JPH0459770B2 - - Google Patents
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- JPH0459770B2 JPH0459770B2 JP17409986A JP17409986A JPH0459770B2 JP H0459770 B2 JPH0459770 B2 JP H0459770B2 JP 17409986 A JP17409986 A JP 17409986A JP 17409986 A JP17409986 A JP 17409986A JP H0459770 B2 JPH0459770 B2 JP H0459770B2
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- Japan
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- semiconductor wafer
- cleaning
- wafer
- ice
- ice particles
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- Expired
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Landscapes
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、半導体ウエハの洗浄方法に関する
ものである。
ものである。
［従来の技術］
第３図を参照して、従来の半導体ウエハの洗浄
方法が概略的に図解されている。半導体ウエハ２
１の表面に超純水がジエツトノズル２２によつて
噴付けられる。これと同時に、矢印Ｒの方向に回
転しているブラシ２３を矢印Ｔの方向でウエハ表
面にスライドさせることによつて、ウエハ表面の
汚染粒子などを洗浄除去している。
方法が概略的に図解されている。半導体ウエハ２
１の表面に超純水がジエツトノズル２２によつて
噴付けられる。これと同時に、矢印Ｒの方向に回
転しているブラシ２３を矢印Ｔの方向でウエハ表
面にスライドさせることによつて、ウエハ表面の
汚染粒子などを洗浄除去している。
［発明が解決しようとする問題点］
第３図に示されたような従来のウエハ洗浄方法
においては、(1)約10μｍ以下の超微細な汚染粒子
などの洗浄除去が困難であり、(2)洗浄ブラシの摩
耗によつてウエハに汚染が生じることがあり、(3)
ブラシの摩耗による静電気が発生して洗浄効果を
低下させるなどの不都合があつた。
においては、(1)約10μｍ以下の超微細な汚染粒子
などの洗浄除去が困難であり、(2)洗浄ブラシの摩
耗によつてウエハに汚染が生じることがあり、(3)
ブラシの摩耗による静電気が発生して洗浄効果を
低下させるなどの不都合があつた。
したがつて、本発明は、超微細な汚染粒子など
の洗浄除去を効果的に達成し得るとともに、ブラ
シの摩耗による汚染やブラシの摩擦による静電気
の発生などを排除し得るウエハ洗浄方法を提供す
ることを目的としている。
の洗浄除去を効果的に達成し得るとともに、ブラ
シの摩耗による汚染やブラシの摩擦による静電気
の発生などを排除し得るウエハ洗浄方法を提供す
ることを目的としている。
［問題点を解決するための手段］
本発明のウエハ洗浄方法は、半導体ウエハ表面
に氷の粒子を噴射し、同時に、ウエハおよび氷の
粒子の噴射雰囲気の温度を調節して氷の粒子の粒
径を制御しながらウエハを洗浄する。
に氷の粒子を噴射し、同時に、ウエハおよび氷の
粒子の噴射雰囲気の温度を調節して氷の粒子の粒
径を制御しながらウエハを洗浄する。
［作用］
本発明のウエハ洗浄方法において、噴射された
氷の粒子はウエハ表面上の微細粒子を効果的に吹
き飛ばすとともにウエハ表面を摩擦して付着して
いる汚れを除去し、さらに氷の溶けた水は汚染物
質の溶媒として作用する。
氷の粒子はウエハ表面上の微細粒子を効果的に吹
き飛ばすとともにウエハ表面を摩擦して付着して
いる汚れを除去し、さらに氷の溶けた水は汚染物
質の溶媒として作用する。
［発明の実施例］
第１図を参照して、本発明のウエハ洗浄方法の
好ましい一実施例が概略的に図解されている。た
とえば、断面が400×400mm2で高さが1200mmの容器
１は、液体窒素源２から供給された液体窒素３に
よつて高さ500mmまで満されている。この液体窒
素３において、散気管４から窒素ガスを300／
m2・minの割合で噴き出すことによつて、液体窒
