JPH04188828A - 基板洗浄装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ この発明は基板洗浄装置に関するものであり、特に、微
細な氷粒子を噴射し、基板に当てることにより、基板上
の異物を除去する基板洗浄装置に関するものである。

［従来の技術］ 第３図は、従来の基板洗浄装置の概略図である。

基板洗浄装置は、製氷部１と洗浄部１５とからなる。

製氷部１は、内壁部３と外壁部５とからなる。

外壁部５の内側に内壁部３が設けられている。内壁部３
と外壁部５との間は、断熱効果を高めるため真空となっ
ている。内壁部３には、内壁部３内に超純水１３を微噴
霧するためのスプレー式ノズル１１が取付けられている
。

洗浄部１５内には、噴射ガン１９が取付けられている。

噴射ガン１９と内壁部３とは、配管１７によって連通し
ている。内壁部３内で生成された微細な氷粒子９は配管
１７を通って、噴射ガン１９に導かれる。

第４図は、噴射ガン１９の先端部付近の断面図である。

噴射ガン１９の材質は、ステンレスである。噴射ガン１
９は、窒素ガス２３の噴流を噴射ガン１９内に流し、そ
れによって、氷粒子９を噴射するのである。氷粒子９を
噴射させるガスとして、他に、乾燥空気等がある。

噴射ガン１９の噴射速度は、窒素ガス２３の噴射圧によ
って制御される。噴射ガン１９の噴射の広がりは、噴射
ガン１９の先端部２０の形状によって決定される。

従来の基板洗浄装置の動作について、第３図を用いて説
明する。洗浄部１５に、半導体基板２１を載置する。半
導体基板２１は、薄膜形成等の処理が行なわれる前のも
のである。まず、超純水１３をスプレー式ノズル１１を
用いて、内壁部３内に微噴霧する。微噴霧された超純水
を、液体窒素７によって冷却し、微細な氷粒子９にする
。氷粒子９は、配管１７を通って噴射ガン１９に導かれ
る。

噴射ガン１９に、窒素ガス２３の噴流を流して、それに
よって、氷粒子９を半導体基板２１に向けて噴射する。

噴射された氷粒子９が、半導体基板・２１に衝突するこ
とにより、半導体基板２１に付着している異物が除去さ
れる。また、氷粒子９は半導体基板２１と衝突すること
により飛砕するが、飛砕したものが半導体基板２１と衝
突し、これにより半導体基板２１上の異物が除去される
。

［発明が解決しようとする課題］ 第４図に示す噴射ガン１９の先端部２０では、氷粒子９
が高速（１００〜３００ｍ／５ｅｃ）で通過する。この
ため、先端部２０の内面が氷粒子９によって削られる。

そして、削られたものが洗浄後の半導体基板２１に付着
することがあった。

この状態で半導体装置を製造すると、半導体装置が不良
品となる可能性がある。

また、半導体基板２１上に柔らかい薄膜（たとえばアル
ミニウム）を形成後、洗浄を行なう場合、氷粒子９の衝
突によって被洗浄物表面が損傷する可能性があった。こ
のような状態で半導体装置を製造すると、半導体装置が
不良品となる可能性がある。

この発明はかかる従来の問題点を解決するためになされ
たものである。この発明の目的は、氷粒子が噴射ガンの
内面を削るのを抑制し、かつ、氷粒子が被洗浄物に損傷
を与えるのを抑制することができる、基板洗浄装置を提
供することである。

「課題を解決するための手段」 基板洗浄装置は、微細な氷粒子を噴射し、基板に当てる
ことにより、基板上の異物を除去する。

この発明に従った基板洗浄装置は、微細な氷粒子を生成
する製氷部と、微細な氷粒子の表面を溶融させるための
加熱手段と、表面が溶融している微細な氷粒子を、基板
に向けて噴射する噴射装置と、を備えている。

［作用コ この発明に従った基板洗浄装置によれば、加熱手段によ
って、氷粒子の表面を溶融させている。

氷粒子が噴射ガン内部の壁面と衝突する際、氷粒子の表
面がその衝撃を緩和している。よって、噴射ガン内部が
削れるのを抑制できる。同様の理由で被洗浄物の損傷を
抑制することができる。なお、基板には、薄膜形成後の
基板も含まれる。

