浄度維持のため、フィルタ１１が取り付けられ
ている。
蒸気槽３００は、これもまた、ホトマスク１０を出し入
れするだけのスリットを開け、他は密閉された槽１２の
中にトリクロロトリクルオロエタン１３を入れ、槽１２
の底部にヒーター１４を取りつける。一方、槽１２の上
部には冷却水が流れて（・る冷却パイプ１５が設けられ
て、蒸発したトリクロロトリクルオロエタン１３を結露
させて、槽１２の底部に戻す構造となっている。
れするだけのスリットを開け、他は密閉された槽１２の
中にトリクロロトリクルオロエタン１３を入れ、槽１２
の底部にヒーター１４を取りつける。一方、槽１２の上
部には冷却水が流れて（・る冷却パイプ１５が設けられ
て、蒸発したトリクロロトリクルオロエタン１３を結露
させて、槽１２の底部に戻す構造となっている。
以上のような構成で、順次ホトマスク１０を上下させな
がら、各桁を通して洗浄することにより下記のような効
果が得られる。
がら、各桁を通して洗浄することにより下記のような効
果が得られる。
まず、第１工程である！解液槽１００にお（・て、フィ
ルタ１６にて 過された常にある一定の清浄度に維持さ
れたアンそニア水２により、ホトマスク１（ｌ洗浄され
、かつ、ホトマスク１０をこの電解液槽１００より取り
出したときにも、アンモニア水２であるがゆえに、ホト
マスク１０上に静電気が帯びることがないため、静電気
によるホトマスクへのゴミ、チリの吸着等が皆無となる
。又アンモニア水中を浮遊している塵埃等は、アンモニ
ア水２がオーバーフローするとともに外槽４に流れ込み
、ポンプ１．フィルタ１６を通して濾過される。
ルタ１６にて 過された常にある一定の清浄度に維持さ
れたアンそニア水２により、ホトマスク１（ｌ洗浄され
、かつ、ホトマスク１０をこの電解液槽１００より取り
出したときにも、アンモニア水２であるがゆえに、ホト
マスク１０上に静電気が帯びることがないため、静電気
によるホトマスクへのゴミ、チリの吸着等が皆無となる
。又アンモニア水中を浮遊している塵埃等は、アンモニ
ア水２がオーバーフローするとともに外槽４に流れ込み
、ポンプ１．フィルタ１６を通して濾過される。
次に第２工程であるシャワ一槽２００においてイソプロ
ピルアルコール９をホトマスク１０に吹きかけることに
より、ホトマスク表面上のアンモニア水２をイソプロピ
ルアルコール９に置換し、人工・程の乾燥を安易にかつ
確実に行なわしめる。
ピルアルコール９をホトマスク１０に吹きかけることに
より、ホトマスク表面上のアンモニア水２をイソプロピ
ルアルコール９に置換し、人工・程の乾燥を安易にかつ
確実に行なわしめる。
又イソプロピルアルコール９のシャワーを用いてホトマ
スク１０を洗浄するため、ホトマスク１０に付着してい
る塵埃を除去する効果は、通常の浸せき方式に比較して
、非包に高く、時間も短いため効率的である。
スク１０を洗浄するため、ホトマスク１０に付着してい
る塵埃を除去する効果は、通常の浸せき方式に比較して
、非包に高く、時間も短いため効率的である。
最後の第３工程である蒸気＠３００は、トリクロロトリ
クルオロエタン１３の蒸気にホトマスク１０を浸すこと
を目的とする。ホトマスク１０を一旦、トリクロロトリ
クルオロエタン１３の蒸気に浸した後、ホトマスク１０
を蒸気槽より取り出すとホトマスク１０は、短時間で、
かつ自然乾燥に近い状態で完全に乾燥される。この第３
工程では、塵埃等の付着、吸着のこと考えると、短（・
時間で完全に自然乾燥させることが是非必要であり、本
蒸気槽はその役割りを充分に果すものである。
クルオロエタン１３の蒸気にホトマスク１０を浸すこと
を目的とする。ホトマスク１０を一旦、トリクロロトリ
クルオロエタン１３の蒸気に浸した後、ホトマスク１０
を蒸気槽より取り出すとホトマスク１０は、短時間で、
かつ自然乾燥に近い状態で完全に乾燥される。この第３
工程では、塵埃等の付着、吸着のこと考えると、短（・
時間で完全に自然乾燥させることが是非必要であり、本
蒸気槽はその役割りを充分に果すものである。
以上、実施例にもとず（・て、本発明の説明を行なった
が、電解液にはアンモニア水以外炭酸水でも良く、要す
るに静電気を帯びな（・でフィルタにより清浄度が維持
出来る薬液なら良い。又シャワ一槽においてもイソプロ
ピルアルコール以外のアルコール系有機薬品なら効果は
同じである。シャワーノズルの形状も、本発明ではフル
コーン型ノズルを用いたが、フラットコーン型ノズルを
混ぜたり、ノズル数を変えることによって、ホトマスク
の汚れ具合により適切なシャワー洗浄が可能であり、よ
り一層の効果が得られる。
が、電解液にはアンモニア水以外炭酸水でも良く、要す
るに静電気を帯びな（・でフィルタにより清浄度が維持
出来る薬液なら良い。又シャワ一槽においてもイソプロ
ピルアルコール以外のアルコール系有機薬品なら効果は
同じである。シャワーノズルの形状も、本発明ではフル
コーン型ノズルを用いたが、フラットコーン型ノズルを
混ぜたり、ノズル数を変えることによって、ホトマスク
の汚れ具合により適切なシャワー洗浄が可能であり、よ
り一層の効果が得られる。
図は本発明の実施例を表わした模型的断面図である。
１・・・・・・電解液循環用ポンプ、２・・・・・・ア
ンモニア水、３・・・・・・電解液槽の内槽、４・・・
・・・電解液槽の外槽、５・・・・・・シャワー用密閉
槽、６・・・・・・シャワーノズル、７・・・・・・タ
ンク、８・・・・・・アルコール系有機薬品循環用ポン
プ、９・・・・・・イソプロピル°アルコール、１０・
・・・・・ホトマスク、ｌｌ・・・・・・アルコール系
有機薬品用フィルタ、１２・・・・・・蒸気槽用密閉槽
、１３・・・・・・トリクロロトリフルオロエタン、１
４・・・・・・ヒーター、１５・・・・・・冷却パイプ
、１６・・・・・・電解液用２、イルタ。
ンモニア水、３・・・・・・電解液槽の内槽、４・・・
・・・電解液槽の外槽、５・・・・・・シャワー用密閉
槽、６・・・・・・シャワーノズル、７・・・・・・タ
ンク、８・・・・・・アルコール系有機薬品循環用ポン
プ、９・・・・・・イソプロピル°アルコール、１０・