素３の表面に数mmの波を生じさせる。この窒素ガ
スは液体窒素源２から熱交換器５を介して与えら
れる。一方、容器１の上部に設けられたノズル６
には、純水源７から2.0Kg／cm2Ｇの圧力と0.1／
minの流量で純水が供給されるとともに、2.0
Kg／cm2Ｇの圧力と8N／minの流量で窒素ガス
が供給される。そして、純水がノズル６から霧状
に噴射される。こうして、液体窒素３内に噴射さ
れた純水の霧は瞬時に微細な氷の粒子８となる。
上記の噴射条件では、約20μｍレベルの氷粒子が
形成されるが、これらの微細な氷の粒子は純水の
噴射条件や液体窒素中の滞在時間などを調節する
ことによつて種々に制御することができる。
好ましい一実施例が概略的に図解されている。た
とえば、断面が400×400mm2で高さが1200mmの容器
１は、液体窒素源２から供給された液体窒素３に
よつて高さ500mmまで満されている。この液体窒
素３において、散気管４から窒素ガスを300／
m2・minの割合で噴き出すことによつて、液体窒
素３の表面に数mmの波を生じさせる。この窒素ガ
スは液体窒素源２から熱交換器５を介して与えら
れる。一方、容器１の上部に設けられたノズル６
には、純水源７から2.0Kg／cm2Ｇの圧力と0.1／
minの流量で純水が供給されるとともに、2.0
Kg／cm2Ｇの圧力と8N／minの流量で窒素ガス
が供給される。そして、純水がノズル６から霧状
に噴射される。こうして、液体窒素３内に噴射さ
れた純水の霧は瞬時に微細な氷の粒子８となる。
上記の噴射条件では、約20μｍレベルの氷粒子が
形成されるが、これらの微細な氷の粒子は純水の
噴射条件や液体窒素中の滞在時間などを調節する
ことによつて種々に制御することができる。
こうして製造された氷の粒子８は、たとえばス
クリユーフイーダ９によつてホツパ１０内に輸送
される。ホツパ１０内の氷粒子は次にブラスト装
置１１に供給される。このブラスト装置１１はた
とえば高圧気体エジエクタ方式のものであつて、
５Kg／cm2Ｇの高圧で1Nm3／minの流量の窒素ガ
スによつて、氷粒子を0.3／minの割合で噴射
させる。このとき、温風器１４ａによつて５−80
℃の清浄な一定の温風１５をウエハ１２および氷
粒子の噴射雰囲気に供給する。高圧エジエクタ１
１から噴射される氷の粒子の表面層はこの温風中
を通過する際に一部が溶解され、もとの粒径の1/
１０〜1/100になる。このように、噴射雰囲気の温
度を適切に調節することにより、氷粒子の粒径を
さらに微細に制御することができ、ウエハ１２の
表面に付着しているサブミクロンオーダの汚染粒
子１３や汚れを洗浄除去することができる。
クリユーフイーダ９によつてホツパ１０内に輸送
される。ホツパ１０内の氷粒子は次にブラスト装
置１１に供給される。このブラスト装置１１はた
とえば高圧気体エジエクタ方式のものであつて、
５Kg／cm2Ｇの高圧で1Nm3／minの流量の窒素ガ
スによつて、氷粒子を0.3／minの割合で噴射
させる。このとき、温風器１４ａによつて５−80
℃の清浄な一定の温風１５をウエハ１２および氷
粒子の噴射雰囲気に供給する。高圧エジエクタ１
１から噴射される氷の粒子の表面層はこの温風中
を通過する際に一部が溶解され、もとの粒径の1/
１０〜1/100になる。このように、噴射雰囲気の温
度を適切に調節することにより、氷粒子の粒径を
さらに微細に制御することができ、ウエハ１２の
表面に付着しているサブミクロンオーダの汚染粒
子１３や汚れを洗浄除去することができる。
この場合、微細な汚染粒子や汚れを微細な氷粒
子の衝撃によつて効果的に吹き飛ばしながら、溶
解した水は汚染物質の溶媒として作用する。この
ように、従来の洗浄ブラシを全く使用しないの
で、ブラシの摩耗による汚染や帯電性のブラシの
摩擦による静電気の発生から解放される。
子の衝撃によつて効果的に吹き飛ばしながら、溶
解した水は汚染物質の溶媒として作用する。この
ように、従来の洗浄ブラシを全く使用しないの
で、ブラシの摩耗による汚染や帯電性のブラシの
摩擦による静電気の発生から解放される。
第２図は本発明のもう１つの実施例を示してお
り、温風器１４ａの代わりにホツトプレート１４
ｂが用いられていることを除けば第１図の実施例
と同様である。ウエハ１２はホツトプレート１４
ｂ上に配置されて、室温から200℃のウエハ温度
に制御される。こうして、ウエハ洗浄に作用する
氷の微粒子の強度や粒径を制御して、微細な汚染
粒子１３や汚れを洗浄除去する。
り、温風器１４ａの代わりにホツトプレート１４
