JP4511114B2 - 基板エッジ洗浄装置 - Google Patents
基板エッジ洗浄装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4511114B2 JP4511114B2 JP2002550301A JP2002550301A JP4511114B2 JP 4511114 B2 JP4511114 B2 JP 4511114B2 JP 2002550301 A JP2002550301 A JP 2002550301A JP 2002550301 A JP2002550301 A JP 2002550301A JP 4511114 B2 JP4511114 B2 JP 4511114B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- nozzle body
- cleaning medium
- cleaning
- edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 168
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 140
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 46
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 43
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 34
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 33
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical group O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 claims description 10
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 238000003915 air pollution Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011538 cleaning material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 210000004209 hair Anatomy 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- -1 that is Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0064—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes
- B08B7/0092—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes by cooling
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
- B24C1/00—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
- B24C1/003—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods using material which dissolves or changes phase after the treatment, e.g. ice, CO2
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
- B24C3/00—Abrasive blasting machines or devices; Plants
- B24C3/02—Abrasive blasting machines or devices; Plants characterised by the arrangement of the component assemblies with respect to each other
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
- B24C3/00—Abrasive blasting machines or devices; Plants
- B24C3/18—Abrasive blasting machines or devices; Plants essentially provided with means for moving workpieces into different working positions
- B24C3/20—Abrasive blasting machines or devices; Plants essentially provided with means for moving workpieces into different working positions the work being supported by turntables
- B24C3/22—Apparatus using nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は基板洗浄装置に関するものであり、より詳しくは純化性固体粒子、例えばCO2ガスの相転移によるドライアイス粒子及び各種純化性固体微粒子を用いて基板のエッジ及び側部を洗浄するための基板エッジ洗浄装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子の製造工程では、半導体基板(以下、基板)の表面に薄膜のパターンを形成するための、または基板の表面を洗浄するための各種基板処理装置が利用されている。
【0003】
従来の基板洗浄装置が図1に示されている。装置は実質的に水平に基板(W)を吸入支持し回転させるためのスピンチャック10と、基板(W)の表面に洗浄液または処理液を供給するために回転中心上に配置される処理液供給ノズル30とを含む。
【0004】
先ず、スピンチャック10は所定の回転速度で基板(W)を回転させるようにモーター(図示せず)により駆動される。回転の安定する時点で洗浄液または処理液はノズル30から基板(W)の表面に所定の噴射速度で噴射され、基板(W)の表面を洗浄または処理する。
【0005】
一方、基板(W)が両面基板である場合、基板(W)の前面の洗浄が完了された後、基板(W)は別途の反転器具により反転され、基板(W)の背面に対しての洗浄または表面処理が前記と同様に行われる。
【0006】
しかしながら、前記のような従来の洗浄装置は、基板の前面及び背面の洗浄は可能であるが、基板のエッジ部分は洗浄しにくい構造を有する。基板のサイズが大きくなるほど基板のエッジに残留するポリマー物質に対しての洗浄が重要となり、基板のエッジを洗浄するための方式としてベルトまたはブラシなどを用いた方式が提案された。
【0007】