・・・・・ホトマスク、ｌｌ・・・・・・アルコール系
有機薬品用フィルタ、１２・・・・・・蒸気槽用密閉槽
、１３・・・・・・トリクロロトリフルオロエタン、１
４・・・・・・ヒーター、１５・・・・・・冷却パイプ
、１６・・・・・・電解液用２、イルタ。
Claims (2)
- （１）ホトマスクを電解液に濡らす第１の工程と、次に
前記ホトマスクをアルコール系有機薬品でシャワー洗浄
する第２の工程と、その後前記ホトマスクをフッ化炭化
水素系の蒸気を用いて蒸気洗浄及び乾燥する第３の工程
とを含むことを特徴とするホトマスクの洗浄方法。 - （２）槽下部から液体を導入して上部からオーバーフロ
ーさせる手段を有する第１の洗浄槽と、槽内にシャワー
装置を有する第２の洗浄槽と、槽内に低沸点物質の蒸気
を発生させる手段を有する第３の洗浄槽を具備すること
を特徴とするホトマスクの洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58070503A JPS59195654A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | ホトマスクの洗浄方法および洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58070503A JPS59195654A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | ホトマスクの洗浄方法および洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59195654A true JPS59195654A (ja) | 1984-11-06 |
| JPS649621B2 JPS649621B2 (ja) | 1989-02-17 |
Family
ID=13433393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58070503A Granted JPS59195654A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | ホトマスクの洗浄方法および洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59195654A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6161685A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-29 | 佐波 二三雄 | 機械部品等の洗浄方法 |
| JPH0320734A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-29 | Matsushita Electron Corp | 洗浄装置 |
| JPH0580465U (ja) * | 1990-12-28 | 1993-11-02 | 東京瓦斯株式会社 | 浴槽洗浄用ノズル |
| US7160396B2 (en) * | 2000-01-07 | 2007-01-09 | Minolta Co., Ltd. | Washing method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5712831A (en) * | 1980-06-06 | 1982-01-22 | Standard Oil Co | Carbonylation of olefin unsaturated compound |
| JPS57141614A (en) * | 1981-02-25 | 1982-09-02 | Canon Inc | Manufacture of electrooptical display device |
-
1983
- 1983-04-21 JP JP58070503A patent/JPS59195654A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5712831A (en) * | 1980-06-06 | 1982-01-22 | Standard Oil Co | Carbonylation of olefin unsaturated compound |
| JPS57141614A (en) * | 1981-02-25 | 1982-09-02 | Canon Inc | Manufacture of electrooptical display device |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6161685A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-29 | 佐波 二三雄 | 機械部品等の洗浄方法 |
| JPS6353872B2 (ja) * | 1984-08-31 | 1988-10-25 | Fumio Sawa | |
| JPH0320734A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-29 | Matsushita Electron Corp | 洗浄装置 |
| JPH0580465U (ja) * | 1990-12-28 | 1993-11-02 | 東京瓦斯株式会社 | 浴槽洗浄用ノズル |
| US7160396B2 (en) * | 2000-01-07 | 2007-01-09 | Minolta Co., Ltd. | Washing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS649621B2 (ja) | 1989-02-17 |
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