ｂが用いられていることを除けば第１図の実施例
と同様である。ウエハ１２はホツトプレート１４
ｂ上に配置されて、室温から200℃のウエハ温度
に制御される。こうして、ウエハ洗浄に作用する
氷の微粒子の強度や粒径を制御して、微細な汚染
粒子１３や汚れを洗浄除去する。
本発明のさらにもう１つの実施例によれば、超
純水に炭酸ガスを含ませることによつて1MΩ・
cm以下の比抵抗に下げられた水から製造された氷
粒子を噴射する。この場合、この低抵抗の水が静
電気を解放するように作用するので、洗浄時にお
ける帯電の問題を一層心配のないものにする。さ
らに、炭酸ガスを含む水は生菌の排除により効果
的である。
純水に炭酸ガスを含ませることによつて1MΩ・
cm以下の比抵抗に下げられた水から製造された氷
粒子を噴射する。この場合、この低抵抗の水が静
電気を解放するように作用するので、洗浄時にお
ける帯電の問題を一層心配のないものにする。さ
らに、炭酸ガスを含む水は生菌の排除により効果
的である。
［発明の効果］
以上のように、本発明によれば、微細な氷粒子
の噴射雰囲気の温度を調節することによつて氷粒
子の粒径を制御し、微細な氷粒子の衝撃によつて
ウエハ表面上の微細な汚染粒子や汚れを摩擦除去
して吹き飛ばしながら、溶解した水は汚染物質の
溶媒として作用するので、優れた洗浄効果が得ら
れる。また、従来の洗浄ブラシを全く使用しない
ので、ブラシの摩耗による汚染や帯電性のブラシ
の摩擦から生じる静電気の発生による洗浄効果の
低下から解放される。
の噴射雰囲気の温度を調節することによつて氷粒
子の粒径を制御し、微細な氷粒子の衝撃によつて
ウエハ表面上の微細な汚染粒子や汚れを摩擦除去
して吹き飛ばしながら、溶解した水は汚染物質の
溶媒として作用するので、優れた洗浄効果が得ら
れる。また、従来の洗浄ブラシを全く使用しない
ので、ブラシの摩耗による汚染や帯電性のブラシ
の摩擦から生じる静電気の発生による洗浄効果の
低下から解放される。
第１図は本発明の一実施例を概略的に図解して
いる。第２図は本発明のもう１つの実施例を概略
的に図解している。第３図は従来のウエハ洗浄方
法を概略的に図解している。 図において、１は製氷容器、２は液体窒素源、
３は液体窒素、４は散気管、５は熱交換機、６は
ノズル、７は純水源、８は氷粒子、９はスクリユ
ーフイーダー、１０はホツパ、１１はブラスト装
置、１２は半導体ウエハ、１３は汚染粒子、１４
ａは温風器、１４ｂはホツトプレート、１５は温
風を示す。なお各図において同一符号は同一内容
または相当部分を示す。
いる。第２図は本発明のもう１つの実施例を概略
的に図解している。第３図は従来のウエハ洗浄方
法を概略的に図解している。 図において、１は製氷容器、２は液体窒素源、
３は液体窒素、４は散気管、５は熱交換機、６は
ノズル、７は純水源、８は氷粒子、９はスクリユ
ーフイーダー、１０はホツパ、１１はブラスト装
置、１２は半導体ウエハ、１３は汚染粒子、１４
ａは温風器、１４ｂはホツトプレート、１５は温
風を示す。なお各図において同一符号は同一内容
または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体ウエハの洗浄において、 前記半導体ウエハ表面に氷の粒子を噴射し、 同時に、前記ウエハおよび前記氷の粒子の噴射
雰囲気の温度を調整することによつて、前記氷の
粒子の粒径を制御しながら前記ウエハを洗浄する
ことを特徴とする半導体ウエハの洗浄方法。 ２ 前記ウエハおよび前記氷の粒子の噴射雰囲気
の温度は温風機によつて調整されることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体ウエハの
洗浄方法。 ３ 前記ウエハおよび前記氷の粒子の噴射雰囲気
の温度はホツトプレートによつて調整されること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
ウエハの洗浄方法。 ４ 前記ウエハおよび前記氷粒子の噴射雰囲気の
温度は温風機およびホツトプレートによつて調整
されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の半導体ウエハの洗浄方法。 ５ 前記温風機からの温風の温度は５−80℃の範
囲で調整されることを特徴とする特許請求の範囲
第２項または第４項記載の半導体ウエハの洗浄方
法。 ６ 前記ホツトプレートによつて、前記ウエハの
温度は室温から200℃の間で調整されることを特
徴とする特許請求の範囲第３項または第４項記載