ブラシを用いて基板のエッジを洗浄するための一つの方式として、ティモシら(Timothy、et al.)による米国特許第5,976,267号が提案された。
【0008】
この特許は図2a乃至図2cに示されたように、基板250は、上側ブラシ202がスクラッバを通じて矢印701で表された方向に移動することにより上側ブラシ202により洗浄される。下側ブラシ302は上側ブラシ202の下で基板250のすぐ下に位置される。上側ブラシ202及び下側ブラシ302を駆動するためのモーターは各々上側及び下側ブラシ202,302に結合されて、上側及び下側ブラシ202,302及びエッジブラシ220、320に回転運動を提供する。二つのローラー501、502は、矢印702で表されたように、反時計方向に基板を回転させるよう二ヶ所で基板と接触する。回転運動は各々ステップモーター503、504により前記ローラー501,502に提供される。ブラシ202,302,220、320の間での基板250の回転は基板の全体面及びエッジの洗浄を可能にする。
【0009】
水噴射器380は、粒子除去がさらに容易になるよう、図2cに示されたようにエッジブラシ220、320と基板との間の接触点またはその近くに水を噴射するように使用される。このような水噴射器は、水の方向が基板の回転軸と整列された平面から流れ、基板と側面スクラッビング器具との間の地点に接触するように位置させてもよい。このような場合、水は、単に側部スクラッビング器具により基板から除去された粒子を遠く運搬するか、または圧力の充分な場合にはそれ自体により粒子を除去することもできる。水噴射器は通常の公知された支持構造物により適所に保持することができ、図面では基板のすぐ上に位置される。水噴射器の大きさは1/8乃至1/16インチ程度の直径を有し、扇形の噴射を作る。
【0010】
エッジブラシは、毛222、322に粒子が蓄積されることを防止するために基板洗浄の間、純水または純水とNH4OHまたはそれ自体の混合物のNH4OH/H2O2の結合剤を毛222、322に噴射することにより洗浄される。
【0011】
しかし、前記のような従来の基板エッジ洗浄装置は基板のエッジを洗浄するために多数のローラー及びローラーを駆動するためのモーターなどが使用されるため、その構造が複雑であると共に製造費用が高く、さらに機械的に構成されるためブラシが基板に接触し基板を物理的に損傷させる虞があるばかりではなく、基板エッジの洗浄後、汚染された洗浄物により基板が逆汚染され、基板の収率を低下させるなどの問題があった。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、比較的に簡単に構成され製造費用が低廉になると共に、基板エッジ洗浄による基板の逆汚染を防止し基板の収率を高めるよう、ドライアイスを用いて基板エッジを洗浄する乾式洗浄法を導入することにより、環境親和的な洗浄方法を用いて洗浄できる装置を提供することにある。
【0013】
【発明の構成】
前記のような目的は、処理される基板を固定し回転させるためのチャックの側部に提供され、前記第1のラインを通過する間に減圧され粒子化された洗浄媒体を基板の前面、背面及びエッジに噴射するための洗浄媒体噴射ノズル体と、前記ノズル体を待機位置と洗浄位置との間で移動させるためのノズル体移動手段を含むことを特徴とする本発明による基板エッジ洗浄装置により達成することができる。
【0014】
前記噴射ノズル体は、噴射された粒子状洗浄媒体から気化されたガス及び残留ガスを吸入して処理するための残留ガス吸入部が提供される。
【0015】
前記粒子状洗浄媒体は、ドライアイス粒子(CO2粒子)である。
【0016】
前記ノズル体は、好ましくは基板のエッジ部分を収容する基板収容部と、基板のエッジに粒子状洗浄媒体を噴射するために前記基板収容部の内部側面に提供される第1のノズルと、基板の前面に粒子状洗浄媒体を噴射するために前記基板収容部の内部上面に提供される第2のノズルと、基板の背面に粒子状洗浄媒体を噴射するために前記基板収容部の内部下面に提供される第3のノズルとを備える。
【0017】
前記ノズルらは、0.5乃至2mmの直径を有することが好ましい。
【0018】
前記ノズル体の移動手段は、空気圧シリンダーまたはステップモーターから構成される。
【0019】
前記粒子状洗浄媒体はN2ガスのようなキャリヤガスにより運搬されて前記ノズル体から基板のエッジに向けて噴射される。
【0020】
前記第1、第2および第3のノズルは、各々ノズル体に一つ以上提供される。
【0021】
対案的に、前記のような目的は、また、洗浄媒体が高圧に貯蔵される洗浄媒体貯蔵タンクと、第1のラインを通じて前記洗浄媒体貯蔵タンクと連結されて、前記第1のラインを通過する間に減圧され粒子化された洗浄媒体を基板の側面及びエッジへ噴射するように、基板を固定し回転させるためのスピンチャックの側部に提供されるノズル体と、前記第1のラインと連結される第2のラインが接続されて、粒子化された洗浄媒体を前記ノズル体に運搬するためのキャリヤガスを貯蔵するキャリヤガス貯蔵タンクと、前記ノズル体を待機位置と洗浄位置との間で移動させるためのノズル体移動手段と、前記ノズル体から噴射された洗浄媒体から気化されたガスを吸入し処理するための残留ガス吸入部とを含むことを特徴とする本発明による基板エッジ洗浄装置により達成することができる。
【0022】
前記洗浄媒体は、CO2粒子であり、前記キャリヤガスはN2ガスである。
【0023】
前記ノズル体は、基板のエッジ部分を収容する基板収容部と、基板のエッジに洗浄媒体粒子を噴射するために前記基板収容部の内部側面に提供される第1のノズルと、基板の前面に洗浄媒体粒子を噴射するために前記基板収容部の内部上面に提供される第2のノズルと、基板の背面に洗浄媒体粒子を噴射するために前記基板収容部の内部下面に提供される第3のノズルとを備える。
【0024】
前記ノズルらは、0.5乃至2mmの直径を有する。
【0025】
前記ノズル体の移動手段は、空気圧シリンダーまたはステップモーターから構成される。
【0026】
前記第1、第2および第3のノズルは、各々前記ノズル体に一つ以上提供される。
【0027】
前記キャリヤガス貯蔵タンクは、N2ガスが高圧に貯蔵されるN2ガスボンベである。
【0028】
前記キャリヤガス貯蔵タンクは、N2ガスが貯蔵されるキャリヤガス貯蔵タンクであり、前記キャリヤガス貯蔵タンクに貯蔵されたN2ガスはポンプにより高圧でポンピングされる。
【0029】
前記第1及び第2のラインの連結されるライン連結部は、前記第1及び第2のラインが連結されるベースブロックと、前記ベースブロックと前記ノズル体との間に提供されるオリフィス及びベンチュリとを備える。
【0030】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図面を参照して本発明の望ましい実施例を詳細に説明する。
【0031】
図3は本発明による基板のエッジを、ドライアイスを用いた乾式洗浄方法により洗浄する装置の概略図である。
【0032】
図3に示されたように、本発明による基板エッジ洗浄装置は、スピンチャック10に吸着固定された基板(W)の側部に提供される。基板エッジ洗浄装置は、ドライアイスのようなCO2固形物を粒子化して噴射するためのノズル体1と、ノズル体1を洗浄位置と待機位置との間で移動させるためのノズル体移動手段2とを含む。ノズル体移動手段2(以下、空気圧シリンダー)は、図面では空気圧シリンダーを用いたが、これはただ説明のためであって、空気圧シリンダーの代りにステップモーターを用いてもよい。ノズル体1は、空気圧シリンダー2のピストン4の連結されるブラケット5が下部に位置されて、空気圧シリンダー2は、スピンチャック10の側部に設けられるブラケット6を通じて洗浄装置に設置される。