［実施例コ この発明に従った基板洗浄装置の一実施例を以下説明す
る。第１図は、この発明に従った基板洗浄装置の一実施
例の概略図である。この発明に従った基板洗浄装置の一
実施例は、製氷部１と洗浄部１５とを備えている。

製氷部１は、内壁部３と外壁部５とからなる。

外壁部５内に内壁部３が設けられている。内壁部３と外
壁部５との間は真空となっている。内壁部３には、内壁
部３内に超純水を微噴霧するためのスプレー式ノズル１
１が取付けられている。

洗浄部１５内には、噴射ガン１９が設けられている。噴
射ガン１９と内壁部３とは、配管１７によって連通して
いる。配管１７には、分断されている箇所があり、そこ
に断熱材２５が取付けられている。第２図は、断熱材２
５付近の断面図である。断熱材２５を取付けている理由
は後で説明する。

噴射ガン１９には、加熱ヒータ２７が取付けられている
。加熱ヒータ２７によって、氷粒子９の表面を溶融する
。加熱ヒータ２７の温度は、温度制御部２９によって制
御する。加熱ヒータ２７によって、配管１７に熱が伝わ
るから、断熱材２５を設けることによって、熱が製氷部
１に伝達されるのを防いでいる。

この発明に従った基板洗浄装置の一実施例の動作を、第
１図を用いて説明する。スプレー式ノズル１１によって
、内壁部３内に超純水１３を微噴霧する。微噴霧された
超純水１３を、液体窒素７によって冷却し、微細な氷粒
子９を精製する。

生成された氷粒子９は、配管１７を通って噴射ガン１９
に導かれる。噴射ガン１９内に導かれた氷粒子９を加熱
ヒータ２７によって加熱する。これにより氷粒子９の表
面が溶融する。表面が溶融している氷粒子９を、窒素ガ
ス２３を用いて半導体基板２１上に向けて噴射する。氷
粒子９の表面が溶融しているので、噴射ガン１９の内部
が削れるのを抑制することができる。また、半導体基板
２１の損傷も抑制することができる。

この実施例においては、配管エフに断熱材２５を取付け
ている。しかしながら、この発明においてはこれに限定
されるわけではなく、加熱ヒータ２７から発生する熱が
、製氷部１まで伝わらなければ、断熱材２５を設けなく
てもよい。

この実施例においては薄膜形成前の半導体基板２１の洗
浄を行なっている。しかしながら、この発明においては
これに限定されるわけではなく、薄膜形成後の半導体基
板を洗浄してもよい。アルミニウム等柔らかい薄膜を形
成した段階で洗浄する場合に、特に、この発明は有効で
ある。

この実施例においては、半導体基板２１の洗浄を行なっ
ている。しかしながら、この発明においっでもよい。

［効果］ この発明に従った基板洗浄装置においては、加熱手段を
用いて、氷粒子の表面を溶融させて、表面が溶融してい
る氷粒子を基板に向けて噴射し、基板の洗浄を行なって
いる。氷粒子が噴射装置内部と衝突する際、氷粒子の表
面がその衝撃を緩和している。このため、噴射装置内部
が削れるのを抑制することができる。よって、噴射装置
の内部が削れることによる発塵を抑えることができる。

したがって、発塵が原因となって半導体装置が不良品と
なる可能性が低くなる。

また、氷粒子の表面は、氷粒子と基板との衝突による衝
撃を緩和している。したがって、氷粒子の衝突による基
板表面の損傷の発生の可能性を低くすることができる。

よって、基板表面が損傷していることにより、半導体装
置が不良品となる可能性を低くすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明に従った基板洗浄装置の一実施例の
概略図である。 箪２図は、断熱材付近の断面図である。 第３図は、従来の基板洗浄装置の概略図である。 第４図は、噴射ガン１９の先端部付近の断面図である。 図において、１は製氷部、９は氷粒子、１９は噴射ガン
、２１は半導体基板、２７は加熱ヒータを示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 微細な氷粒子を噴射し、基板に当てることにより、前記
   基板上の異物を除去する基板洗浄装置であって、 前記微細な氷粒子を生成する製氷部と、 前記微細な氷粒子の表面を溶融させるための加熱手段と
   、 表面が溶融している前記微細な氷粒子を、前記基板に向
   けて噴射する噴射装置と、 を備えた、基板洗浄装置