KR101338298B1 - 세정액 제조장치 - Google Patents

세정액 제조장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101338298B1
KR101338298B1 KR1020120073958A KR20120073958A KR101338298B1 KR 101338298 B1 KR101338298 B1 KR 101338298B1 KR 1020120073958 A KR1020120073958 A KR 1020120073958A KR 20120073958 A KR20120073958 A KR 20120073958A KR 101338298 B1 KR101338298 B1 KR 101338298B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
raw water
gas
liquid
dissolution
cleaning liquid
Prior art date
Application number
KR1020120073958A
Other languages
English (en)
Inventor
주병선
이병현
Original Assignee
주식회사 프록스코리아
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 프록스코리아 filed Critical 주식회사 프록스코리아
Priority to KR1020120073958A priority Critical patent/KR101338298B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101338298B1 publication Critical patent/KR101338298B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F23/00—Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
    • B01F23/20—Mixing gases with liquids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/40—Specific cleaning or washing processes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

용해부에서 초순수 등의 세정액 원수에 이산화탄소 등의 비저항 감소용 기체를 용해시켜서 용해액을 만든 후 혼합부에서 용해액을 초순수 등의 세정액 원수와 혼합하여 소정의 요구되는 비저항값을 가지는 세정액을 만듦으로써 세정액의 비저항값의 조절이 용이한 세정액 제조장치를 개시한다.
본 발명의 일실시예에 따른 세정액 제조장치는 원수 공급원(400)과 기체 공급원(500)에 연결되며 유입된 세정액 원수에 기체를 용해하여 소정의 요구되는 비저항값보다 비저항값이 낮은 용해액을 만든 후 배출하도록 구성된 용해부(200); 및 원수 공급원(400)과 상기 용해부(200)에 연결되며 유입된 세정액 원수에 상기 용해부(200)에서 만들어진 용해액을 혼합하여 소정의 요구되는 비저항값을 가지는 세정액을 만든 후 배출하도록 구성된 혼합부(300); 를 포함하여 구성되며, 상기 용해부(200)에 유입된 세정액 원수에 용해되지 못한 기체가 소정 유량 외부로 계속 배출되도록 구성되고, 상기 용해부(200)에는 세정액 원수에 용해되지 못한 기체가 배출되는 기체 배출라인(L2')이 연결되고 상기 기체 배출라인(L2')에는 모세관(CP)이 구비되며, 상기 기체 배출라인(L2')에는 액체 배출라인(L2")의 일측과 타측이 각각 연결되고 상기 액체 배출라인(L2")에는 밸브(V)가 구비되어 상기 기체 배출라인(L2')에 존재하는 액체가 외부로 배출되도록 할 수 있다.

Description

세정액 제조장치{APPARATUS FOR MANUFACTURING CLEANING LIQUID}
본 발명은 세정을 위해서 웨이퍼 등의 피세정물에 분사시 마찰에 의한 정전기의 발생이 억제되도록 비교적 작은 비저항값을 가지는 세정액을 제조하여 공급하는 세정액 제조장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 용해부에서 초순수 등의 세정액 원수에 이산화탄소 등의 비저항 감소용 기체를 용해시켜서 용해액을 만든 후 혼합부에서 용해액을 초순수 등의 세정액 원수와 혼합하여 소정의 요구되는 비저항값을 가지는 세정액을 만듦으로써 세정액의 비저항값의 조절이 용이한 세정액 제조장치에 관한 것이다.
반도체는 '웨이퍼'라고 불리우는 기판이 증착공정(Deposition Process)과 사진공정(Photolithography Process) 및 식각공정(Etching Process) 등을 반복적으로 거치면서 제조된다.
이러한 반도체 제조공정 중에는 공정 후 부산물 내지는 파티클 등의 이물질이 생성되고 이러한 이물질은 웨이퍼 표면에 부착된다. 웨이퍼 표면에 이물질이 부착되면, 후속 공정의 진행을 방해하며 제품 완성 후 불량을 초래하게 된다.
웨이퍼 표면에 부착된 이물질을 제거하기 위해서, 각 공정 후에는 웨이퍼 표면을 세정하게 된다. 그리고, 웨이퍼 표면을 세정하는 방법은 제조공정과 이물질의 종류에 따라 화학물질을 이용하는 방법, 가스 플라즈마로 처리하는 방법, 자외선과 오존을 조사하는 방법, 브러쉬를 이용하는 방법 등 여러 가지가 있다. 이러한 방법 중 하나로 회전하는 웨이퍼 표면에 세정액을 고압으로 분사하여 웨이퍼 표면으로부터 이물질을 제거하는 방법이 있다.
이물질을 제거하기 위해서 웨이퍼 표면에 분사되는 세정액으로는 일반적으로 초순수(De-Ionized Water)를 사용한다. 그러나, 이러한 초순수는 그 비저항값이 18MΩ·cm 이상으로 비교적 크다. 이에 따라, 초순수가 그대로 웨이퍼 표면에 고압으로 분사되면, 웨이퍼 표면과 마찰하게 되어 초순수와 웨이퍼 표면이 대전(帶電) 된다. 즉, 초순수는 전기적으로 양으로 대전되고, 웨이퍼 표면은 전기적으로 음으로 대전되어 정전기가 발생한다.
이와 같이 웨이퍼 표면이 대전되어 정전기가 발생하면, 웨이퍼에 형성된 반도체 소자나 회로패턴 등에 정전기에 의한 전류가 흐르게 되어, 반도체 소자나 회로패턴 등이 절연파괴된다는 문제점이 있다. 또한, 웨이퍼 표면이 대전되어 정전기가 발생하면, 정전기에 의해서 웨이퍼 표면에 분진 등이 부착된다는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해서, 종래에는 세정액으로 사용되는 초순수 등의 비저항값을 소정 값 이하로 낮춘 후 웨이퍼 표면에 분사하여 웨이퍼 표면이 대전되어 정전기가 발생하지 않도록 하였다. 그리고, 세정액의 비저항값을 소정 값 이하로 낮추기 위해서, 세정액으로 사용되는 초순수에 이산화탄소 등의 비저항 감소용 기체를 용해시켰다.
이를 위해서, 종래의 세정액 제조장치는 세정액으로 사용되는 초순수가 유입되도록 구성된 챔버 또는 탱크에 이산화탄소 등의 비저항 감소용 기체가 공급되도록 하여, 세정액으로 사용되는 초순수에 비저항 감소용 기체가 용해되도록 함으로써 세정액의 비저항값을 소정 값 이하로 낮추었다.
그리고, 이러한 구성의 종래 세정액 제조장치에서는 세정액의 비저항값을 조절하기 위해서 세정액으로 사용되는 초순수 등에 용해되는 비저항 감소용 기체의 양을 조절하였다. 또한, 이를 위해서 세정액 제조장치에 공급되는 이산화탄소 등의 비저항 감소용 기체의 공급유량을 조절하였고, 기체의 공급유량을 조절하기 위해서 기체의 공급압력을 조절하였다.