【0033】
ノズル体1は、基板(W)が洗浄のためにスピンチャック10にチャッキングされる時、待機位置に位置される。基板(W)がスピンチャック10に完全固定された時、ノズル体1は基板(W)のエッジを洗浄するため図3に示されたように空気圧シリンダー2の前進作動により基板エッジ洗浄位置に移動される。ノズル体1は、基板(W)を収容可能な基板収容部3が形成される。
【0034】
ノズル体1は、図4に示されたように多数のノズル1a、1b、1cが提供され、第1のノズル1aは、基板(W)のエッジにドライアイス粒子のような粒子状洗浄媒体(以下、CO2粒子)を噴射するために基板収容部3の内側に提供される。第2のノズル1bは、基板(W)の前面にCO2粒子を噴射するために基板収容部3の内部上面に提供されて、第3のノズル1cは、基板(W)の背面にCO2粒子を噴射するために基板収容部3の内部下面に提供される。このような第1、第2及び第3のノズル1a、1b、1cは0.5乃至2mmの直径を有する。
【0035】
CO2粒子を用いた基板(W)のエッジ洗浄機能は、CO2の圧力及び温度変化による相変化(気相及び液相から固相への変化)により生成されたCO2粒子をノズル体1から基板へ噴射して洗浄する。CO2噴射による洗浄原理は、第1は慣性による衝突エネルギー、第2は基板(W)と膜との間の熱収縮の差、第3はCO2自体の溶解力による汚染源の溶解、最後は昇華時の嵩の膨張などであり、このような現象は、生成されたCO2粒子、即ち微粒子ドライアイスが基板(W)の表面と衝突する瞬間にノズル体1から噴射されるCO2の相変化(気相及び液相)により発生する。そのため、このようなCO2の各々の機能により、乾式エッチングの際、基板(W)のエッジ及び側面から発生されるポリマーのような汚染物が除去される。特に、CO2は、従来の洗浄方法に比べ環境親和的であると共に、工程の単純化が図れるだけではなく、自体的に炭化水素系の有機物に対しての優れた溶解力を有し洗浄力に優れている。
【0036】
CO2粒子を噴射するためのノズル体1の第1、第2、第3のノズル1a、1b、1cは図4に示されたようにライン8a、8b、8cを通じてメインライン16に連結されて、メインライン16はライン16a、16bを通じて洗浄媒体(ドライアイス)貯蔵タンク11とキャリヤガス貯蔵タンク17とに連結される。キャリヤガス貯蔵タンク17に収容されたキャリヤガスはN2ガスであり、このようなN2ガスは基板(W)のエッジ及び側部を洗浄するCO2粒子をノズル体1へ運搬する。
【0037】
キャリヤガス貯蔵タンク17に高圧で貯蔵されたN2ガスがライン16bを通じて噴射される時、ライン16bはライン連結部12で洗浄媒体貯蔵タンク11に連結されるライン16aと連結される。
【0038】
図5には図4に示した洗浄媒体貯蔵タンクとキャリヤガス貯蔵タンクの連結部分の分解斜視図が示されている。ライン連結部12は図5に示されたようにベースブロック21と第1及び第2のオリフィス/ベンチュリブロック22、23とを備える。ベースブロック21は洗浄媒体貯蔵タンク11に連結されるライン16aとキャリヤガス貯蔵タンク17に連結されるライン16bとが連結される。洗浄媒体貯蔵タンク11とライン16aとの間には洗浄媒体貯蔵タンク11に高圧で貯蔵されている洗浄媒体の圧力を比較的低圧の100乃至120psiの圧力に調整するためのレギュレータ24が提供される。このようなレギュレータ24の減圧調整により、洗浄媒体貯蔵タンク11に貯蔵されたドライアイスはスノー状態のCO2粒子として洗浄媒体貯蔵タンク11から噴射される。
【0039】
ベースブロック21は内部に管路21aが形成されており、このような管路21aは、ライン16a、16bが連結される二つの入口21b、21cと、第1及び第2のオリフィス/ベンチュリブロック22、23を通じてメインライン16が連結される一つの出口21dとを有する。キャリヤガス貯蔵タンク17から噴射されたキャリヤガス、即ちN2ガスと、洗浄媒体貯蔵タンク11から噴射された洗浄媒体、即ちCO2粒子とは、ベースブロック21の管路21a内で完全に混合され、第1及び第2のオリフィス/ベンチュリブロック22、23とライン16を通じてノズル体1に送られる。第1及び第2のオリフィス/ベンチュリブロック22、23には各々オリフィス/ベンチュリ管路22a、23aが形成される。従って、洗浄媒体貯蔵タンク11に貯蔵された洗浄媒体粒子は、このようなオリフィス/ベンチュリブロック22、23を通過する間にさらに凝結されて固化されることにより、CO2粒子がさらに大きくなる。そのため、新たに洗浄媒体の凝縮が起こると共にCO2粒子がさらに固化された状態でキャリヤガスにより比較的低圧にノズル体1へ運搬されることができる。
【0040】
一方、N2ガスのようなキャリヤガスを貯蔵するための容器は、高圧のN2ガスが貯蔵できるガスボンベであってもよく、キャリヤガスが一定圧力で貯蔵されるタンクであってもよい。キャリヤガスがタンクに貯蔵された時、キャリヤガスはポンプのような手段によりノズル体1へ供給されることができて、CO2粒子のような洗浄媒体はポンプによりポンピングされたキャリヤガス、即ちN2ガスと共にノズル体1に供給されることもできる。
【0041】
ノズル体1に提供されるノズル1a、1b、1cの噴射角度は1乃至120゜の範囲から選択することができて、スピンチャック10による回転速度により第1、第2及び第3のノズル1a、1b、1cがノズル体1に一つ以上基板の半径に沿って提供されることもできる。
【0042】
一方、ノズル体1は、第1、第2および第3のノズル1a、1b、1cから噴射されたCO2粒子が基板(W)の表面と衝突する間に気化されたCO2ガスを吸入して処理するための残留ガス吸入部7が提供される。残留ガス吸入部7は基板(W)のエッジ及び側部の洗浄後、CO2ガスまたは基板(W)の回転時に発生される回転気流などの周辺のあらゆる気流により発生される基板(W)の汚染を防止するように、ノズル体1のノズル1a、1b、1cと基板(W)の周囲の気流を吸入し排出する。また、各ノズル1a、1b、1cを通じて噴射されるCO2粒子の量及び噴射圧力は必要に応じ適切に調整することができる。
【0043】
図面に示された本発明の実施例では、第1ノズル1aと同心状に第1のノズル1aの周囲に残留ガス吸入部7が提供されて、残留ガス吸入部7はライン15を通じて残留ガス捕集タンク14に連結される。ノズル体1から噴射された残留ガスまたは気流に含まれた汚染物はライン15に設けられたポンプ13の作動により吸入され残留ガスタンク14に貯蔵される。このようなCO2及び残留ガスの処理により、残留ガスによる基板(W)の再汚染及び大気汚染を防止することができる。
【0044】
第1のノズル1aと同心状に第1のノズル1aの周囲に残留ガス吸入部7が提供された時、第1のノズル1aは、前記のように0.5乃至2mmの直径の内径部を有するチューブから形成され、ノズル体1に形成された残留ガス吸入部7を通じてノズル体1の後面から前面へ延びるように設けられて、チューブの後端にライン8aが連結される。また、第2及び第3のノズル1b、1cは、ノズル体1の前面に形成された基板収容部3の上部及び下部に前記のような直径で穿孔されるかまたは第1のノズル1aと同様に同一な直径の内径部を有するチューブから形成され、ライン8b、8cと連結される。