の半導体ウエハの洗浄方法。 ７ 前記氷の粒子はガスの噴流によつて噴射され
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
第６項のいずれかの項に記載の半導体ウエハの洗
浄方法。 ８ 前記氷の粒子は1μｍ〜５mmの粒径であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第７
項記載の半導体ウエハの洗浄方法。 ９ 前記氷は超純水の氷であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項ないし第８項のいずれかの
項に記載された半導体ウエハの洗浄方法。 １０ 前記氷は超純水に炭酸ガスが混入された水
の氷であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項ないし第８項のいずれかの項に記載された半導
体ウエハの洗浄方法。 １１ 前記超純水に炭酸ガスが混入された水は
1MΩ・cm以下の比抵抗を有することを特徴とす
る特許請求の範囲第１０項記載の半導体ウエハの
洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17409986A JPS6329515A (ja) | 1986-07-22 | 1986-07-22 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17409986A JPS6329515A (ja) | 1986-07-22 | 1986-07-22 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6329515A JPS6329515A (ja) | 1988-02-08 |
| JPH0459770B2 true JPH0459770B2 (ja) | 1992-09-24 |
Family
ID=15972630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17409986A Granted JPS6329515A (ja) | 1986-07-22 | 1986-07-22 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6329515A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0243730A (ja) * | 1988-08-04 | 1990-02-14 | Taiyo Sanso Co Ltd | 半導体ウエハの洗浄装置 |
| JPH02130921A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-18 | Taiyo Sanso Co Ltd | 固体表面洗浄装置 |
| JPH02270322A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-05 | Taiyo Sanso Co Ltd | 半導体ウェハの洗浄装置 |
| JPH03116832A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-17 | Mitsubishi Electric Corp | 固体表面の洗浄方法 |
| US6676766B2 (en) * | 2000-05-02 | 2004-01-13 | Sprout Co., Ltd. | Method for cleaning a substrate using a sherbet-like composition |
| JP4639452B2 (ja) * | 2000-09-26 | 2011-02-23 | ダイキン工業株式会社 | 基板洗浄方法およびその装置 |
| CN115415220B (zh) * | 2022-08-30 | 2023-08-22 | 江苏龙升药业有限公司 | 一种可连续对姜黄清洗的设备及清洗方法 |
-
1986
- 1986-07-22 JP JP17409986A patent/JPS6329515A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6329515A (ja) | 1988-02-08 |
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