한편, 근래에는 반도체의 집적도가 점점 높아지고 있기 때문에, 세정액의 요구되는 비저항값도, 예컨대 1MΩ·㎝ 이하로 점점 낮아지고 있다. 그러나, 종래의 세정액 제조장치에서는 전술한 바와 같이 비저항 감소용 기체의 공급압력의 조절에 따른 공급유량의 조절에 의해서 세정액의 비저항값을 조절하기 때문에, 세정액의 비저항값 조절이 용이하지 못하다는 문제점이 있다.
예컨대, 비저항 감소용 기체의 공급압력이 달라서 공급유량이 달라진다고 하더라도, 세정액으로 사용되는 초순수 등에 용해되는 비저항 감소용 기체의 용해량은 같을 수 있다. 그리고, 비저항 감소용 기체의 공급압력이 같아서 비저항 감소용 기체의 공급유량이 같은 경우에도, 세정액으로 사용되는 초순수 등에 용해되는 비저항 감소용 기체의 용해량이 달라질 수 있다.
이와 같이, 세정액으로 사용되는 초순수 등에 용해되는 비저항 감소용 기체의 양의 조절이 어렵기 때문에, 세정액의 비저항값 조절이 용이하지 못하다는 문제점이 있다. 이에 의해서, 소정의 요구되는 비저항값을 가지는 세정액의 제조가 용이하지 못하다는 문제점이 있다.
또한, 이러한 문제점의 해결을 위해서 정확한 유량의 비저항 감소용 기체를 세정액 제조장치에 공급하기 위해서는 정밀한 기체유량의 조절이 가능한 고가의 유량조절밸브를 사용해야한다는 문제점이 있다.
그리고, 이와 같이 세정액의 비저항값 조절이 어렵기 때문에, 시간과 구간에 따른 세정액의 비저항값 변동도 크다는 문제점이 있다. 예컨대, 어떤 시간과 구간에서는 세정액의 비저항값이 요구되는 비저항값을 가지지만, 어떠한 시간과 구간에서는 세정액의 비저항값이 요구되는 비저항값보다 높은 비저항값을 가질 수 있다. 특히, 세정액의 웨이퍼 등의 피세정물에의 분사 시작시와 분사 중지시에 세정액의 비저항값의 변동이 크다는 문제점이 있다.
이에 따라, 세정액의 분사에 따른 웨이퍼 표면의 대전방지가 잘 이루어지지 않는다는 문제점이 있다. 그리고, 이에 의해서 웨이퍼 표면에의 정전기 발생 방지가 잘 이루어지지 않아서, 웨이퍼에 형성된 반도체 소자나 회로패턴 등의 절연파괴 방지가 잘 이루어지지 않는다는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 세정액 제조장치에서 발생하는 요구 또는 문제들 중 적어도 어느 하나를 인식하여 이루어진 것이다.
본 발명의 목적의 일 측면은 세정액의 비저항값의 조절이 용이하게 이루어지도록 하는 것이다.
본 발명의 목적의 다른 측면은 세정액의 비저항값을 소정의 요구되는 값 이하로 용이하게 조절할 수 있도록 하는 것이다.
본 발명의 목적의 또 다른 측면은 세정액의 분사 시작시 또는 분사 중지시에 세정액의 비저항값의 변동이 감소되도록 하는 것이다.
본 발명의 목적의 또 다른 측면은 세정액의 비저항값이 소정의 요구되는 값 이하로 비교적 일정하게 유지되도록 하는 것이다.
상기 과제들 중 적어도 하나의 과제를 실현하기 위한 일실시 형태와 관련된 세정액 제조장치는 다음과 같은 특징을 포함할 수 있다.
본 발명은 기본적으로 용해부에서 초순수 등의 세정액 원수에 이산화탄소 등의 비저항 감소용 기체를 용해시켜서 용해액을 만든 후 혼합부에서 용해액을 초순수 등의 세정액 원수와 혼합하여 세정액을 만들면서 세정액의 비저항값을 조절하는 것을 기초로 한다.
본 발명의 일실시 형태에 따른 세정액 제조장치는 원수 공급원과 기체 공급원에 연결되며 유입된 세정액 원수에 기체를 용해하여 소정의 요구되는 비저항값보다 비저항값이 낮은 용해액을 만든 후 배출하도록 구성된 용해부; 및 원수 공급원과 용해부에 연결되며 유입된 세정액 원수에 용해부에서 만들어진 용해액을 혼합하여 소정의 요구되는 비저항값을 가지는 세정액을 만든 후 배출하도록 구성된 혼합부; 를 포함하여 구성되며, 용해부에 유입된 세정액 원수에 용해되지 못한 기체가 소정 유량 외부로 계속 배출되도록 구성되고, 용해부에는 세정액 원수에 용해되지 못한 기체가 배출되는 기체 배출라인이 연결되고 기체 배출라인에는 모세관이 구비되며, 기체 배출라인에는 액체 배출라인의 일측과 타측이 각각 연결되고 액체 배출라인에는 밸브가 구비되어 기체 배출라인에 존재하는 액체가 외부로 배출되도록 할 수 있다.
이 경우, 상기 혼합부는 용해부가 연결된 원수 공급원에 연결될 수 있다.
또한, 상기 혼합부는 용해부와 원수 공급원에 연결된 제1원수공급라인에서 분지된 제2원수공급라인에 연결될 수 있다.
그리고, 원수 공급원으로부터 용해부로 공급되는 세정액 원수의 유량과 원수 공급원으로부터 혼합부로 공급되는 세정액 원수의 유량을 조절하여 혼합부에서 만들어지는 세정액의 비저항값을 조절할 수 있다.
또한, 상기 용해부는 원수 공급원과 기체 공급원에 연결되는 용해부본체; 및 용해부본체에 구비되며 세정액 원수에 기체가 용해되도록 하는 용해부재; 를 포함할 수 있다.
그리고, 상기 용해부재는 중공사(中空絲) 막을 포함할 수 있다.
또한, 상기 혼합부는 원수 공급원과 용해부본체에 연결되는 혼합부본체; 를 포함할 수 있다.
그리고, 상기 용해부본체와 혼합부본체는 용해액 배출라인에 의해서 연결될 수 있다.
또한, 상기 혼합부본체 내부에 용해부본체가 구비되어 용해부본체가 혼합부본체에 연결될 수 있다.
그리고, 상기 혼합부는 용해부본체 내부에 형성될 수 있다.
삭제
삭제
삭제
그리고, 상기 혼합부에서 배출되는 세정액이 피세정물에 분사되지 않아도 소정 유량 외부로 계속 배출되도록 구성될 수 있다.
또한, 상기 혼합부에 연결되어 세정액이 배출되는 세정액 배출라인에는 세정액 드레인 라인이 연결되어 세정액이 소정 유량 외부로 계속 배출될 수 있다.
그리고, 상기 세정액 원수는 초순수일 수 있다.
또한, 상기 기체는 이산화탄소일 수 있다.