【0045】
図6a乃至図6cには本発明による基板エッジ洗浄装置を用いて基板のエッジを洗浄する段階が順次的に示されている。
【0046】
先ず、基板(W)のエッジを洗浄するために、ノズル体1が図3に示したように空気圧シリンダー2の前進作動により図3に示されたように基板エッジ洗浄位置に移動されると、第1のノズル及び第3のノズル1a、1cからCO2粒子が噴射され、図6aに示したように、基板(W)のエッジ及び背面がCO2粒子により洗浄される。第3のノズル1cからCO2粒子が噴射される位置は基板(W)のエッジから略3mm程度内側である。このような基板(W)の背面洗浄は、基板(W)の前面が背面に残留する汚染物により再び汚染されることを防止するためである。この際、第2のノズル1bからCO2粒子が噴射されることを防止するために、第2のノズル1bに連結されるライン8bに設けられたバルブ9bは閉鎖されている。
【0047】
一定の時間、第1及び第3のノズル1a、1cから噴射されるCO2粒子を用いて図6aに示されたような位置の基板(W)の洗浄が完了されると、第1及び第3のノズル1a、1cからCO2粒子を噴射しつづけながら、ノズル体1は空気圧シリンダー2の後退作動により後方に略3mm程度の距離を移動し、図6bに示されたように第2および第3のノズル1b、1cが基板(W)のエッジの上部及び下部に位置される。
【0048】
空気圧シリンダー2の後退作動により、第2及び第3のノズル1b、1cが基板(W)のエッジの上部及び下部に位置されると、第2のノズル1bに連結されるライン8bに設けられたバルブ9bが開放され、図6cに示されたように第1及び第3のノズル1a、1cと共に第2のノズル1bからもCO2粒子が噴射される。このような状態で一定時間経過すると、各ノズル1a、1b、1cに連結されたライン8a、8b、8cに設けられたバルブ9a、9b、9cが閉鎖され、ノズル1a、1b、1cからCO2粒子の噴射が中止されて、ノズル体1は空気圧シリンダー2の完全後退作動により基板(W)との干渉が防止されるように後退される。
【0049】
ノズル体1が前記のように空気圧シリンダー2の後退作動により基板(W)から完全に後退された時、エッジの洗浄された基板(W)は他の作業のためにクランプのような手段によりスピンチャック10から搬出されて、処理される新しい基板(W)が真空力によりスピンチャック10にチャッキングされる。
【0050】
本発明による基板エッジ洗浄装置は極低温のCO2粒子を用いた洗浄であるため、周辺環境に影響を及ぼす可能性がある。即ち、極低温のCO2粒子の噴射により、大気中の水分が物体に凝集され雫になる結露現象が発生する可能性があるため、周辺大気または局部的な大気の温度を制御できる温度制御装置が具備されてもよい。
【0051】
さらに、空気圧シリンダー2とライン8a、8b、8cに設けられたバルブ9a、9b、9cとは、洗浄装置の制御ユニットによりその作動が制御され、例えば基板(W)のチャッキング及び搬出、基板(W)の前面及び背面の洗浄のような洗浄装置の全体的な作動を制御する制御ユニットにより制御される。
【0052】
前記のような本発明による基板エッジ洗浄装置はまた、基板(W)の前面パターンに影響を与えない範囲内で基板(W)の前面洗浄と基板(W)のエッジ洗浄とを同時に行うことができる。
【0053】
前記のような本発明による基板エッジ洗浄装置によると、比較的簡単に構成され製造コストが低廉になると共に、洗浄装置が基板に直接的に接触しないため接触による基板の物理的な損傷を防止するだけではなく、基板エッジの洗浄による基板の逆汚染を防止し、基板の収率を高めることができる。
【0054】
以上、本発明を特定の望ましい一実施例を通じて記述したが、本発明は前述の実施例に限定されるものではなく、本発明が属する技術分野で通常の知識を有するものにより、特許請求範囲に記載された本発明の技術的範囲から外れることなしに、多様に変形及び変更することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来の基板洗浄装置を概略的に示した図である。
【図2a】 従来の基板エッジ洗浄装置の作動状態を概略的に示した図である。
【図2b】 従来の基板エッジ洗浄装置の作動状態を概略的に示した図である。
【図2c】 従来の基板エッジ洗浄装置の作動状態を概略的に示した図である。
【図3】 本発明による基板のエッジを洗浄するための装置の概略図である。
【図4】 図3に示された洗浄装置における洗浄媒体を基板の前面、背面及びエッジに噴射するためのノズル構成及びノズルに洗浄媒体を供給するための回路を示したブロック図である。
【図5】 図4に示された洗浄媒体貯蔵タンクとキャリヤガス貯蔵タンクとの連結部分の分解斜視図である。
【図6a】 本発明による基板エッジ洗浄装置を用いて基板エッジを洗浄する段階を順次的に示した図である。
【図6b】本発明による基板エッジ洗浄装置を用いて基板エッジを洗浄する段階を順次的に示した図である。
【図6c】本発明による基板エッジ洗浄装置を用いて基板エッジを洗浄する段階を順次的に示した図である。
Claims (17)
- 洗浄媒体が高圧に貯蔵される洗浄媒体貯蔵タンクと、
第1のラインを通じて前記洗浄媒体貯蔵タンクと連結されて、基板を固定し回転させるためのチャックの側部に提供され、前記第1のラインを通過する間に減圧され粒子化された洗浄媒体を基板の前面、背面及びエッジに噴射するためのものであって、基板のエッジ部分を収容する基板収容部と、基板のエッジに粒子状洗浄媒体を噴射するために前記基板収容部の内部側面に提供される第1のノズルと、基板の前面に粒子状洗浄媒体を噴射するために前記基板収容部の内部上面に提供される第2のノズルと、基板の背面に粒子状洗浄媒体を噴射するために前記基板収容部の内部下面に提供される第3のノズルとを有する洗浄媒体噴射ノズル体と、
前記第1のラインと連結される第2のラインが接続されて、粒子化された洗浄媒体を前記ノズル体に運搬するためのキャリヤガスを貯蔵するキャリヤガス貯蔵タンクと、
前記ノズル体を待機位置と洗浄位置との間で移動させるためのノズル体移動手段と、を含み、
前記第1及び第2のラインの連結されるライン連結部は、前記第1及び第2のラインが連結されるベースブロックと、前記ベースブロックと前記ノズル体との間に提供されるオリフィス又はベンチュリとを備えることを特徴とする、基板エッジ洗浄装置。 - 前記噴射ノズル体は、噴射された粒子状洗浄媒体から気化されたガス及び残留ガスを吸入して処理するための残留ガス吸入部が提供されることを特徴とする、請求項1に記載の基板エッジ洗浄装置。
- 前記粒子状洗浄媒体はドライアイス粒子(CO2粒子)であることを特徴とする、請求項1に記載の基板エッジ洗浄装置。
- 前記ノズルらは0.5乃至2mmの直径を有することを特徴とする、請求項1に記載の基板エッジ洗浄装置。
- 前記第1、第2および第3のノズルは各々前記ノズル体に一つ以上提供されることを特徴とする、請求項1に記載の基板エッジ洗浄装置。
- 前記ノズル体の移動手段は空気圧シリンダーであることを特徴とする、請求項1に記載の基板エッジ洗浄装置。
- 前記ノズル体の移動手段はステップモーターであることを特徴とする、請求項1に記載の基板エッジ洗浄装置。