이상에서와 같이 본 발명의 실시예에 따르면, 용해부에서 초순수 등의 세정액 원수에 이산화탄소 등의 비저항 감소용 기체를 용해시켜서 용해액을 만든 후 혼합부에서 용해액을 초순수 등의 세정액 원수와 혼합하여 세정액을 만들면서 세정액의 비저항값을 조절함으로써 세정액의 비저항값을 용이하게 조절할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 세정액의 비저항값을 소정의 요구되는 값 이하로 용이하게 조절할 수 있다.
그리고 또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 세정액의 분사 시작시 또는 분사 중지시에 세정액의 비저항값이 변동되는 것을 감소할 수 있다.
그리고 또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 세정액의 비저항값이 소정의 요구되는 값 이하로 비교적 일정하게 유지되도록 할 수 있다.
그리고 또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 웨이퍼 등의 피세정물에 세정액이 분사되어도 세정액과 피세정물이 대전되지 않아 정전기가 발생되지 않음으로써 피세정물에 절연파괴가 발생하지 않거나 피세정물에 분진이 부착되지 않을 수 있어서 생산성이 향상될 수 있다.
도1은 본 발명에 따른 세정액 제조장치의 일실시예의 구성과 작동을 나타내는 도면이다.
도2는 도1의 본 발명에 따른 세정액 제조장치의 용해부를 나타내는 도면이다.
도3은 도1의 본 발명에 따른 세정액 제조장치의 혼합부를 나타내는 도면이다.
도4는 본 발명에 따른 세정액 제조장치의 다른 실시예의 구성과 작동을 나타내는 도면이다.
도5는 본 발명에 따른 세정액 제조장치의 또 다른 실시예의 구성과 작동을 나타내는 도면이다.
도6은 도5의 본 발명에 따른 세정액 제조장치의 또 다른 실시예의 용해부와 혼합부를 나타내는 도면이다.
도7 내지 도9는 본 발명에 따른 세정액 제조장치에서 기체 배출라인을 통해 배출되는 기체의 유량과 세정액 배출라인을 통해 배출되는 세정액의 비저항값과의 상관관계를 나타내는 그래프이다.
도10은 본 발명에 따른 세정액 제조장치에서 기체 배출라인을 통해 기체가 배출되는 상태에서 제1원수공급라인에 유입되는 원수의 유량과 세정액 배출라인을 통해 배출되는 세정액의 비저항값과의 상관관계를 나타내는 그래프이다.
상기와 같은 본 발명의 특징들에 대한 이해를 돕기 위하여, 이하 본 발명의 실시예와 관련된 세정액 제조장치에 대하여 보다 상세하게 설명하도록 하겠다.
이하, 설명되는 실시예들은 본 발명의 기술적인 특징을 이해시키기에 가장 적합한 실시예들을 기초로 하여 설명될 것이며, 설명되는 실시예들에 의해 본 발명의 기술적인 특징이 제한되는 것이 아니라, 이하, 설명되는 실시예들과 같이 본 발명이 구현될 수 있다는 것을 예시하는 것이다. 따라서, 본 발명은 아래 설명된 실시예들을 통해 본 발명의 기술 범위 내에서 다양한 변형 실시가 가능하며, 이러한 변형 실시예는 본 발명의 기술 범위 내에 속한다 할 것이다. 그리고, 이하, 설명되는 실시예의 이해를 돕기 위하여 첨부된 도면에 기재된 부호에 있어서, 각 실시예에서 동일한 작용을 하게 되는 구성요소 중 관련된 구성요소는 동일 또는 연장 선상의 숫자로 표기하였다.
본 발명과 관련된 실시예들은 기본적으로 용해부에서 초순수 등의 세정액 원수에 이산화탄소 등의 비저항 감소용 기체를 용해시켜서 용해액을 만든 후 혼합부에서 용해액을 초순수 등의 세정액 원수와 혼합하여 소정의 요구되는 비저항값을 가지는 세정액을 만드는 것을 기초로 한다.
도1과 도4 및 도5에 도시된 실시예와 같이 본 발명에 따른 세정액 제조장치(100)는 용해부(200)와 혼합부(300)를 포함하여 구성될 수 있다.
용해부(200)는 원수 공급원(400)과 기체 공급원(500)에 연결될 수 있다. 그리고, 유입된 세정액 원수에 기체를 용해하여 비저항값이 낮은, 예컨대 비저항값이 0.03MΩ·㎝의 용해액을 만든 후 배출하도록 구성될 수 있다. 이를 위해서, 용해부(200)는 도1과 도2, 도4 내지 도6에 도시된 실시예와 같이 용해부본체(210)와 용해부재(220)를 포함할 수 있다.
용해부본체(210)는 원수 공급원(400)과 기체 공급원(500)에 연결될 수 있다. 이를 위해서, 도1과 도4 및 도5에 도시된 실시예와 같이 용해부본체(210)에는 원수 유입구(211)가 구비될 수 있다. 그리고, 원수 공급원(400)에 연결된 제1원수공급라인(L1)이 용해부본체(210)의 원수 유입구(211)에 연결될 수 있다. 또한, 도시된 실시예와 같이 용해부본체(210)에는 기체 유입구(213)가 구비될 수 있다. 그리고,기체 공급원(500)에 연결된 기체 공급라인(L2)이 용해부본체(210)의 기체 유입구(213)에 연결될 수 있다.
제1원수공급라인(L1)에는 도1과 도4 및 도5에 도시된 실시예와 같이 밸브(V)가 구비될 수 있다. 제1원수공급라인(L1)에 구비되는 밸브(V)는, 예컨대 니들밸브일 수 있다. 그러나, 이러한 밸브(V)는 니들밸브에 특별히 한정되지 않고, 주지의 밸브라면 어떠한 밸브라도 가능하다.
이러한 구성에 의해서, 제1원수공급라인(L1)의 밸브(V)가 열리면 원수 공급원(400)의 세정액 원수가 제1원수공급라인(L1)을 유동하여 원수 유입구(211)를 통해 용해부본체(210)에 유입될 수 있다. 그리고, 밸브(V)를 수동 또는 자동으로 조작하여 용해부본체(210)에 유입되는 세정액 원수의 유량을 조절할 수 있다.
또한, 도1과 도4 및 도5에 도시된 실시예와 같이 기체 공급라인(L2)에는 밸브(V)와 레귤레이터(RG)가 구비될 수 있다. 기체 공급라인(L2)에 구비되는 밸브(V)와 레귤레이터(RG)는 특별히 한정되지 않고, 주지의 밸브(V)와 레귤레이터(RG)라면 어떠한 것이라도 가능하다.
이러한 구성에 의해서, 기체 공급라인(L2)의 밸브(V)가 열리면 기체 공급원(500)의 기체가 기체 공급라인(L2)을 유동하여 기체 유입구(213)를 통해 용해부본체(210)에 유입될 수 있다. 그리고, 레귤레이터(RG)를 수동 또는 자동으로 조작하여 용해부본체(210)에 유입되는 기체의 유량을 조절할 수 있다.
원수 공급원(400)의 세정액 원수는, 예컨대 초순수(De-Ionized Water)일 수 있다. 그러나, 원수 공급원(400)의 세정액 원수는 초순수에 한정되지 않고, 세정액 원수가 가능한 것이라면 이외에 주지의 어떠한 것이라도 가능하다. 또한, 기체 공급원(500)의 기체는, 예컨대 이산화탄소일 수 있다. 그러나, 기체 공급원(500)의 기체는 이산화탄소에 한정되지 않고, 용해부(200)에 유입된 초순수 등의 세정액 원수에 용해되어 세정액 원수의 비저항을 감소시킬 수 있는 기체라면, 수소 등 주지의 어떠한 기체라도 가능하다.
도1과 도2, 도4 내지 도6에 도시된 실시예와 같이 용해부재(220)는 용해부본체(210)에 구비될 수 있다. 이러한 용해부재(220)는 용해부본체(210)에 유입된 세정액 원수에 용해부본체(210)에 유입된 기체가 용해되도록 할 수 있다. 이를 위해서, 용해부재(220)는 중공사(中空絲) 막을 포함할 수 있다.
이러한 구성에 의해서, 도1과 도2, 도4 내지 도6에 도시된 바와 같이 원수 유입구(211)를 통해 용해부본체(210)에 유입된 원수 공급원(400)의 세정액 원수는 중공사 막을 포함하는 용해부재(220)를 유동할 수 있다. 또한, 기체 유입구(213)를 통해 용해부본체(210)에 유입된 기체도 도시된 바와 같이 중공사 막을 포함하는 용해부재(220)에 유입될 수 있다.
중공사 막을 포함하는 용해부재(220)에 유입된 세정액 원수는 중공사 막을 관통하여 유동하지는 못하고 중공사 막에 형성된 중공(中孔) 또는 중공사 막 사이를 유동한다. 그러나, 중공사 막을 포함하는 용해부재(220)에 유입된 기체는 중공사 막을 관통하여 유동할 수 있다.
이에 따라, 중공사 막을 포함하는 용해부재(220)를 유동하는 세정액 원수에 이산화탄소 등의 비저항 감소용 기체가 용이하게 용해될 수 있다. 이에 의해서, 세정액 원수의 유량에 관계없이 세정액 원수에 포화될 정도로 기체가 용해될 수 있다. 그리고, 이와 같이 포화될 정도로 세정액 원수에 이산화탄소 등의 비저항 감소용 기체가 용해되어 만들어진 용해액의 비저항값은, 예컨대 0.03MΩ·㎝로 매우 낮을 수 있다.
도1과 도2, 도4에 도시된 바와 같이 용해부재(220)를 통해 만들어진 용해액은 용해부본체(210)에 구비된 배출구(212)를 통해 외부, 즉 혼합부(300)로 배출될 수 있다. 또한, 용해액은 도5와 도6에 도시된 바와 같이 용해부본체(210)에 형성된 혼합부(300)로 배출될 수도 있다.
용해부재(220)의 구성은 전술한 바와 같이 중공사 막을 포함하는 구성에 한정되지 않고, 세정액 원수에 기체가 용해되어 비저항값이 낮은 용해액이 만들어지는 구성이라면 주지의 어떠한 구성이라도 가능하다.
한편, 도1과 도4 및 도5에 도시된 실시예와 같이 용해부(200)에 유입된 세정액 원수에 용해되지 못한 기체가 외부로 계속 배출되도록 구성될 수 있다. 이에 따라, 용해부(200), 즉 용해부(200)의 용해부본체(210)에는 기체가 세정액 원수에 용해됨에 따라 기체의 양이 감소되지 않고, 소정의 일정한 양의 기체가 항상 존재할 수 있다.
이를 위해서, 용해부(200)에는 기체 배출라인(L2')이 연결될 수 있다. 도1과 도4 및 도5에 도시된 실시예와 같이 용해부(200)의 용해부본체(210)에는 기체 배출구(214)가 구비될 수 있다. 그리고, 기체 배출라인(L2')은 기체 배출구(214)에 연결될 수 있다. 또한, 기체 배출라인(L2')에는 도시된 실시예와 같이 모세관(CP)이 구비될 수 있다.
이러한 구성에 의해서, 세정액 원수에 용해되지 못한 기체가 기체 배출라인(L2')을 통해 외부로 배출될 수 있다. 이러한 기체 배출라인(L2')은 도1과 도4 및 도5에 도시된 실시예와 같이 기체 드레인원(500')에 연결될 수 있다. 그리고, 기체 드레인원(500')은 전술한 기체 공급원(500)이 될 수도 있다. 그러나, 기체 드레인원(500')은 이에 한정되지 않고, 기체가 드레인되는 것이라면 드레인 탱크 등 주지의 어떠한 것이라도 가능하다. 또한, 기체 배출라인(L2')에 구비되는 모세관(CP)의 크기를 조절하면, 기체 배출라인(L2')을 통해 배출되는 기체의 유량을 조절할 수 있다.
한편, 도7 내지 도9는 본 발명에 따른 세정액 제조장치(100)에서 기체 배출라인(L2')을 통해 배출되는 기체의 유량과 세정액 배출라인(L4)을 통해 배출되는 세정액의 비저항값과의 상관관계를 나타내는 그래프이다.
도7 내지 도9의 경우 모두 비저항 감소용 기체로 탄산가스를 사용하였으며, 비저항 감소용 기체의 압력은 0.05MPa, 제1원수공급라인(L1)을 통해 유입되는 세정액 원수의 온도는 24℃ 내지 25℃, 그리고 세정액 원수의 유량은 5L/min로 하였고, 요구되는 비저항값은 0.18MΩ·㎝로 하였다.
도7은 기체 배출라인(L2')을 통해 비저항 감소용 기체를 전혀 배출하지 않았을 때를 나타내며, 이 경우에는 세정액 배출라인(L4)을 통해 배출되는 세정액의 비저항값이 초기에는 요구되는 비저항값인 0.18MΩ·㎝이었다가 시간이 지남에 따라 0.30MΩ·㎝까지 점점 상승됨을 알 수 있다.
도8은 기체 배출라인(L2')을 통해 배출되는 비저항 감소용 기체의 유량이 10ml/min 일 때이고, 이 경우에는 세정액 배출라인(L4)을 통해 배출되는 세정액의 비저항값이 초기에는 요구되는 비저항값인 0.18MΩ·㎝이었다가 시간이 지남에 따라 0.19MΩ·㎝까지 상승됨을 알 수 있다.
도9는 기체 배출라인(L2')을 통해 배출되는 비저항 감소용 기체의 유량이 30ml/min 일 때이며, 이 경우에는 세정액 배출라인(L4)을 통해 배출되는 세정액의 비저항값이 0.18MΩ·㎝로 일정하게 됨을 알 수 있다.
이를 통해서, 기체 배출라인(L2')을 통해 비저항 감소용 기체를 배출하면 세정액 배출라인(L4)을 통해 배출되는 세정액의 비저항값이 안정됨을 알 수 있다.
또한, 도10은 본 발명에 따른 세정액 제조장치(100)의 경우 기체 배출라인(L2')을 통해 비저항 감소용 기체가 배출되는 상태에서 제1원수공급라인(L1)에 유입되는 세정액 원수의 유량과 세정액 배출라인(L4)을 통해 배출되는 세정액의 비저항값과의 상관관계를 나타내는 그래프이다.