- 前記粒子状洗浄媒体はキャリヤガスにより運搬されて前記ノズル体から噴射されることを特徴とする、請求項1に記載の基板エッジ洗浄装置。
- 前記キャリヤガスはN2ガスであることを特徴とする、請求項8に記載の基板エッジ洗浄装置。
- 洗浄媒体が高圧に貯蔵される洗浄媒体貯蔵タンクと、
第1のラインを通じて前記洗浄媒体貯蔵タンクと連結されて、基板を固定し回転させるためにスピンチャックの側部に提供され、前記第1のラインを通過する間に減圧され粒子化された洗浄媒体を基板の前面、背面及びエッジへ噴射するためのものであって、基板のエッジ部分を収容する基板収容部と、基板のエッジに粒子状洗浄媒体を噴射するために前記基板収容部の内部側面に提供される第1のノズルと、基板の前面に粒子状洗浄媒体を噴射するために前記基板収容部の内部上面に提供される第2のノズルと、基板の背面に粒子状洗浄媒体を噴射するために前記基板収容部の内部下面に提供される第3のノズルとを有する洗浄媒体噴射ノズル体と、
前記第1のラインと連結される第2のラインが接続されて、粒子状洗浄媒体を前記ノズル体に運搬するためのキャリヤガスを貯蔵するキャリヤガス貯蔵タンクと、
前記ノズル体を待機位置と洗浄位置との間で移動させるためのノズル体移動手段と、
前記ノズル体から噴射された粒子状洗浄媒体から気化されたガスを吸入し処理するための残留ガス吸入部とを含み、
前記第1及び第2のラインの連結されるライン連結部は、前記第1及び第2のラインが連結されるベースブロックと、前記ベースブロックと前記ノズル体との間に提供されるオリフィス又はベンチュリとを備えることを特徴とする、基板エッジ洗浄装置。 - 前記粒子状洗浄媒体はCO2粒子であり、前記キャリヤガスはN2ガスであることを特徴とする、請求項10に記載の基板エッジ洗浄装置。
- 前記ノズルらは0.5乃至2mmの直径を有することを特徴とする、請求項10に記載の基板エッジ洗浄装置。
- 前記第1、第2および第3のノズルは各々前記ノズル体に一つ以上提供されることを特徴とする、請求項10に記載の基板エッジ洗浄装置。
- 前記ノズル体の移動手段は空気圧シリンダーであることを特徴とする、請求項10に記載の基板エッジ洗浄装置。
- 前記ノズル体の移動手段はステップモーターであることを特徴とする、請求項10に記載の基板エッジ洗浄装置。
- 前記キャリヤガス貯蔵タンクは、N2ガスが高圧に貯蔵されるN2ガスボンベであることを特徴とする、請求項10に記載の基板エッジ洗浄装置。
- 前記キャリヤガス貯蔵タンクは、N2ガスが貯蔵されるキャリヤガス貯蔵タンクであり、前記キャリヤガス貯蔵タンクに貯蔵されたN2ガスはポンプにより高圧でポンピングされることを特徴とする、請求項10に記載の基板エッジ洗浄装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2000-0077114A KR100436361B1 (ko) | 2000-12-15 | 2000-12-15 | 기판 가장자리를 세정하기 위한 장치 |
PCT/KR2001/002169 WO2002049085A1 (en) | 2000-12-15 | 2001-12-14 | Apparatus for cleaning the edges of wafers |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004516651A JP2004516651A (ja) | 2004-06-03 |
JP4511114B2 true JP4511114B2 (ja) | 2010-07-28 |
Family
ID=19703124
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002550301A Expired - Lifetime JP4511114B2 (ja) | 2000-12-15 | 2001-12-14 | 基板エッジ洗浄装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7270136B2 (ja) |
JP (1) | JP4511114B2 (ja) |
KR (1) | KR100436361B1 (ja) |
CN (1) | CN1261982C (ja) |
WO (1) | WO2002049085A1 (ja) |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040149322A1 (en) * | 2003-01-31 | 2004-08-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Automatically-adjusting substrate rinsing system |
CA2539920A1 (en) * | 2003-10-08 | 2005-04-21 | Steag Hamatech Ag | Device and method for cleaning the edges of substrates |
CN100343957C (zh) * | 2003-12-25 | 2007-10-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶圆喷洗装置 |
JP4395012B2 (ja) * | 2004-06-09 | 2010-01-06 | 三菱電機株式会社 | パネル洗浄装置およびパネルの製造方法 |
KR100646417B1 (ko) * | 2004-10-15 | 2006-11-15 | 세메스 주식회사 | 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치 |
KR100795548B1 (ko) * | 2006-07-20 | 2008-01-21 | 주식회사 케이씨텍 | 노즐 세정 장치 및 이를 포함하는 슬릿 코터 |
JP4928343B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2012-05-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US20090273598A1 (en) * | 2008-05-01 | 2009-11-05 | M.E.P. Cad, Inc. | Methods and apparatuses for automatically converting objects in CAD drawing from two-dimensions to three-dimensions |
KR101052820B1 (ko) * | 2008-11-21 | 2011-07-29 | 세메스 주식회사 | 기판 검사 장치 및 이를 이용한 기판 검사 방법 |
US8658937B2 (en) | 2010-01-08 | 2014-02-25 | Uvtech Systems, Inc. | Method and apparatus for processing substrate edges |
GB2480873B (en) | 2010-06-04 | 2014-06-11 | Plastic Logic Ltd | Reducing defects in electronic apparatus |
US8415587B2 (en) * | 2010-12-03 | 2013-04-09 | Uvtech Systems, Inc. | Fiber-optic beam delivery system for wafer edge processing |
TW201250866A (en) * | 2010-12-17 | 2012-12-16 | Tazmo Co Ltd | Patterning method |
CN102214558A (zh) * | 2011-05-23 | 2011-10-12 | 叶伟清 | 晶圆表面局部定位清洗方法 |
CN102214553A (zh) * | 2011-05-23 | 2011-10-12 | 叶伟清 | 晶圆端面清洗方法 |
CN102214559A (zh) * | 2011-05-23 | 2011-10-12 | 叶伟清 | 晶圆亲水面表面清洗方法 |
CN102194726A (zh) * | 2011-05-23 | 2011-09-21 | 叶伟清 | 晶圆表面局部定位采样方法 |
CN102836844B (zh) * | 2011-06-20 | 2015-10-28 | 中国科学院微电子研究所 | 一种干冰微粒喷射清洗装置 |
WO2013040778A1 (en) * | 2011-09-22 | 2013-03-28 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Methods and apparatus for cleaning flip chip assemblies |
CN102886745B (zh) * | 2012-08-16 | 2016-08-17 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 基于热加速腐蚀的射流研抛机构 |
US9443714B2 (en) | 2013-03-05 | 2016-09-13 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for substrate edge cleaning |
CN103346108A (zh) * | 2013-06-27 | 2013-10-09 | 上海华力微电子有限公司 | 改善晶圆边缘光滑度的装置及方法 |
JP5651226B1 (ja) * | 2013-10-24 | 2015-01-07 | 株式会社ナガオカ製作所 | 基板の端面をクリーニングする装置 |
KR20160065226A (ko) * | 2014-11-07 | 2016-06-09 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
CN106486417B (zh) * | 2015-09-02 | 2019-07-23 | 无锡华润上华科技有限公司 | 提升晶边良率的方法 |
CN106783683B (zh) * | 2016-12-19 | 2019-08-09 | 安徽天裕汽车零部件制造有限公司 | 一种晶圆扫描清洗摆臂装置 |
CN107952770B (zh) * | 2017-12-04 | 2020-03-27 | 景德镇陶瓷大学 | 一种用于陶瓷仪器的清洗装置 |
NL2021701B1 (en) * | 2018-09-25 | 2020-05-07 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Edge bead removal system and method of treating a substrate |
CN109622515A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-04-16 | 北京长城华冠汽车科技股份有限公司 | 碳纤维复合材料产品表面脱模剂清洗工艺 |
JP7348021B2 (ja) * | 2019-10-15 | 2023-09-20 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
CN112024500B (zh) * | 2020-08-24 | 2022-04-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 清洗装置 |
CN112768376B (zh) * | 2020-12-30 | 2022-12-16 | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 | 一种晶圆清洗装置和晶圆清洗方法 |
CN115716245A (zh) * | 2022-11-24 | 2023-02-28 | 北京工业大学 | 一种直喷式薄膜铌酸锂脊波导侧壁的抛光方法 |
Family Cites Families (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02130922A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-18 | Toshiba Corp | 半導体基板エッチング装置 |
US5062898A (en) * | 1990-06-05 | 1991-11-05 | Air Products And Chemicals, Inc. | Surface cleaning using a cryogenic aerosol |
JPH04206521A (ja) | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Hitachi Ltd | 洗浄装置 |
US5782253A (en) * | 1991-12-24 | 1998-07-21 | Mcdonnell Douglas Corporation | System for removing a coating from a substrate |
JP2828891B2 (ja) * | 1993-01-27 | 1998-11-25 | 住友重機械工業株式会社 | 表面洗浄方法および表面洗浄装置 |
US5364474A (en) * | 1993-07-23 | 1994-11-15 | Williford Jr John F | Method for removing particulate matter |
US5608943A (en) * | 1993-08-23 | 1997-03-11 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for removing process liquid |
US5718763A (en) * | 1994-04-04 | 1998-02-17 | Tokyo Electron Limited | Resist processing apparatus for a rectangular substrate |
US5931721A (en) * | 1994-11-07 | 1999-08-03 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Aerosol surface processing |