도10의 경우 비저항 감소용 기체로 탄산가스를 사용하였으며, 비저항 감소용 기체의 압력은 0.05MPa, 제1원수공급라인(L1)을 통해 유입되는 세정액 원수의 온도는 24℃ 내지 25℃, 그리고 기체 배출라인(L2')을 통해 배출되는 비저항 감소용 기체의 유량은 30ml/min로 하였고, 요구되는 비저항값은 0.18MΩ·㎝로 하였다. 그리고, 제1원수공급라인(L1)에 유입되는 세정액 원수의 유량을 도시된 바와 같이 5L/min 내지 18L/min로 변동하였다.
이를 통해서, 기체 배출라인(L2')을 통해 비저항 감소용 기체를 배출하면, 제1원수공급라인(L1)에 유입되는 세정액 원수의 유량이 변동되어도 세정액 배출라인(L4)으로 배출되는 세정액의 비저항값이 거의 변동되지 않음을 알 수 있다.
즉, 기체 배출라인(L2')을 통해서 비저항 감소용 기체를 소정 유량 배출하면, 세정액 배출라인(L4)으로 배출되는 세정액의 비저항값이 안정됨을 알 수 있다. 이는 비저항 감소용 기체가 정지한 상태보다 유동하는 상태에서 세정액 원수에 더 잘 용해되기 때문으로 사료된다.
도1과 도4 및 도5에 도시된 실시예와 같이, 기체 배출라인(L2')에는 액체 배출라인(L2")의 일측과 타측이 각각 연결될 수 있다. 그리고, 액체 배출라인(L2")에는 도시된 실시예와 같이 밸브(V)가 구비될 수 있다. 이에 따라, 액체 배출라인(L2")의 밸브(V)가 열리면, 기체 배출라인(L2')에 존재하는 액체, 예컨대 기체 배출라인(L2')을 유동하는 기체에 의해서 기체 배출라인(L2')에 생성되는 응결수나 용해부(200)의 용해부본체(210)가 파손되어 기체 배출라인(L2')에 유입되는 세정액 원수 등의 액체가 액체 배출라인(L2")을 유동하여 외부로 배출될 수 있다.
혼합부(300)는 원수 공급원(400)과 용해부(200)에 연결될 수 있다. 그리고, 유입된 세정액 원수에 용해부(200)에서 만들어진 용해액, 즉 비저항값이 낮은 용해액을 혼합하여 소정의 요구되는 비저항값을 가지는 세정액을 만든 후 배출하도록 구성될 수 있다.
이와 같이, 포화될 정도로 기체가 용해되어 비저항값이 예컨대, 0.03MΩ·㎝ 정도로 매우 낮아진 용해액에 세정액 원수를 혼합하여 소정의 요구되는 비저항값, 예컨대 1MΩ·㎝을 가지는 세정액을 만들기 때문에, 종래의 세정액에 용해되는 기체의 공급유량을 조절하여 세정액의 비저항값을 조절하는 구성보다 세정액의 비저항값의 조절이 용이할 수 있다. 그리고, 이에 의해서 세정액의 비저항값을 소정의 요구되는 값, 예컨대 1MΩ·㎝이하로 용이하게 조절할 수 있다.
이를 위해서, 원수 공급원(400)으로부터 용해부(200)로 공급되는 세정액 원수의 유량과 원수 공급원(400)으로부터 혼합부(300)로 공급되는 세정액 원수의 유량을 조절하여 혼합부(300)에서 만들어지는 비저항값을 조절할 수 있다.
예컨대, 소정 유량의 세정액 원수를 원수 공급원(400)으로부터 용해부(200)로 공급하여 0.03MΩ·㎝의 비저항값을 가지는 용해액을 만들 수 있다. 그리고, 이러한 비저항값이 낮은 용해액을 혼합부(300)로 공급하고 소정 유량의 세정액 원수를 원수 공급원(400)으로부터 혼합부(300)로 공급하여 용해액과 혼합함으로써 소정의 요구되는 비저항값을 가지는 세정액을 만들 수 있다.
한편, 혼합부(300)는 용해부(200)가 연결된 원수 공급원(400)에 연결될 수 있다. 이를 위해서, 혼합부(300)는 용해부(200)와 원수 공급원(400)에 연결된 제1원수공급라인(L1)에서 분지된 제2원수공급라인(L1')에 연결될 수 있다.
이에 따라, 도1과 도4 및 도5에 도시된 바와 같이 제1원수공급라인(L1)을 유동하는 원수공급원(400)의 세정액 원수의 일부는 계속 제1원수공급라인(L1)을 유동하여 용해부(200)의 용해부본체(210)의 원수 유입구(211)를 통해 용해부본체(210)에 유입될 수 있다. 그리고, 제1원수공급라인(L1)을 유동한 원수 공급원(400)의 세정액 원수의 나머지 일부는 제1원수공급라인(L1)과 제2원수공급라인(L1')을 유동하여 혼합부(300)에 유입될 수 있다.
이러한 구성에서는 제1원수공급라인(L1)에 구비된 밸브(V)를 수동 또는 자동으로 조작하여, 원수 공급원(400)으로부터 용해부(200)로 공급되는 세정액 원수의 유량과 원수 공급원(400)으로부터 혼합부(300)로 공급되는 세정액 원수의 유량을 조절하여 혼합부(300)에서 만들어지는 세정액의 비저항값을 조절할 수 있다.
예컨대, 제1원수공급라인(L1)을 유동하는 세정액 원수의 유량이 10이라면 1 이나 2, 3 또는 4의 유량은 계속 제1원수공급라인(L1)을 유동하여 용해부본체(210)에 유입되도록 할 수 있다. 이에 따라, 기체 공급라인(L2)을 통해 용해부본체(210)에 유입된 기체가 용해부본체(210)에 유입된 세정액 원수에 포화되도록 용해되어, 전술한 바와 같이 비저항값이 0.03MΩ·㎝인 용해액을 만들 수 있다.
또한, 9 나 8, 7 또는 6의 유량은 제2원수공급라인(L1')을 유동하여 혼합부(300)에 유입되도록 할 수 있다. 따라서, 용해부본체(210)로부터 유입된, 예컨대 비저항값이 0.03MΩ·㎝인 용해액과 혼합부(300)에 유입된, 예컨대 비저항값이 18MΩ·㎝인 세정액 원수가 혼합되어 소정의 요구되는 비저항값, 예컨대 1MΩ·㎝을 가지는 세정액이 만들어질 수 있다.
이러한 구성의 경우, 용해부본체(210)로 유입되는 세정액 원수의 유량이 많아진다고 하더라도, 기체가 포화될 정도로 용해되기 때문에 세정액 원수에 용해되는 기체의 양도 많아져서, 용해부본체(210)에서 만들어지는 용해액의 비저항값은, 예컨대 0.03MΩ·㎝ 정도를 유지하게 된다. 그러나, 혼합부(300)에 유입되는 세정액 원수의 유량은 작아지기 때문에, 혼합부(300)에서 만들어지는 세정액의 비저항값은 커질 수 있다.
또한, 이와는 반대로 용해부본체(210)로 유입되는 세정액 원수의 유량이 작아지면, 세정액 원수에 용해되는 기체의 양도 작아지고 혼합부(300)에 유입되는 세정액 원수의 유량은 많아지기 때문에, 혼합부(300)에서 만들어지는 세정액의 비저항값은 작아질 수 있다.
이러한 관계에 의해서, 제1원수공급라인(L1)의 밸브(V)를 수동 또는 자동으로 조작하여 용해부본체(210)에 유입되는 세정액 원수의 유량과 혼합부(300)에 유입되는 세정액 원수의 유량을 조절함으로써 혼합부(300)에서 만들어지는 세정액의 비저항값을 용이하게 조절할 수 있다. 그리고, 세정액의 비저항값을 소정의 요구되는 값, 예컨대 1MΩ·㎝ 이하로 용이하게 조절할 수 있다.
이를 위해서, 도1과 도5에 도시된 실시예와 같이 혼합부(300)에 연결되어 세정액이 배출되는 세정액 배출라인(L4) 또는 도4에 도시된 실시예와 같이 세정액 배출라인(L4)에 연결되어 세정액이 배출되는 세정액 드레인 라인(L5)에는 비저항계(S)가 구비될 수 있다. 이에 따라, 비저항계(S)에서 측정되는 세정액의 비저항값에 따라 제1원수공급라인(L1)의 밸브(V)를 전술한 바와 같이 수동 또는 자동으로 조작할 수 있다. 그리고, 용해부(200)로 공급되는 세정액 원수의 유량과 혼합부(300)로 공급되는 세정액 원수의 유량을 조절함으로써, 혼합부(300)에서 만들어지는 세정액의 비저항값을 조절할 수 있다.
한편, 혼합부(300)는 전술한 바와 같이 용해부(200)에 연결된 원수 공급원(400)이 아닌 별도의 원수 공급원(400)에 연결될 수도 있다.
혼합부(300)는 도1과 도3 및 도4에 도시된 실시예와 같이 혼합부본체(310)를 포함할 수 있다. 또한, 도5와 도6에 도시된 실시예와 같이 혼합부(300)는 용해부본체(210) 내부에 형성될 수도 있다.
혼합부(300)에 혼합부본체(310)를 포함하는 경우에, 혼합부본체(310)는 도1과 도3에 도시된 실시예와 같이 일측이 개방된 본체부재(311)와, 본체부재(311)의 개방된 일측을 덮는 덮개부재(312)를 포함할 수 있다. 본체부재(311)와 덮개부재(312)는 도시된 실시예와 같이 나사결합될 수 있다. 그리고, 본체부재(311)에는 도시된 실시예와 같이 밀봉부재(R)가 구비될 수 있다. 이에 따라, 혼합부본체(310)의 내부가 외부와 밀봉될 수 있다. 그러나, 혼합부본체(310)의 구성은 특별히 한정되지는 않는다.
도1과 도3 및 도4에 도시된 실시예와 같이 이러한 혼합부본체(310)는 원수 공급원(400)과 용해부본체(210)에 연결될 수 있다.
혼합부본체(310)와 원수 공급원(400)의 연결을 위해서 도1과 도3 및 도4에 도시된 실시예와 같이, 원수 공급원(400)과 용해부(200)에 연결된 제1원수공급라인(L1)으로부터 분지된 제2원수공급라인(L1')이 혼합부본체(310)에 구비된 원수 유입구(313)에 연결될 수 있다.
이에 따라, 도1과 도4에 도시된 바와 같이 제1원수공급라인(L1)을 유동하는 원수 공급원(400)의 세정액 원수의 일부는 계속 제1원수공급라인(L1)을 유동하여 용해부(200)의 용해부본체(210)의 원수 유입구(211)를 통해 용해부본체(210)에 유입될 수 있다. 그리고, 제1원수공급라인(L1)을 유동한 원수 공급원(400)의 세정액 원수의 나머지 일부는 제1원수공급라인(L1)과 제2원수공급라인(L1')을 유동하여 원수 유입구(313)를 통해 혼합부본체(310)에 유입될 수 있다.
이러한 구성의 경우, 도1과 도4에 도시된 바와 같이 제1원수공급라인(L1)의 밸브(V)를 수동 또는 자동으로 조작하여 용해부본체(210)에 유입되는 세정액 원수의 유량과 혼합부본체(310)에 유입되는 세정액 원수의 유량을 조절할 수 있다.
한편, 혼합부본체(310)는 전술한 바와 같이 용해부(200)의 용해부본체(210)에 연결된 원수 공급원(400)이 아닌 별도의 원수 공급원(400)에 연결될 수도 있다.
도1에 도시된 실시예와 같이 용해부본체(210)와 혼합부본체(310)가 용해액 배출라인(L3)에 의해서 연결되어 혼합부본체(310)와 용해부본체(210)가 연결될 수도 있다. 이를 위해서, 용해액 배출라인(L3)의 일측은 용해부본체(210)의 배출구(212)에 연결되고 타측은 혼합부본체(310)의 용해액 유입구(314)에 연결될 수 있다. 이러한 구성에 의해서, 용해부본체(210)에서 만들어진 비저항값이 낮은 용해액이 용해액 배출라인(L3)을 유동하여 혼합부본체(310)에 유입될 수 있다.
또한, 혼합부본체(310) 내부에 도4에 도시된 실시예와 같이 용해부본체(210)가 구비되어 혼합부본체(310)가 용해부본체(210)에 연결될 수 있다. 이러한 구성에 의해서, 용해부본체(210)에서 만들어진 비저항값이 낮은 용해액이 용해부본체(210)의 배출구(212)를 통해 배출되면 혼합부본체(310)에 유입될 수 있다.
그리고, 도1과 도3 및 도4에 도시된 실시예와 같이 혼합부본체(310)에는 세정액 배출구(315)가 구비될 수 있다. 그리고, 세정액 배출구(315)에는 도1과 도4에 도시된 실시예와 같이 분사노즐(N)이 연결된 세정액 배출라인(L4)이 연결될 수 있다. 그리고, 세정액 배출라인(L4)에는 도시된 실시예와 같이 밸브(V)가 구비될 수 있다.
이에 따라, 소정의 요구되는 비저항값을 가지도록 혼합부본체(310)에서 비저항값이 낮은 용해액과 세정액 원수가 혼합되어 만들어진 세정액이 세정액 배출구(315)를 통해 배출되어 세정액 배출라인(L4)을 유동할 수 있다. 그리고, 세정액 배출라인(L4)을 유동한 세정액은 세정액 배출라인(L4)에 구비된 밸브(V)가 열리면, 분사노즐(N)을 통해 웨이퍼 등의 피세정물에 분사될 수 있다.
한편, 도5와 도6에 도시된 실시예와 같이 혼합부(300)가 용해부본체(210)의 내부에 형성되는 경우에는, 혼합부(300)가 원수 공급원(400)에 연결되도록 하기 위해서, 용해부본체(210)에는 원수 유입구(313)가 구비될 수 있다. 그리고, 도5에 도시된 실시예와 같이 이러한 원수 유입구(313)는 원수 공급원(400)과 용해부(200)에 연결된 제1원수공급라인(L1)에서 분지된 제2원수공급라인(L1')에 연결될 수 있다.
이에 따라, 도5에 도시된 바와 같이 제2원수공급라인(L1')을 유동한 원수 공급원(400)의 세정액은 원수 유입구(313)를 통해 혼합부본체(210)의 내부에 형성된 혼합부(300)에 유입될 수 있다. 또한, 도5와 도6에 도시된 바와 같이 용해부재(220)를 유동하는 세정액 원수에 기체가 용해되어 만들어진 비저항값이 낮은 용해액도 용해부본체(210)의 내부에 형성된 혼합부(300)에 유입될 수 있다. 이에 의해서, 혼합부(300)에 유입된 비저항값이 낮은 용해액과 세정액 원수가 혼합부(300)에서 혼합되어 소정의 요구되는 비저항값을 가지는 세정액이 될 수 있다.
용해부본체(210)에 구비된 원수 유입구(313)는 전술한 바와 같이 원수 공급원(400)과 용해부(200)에 연결된 제1원수공급라인(L1)에서 분지된 제2원수공급라인(L1')에 연결되어 용해부(200)에 연결된 원수 공급원(400)에 연결될 수도 있으나, 별도의 원수 공급원(400)에 연결될 수도 있다.
한편, 혼합부(300)에서 배출되는 세정액이 피세정물에 분사되지 않아도 소정유량 외부로 계속 배출되도록 구성될 수 있다. 따라서, 세정액을 피세정물에 분사하기 시작하는 분사 시작시와 피세정물에의 분사를 중지하는 분사 중지시에 피세정물에 분사하는 세정액의 유량이 달라지지 않을 수 있다. 이에 의해서, 분사 시작시와 분사 중지시의 세정액의 유량 변동에 따른 비저항의 변동을 감소시킬 수 있다. 그리고, 세정액의 비저항값이 소정의 요구되는 값 이하로 비교적 일정하게 유지되도록 할 수 있다.
따라서, 웨이퍼 등의 피세정물에 세정액이 분사되어도 세정액과 피세정물이 대전되지 않아서 정전기가 발생되지 않음으로써 피세정물에 절연파괴가 발생하지 않거나 피세정물에 분진이 부착되지 않을 수 있다. 그러므로, 생산성이 향상될 수 있다.
이를 위해서, 도1과 도4 및 도5에 도시된 실시예와 같이 혼합부(300)에 연결되어 세정액이 배출되는 세정액 배출라인(L4)에는 세정액 드레인 라인(L5)이 연결될 수 있다. 그리고, 세정액 드레인 라인(L5)에는 도시된 실시예와 같이 세정액 드레인원(400')이 연결될 수 있다. 세정액 드레인원(400')은 특별히 한정되지 않고, 세정액이 드레인되는 것이라면 주지의 어떠한 것이라도 가능하다.
그리고, 세정액 드레인 라인(L5)에는 도시된 실시예와 같이 밸브(V)가 구비될 수 있다. 이러한 세정액 드레인 라인(L5)의 밸브(V)를 열면, 세정액 배출라인(L4)에 연결된 분사노즐(N)을 통해 세정액이 피세정물에 분사되지 않는다고 하더라도, 혼합부(300)의 세정액이 드레인 라인(L5)을 통해 소정 유량 계속해서 외부로 배출될 수 있다. 또한, 세정액 드레인 라인(L5)의 밸브(V)를 조작하여 외부로 배출되는 세정액의 유량을 조절할 수 있다.
이상에서와 같이 본 발명에 따른 세정액 제조장치를 사용하면, 세정액의 비저항값을 용이하게 조절할 수 있으며, 세정액의 비저항값을 소정의 요구되는 값 이하로 용이하게 조절할 수 있고, 세정액의 분사 시작시 또는 분사 중지시에 세정액의 비저항값이 변동되는 것을 감소할 수 있으며, 세정액의 비저항값이 소정의 요구되는 값 이하로 비교적 일정하게 유지되도록 할 수 있고, 웨이퍼 등의 피세정물에 세정액이 분사되어도 세정액과 피세정물이 대전되지 않아 정전기가 발생되지 않음으로써 피세정물에 절연파괴가 발생하지 않거나 피세정물에 분진이 부착되지 않을 수 있어서 생산성이 향상될 수 있다.
100 : 세정액 제조장치 200 : 용해부
210 : 용해부본체 211,313 : 원수 유입구
212 : 배출구 213 : 기체 유입구
214 : 기체 배출구 220 : 용해부재
300 : 혼합부 310 : 혼합부본체
311 : 본체부재 312 : 덮개부재
314 : 용해액 유입구 315 : 세정액 배출구
400 : 원수 공급원 400' : 세정액 드레인원
500 : 기체 공급원 500' : 기체 드레인원
R : 밀봉부재 N : 분사노즐
V : 밸브 RG : 레귤레이터
CP : 모세관 L1 : 제1원수공급라인
L1' : 제2원수공급라인 L2 : 기체 공급라인
L2' : 기체 배출라인 L2" : 액체 배출라인
L3 : 용해액 배출라인 L4 : 세정액 배출라인
L5 : 세정액 드레인 라인 S : 비저항계

Claims (17)

  1. 원수 공급원(400)과 기체 공급원(500)에 연결되며 유입된 세정액 원수에 기체를 용해하여 소정의 요구되는 비저항값보다 비저항값이 낮은 용해액을 만든 후 배출하도록 구성된 용해부(200); 및
    원수 공급원(400)과 상기 용해부(200)에 연결되며 유입된 세정액 원수에 상기 용해부(200)에서 만들어진 용해액을 혼합하여 소정의 요구되는 비저항값을 가지는 세정액을 만든 후 배출하도록 구성된 혼합부(300); 를 포함하여 구성되며,
    상기 용해부(200)에 유입된 세정액 원수에 용해되지 못한 기체가 소정 유량 외부로 계속 배출되도록 구성되고,
    상기 용해부(200)에는 세정액 원수에 용해되지 못한 기체가 배출되는 기체 배출라인(L2')이 연결되고 상기 기체 배출라인(L2')에는 모세관(CP)이 구비되며,
    상기 기체 배출라인(L2')에는 액체 배출라인(L2")의 일측과 타측이 각각 연결되고 상기 액체 배출라인(L2")에는 밸브(V)가 구비되어 상기 기체 배출라인(L2')에 존재하는 액체가 외부로 배출되도록 하는 것을 특징으로 하는 세정액 제조장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 혼합부(300)는 상기 용해부(200)가 연결된 원수 공급원(400)에 연결되는 것을 특징으로 하는 세정액 제조장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 혼합부(300)는 상기 용해부(200)와 원수 공급원(400)에 연결된 제1원수공급라인(L1)에서 분지된 제2원수공급라인(L1')에 연결되는 것을 특징으로 하는 세정액 제조장치.
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서, 원수 공급원(400)으로부터 상기 용해부(200)로 공급되는 세정액 원수의 유량과 원수 공급원(400)으로부터 상기 혼합부(300)로 공급되는 세정액 원수의 유량을 조절하여 상기 혼합부(300)에서 만들어지는 세정액의 비저항값을 조절하는 것을 특징으로 하는 세정액 제조장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 용해부(200)는
    원수 공급원(400)과 기체 공급원(500)에 연결되는 용해부본체(210); 및
    상기 용해부본체(210)에 구비되며 세정액 원수에 기체가 용해되도록 하는 용해부재(220);
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 제조장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 용해부재(220)는 중공사(中空絲) 막을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 제조장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 혼합부(300)는 상기 원수 공급원(400)과 용해부본체(210)에 연결되는 혼합부본체(310); 를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 제조장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 용해부본체(210)와 혼합부본체(310)는 용해액 배출라인(L3)에 의해서 연결되는 것을 특징으로 하는 세정액 제조장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 혼합부본체(310) 내부에 상기 용해부본체(210)가 구비되어 상기 용해부본체(210)가 상기 혼합부본체(310)에 연결되는 것을 특징으로 하는 세정액 제조장치.
  10. 제5항에 있어서, 상기 혼합부(300)는 상기 용해부본체(210) 내부에 형성되는 것을 특징으로 하는 세정액 제조장치.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제1항에 있어서, 상기 혼합부(300)에서 배출되는 세정액이 피세정물에 분사되지 않아도 소정 유량 외부로 계속 배출되도록 구성된 것을 특징으로 하는 세정액 제조장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 혼합부(300)에 연결되어 세정액이 배출되는 세정액 배출라인(L4)에는 세정액 드레인 라인(L5)이 연결되어 세정액이 소정 유량 외부로 계속 배출되는 것을 특징으로 하는 세정액 제조장치.
  16. 제1항에 있어서, 상기 세정액 원수는 초순수인 것을 특징으로 하는 세정액 제조장치.
  17. 제1항에 있어서, 상기 기체는 이산화탄소인 것을 특징으로 하는 세정액 제조장치.
KR1020120073958A 2012-07-06 2012-07-06 세정액 제조장치 KR101338298B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120073958A KR101338298B1 (ko) 2012-07-06 2012-07-06 세정액 제조장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120073958A KR101338298B1 (ko) 2012-07-06 2012-07-06 세정액 제조장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101338298B1 true KR101338298B1 (ko) 2013-12-10

Family

ID=49987581

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120073958A KR101338298B1 (ko) 2012-07-06 2012-07-06 세정액 제조장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101338298B1 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101690013B1 (ko) 2016-06-29 2017-01-09 앵스트롬스 주식회사 초순수 비저항 조절장치 및 이의 조절방법
KR20190131900A (ko) 2018-05-18 2019-11-27 주식회사 웨코 나노 버블을 이용한 세정액 제조장치 및 제조방법
KR20220004295A (ko) 2020-07-03 2022-01-11 세메스 주식회사 처리액 제조 장치 및 방법
KR102572215B1 (ko) * 2022-12-29 2023-08-30 주식회사 씨에스티 반도체 제조 공정용 대전방지 비저항 수치 자동 컨트롤 시스템
KR102693217B1 (ko) * 2023-04-26 2024-08-08 에이치제이에스이엔지(주) 반도체 공정을 위한 효율적인 믹싱이 가능한 대전방지장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990007226A (ko) * 1997-06-24 1999-01-25 다다히로 오미 세정액의 제조방법 및 그를 위한 장치
JP2006223995A (ja) * 2005-02-17 2006-08-31 Sony Corp 洗浄方法及び洗浄装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990007226A (ko) * 1997-06-24 1999-01-25 다다히로 오미 세정액의 제조방법 및 그를 위한 장치
JP2006223995A (ja) * 2005-02-17 2006-08-31 Sony Corp 洗浄方法及び洗浄装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101690013B1 (ko) 2016-06-29 2017-01-09 앵스트롬스 주식회사 초순수 비저항 조절장치 및 이의 조절방법
KR20190131900A (ko) 2018-05-18 2019-11-27 주식회사 웨코 나노 버블을 이용한 세정액 제조장치 및 제조방법
KR102066790B1 (ko) * 2018-05-18 2020-01-15 주식회사 웨코 나노 버블을 이용한 세정액 제조장치 및 제조방법
KR20220004295A (ko) 2020-07-03 2022-01-11 세메스 주식회사 처리액 제조 장치 및 방법
KR102572215B1 (ko) * 2022-12-29 2023-08-30 주식회사 씨에스티 반도체 제조 공정용 대전방지 비저항 수치 자동 컨트롤 시스템
KR102693217B1 (ko) * 2023-04-26 2024-08-08 에이치제이에스이엔지(주) 반도체 공정을 위한 효율적인 믹싱이 가능한 대전방지장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101338298B1 (ko) 세정액 제조장치
KR100950121B1 (ko) 세정 방법 및 세정 장치
US20050133066A1 (en) Substrate treating method and apparatus
US20170301573A1 (en) Nozzle and work polishing apparatus
CN103035466B (zh) 一种预清洗方法及等离子体设备
KR20190128161A (ko) pH 및 산화 환원 전위를 제어 가능한 희석 약액의 제조 장치
JP2006286947A (ja) 電子デバイス洗浄方法及び電子デバイス洗浄装置
JPS60876A (ja) ウェ−ハの洗浄などに使用する比抵抗の低い超純水の製法並びにその装置
CN203774251U (zh) 晶圆背面清洗装置
JP2017034188A (ja) 基板処理装置および処理液吐出方法
JP2014117628A (ja) 循環式オゾン水供給方法、及び循環式オゾン水供給装置
CN201376902Y (zh) 超纯水防静电装置
JPS587831A (ja) 高圧水によるウェハの洗浄方法及び装置
JP2010087326A (ja) 半導体装置の製造方法
KR20080034277A (ko) 습식세정장비의 세정수 공급장치 및 이를 이용한대전방지방법
US20030111339A1 (en) Plating system
US20230381834A1 (en) Method of cleaning pipe of single-wafer processing wafer cleaning apparatus
CN105244304B (zh) 一种带静电液雾清洗装置和清洗方法
KR102572215B1 (ko) 반도체 제조 공정용 대전방지 비저항 수치 자동 컨트롤 시스템
JP2000070887A (ja) 炭酸ガス溶存純水供給方法及び炭酸ガス溶存純水供給ユニット並びにそれを備えた基板処理装置
TWI697950B (zh) 基板處理裝置以及基板處理方法
CN109192680B (zh) 化学液槽装置
KR20220019657A (ko) pH 조정수 제조 장치
CN106647164B (zh) 一种避免蚀刻液输送管路结晶的方法
CN205752119U (zh) 一种防止喷嘴堵塞的喷淋装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171204

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181115

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191024

Year of fee payment: 7