JP3452676B2 (ja) * | 1995-02-15 | 2003-09-29 | 宮崎沖電気株式会社 | 半導体ウエハ面のパーティクルの除去装置及びそれを用いた半導体ウエハ面のパーティクルの除去方法 |
JPH08250455A (ja) * | 1995-02-15 | 1996-09-27 | Texas Instr Inc <Ti> | 化学機械的に研磨される半導体ウェーハ面から汚染粒子を除去する方法および装置 |
US5679062A (en) * | 1995-05-05 | 1997-10-21 | Ford Motor Company | CO2 cleaning nozzle and method with enhanced mixing zones |
US5616067A (en) * | 1996-01-16 | 1997-04-01 | Ford Motor Company | CO2 nozzle and method for cleaning pressure-sensitive surfaces |
KR0175278B1 (ko) * | 1996-02-13 | 1999-04-01 | 김광호 | 웨이퍼 세정장치 |
US5952050A (en) * | 1996-02-27 | 1999-09-14 | Micron Technology, Inc. | Chemical dispensing system for semiconductor wafer processing |
US6015467A (en) * | 1996-03-08 | 2000-01-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of removing coating from edge of substrate |
US5993552A (en) * | 1996-08-08 | 1999-11-30 | Tokyo Electron Ltd | Processing apparatus |
SG103277A1 (en) * | 1996-09-24 | 2004-04-29 | Tokyo Electron Ltd | Method and apparatus for cleaning treatment |
US5997653A (en) * | 1996-10-07 | 1999-12-07 | Tokyo Electron Limited | Method for washing and drying substrates |
US5937469A (en) * | 1996-12-03 | 1999-08-17 | Intel Corporation | Apparatus for mechanically cleaning the edges of wafers |
US5868857A (en) * | 1996-12-30 | 1999-02-09 | Intel Corporation | Rotating belt wafer edge cleaning apparatus |
JP2954059B2 (ja) * | 1997-01-09 | 1999-09-27 | 山形日本電気株式会社 | エッジリンス機構 |
JP3300624B2 (ja) * | 1997-01-24 | 2002-07-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板端面の洗浄方法 |
US5853128A (en) * | 1997-03-08 | 1998-12-29 | Bowen; Howard S. | Solid/gas carbon dioxide spray cleaning system |
US5822818A (en) * | 1997-04-15 | 1998-10-20 | Hughes Electronics | Solvent resupply method for use with a carbon dioxide cleaning system |
TW419716B (en) * | 1997-04-28 | 2001-01-21 | Tokyo Electron Ltd | Processing apparatus |
JPH11625A (ja) | 1997-06-13 | 1999-01-06 | Mitsubishi Materials Corp | ウェーハの洗浄装置 |
US5868003A (en) * | 1997-07-14 | 1999-02-09 | Praxair Technology, Inc. | Apparatus for producing fine snow particles from a flow liquid carbon dioxide |
JP3265237B2 (ja) * | 1997-08-01 | 2002-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板縁部の薄膜除去装置 |
TW385489B (en) * | 1997-08-26 | 2000-03-21 | Tokyo Electron Ltd | Method for processing substrate and device of processing device |
US6398975B1 (en) * | 1997-09-24 | 2002-06-04 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate |
US6332470B1 (en) * | 1997-12-30 | 2001-12-25 | Boris Fishkin | Aerosol substrate cleaner |
JPH11300293A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-02 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 表面洗浄装置 |
US6202658B1 (en) * | 1998-11-11 | 2001-03-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning the edge of a thin disc |
KR100294496B1 (ko) * | 1999-01-29 | 2001-07-12 | 김순택 | 음극선관용 훼이스 패널 세정장치 |
US6523553B1 (en) * | 1999-03-30 | 2003-02-25 | Applied Materials, Inc. | Wafer edge cleaning method and apparatus |
JP3298564B2 (ja) * | 1999-06-14 | 2002-07-02 | 日本電気株式会社 | 映像再生装置及び映像再生装置制御用プログラムを記憶した記憶媒体 |
KR100328640B1 (ko) * | 1999-06-21 | 2002-03-20 | 오자와 미토시 | 표면세정방법 및 장치 |
US6516815B1 (en) * | 1999-07-09 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module |
US6676757B2 (en) * | 1999-12-17 | 2004-01-13 | Tokyo Electron Limited | Coating film forming apparatus and coating unit |
US6565920B1 (en) * | 2000-06-08 | 2003-05-20 | Honeywell International Inc. | Edge bead removal for spin-on materials containing low volatility solvents fusing carbon dioxide cleaning |
US6453916B1 (en) * | 2000-06-09 | 2002-09-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Low angle solvent dispense nozzle design for front-side edge bead removal in photolithography resist process |
-
2000
- 2000-12-15 KR KR10-2000-0077114A patent/KR100436361B1/ko active IP Right Grant
-
2001
- 2001-12-14 CN CNB018206921A patent/CN1261982C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-12-14 US US10/450,430 patent/US7270136B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-14 WO PCT/KR2001/002169 patent/WO2002049085A1/en active Application Filing
- 2001-12-14 JP JP2002550301A patent/JP4511114B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004516651A (ja) | 2004-06-03 |
WO2002049085A1 (en) | 2002-06-20 |
US20040035450A1 (en) | 2004-02-26 |
US7270136B2 (en) | 2007-09-18 |
KR20020046782A (ko) | 2002-06-21 |
CN1261982C (zh) | 2006-06-28 |
KR100436361B1 (ko) | 2004-06-18 |
CN1481580A (zh) | 2004-03-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4511114B2 (ja) | 基板エッジ洗浄装置 | |
KR101277614B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
JP5789598B2 (ja) | 粘弾性洗浄材料を使用して基板上の粒子を除去するための方法 | |
JP2002043267A (ja) | 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び基板処理装置 | |
JP3343013B2 (ja) | 基板洗浄方法及びその装置 | |
US20080105653A1 (en) | Apparatus and methods for Cleaning and Drying of wafers | |
TW201738003A (zh) | 基板洗淨裝置、基板洗淨方法、基板處理裝置及基板乾燥裝置 | |
EP0423761A2 (en) | Apparatus and method for particle removal by forced fluid convection | |
JP2001033165A (ja) | 乾燥用ノズルおよびこれを用いた乾燥装置ならびに洗浄装置 | |
JP7224403B2 (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 | |
JP5730298B2 (ja) | 粒子汚染物除去方法およびそのシステム | |
CN109048644B (zh) | 晶圆的处理装置及处理方法、化学机械抛光系统 | |
US9799536B2 (en) | Apparatus and method for cleaning flat objects in a vertical orientation with pulsed liquid jet | |
JP2010186901A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
CN100375226C (zh) | 具角度的旋转、清洗、及干燥模组与其制造及实施方法 | |
US6560809B1 (en) | Substrate cleaning apparatus | |
JP2959763B1 (ja) | ウェーハ洗浄装置 | |
JP7290695B2 (ja) | 超音波洗浄装置および洗浄具のクリーニング装置 | |
CN113471108B (zh) | 一种基于马兰戈尼效应的晶圆竖直旋转处理装置 | |
US7010826B2 (en) | Substrate cleaning tool and substrate cleaning apparatus | |
JPH0555267B2 (ja) | ||
JPH10335283A (ja) | 洗浄設備及び洗浄方法 | |
JP2020184581A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2543007B2 (ja) | ウエ−ハ枚葉洗浄装置 | |
JP4330209B2 (ja) | 基板の洗浄方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041207 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070619 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070918 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100318 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100325 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100325 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100506 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4511114 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |